JPH0465350B2 - - Google Patents
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- JPH0465350B2 JPH0465350B2 JP58165350A JP16535083A JPH0465350B2 JP H0465350 B2 JPH0465350 B2 JP H0465350B2 JP 58165350 A JP58165350 A JP 58165350A JP 16535083 A JP16535083 A JP 16535083A JP H0465350 B2 JPH0465350 B2 JP H0465350B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- clock
- latch
- signal
- gate
- scan
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 49
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 5
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- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
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- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/31701—Arrangements for setting the Unit Under Test [UUT] in a test mode
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/027—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
- H03K3/037—Bistable circuits
- H03K3/0375—Bistable circuits provided with means for increasing reliability; for protection; for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied; for storing the actual state when the supply voltage fails
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Test And Diagnosis Of Digital Computers (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、記憶素子のアレイと組合せ回路と、
所定の時刻においてはいずれか一方のみが活性状
態である第1および第2のクロツク信号を記憶素
子に加えるデバイスと、記憶素子を組合せ論理回
路から切離して記憶素子を1つまたはそれ以上の
シフト・レジスタに再構成するデバイスと、走査
テスト・データを再構成された素子に加えるデバ
イスと、記憶素子中の欠陥を表わすテスト出力信
号を受信する装置より成る型の集積回路をテスト
する装置に関する。
所定の時刻においてはいずれか一方のみが活性状
態である第1および第2のクロツク信号を記憶素
子に加えるデバイスと、記憶素子を組合せ論理回
路から切離して記憶素子を1つまたはそれ以上の
シフト・レジスタに再構成するデバイスと、走査
テスト・データを再構成された素子に加えるデバ
イスと、記憶素子中の欠陥を表わすテスト出力信
号を受信する装置より成る型の集積回路をテスト
する装置に関する。
VLSIを設計・製造する際に問題となるのは、
多くの内部ノード、従つて内部信号にアクセスで
きない点にある。このため工学上の問題点を見出
し、設計ミスを発見し、実際にシステムに組み込
む前に回路のテストを行うことが困難である。
多くの内部ノード、従つて内部信号にアクセスで
きない点にある。このため工学上の問題点を見出
し、設計ミスを発見し、実際にシステムに組み込
む前に回路のテストを行うことが困難である。
この問題を解決するために種々の解法が提案さ
れてきている。その1つとして、内部回路すべて
を調べ、内部信号の状態を集積回路チツプの出力
ピン(ここで内部信号の状態が観測可能となる)
に伝播させるような複雑な入力テスト・パターン
で回路をテストすることが考えられる。集積回路
が更に複雑になると、満足すべき成果をあげるた
めには、入力パターンの長さは極めて長くしなけ
ればならない。そのため、この方法で完全なテス
トを行なうことは、経済的に非現実的なものとな
る。
れてきている。その1つとして、内部回路すべて
を調べ、内部信号の状態を集積回路チツプの出力
ピン(ここで内部信号の状態が観測可能となる)
に伝播させるような複雑な入力テスト・パターン
で回路をテストすることが考えられる。集積回路
が更に複雑になると、満足すべき成果をあげるた
めには、入力パターンの長さは極めて長くしなけ
ればならない。そのため、この方法で完全なテス
トを行なうことは、経済的に非現実的なものとな
る。
他の方法として、活性化されたとき特に関心の
ある選択された内部ノードの状態をチツプの特定
のピンに直接出力させる特殊回路を内蔵すること
が考えられる。しかし、回路の複雑さが増すと、
特に関心のある内部ノードの数は、大幅に増大
し、この方法では対処できなくなる。
ある選択された内部ノードの状態をチツプの特定
のピンに直接出力させる特殊回路を内蔵すること
が考えられる。しかし、回路の複雑さが増すと、
特に関心のある内部ノードの数は、大幅に増大
し、この方法では対処できなくなる。
順序式LSI回路に対して開発された1つの有望
な方法として、走査テストが知られている。(こ
れには多数の変形がある)。これについては、例
えばエル・エー・ストルテおよびエヌ・シー・バ
ーグルンドの“IBMシステム/38のテスト手順
の設計”、プロシーデイングズ・オブ・ザ・1979
アイ・イー・イー・イー・テスト・コンフアレン
ス、チユリヒル、ニユージヤージー、頁29−36を
参照されたい。走査テスト法によれば、メモリ・
アレイを除く回路中のすべての記憶素子のデータ
入力と出力を回路の組合せ回路部分から切離して
内部で再接続を行なつて、1つまたはそれ以上の
シフト・レジスタを形成する走査モードを設ける
ことにより、デイジタル回路のテストが可能とな
る。これは典型例では、記憶素子のデータ入力に
マルチプレクサ回路を付加することにより実行さ
れる。この場合、マルチプレクサ回路は、相互接
続の切換えを許容し、それによつて回路の動作モ
ードは、平常動作モードと走査動作モード間で切
換えられる。従来、2つのモードの間の切換え
は、各記憶素子と関連するマルチプレクサに別個
の走査モード切換え信号を印加して、その動作モ
ードを制御することにより実行されてきた。この
モード切換え信号を種々のマルチプレクサに加え
る配線を設けなければならないということが、ス
ペースを節約することが重要なフアクタとなつて
いるVLSIにおいて大きな問題となる。従つて、
記憶素子の間にこの切換え信号用の布線を設ける
ことを回避し、その布線が必要とするスペースを
節約できるならば有利である。
な方法として、走査テストが知られている。(こ
れには多数の変形がある)。これについては、例
えばエル・エー・ストルテおよびエヌ・シー・バ
ーグルンドの“IBMシステム/38のテスト手順
の設計”、プロシーデイングズ・オブ・ザ・1979
アイ・イー・イー・イー・テスト・コンフアレン
ス、チユリヒル、ニユージヤージー、頁29−36を
参照されたい。走査テスト法によれば、メモリ・
アレイを除く回路中のすべての記憶素子のデータ
入力と出力を回路の組合せ回路部分から切離して
内部で再接続を行なつて、1つまたはそれ以上の
