JPH04651U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH04651U JPH04651U JP4144390U JP4144390U JPH04651U JP H04651 U JPH04651 U JP H04651U JP 4144390 U JP4144390 U JP 4144390U JP 4144390 U JP4144390 U JP 4144390U JP H04651 U JPH04651 U JP H04651U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask plate
- display element
- film
- forming
- substrate
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
第１図は本考案に係る斜視図である。
１……高周波電極の基板ホルダー部、２，２…
…透明導電膜、３……透明基板、４……金属製マ
スク板、７……絶縁層。
…透明導電膜、３……透明基板、４……金属製マ
スク板、７……絶縁層。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 透明基板上に透明導電膜をパターン付けし、
さらに該基板に金属製マスク板を重ね、基板上必
要部にプラズマＣＶＤ法により堆積膜を積層する
工程を含む表示素子形成において、前記マスク板
はその透明導電膜との接触域に予め絶縁層を付設
したことを特徴とする表示素子形成用マスク板。 ２ 表示素子が薄膜ＥＬ素子であり、堆積膜が絶
縁膜であることを特徴とする請求項１記載の表示
素子形成用マスク板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4144390U JPH04651U (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4144390U JPH04651U (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04651U true JPH04651U (ja) | 1992-01-07 |
Family
ID=31552114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4144390U Pending JPH04651U (ja) | 1990-04-18 | 1990-04-18 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04651U (ja) |
-
1990
- 1990-04-18 JP JP4144390U patent/JPH04651U/ja active Pending