シフト・レジスタを形成する走査モードを設ける
ことにより、デイジタル回路のテストが可能とな
る。これは典型例では、記憶素子のデータ入力に
マルチプレクサ回路を付加することにより実行さ
れる。この場合、マルチプレクサ回路は、相互接
続の切換えを許容し、それによつて回路の動作モ
ードは、平常動作モードと走査動作モード間で切
換えられる。従来、2つのモードの間の切換え
は、各記憶素子と関連するマルチプレクサに別個
の走査モード切換え信号を印加して、その動作モ
ードを制御することにより実行されてきた。この
モード切換え信号を種々のマルチプレクサに加え
る配線を設けなければならないということが、ス
ペースを節約することが重要なフアクタとなつて
いるVLSIにおいて大きな問題となる。従つて、
記憶素子の間にこの切換え信号用の布線を設ける
ことを回避し、その布線が必要とするスペースを
節約できるならば有利である。
これらの問題は、本発明に従い、第1のクロツ
ク信号と同時に第3のクロツク信号を記憶素子に
選択的に加える装置を有し、第1および第3のク
ロツク信号はある時間期間同時に活性状態とな
り、切離しおよび再構成を行なうデバイスは、第
1および第3のクロツク信号が同時に活性状態と
なることに応動してテストのために記憶素子をシ
フト・レジスタに再構成し、記憶素子は第1およ
び第3の信号に応動して走査テスト・データを前
記シフト・レジスタ中に加えることを特徴とする
前述の型のテスト装置により解決された。
ク信号と同時に第3のクロツク信号を記憶素子に
選択的に加える装置を有し、第1および第3のク
ロツク信号はある時間期間同時に活性状態とな
り、切離しおよび再構成を行なうデバイスは、第
1および第3のクロツク信号が同時に活性状態と
なることに応動してテストのために記憶素子をシ
フト・レジスタに再構成し、記憶素子は第1およ
び第3の信号に応動して走査テスト・データを前
記シフト・レジスタ中に加えることを特徴とする
前述の型のテスト装置により解決された。
走査テストを実行する順序式LSI回路は通常レ
ベルに感応するマスタ・ラツチおよびスレーブ・
ラツチ(これらラツチには平常モード動作を行な
うために少なくとも2つのクロツク、すなわち制
御信号が加えられている)を含む記憶素子を有し
ている。動作状態にあつては本発明の場合とは異
なり、“すべてのクロツクが活性である状態”は
決して使用されない。本発明は回路のクロツクに
存在する信号の冗長性を使用している。
ベルに感応するマスタ・ラツチおよびスレーブ・
ラツチ(これらラツチには平常モード動作を行な
うために少なくとも2つのクロツク、すなわち制
御信号が加えられている)を含む記憶素子を有し
ている。動作状態にあつては本発明の場合とは異
なり、“すべてのクロツクが活性である状態”は
決して使用されない。本発明は回路のクロツクに
存在する信号の冗長性を使用している。
本発明に従い、走査テスト・モードを開始させ
る条件は、標準のクロツク端子の状態によつて決
定される。この標準のクロツク端子から記憶素子
に向つて導線が延びており、2つの端子が同時に
活性状態、すなわち高レベルであるという新らし
い動作状態が生成される。平常動作時には、クロ
ツク信号が加えられる2つの端子が共に高レベル
であるこの動作モードを、これら信号が実際には
制御信号であるにもかかわらず、2つのクロツク
が活性状態にあるものとして議論した方が便利で
ある。何故ならば、これら信号は動作モードを制
御すると同時に、記憶素子のクロツクとしても作
用するからである。デコーデイング機能が各記憶
素子中に含まれており、この2つのクロツクが活
性である状態を認知し、回路を走査モードに切換
え、それによつて記憶素子は1つまたはそれ以上
のシフト・レジスタに機能的に再構成され、次い
で走査信号をシフト・レジスタにクロツクとして
加える。
る条件は、標準のクロツク端子の状態によつて決
定される。この標準のクロツク端子から記憶素子
に向つて導線が延びており、2つの端子が同時に
活性状態、すなわち高レベルであるという新らし
い動作状態が生成される。平常動作時には、クロ
ツク信号が加えられる2つの端子が共に高レベル
であるこの動作モードを、これら信号が実際には
制御信号であるにもかかわらず、2つのクロツク
が活性状態にあるものとして議論した方が便利で
ある。何故ならば、これら信号は動作モードを制
御すると同時に、記憶素子のクロツクとしても作
用するからである。デコーデイング機能が各記憶
素子中に含まれており、この2つのクロツクが活
性である状態を認知し、回路を走査モードに切換
え、それによつて記憶素子は1つまたはそれ以上
のシフト・レジスタに機能的に再構成され、次い
で走査信号をシフト・レジスタにクロツクとして
加える。
本発明は、2つの端子を、平常時は記憶素子の
マスタおよびスレーブ・ラツチに対するタイミン
グ信号を提供する端子として使用し、付加的には
平常動作から走査テスト動作に切換えるべく回路
に対する制御信号を提供する端子として使用する
ものと見做すことができる。
マスタおよびスレーブ・ラツチに対するタイミン
グ信号を提供する端子として使用し、付加的には
平常動作から走査テスト動作に切換えるべく回路
に対する制御信号を提供する端子として使用する
ものと見做すことができる。
第1図において破線(例えば30)で示される
回路を取り入れ、点線(例えば36)で示される
部分を除外して得られる回路は、従来技術に従う
走査テストを行なうように作られた集積化順序回
路を示す。破線で示される回路を除外し、点線で
示される回路を取り入れ、クロツク信号波形およ
びマルチプレクサとフリツプ・フロツプの形態を
変更すると、第1図は本発明に従う走査テストを
行うよう作られた集積回路を表わすことになる。
回路を取り入れ、点線(例えば36)で示される
部分を除外して得られる回路は、従来技術に従う
走査テストを行なうように作られた集積化順序回
路を示す。破線で示される回路を除外し、点線で
示される回路を取り入れ、クロツク信号波形およ
びマルチプレクサとフリツプ・フロツプの形態を
変更すると、第1図は本発明に従う走査テストを
行うよう作られた集積回路を表わすことになる。
詳細に述べると、単一の組合せ回路ブロツク1
1は、集積回路中に含まれる種々の組合せ回路を
表わしている。これら組合わせ回路の出力のある
ものは、記憶素子と関連している。ここでは3つ
の記憶素子12,13および14のみを示す。こ
れらは典型例ではD型フリツプ・フロツプであ
る。D型フリツプ・フロツプは直列接続してシフ
ト・レジスタを形成するのに特に適している。各
フリツプ・フロツプの入力は関連するマルチプレ
クサ回路15,16または17から加えられてお
り、各マルチプレクサの入力には平常時関連する
記憶素子に信号を供給する組合せ回路の特定部分
からの導線18,19または20が加えられてい
る。更に、第1のマルチプレクサ15は走査入力
導線21が加えられており、それにより要求に応
じて走査入力端子22から走査入力テスト信号が
加えられる。第2のマルチプレクサ16の1つの
入力はまた第1の記憶素子12の出力が導線23
によつて加えられ、第3のマルチプレクサ17の
1つの入力は第2の記憶素子13の出力からの導
線24を有している。第3の記憶素子14の出力
は導線25に加えられ、該導線25は走査出力端
子26に対する出力を提供する。従来技術に従う
構成ではマルチプレクサは破線で示す導線30に
より提供される信号により制御されている。この
場合、導線30は要求に応じて走査モード動作用
の電圧が加えられるモード・スイツチ端子31に
接続されている。平常モード動作時においては端
子31上に前述の電圧が存在しない場合には、マ
ルチプレクサは導線18,19および20上に加
えられる情報のみを通過させ、その出力は導線2
7,28および29を通して組合せ回路に返送さ
れる。
1は、集積回路中に含まれる種々の組合せ回路を
表わしている。これら組合わせ回路の出力のある
ものは、記憶素子と関連している。ここでは3つ
の記憶素子12,13および14のみを示す。こ
れらは典型例ではD型フリツプ・フロツプであ
る。D型フリツプ・フロツプは直列接続してシフ
ト・レジスタを形成するのに特に適している。各
フリツプ・フロツプの入力は関連するマルチプレ
クサ回路15,16または17から加えられてお
り、各マルチプレクサの入力には平常時関連する
記憶素子に信号を供給する組合せ回路の特定部分
からの導線18,19または20が加えられてい
る。更に、第1のマルチプレクサ15は走査入力
導線21が加えられており、それにより要求に応
じて走査入力端子22から走査入力テスト信号が
加えられる。第2のマルチプレクサ16の1つの
入力はまた第1の記憶素子12の出力が導線23
によつて加えられ、第3のマルチプレクサ17の
1つの入力は第2の記憶素子13の出力からの導
線24を有している。第3の記憶素子14の出力
は導線25に加えられ、該導線25は走査出力端
子26に対する出力を提供する。従来技術に従う
構成ではマルチプレクサは破線で示す導線30に
より提供される信号により制御されている。この
場合、導線30は要求に応じて走査モード動作用
の電圧が加えられるモード・スイツチ端子31に
接続されている。平常モード動作時においては端
子31上に前述の電圧が存在しない場合には、マ
ルチプレクサは導線18,19および20上に加
えられる情報のみを通過させ、その出力は導線2
7,28および29を通して組合せ回路に返送さ
れる。
回路中で処理される平常の情報は1次入力32
によつて供給され、処理された結果は1次出力3
3に得られる。
によつて供給され、処理された結果は1次出力3
3に得られる。
順序回路中を通して適当に情報を移動させるた
め、回路には記憶素子を形成するフリツプ・フロ
ツプのマスタおよびスレーブ・ラツチに供給され
る一定繰返し速度のオーバラツプしない一連のマ
スタおよびスレーブ・クロツク・パルスが典型例
ではクロツクとして加えられる。フリツプ・フロ
ツプの各々のマスタ・ラツチにはマスタ・クロツ
ク端子34からの導線によつて信号が供給され、
各々のスレーブ・ラツチにはスレーブ・クロツク
端子35からの導線により信号が供給される。
め、回路には記憶素子を形成するフリツプ・フロ
ツプのマスタおよびスレーブ・ラツチに供給され
る一定繰返し速度のオーバラツプしない一連のマ
スタおよびスレーブ・クロツク・パルスが典型例
ではクロツクとして加えられる。フリツプ・フロ
ツプの各々のマスタ・ラツチにはマスタ・クロツ
ク端子34からの導線によつて信号が供給され、
各々のスレーブ・ラツチにはスレーブ・クロツク
端子35からの導線により信号が供給される。
走査モード動作が要求されると、モード・スイ
ツチ端子31が励起され、適当なスイツチ電圧が
導線30を介してマルチプレクサ15,16およ
び17に加えられ、それぞれ導線21,23およ
び24によつて供給される情報のみを通過させ
る。その結果、記憶素子12の出力は導線23を
介して記憶素子13に供給され、記憶素子13の
出力は導線24を介して記憶素子14に加えら
れ、次いで記憶素子14の出力は導線25を介し
て走査出力端子26に加えられる。
ツチ端子31が励起され、適当なスイツチ電圧が
導線30を介してマルチプレクサ15,16およ
び17に加えられ、それぞれ導線21,23およ
び24によつて供給される情報のみを通過させ
る。その結果、記憶素子12の出力は導線23を
介して記憶素子13に供給され、記憶素子13の
出力は導線24を介して記憶素子14に加えら
れ、次いで記憶素子14の出力は導線25を介し
て走査出力端子26に加えられる。
以上が従来技術の走査テストの典型的な実行方
法である。この種のテスト・システムの例が米国
特許第3761695号、第4074851号、第3783254号、
第4293919号に示されており、また“容易にテス
ト可能な大規模デイジタル回路の設計”、エヌ・
イー・シー・リサーチ・アンド・デイベロツプメ
ント、1979年7月、頁49〜55;“シフト・レジス
タ的接近法の応用およびその有効な実現法”、プ
ロシーデイングズ・オブ・ザ・1980・アイ・イ
ー・イー・イー・テスト・コンフアレンス、ペー
パ2.2;“テスト可能なLSJの論理設計法”、プロ
シーデイングズ・オブ・ザ・14th−デザイン・オ
ートメーシヨン・コンフアレンス、1977年7月、
夏462〜468にも述べられている。更に、適当なマ
ルチプレクサおよび記憶素子に関しては米国特許
第3783254号および第4277699号に述べられてい
る。
法である。この種のテスト・システムの例が米国
特許第3761695号、第4074851号、第3783254号、
第4293919号に示されており、また“容易にテス
ト可能な大規模デイジタル回路の設計”、エヌ・
イー・シー・リサーチ・アンド・デイベロツプメ
ント、1979年7月、頁49〜55;“シフト・レジス
タ的接近法の応用およびその有効な実現法”、プ
ロシーデイングズ・オブ・ザ・1980・アイ・イ
ー・イー・イー・テスト・コンフアレンス、ペー
パ2.2;“テスト可能なLSJの論理設計法”、プロ
シーデイングズ・オブ・ザ・14th−デザイン・オ
ートメーシヨン・コンフアレンス、1977年7月、
夏462〜468にも述べられている。更に、適当なマ
ルチプレクサおよび記憶素子に関しては米国特許
第3783254号および第4277699号に述べられてい
る。
この種の装置では、モード・スイツチ31から
各マルチプレクサに導線30を布設することが必
要であり、そのため可成りの面積が必要となり不
利となる。更に、モード・スイツチ端子31は入
力ピンを必要とするが、入力ピンは設けない方が
望ましい。
各マルチプレクサに導線30を布設することが必
要であり、そのため可成りの面積が必要となり不
利となる。更に、モード・スイツチ端子31は入
力ピンを必要とするが、入力ピンは設けない方が
望ましい。
本発明は前述の素子を必要とせず、回路は破線
31で示すモード・スイツチ端子31から信号が
供給される導線の代りにスレーブ・クロツク端子
35上の信号をマルチプレクサ15,16および
17に供給する点線で示す導線36,37および
38を使用した第1図の実線で示す形態を有して
いる。この場合、制御、すなわちクロツク・パル
スの波形およびこれらパルスをフリツプ・フロツ
プに加える仕方も変更する必要がある。マルチプ
レクサ15,16および17は典型例では関連す
る記憶素子12,13および14の極く近傍に設
け得るので、導線36,37および38はほとん
ど物理的スペースを必要としない。この装置で
は、スレーブ・クロツク端子のレベルはマルチプ
レクサに対するどの入力を選択して、その適当な
記憶素子に通過させるかを制御するのに使用され
る。
31で示すモード・スイツチ端子31から信号が
供給される導線の代りにスレーブ・クロツク端子
35上の信号をマルチプレクサ15,16および
17に供給する点線で示す導線36,37および
38を使用した第1図の実線で示す形態を有して
いる。この場合、制御、すなわちクロツク・パル
スの波形およびこれらパルスをフリツプ・フロツ
プに加える仕方も変更する必要がある。マルチプ
レクサ15,16および17は典型例では関連す
る記憶素子12,13および14の極く近傍に設
け得るので、導線36,37および38はほとん
ど物理的スペースを必要としない。この装置で
は、スレーブ・クロツク端子のレベルはマルチプ
レクサに対するどの入力を選択して、その適当な
記憶素子に通過させるかを制御するのに使用され
る。
第2図は本発明の装置が動作したとき、第1図
の回路において種々のマルチプレクサおよびフリ
ツプ・フロツプ記憶素子に信号が供給される仕方
を詳細なブロツク図とて示している。マルチプレ
クサ50には、平常時の信号および走査信号に対
する2つの入力導線51および52が設けられて
いる。所定の時刻における1つの選択された走査
信号はフリツプ・フロツプのマスタ・ラツチ部5
4の入力53に接続される。マスタ・ラツチの制
御端子55にはM制御信号が直接加えられる端子
56から信号が供給される。スレーブ・ラツチ部
58の制御端子57ANDゲート59によつて信
号が供給される。このANDゲート59の入力の
1つは端子60により供給されるS制御、すなわ
ちクロツク信号であり、他方は端子56から加え
られるM信号の補元である。S制御信号はまたマ
ルチプレクサの制御端子61に加えられる。
の回路において種々のマルチプレクサおよびフリ
ツプ・フロツプ記憶素子に信号が供給される仕方
を詳細なブロツク図とて示している。マルチプレ
クサ50には、平常時の信号および走査信号に対
する2つの入力導線51および52が設けられて
いる。所定の時刻における1つの選択された走査
信号はフリツプ・フロツプのマスタ・ラツチ部5
4の入力53に接続される。マスタ・ラツチの制
御端子55にはM制御信号が直接加えられる端子
56から信号が供給される。スレーブ・ラツチ部
58の制御端子57ANDゲート59によつて信
号が供給される。このANDゲート59の入力の
1つは端子60により供給されるS制御、すなわ
ちクロツク信号であり、他方は端子56から加え
られるM信号の補元である。S制御信号はまたマ
ルチプレクサの制御端子61に加えられる。
第3図には走査テストを行うようつくられた従
来技術の回路で供給されるモード・スイツチング
およびクロツク信号波形が示されている。波形8
1,82および83はそれぞれモード・スイツチ
ング信号、マスタ・クロツク信号およびスレー
ブ・クロツク信号に相応する。平常モード期間
中、モード・スイツチング信号81低レベルであ
る。モード・スイツチング信号81は走査動作期
間中高レベルである。マスタおよびスレーブ・ラ
ツチの制御端子に加えられる信号の波形はオーバ
ラツプしていないパルスである。
来技術の回路で供給されるモード・スイツチング
およびクロツク信号波形が示されている。波形8
1,82および83はそれぞれモード・スイツチ
ング信号、マスタ・クロツク信号およびスレー
ブ・クロツク信号に相応する。平常モード期間
中、モード・スイツチング信号81低レベルであ
る。モード・スイツチング信号81は走査動作期
間中高レベルである。マスタおよびスレーブ・ラ
ツチの制御端子に加えられる信号の波形はオーバ
ラツプしていないパルスである。
本発明に従い、モード・スイツチ端子31は関
連するマルチプレクサへの導線と共に除去されて
いる。その代りに走査モードのスイツチングの制
御は、平常時にはマスタおよびスレーブ・クロツ
ク・パルスが使用する2つの端子に特殊な信号を
加えると共に、これら特殊信号を認識し、そこか
ら動作モードを制御するマルチプレクサが使用す
る信号とマスタおよびスレーブ・ラツチを制御し
てフリツプ・フロツプが使用する信号を抽出する
復号回路を設けることにより実行される。
連するマルチプレクサへの導線と共に除去されて
いる。その代りに走査モードのスイツチングの制
御は、平常時にはマスタおよびスレーブ・クロツ
ク・パルスが使用する2つの端子に特殊な信号を
加えると共に、これら特殊信号を認識し、そこか
ら動作モードを制御するマルチプレクサが使用す
る信号とマスタおよびスレーブ・ラツチを制御し
てフリツプ・フロツプが使用する信号を抽出する
復号回路を設けることにより実行される。
第4図には第2図に示す本発明の実施例に従う
回路の平常動作時の波形が示されている。波形9
1は端子56に供給されるM信号であり、該信号
はマスタ・ラツチの制御端子55に、その補元は
ANDゲート59に加えられる。同様に、波形9
2は端子60に加えられるS信号であり、該信号
はまたマルチプレクサの制御端子61および
ANDゲート59に加えられる。該信号が低レベ
ルであると、マルチプレクサは平常データを組合
せ回路からフリツプ・フロツプに通過させ、該信
号が高レベルであると、マルチプレクサは走査デ
ータを通過させる。波形93はANDゲート59
の出力であり、平常動作モード期間中スレーブ・
ラツチ制御端子57に加えられる。図からわかる
ように、この波形93は波形92と一致してい
る。何故ならばM信号は反転されているからであ
る。
回路の平常動作時の波形が示されている。波形9
1は端子56に供給されるM信号であり、該信号
はマスタ・ラツチの制御端子55に、その補元は
ANDゲート59に加えられる。同様に、波形9
2は端子60に加えられるS信号であり、該信号
はまたマルチプレクサの制御端子61および
ANDゲート59に加えられる。該信号が低レベ
ルであると、マルチプレクサは平常データを組合
せ回路からフリツプ・フロツプに通過させ、該信
号が高レベルであると、マルチプレクサは走査デ
ータを通過させる。波形93はANDゲート59
の出力であり、平常動作モード期間中スレーブ・
ラツチ制御端子57に加えられる。図からわかる
ように、この波形93は波形92と一致してい
る。何故ならばM信号は反転されているからであ
る。
第5図は、同じ装置の走査動作期間中の波形を
示す。波形95はクロツク端子56に加えられた
M信号であり、その補元はANDゲート59に加
えられる。この波形95は平常動作時と同じ一連
のパルスより成り、これらパルスは主としてラツ
チのクロツク動作を制御する。この走査モードに
あつては、パルス幅をパルスの間のスペースと同
じにすることが通常望ましい。波形96はクロツ
ク端子60に加えられるS信号であり、高レベル
に留まる。この点が従来技術の装置と大幅に異な
るところである。マスタ・ラツチがオンとなる前
にスレーブ・ラツチが完全にオフとなることを保
証したい場合には、破線97で示すように波形9
5が高レベルとなる直前に一時的に低レベルにセ
ツトすることが望ましい。しかし、該信号96は
波形95が高レベルである残りの期間中は高レベ
ルでなければならない。これを実現する回路は
種々入手可能である。この波形96はまたマルチ
プレクサ50の制御端子61およびANDゲート
59に供給されるS信号である。この信号が高レ
ベルの間マルチプレクサは走査データをフリツ
プ・フロツプに通過させる。波形98はANDゲ
ート59の出力の信号であり、スレーブ・ラツチ
の制御端子57に加えられる。波形96が点線で
示す部分97を含む場合、波形98は同様に点線
で示す部分99を含むことになる。種々のフリツ
プ・フロツプが走査モードの特徴であるシフト・
レジスタ形態に相互接続されるとき、フリツプ・
フロツプに加えられる平常のクロツク信号のよう
に見える波形95および98はその中に記憶され
た信号を通常の仕方でシフトする。
示す。波形95はクロツク端子56に加えられた
M信号であり、その補元はANDゲート59に加
えられる。この波形95は平常動作時と同じ一連
のパルスより成り、これらパルスは主としてラツ
チのクロツク動作を制御する。この走査モードに
あつては、パルス幅をパルスの間のスペースと同
じにすることが通常望ましい。波形96はクロツ
ク端子60に加えられるS信号であり、高レベル
に留まる。この点が従来技術の装置と大幅に異な
るところである。マスタ・ラツチがオンとなる前
にスレーブ・ラツチが完全にオフとなることを保
証したい場合には、破線97で示すように波形9
5が高レベルとなる直前に一時的に低レベルにセ
ツトすることが望ましい。しかし、該信号96は
波形95が高レベルである残りの期間中は高レベ
ルでなければならない。これを実現する回路は
種々入手可能である。この波形96はまたマルチ
プレクサ50の制御端子61およびANDゲート
59に供給されるS信号である。この信号が高レ
ベルの間マルチプレクサは走査データをフリツ
プ・フロツプに通過させる。波形98はANDゲ
ート59の出力の信号であり、スレーブ・ラツチ
の制御端子57に加えられる。波形96が点線で
示す部分97を含む場合、波形98は同様に点線
で示す部分99を含むことになる。種々のフリツ
プ・フロツプが走査モードの特徴であるシフト・
レジスタ形態に相互接続されるとき、フリツプ・
フロツプに加えられる平常のクロツク信号のよう
に見える波形95および98はその中に記憶され
た信号を通常の仕方でシフトする。
第6図は第2図にブロツクとして示した回路の
詳細な回路図であり、第7図はその機能的に等価
な論理回路図である。
詳細な回路図であり、第7図はその機能的に等価
な論理回路図である。
第6図の回路において負荷素子として使用する
べくダイオード接続して示されたものを除きすべ
てのトランジスタはn型エンハンスメント・モー
ド・トランジスタであり、負荷素子130〜13
5はn型デイプリーシヨン・モード・トランジス
タである。
べくダイオード接続して示されたものを除きすべ
てのトランジスタはn型エンハンスメント・モー
ド・トランジスタであり、負荷素子130〜13
5はn型デイプリーシヨン・モード・トランジス
タである。
まず最初に第6図と第2図を比較すると、トラ
ンジスタ101,102,103および130は
平常データと走査データのいずれかをフリツプ・
フロツプに供給するかを決定するマルチプレクサ
50を形成していることがわかる。トランジスタ
104および131はマスタ・ラツチ54の一部
分であるインバータを形成しており、マスタ・ラ
ツチ54の残りの部分はトランジスタ105〜1
10および負荷132ならびに133により形成
されている。トランジスタ111〜118および
負荷134および135はスレーブ・ラツチ58
を形成し、その内トランジスタ113および11
6はまた59で示されるAND機能を提供してい
る。トランジスタ113および116が含まれて
いる点で、このフリツプ・フロツプは通常の形態
のものと異なる。
ンジスタ101,102,103および130は
平常データと走査データのいずれかをフリツプ・
フロツプに供給するかを決定するマルチプレクサ
50を形成していることがわかる。トランジスタ
104および131はマスタ・ラツチ54の一部
分であるインバータを形成しており、マスタ・ラ
ツチ54の残りの部分はトランジスタ105〜1
10および負荷132ならびに133により形成
されている。トランジスタ111〜118および
負荷134および135はスレーブ・ラツチ58
を形成し、その内トランジスタ113および11
6はまた59で示されるAND機能を提供してい
る。トランジスタ113および116が含まれて
いる点で、このフリツプ・フロツプは通常の形態
のものと異なる。
次に第6図と第7図を比較すると、トランジス
タ101は端子121に提供されるSクロツクの
補元の制御の下で端子120に提供される平常デ
ータに対する伝送ゲートを構成する。トランジス
タ103および負荷130はSクロツクの所望の
補元を提供するインバータとして作用する。トラ
ンジスタ102は同様にSクロツクの制御の下で
走査データの通過を制御する伝送ゲートである。
論理回路図においてこれは所望のマルチプレクサ
機能を提供するANDゲート201,203、イ
ンバータ202およびOR204として示されて
いる。詳細に述べると、Sクロツクの値はトラン
ジスタ101と102のいずれが特定の時刻にお
いて導通しているかを決定する。第6図および第
7図に示すノード125はマルチプレクサの出力
であり、Sクロツクが低レベルのとき平常データ
が、Sクロツクが高レベルのとき走査データがロ
ードされる。
タ101は端子121に提供されるSクロツクの
補元の制御の下で端子120に提供される平常デ
ータに対する伝送ゲートを構成する。トランジス
タ103および負荷130はSクロツクの所望の
補元を提供するインバータとして作用する。トラ
ンジスタ102は同様にSクロツクの制御の下で
走査データの通過を制御する伝送ゲートである。
論理回路図においてこれは所望のマルチプレクサ
機能を提供するANDゲート201,203、イ
ンバータ202およびOR204として示されて
いる。詳細に述べると、Sクロツクの値はトラン
ジスタ101と102のいずれが特定の時刻にお
いて導通しているかを決定する。第6図および第
7図に示すノード125はマルチプレクサの出力
であり、Sクロツクが低レベルのとき平常データ
が、Sクロツクが高レベルのとき走査データがロ
ードされる。
トランジスタ104および負荷131は、ノー
ド125で得られる信号の補元を必要に応じて提
供するインバータ205として作用する。トラン
ジスタ105および106は、ANDゲート20
6を形成し、トランジスタ107および108は
ANDゲート207を形成する。交差接続された
トランジスタ109および110は論理回路図中
のNORゲート208および209を形成し、
ANDゲート206,207、NORゲート208
および209およびインバータ205はマスタ・
ラツチ54を形成する。負荷132はANDゲー
ト206およびNORゲート208に共通であり、
負荷133はANDゲート207およびNORゲー
ト209に共通である。端子122に提供される
MクロツクはANDゲート206および207の
各々に対する1つの入力として作用し、それによ
つてMクロツクが低レベルのとき、マスタ・ラツ
チの状態は元の状態に留まる。Mクロツクが高レ
ベルであると、マスタ・ラツチは状態を変化する
ことが可能で、ノード125の状態に依存した状
態となる。
ド125で得られる信号の補元を必要に応じて提
供するインバータ205として作用する。トラン
ジスタ105および106は、ANDゲート20
6を形成し、トランジスタ107および108は
ANDゲート207を形成する。交差接続された
トランジスタ109および110は論理回路図中
のNORゲート208および209を形成し、
ANDゲート206,207、NORゲート208
および209およびインバータ205はマスタ・
ラツチ54を形成する。負荷132はANDゲー
ト206およびNORゲート208に共通であり、
負荷133はANDゲート207およびNORゲー
ト209に共通である。端子122に提供される
MクロツクはANDゲート206および207の
各々に対する1つの入力として作用し、それによ
つてMクロツクが低レベルのとき、マスタ・ラツ
チの状態は元の状態に留まる。Mクロツクが高レ
ベルであると、マスタ・ラツチは状態を変化する
ことが可能で、ノード125の状態に依存した状
態となる。
トランジスタ111,112および113は
ORゲート210等価であり、トランジスタ11
4,115および116はORゲート211に等
価である。交差接続されたトランジスタ117お
よび118はそれぞれNANDゲート212およ
び213として作用する。ORゲート210およ
び211ならびにNANDゲート212および2
13はスレーブ・ラツチを形成する。ORゲート
210は入力としてMクロツク、Sクロツクの補
元およびNORゲート208の出力を有している。
ORゲート211は入力としてMクロツク、Sク
ロツクの補元、NORゲート209の出力を有し
ている。トランジスタ134はORゲート210
およびNANDゲート212に対する共通の負荷
として作用し、トランジスタ135はORゲート
211およびNANDゲート213の共通の負荷
として作用する。
ORゲート210等価であり、トランジスタ11
4,115および116はORゲート211に等
価である。交差接続されたトランジスタ117お
よび118はそれぞれNANDゲート212およ
び213として作用する。ORゲート210およ
び211ならびにNANDゲート212および2
13はスレーブ・ラツチを形成する。ORゲート
210は入力としてMクロツク、Sクロツクの補
元およびNORゲート208の出力を有している。
ORゲート211は入力としてMクロツク、Sク
ロツクの補元、NORゲート209の出力を有し
ている。トランジスタ134はORゲート210
およびNANDゲート212に対する共通の負荷
として作用し、トランジスタ135はORゲート
211およびNANDゲート213の共通の負荷
として作用する。
制御信号であるMクロツクとSクロツクが共に
低レベルの間は、マスタ・ラツチ、スレーブ・ラ
ツチの状態は変化しない。Mクロツクが高レベル
となり、Sクロツクが低レベルであると、トラン
ジスタ101はオンとなり、平常データはノード
125に通過し、トランジスタ104により反転
される。Mクロアクは高レベルであるので、トラ
ンジスタ105および107はオンとなり、それ
によつて平常データはマスタ・ラツチにラツチさ
れる。マスタ・ラツチの設定された値はMクロツ
クが低レベルとなつた後に保持される。
低レベルの間は、マスタ・ラツチ、スレーブ・ラ
ツチの状態は変化しない。Mクロツクが高レベル
となり、Sクロツクが低レベルであると、トラン
ジスタ101はオンとなり、平常データはノード
125に通過し、トランジスタ104により反転
される。Mクロアクは高レベルであるので、トラ
ンジスタ105および107はオンとなり、それ
によつて平常データはマスタ・ラツチにラツチさ
れる。マスタ・ラツチの設定された値はMクロツ
クが低レベルとなつた後に保持される。
MおよびSクロツクが共に高レベルであると、
Sクロツクによりトランジスタ102はオンとな
るのに対し、トランジスタ101はオフである。
これにより走査データはノード125に通過し、
トランジスタ104により反転される。再びMク
ロツクは高レベルであるので、トランジスタ10
5および107はオンであり、走査データはマス
タ・ラツチ中にラツチされる。マスタ・ラツチの
設定された値はMクロツクが低レベルに戻つた後
も保持される。
Sクロツクによりトランジスタ102はオンとな
るのに対し、トランジスタ101はオフである。
これにより走査データはノード125に通過し、
トランジスタ104により反転される。再びMク
ロツクは高レベルであるので、トランジスタ10
5および107はオンであり、走査データはマス
タ・ラツチ中にラツチされる。マスタ・ラツチの
設定された値はMクロツクが低レベルに戻つた後
も保持される。
マスタ・ラツチの状態はMクロツクが高レベル
のときにのみ変化可能であり、一方、スレーブ・
ラツチの状態はMクロツクが低レベルで、Sクロ
ツクが高レベルのときのみ変化可能なことに注意
されたい。後者の場合、すなわちMクロツクが低
レベルでSクロツクが高レベルの場合、マスタ・
ラツチの状態はスレーブ・ラツチにコピーされ
る。
のときにのみ変化可能であり、一方、スレーブ・
ラツチの状態はMクロツクが低レベルで、Sクロ
ツクが高レベルのときのみ変化可能なことに注意
されたい。後者の場合、すなわちMクロツクが低
レベルでSクロツクが高レベルの場合、マスタ・
ラツチの状態はスレーブ・ラツチにコピーされ
る。
走査テストは前述した従来技術に従う走査テス
トと同様に通常の仕方で実行される。走査デー
タ・モードにおける処理の制御系列は次の通りで
ある。両方のクロツクが低レベルであると、不活
性である。Mクロツクが高レベルでSクロツクが
低レベルであると不適切な平常データがマスタ・
ラツチに入る。しかし、両方のクロツクが高レベ
ルになると、マスタ・ラツチ中の不適切なデータ
は適切な走査データで置き換えられ、Sクロツク
が高レベルのときにMクロツクが低レベルとなる
と、マスタ・ラツチ中の走査データはスレーブ・
ラツチに加えられてその出力に現れ、それによつ
てデータの1シフトが完了する。Sクロツクが尚
高レベルにあるときMクロツクが高レベルに戻る
と、走査データの次のビツトがマスタ・ラツチに
供給され、Sクロツクが高レベルに留まつている
間にMクロツクが低レベルに戻ると、データの第
2のシフトがスレーブ・ラツチに対して生じる。
この動作は走査レジスタの内容全体(これは直列
接続されたフリツプ・フロツプにより形成される
シフト・レジスタの段数に依存する)をロードし
てシフト・アウトするまで継続される。
トと同様に通常の仕方で実行される。走査デー
タ・モードにおける処理の制御系列は次の通りで
ある。両方のクロツクが低レベルであると、不活
性である。Mクロツクが高レベルでSクロツクが
低レベルであると不適切な平常データがマスタ・
ラツチに入る。しかし、両方のクロツクが高レベ
ルになると、マスタ・ラツチ中の不適切なデータ
は適切な走査データで置き換えられ、Sクロツク
が高レベルのときにMクロツクが低レベルとなる
と、マスタ・ラツチ中の走査データはスレーブ・
ラツチに加えられてその出力に現れ、それによつ
てデータの1シフトが完了する。Sクロツクが尚
高レベルにあるときMクロツクが高レベルに戻る
と、走査データの次のビツトがマスタ・ラツチに
供給され、Sクロツクが高レベルに留まつている
間にMクロツクが低レベルに戻ると、データの第
2のシフトがスレーブ・ラツチに対して生じる。
この動作は走査レジスタの内容全体(これは直列
接続されたフリツプ・フロツプにより形成される
シフト・レジスタの段数に依存する)をロードし
てシフト・アウトするまで継続される。
フリツプ・フロツプがマルチプレクサおよび復
号回路と共同して前述の所望の機能を提供するこ
とができるならば、本発明は使用するフリツプ・
フロツプには依存しないことは明らかである。詳
細に述べると、平常モード動作に際しては部分的
に組合せ回路と共同動作するが、通常の如くマス
タ・ラツチとスレーブ・ラツチが分離していない
フリツプ・フロツプを記憶素子として使用するこ
とも可能である。しかし、走査モード動作に際し
シフト・レジスタとして相互接続するためには、
各記憶素子がマスタおよびスレーブ・ラツチ構成
されていることが有利である。更にある場合には
過度に長いシフト・レジスタを形成することを避
け、走査テストのために記憶素子を2つまたはそ
れ以上のシフト・レジスタに再構成し、各シフ
ト・レジスタはチツプ上の組合せ回路のそれぞれ
異なる部分を使用するようにすることが望まし
い。
号回路と共同して前述の所望の機能を提供するこ
とができるならば、本発明は使用するフリツプ・
フロツプには依存しないことは明らかである。詳
細に述べると、平常モード動作に際しては部分的
に組合せ回路と共同動作するが、通常の如くマス
タ・ラツチとスレーブ・ラツチが分離していない
フリツプ・フロツプを記憶素子として使用するこ
とも可能である。しかし、走査モード動作に際し
シフト・レジスタとして相互接続するためには、
各記憶素子がマスタおよびスレーブ・ラツチ構成
されていることが有利である。更にある場合には
過度に長いシフト・レジスタを形成することを避
け、走査テストのために記憶素子を2つまたはそ
れ以上のシフト・レジスタに再構成し、各シフ
ト・レジスタはチツプ上の組合せ回路のそれぞれ
異なる部分を使用するようにすることが望まし
い。
更にある場合には、テストに使用される走査デ
ータを平常動作時には他の信号の入力端子として
作用する入力ピンに加えることが望ましい。これ
はこのピンにクロツク信号によつて制御されるマ
ルチプレクサ回路を設け、それによつて平常動作
時には該ピンは割当てられた役割りを果たし、走
査テスト・モードにあつてはそこに加えられる走
査テスト・データは走査テストのために形成され
たシフト・レジスタの入力端子に供給される。
ータを平常動作時には他の信号の入力端子として
作用する入力ピンに加えることが望ましい。これ
はこのピンにクロツク信号によつて制御されるマ
ルチプレクサ回路を設け、それによつて平常動作
時には該ピンは割当てられた役割りを果たし、走
査テスト・モードにあつてはそこに加えられる走
査テスト・データは走査テストのために形成され
たシフト・レジスタの入力端子に供給される。
これまでの説明の便宜上、ラツチは制御信号が
高レベルのときにデータを受け入れるものと仮定
して来た。もちろん制御信号が低レベルのときに
データを受け入れるラツチを設計することも可能
である。特許請求の範囲で使用するように、“活
性状態”とはラツチがデータを受け入れる状態
を、“不活性状態”とはラツチがデータを受け入
れない状態を表わすことにすると便利である。
高レベルのときにデータを受け入れるものと仮定
して来た。もちろん制御信号が低レベルのときに
データを受け入れるラツチを設計することも可能
である。特許請求の範囲で使用するように、“活
性状態”とはラツチがデータを受け入れる状態
を、“不活性状態”とはラツチがデータを受け入
れない状態を表わすことにすると便利である。
走査テストを制御するのに2つの主信号のみを
使用する本技法は、イー・ビー・アイシエルバー
ガおよびテイー・ダブリユー・ウイリアムズの
“テスト可能なLSIの論理設計構造”、ジヤーナ
ル・オブ・デザイン・オートメーシヨン・アン
ド・フオールト・トレラント・コンビユーテイン
グ、第2巻、頁165〜178、1978年5月、コンピユ
ータ・サイエンス・プレス・インコーポレーテツ
ドで述べられている種類の走査構造形態にも拡張
できる。第8図には第1図と関連して議論した仕
方で組合せ回路と共に使用されるこの種の従来技
術の基本記憶素子がブロツク図として示されてい
る。該素子は第1の極性の保持ラツチ301と第
2の極性の保持ラツチ302より成る特別なシフ
ト・レジスタ・ラツチより成る。
使用する本技法は、イー・ビー・アイシエルバー
ガおよびテイー・ダブリユー・ウイリアムズの
“テスト可能なLSIの論理設計構造”、ジヤーナ
ル・オブ・デザイン・オートメーシヨン・アン
ド・フオールト・トレラント・コンビユーテイン
グ、第2巻、頁165〜178、1978年5月、コンピユ
ータ・サイエンス・プレス・インコーポレーテツ
ドで述べられている種類の走査構造形態にも拡張
できる。第8図には第1図と関連して議論した仕
方で組合せ回路と共に使用されるこの種の従来技
術の基本記憶素子がブロツク図として示されてい
る。該素子は第1の極性の保持ラツチ301と第
2の極性の保持ラツチ302より成る特別なシフ
ト・レジスタ・ラツチより成る。
前述の論文で述べられているように、シフト・
レジスタ・ラツチSRLは2つの極性保持ラツチ
PHLより成る。極性保持ラツチは2つの入力信
号を有しており、その一方の信号は制御信号とし
て、他方の信号は励起信号として作用する。制御
信号が低レベル、すなわち不活性であると、ラツ
チは状態を変化できない。制御信号が高レベル、
すなわち活性状態であると、ラツチの内部状態は
励起信号の値にセツトされる。第1のラツチ30
1には2つの励起信号端子が設けられており、そ
の一つ303には平常データが、他方304には
走査データが供給されている。ラツチ301の出
力はシフト・レジスタ・ラツチのコンパニオン・
ラツチ302の励起入力として作用し、ラツチ3
02の出力は端子305から得られる。走査デー
タが励起入力として使用されるときに活性化され
る走査クロツクは端子306により第1のラツチ
に加えられる。これにより第2図の実施例におい
ては切離して示してあつたマルチプレクサ機能が
実現される。更に、第1のラツチの他の制御信号
として作用するマスタ・クロツク信号は端子30
7から加えられ、第2のラツチに対する制御信号
として作用するスレーブ・クロツク信号は端子3
08から加えられる。要約すると3つの主信号が
シフト・レジスタ・ラツチを制御するのに使用さ
れるが、各主信号を各シフト・レジスタ・ラツチ
に加えるべく配線を設ける必要がある。
レジスタ・ラツチSRLは2つの極性保持ラツチ
PHLより成る。極性保持ラツチは2つの入力信
号を有しており、その一方の信号は制御信号とし
て、他方の信号は励起信号として作用する。制御
信号が低レベル、すなわち不活性であると、ラツ
チは状態を変化できない。制御信号が高レベル、
すなわち活性状態であると、ラツチの内部状態は
励起信号の値にセツトされる。第1のラツチ30
1には2つの励起信号端子が設けられており、そ
の一つ303には平常データが、他方304には
走査データが供給されている。ラツチ301の出
力はシフト・レジスタ・ラツチのコンパニオン・
ラツチ302の励起入力として作用し、ラツチ3
02の出力は端子305から得られる。走査デー
タが励起入力として使用されるときに活性化され
る走査クロツクは端子306により第1のラツチ
に加えられる。これにより第2図の実施例におい
ては切離して示してあつたマルチプレクサ機能が
実現される。更に、第1のラツチの他の制御信号
として作用するマスタ・クロツク信号は端子30
7から加えられ、第2のラツチに対する制御信号
として作用するスレーブ・クロツク信号は端子3
08から加えられる。要約すると3つの主信号が
シフト・レジスタ・ラツチを制御するのに使用さ
れるが、各主信号を各シフト・レジスタ・ラツチ
に加えるべく配線を設ける必要がある。
動作状態にあつては走査クロツクが低レベルに
留まるとき、平常データのみが第1のラツチに加
えられ、該データはマスタおよびスレーブ・クロ
ツクの制御の下で通常の仕方でシフト・レジス
タ・ラツチを通してシフトされる。一方、マス
タ・クロツクが低レベルに保持されるときには、
走査データのみが第1のラツチに加えられ、この
データは走査およびスレーブ・クロツクの制御の
下でシフト・レジスタを通してシフトされる。
留まるとき、平常データのみが第1のラツチに加
えられ、該データはマスタおよびスレーブ・クロ
ツクの制御の下で通常の仕方でシフト・レジス
タ・ラツチを通してシフトされる。一方、マス
タ・クロツクが低レベルに保持されるときには、
走査データのみが第1のラツチに加えられ、この
データは走査およびスレーブ・クロツクの制御の
下でシフト・レジスタを通してシフトされる。
第9図には2つの主制御信号MおよびSのみ
(これら主制御信号を各シフト・レジスタ・ラツ
チに加える配線を設ける必要がある。)で前述と
同じ結果を達成する本発明に従う他の実施例が示
されている。この装置も第1のラツチ401と第
2のラツチ402を含むシフト・レジスタ・ラツ
チを有しており、該シフト・レジスタ・ラツチに
は入力端子403を介して平常データが、入力端
子404を介して走査データが加えられ、出力端
子405に現われる。M主信号はANDゲート4
06および407の各々に1つの入力として加え
られ、M主信号の補元がANDゲート408に加
えられる。S主信号はANDゲート406および
408の各々の入力として加えられ、S主信号の
補元はANDゲート407に加えられる。ゲート
406の出力は、走査クロツクとしてラツチ40
1の制御端子409に加えられる。ゲート407
の出力は、マスタ・クロツクとして第1のラツチ
401の制御端子410に加えられ、ゲート40
8の出力はスレーブ・クロツクとして第2のラツ
チ402の制御端子411に加えられる。
(これら主制御信号を各シフト・レジスタ・ラツ
チに加える配線を設ける必要がある。)で前述と
同じ結果を達成する本発明に従う他の実施例が示
されている。この装置も第1のラツチ401と第
2のラツチ402を含むシフト・レジスタ・ラツ
チを有しており、該シフト・レジスタ・ラツチに
は入力端子403を介して平常データが、入力端
子404を介して走査データが加えられ、出力端
子405に現われる。M主信号はANDゲート4
06および407の各々に1つの入力として加え
られ、M主信号の補元がANDゲート408に加
えられる。S主信号はANDゲート406および
408の各々の入力として加えられ、S主信号の
補元はANDゲート407に加えられる。ゲート
406の出力は、走査クロツクとしてラツチ40
1の制御端子409に加えられる。ゲート407
の出力は、マスタ・クロツクとして第1のラツチ
401の制御端子410に加えられ、ゲート40
8の出力はスレーブ・クロツクとして第2のラツ
チ402の制御端子411に加えられる。
第10図は、平常モード動作時における第9図
の装置で使用される種々の信号の波形を示す。波
形420として示すM信号および波形421とし
て示すS信号は、規則的なオーバラツプのないパ
ズルである。ANDゲート406の出力の波形4
22は低レベルに留まつている。ゲート407お
よび408の出力に得られる波形423および4
24は、それぞれ波形420および421と一致
している。
の装置で使用される種々の信号の波形を示す。波
形420として示すM信号および波形421とし
て示すS信号は、規則的なオーバラツプのないパ
ズルである。ANDゲート406の出力の波形4
22は低レベルに留まつている。ゲート407お
よび408の出力に得られる波形423および4
24は、それぞれ波形420および421と一致
している。
第11図は、走査テスト時における種々の信号
の波形を示している。M信号は、パルス幅とパル
ス間隔が等しいような一連のパルスより成る波形
430とされる。S信号は、波形431に示すよ
うに高レベル状態に留まつている。その結果、波
形432として示すゲート406の出力は、波形
430と一致している。波形433として示すゲ
ート407の出力は、低レベルに留まつている。
波形434として示すゲート408の出力は波形
430の補元である。
の波形を示している。M信号は、パルス幅とパル
ス間隔が等しいような一連のパルスより成る波形
430とされる。S信号は、波形431に示すよ
うに高レベル状態に留まつている。その結果、波
形432として示すゲート406の出力は、波形
430と一致している。波形433として示すゲ
ート407の出力は、低レベルに留まつている。
波形434として示すゲート408の出力は波形
430の補元である。
要約すると、これらの波形がシフト・レジス
タ・ラツチの制御のために入手可能であると、そ
の動作は第2図に示す実施例に対して述べたのと
同じものとなる。
タ・ラツチの制御のために入手可能であると、そ
の動作は第2図に示す実施例に対して述べたのと
同じものとなる。
第1図は、従来技術に従う走査テスト装置およ
び本発明に従う走査テスト装置の差異を示す集積
化された順序回路をブロツク図として示す図、第
2図は、本発明で使用するよう作られた記憶素子
をブロツク図として示す図、第3図は、従来技術
に従う走査テストで使用される制御パルス波形を
示す図、第4図および第5図は、本発明に従う走
査テストで使用される制御パルス波形を示す図、
第6図は、本発明を具現する記憶素子の回路図、
第7図は、第6図に示す回路と等価な論理ゲート
を示す図、第8図は、走査テストで使用される記
憶素子を制御する従来の装置を示す図、第9図
は、本発明に従い修正された第8図の装置を示す
図、第10図および第11図は、それぞれ正規モ
ードおよび走査モードにおいて第9図の装置で使
用される制御信号波形を示す図である。 〔主要部分の符号の説明〕、記憶素子……12,
13,14、第1及び第2のクロツク……91,
92、第3のクロツク……96、マスタ・ラツチ
……54、スレーブ・ラツチ……58、ANDゲ
ート……59。
び本発明に従う走査テスト装置の差異を示す集積
化された順序回路をブロツク図として示す図、第
2図は、本発明で使用するよう作られた記憶素子
をブロツク図として示す図、第3図は、従来技術
に従う走査テストで使用される制御パルス波形を
示す図、第4図および第5図は、本発明に従う走
査テストで使用される制御パルス波形を示す図、
第6図は、本発明を具現する記憶素子の回路図、
第7図は、第6図に示す回路と等価な論理ゲート
を示す図、第8図は、走査テストで使用される記
憶素子を制御する従来の装置を示す図、第9図
は、本発明に従い修正された第8図の装置を示す
図、第10図および第11図は、それぞれ正規モ
ードおよび走査モードにおいて第9図の装置で使
用される制御信号波形を示す図である。 〔主要部分の符号の説明〕、記憶素子……12,
13,14、第1及び第2のクロツク……91,
92、第3のクロツク……96、マスタ・ラツチ
……54、スレーブ・ラツチ……58、ANDゲ
ート……59。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 記憶素子(例えば12,13,14)のアレ
イ、組合せ論理回路(例えば11)、平常動作時
に第1および第2(例えば91,92)のクロツ
ク信号であつてそのうちの1つのみが所定の時刻
において活性状態にあるクロツク信号を該記憶素
子に加える手段(例えば34,35)、該記憶素
子を該組合せ論理回路から切り離して該記憶素子
を1つまたはそれ以上のシフト・レジスタとして
再構成する手段(例えば15,16,17)、走
査テスト・データを該再構成された記憶素子に加
える手段(例えば21,22)、および該記憶素
子の欠陥を表わすテスト出力信号を受信する手段
(例えば25,26)よりなる集積回路をテスト
する装置において、 走査動作時に該第1のクロツク信号と同時に該
第2のクロツク信号の代りに第3のクロツク信号
(例えば96)を該記憶素子に加える手段(例え
ば60)を有し、該第1および第3のクロツク信
号はある時間期間中同時に活性状態となり、該切
り離しを行つて再構成する手段は該第1および第
3のクロツク信号が同時に活性状態となることに
応動してテストのために該記憶素子を該シフト・
レジスタに再構成しており、そして該第1および
第3のクロツク信号に応動して走査テスト・デー
タを該シフト・レジスタへと与える手段(例えば
59)を含むことを特徴とする集積回路をテスト
する装置。 2 特許請求の範囲第1項記載の装置において、
該記憶素子はフリツプ・フロツプよりなり、切り
離しを行う手段はマルチプレクサよりなることを
特徴とする装置。 3 特許請求の範囲第2項記載の装置において、
各フリツプフロツプはマスタ・ラツチ(例えば5
4)とスリーブ・ラツチ(例えば58)よりな
り、該第1のクロツク信号はマスタ・ラツチおよ
びANDゲート(例えば59)に加えられ、平常
動作時は該第2のクロツク信号がそして走査動作
時は第3のクロツクがそれぞれマルチプレクサお
よびANDゲートに加えられ、ANDゲートの出力
はスレーブ・ラツチに加えられることを特徴とす
る装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/416,271 US4493077A (en) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | Scan testable integrated circuit |
| US416271 | 1982-09-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5973780A JPS5973780A (ja) | 1984-04-26 |
| JPH0465350B2 true JPH0465350B2 (ja) | 1992-10-19 |
Family
ID=23649286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58165350A Granted JPS5973780A (ja) | 1982-09-09 | 1983-09-09 | 集積回路をテストする装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4493077A (ja) |
| JP (1) | JPS5973780A (ja) |
Families Citing this family (62)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4580066A (en) * | 1984-03-22 | 1986-04-01 | Sperry Corporation | Fast scan/set testable latch using two levels of series gating with two current sources |
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| NL8004176A (nl) * | 1980-07-21 | 1982-02-16 | Philips Nv | Inrichting voor het testen van een schakeling met digitaal werkende en kombinatorisch werkende onderdelen. |
-
1982
- 1982-09-09 US US06/416,271 patent/US4493077A/en not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-09-09 JP JP58165350A patent/JPS5973780A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4493077A (en) | 1985-01-08 |
| JPS5973780A (ja) | 1984-04-26 |
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