JPH0157413B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0157413B2 JPH0157413B2 JP58015655A JP1565583A JPH0157413B2 JP H0157413 B2 JPH0157413 B2 JP H0157413B2 JP 58015655 A JP58015655 A JP 58015655A JP 1565583 A JP1565583 A JP 1565583A JP H0157413 B2 JPH0157413 B2 JP H0157413B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- layer
- coercive force
- servo
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/66—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers
- G11B5/672—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent the record carriers consisting of several layers having different compositions in a plurality of magnetic layers, e.g. layer compositions having differing elemental components or differing proportions of elements
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記憶装置に用いられる磁気デイス
ク等の磁気記憶体にかかる。
ク等の磁気記憶体にかかる。
現在主に用いられている長手記録方式において
は、最近高密度記憶媒体として、記憶媒体がめつ
き法又はスパツタ法により製作された連続磁性薄
膜型のめつき磁気デイスク、フエライトスパツタ
磁気デイスクが用いられ始めた。これらの連続磁
性薄膜を記憶媒体とする磁気デイスクを用いた高
性能磁気デイスク装置が1981年に開発され、線密
度14000BPI、トラツク密度1100TPIの高記録密
度が達成されている。
は、最近高密度記憶媒体として、記憶媒体がめつ
き法又はスパツタ法により製作された連続磁性薄
膜型のめつき磁気デイスク、フエライトスパツタ
磁気デイスクが用いられ始めた。これらの連続磁
性薄膜を記憶媒体とする磁気デイスクを用いた高
性能磁気デイスク装置が1981年に開発され、線密
度14000BPI、トラツク密度1100TPIの高記録密
度が達成されている。
今後、更に高密度化が進む状況にあり、線密度
及びトラツク密度の向上の為の研究開発が活発に
行なわれている。トラツク密度に関しては、従来
からサーボデイスクを用いたサーボ面サーボ方式
が採用されているが、この方式ではサーボデイス
クとデータデイスク間の物理的距離及び構造等に
基因する温度差による熱膨張の違いが生じてトラ
ツク密度の増大の大きな障害になつている。この
欠点を除去する方法として、二層の記憶媒体を有
する磁気デイスクを用いることが報告されてい
る。即ち主に使用されているγ−Fe2O3塗布型デ
イスクにおいて、下層媒体層にサーボ情報を記録
し、上層媒体層にデータ情報を記録することによ
り、温度差によるトラツク位置ずれを避ける方法
である。しかしながらγ−Fe2O3塗布型デイスク
においては、媒体層を薄くすることが困難な為に
記録密度を大巾に増加することは難しく且つ高密
度時の媒体Ｓ／Ｎが小さいという欠点を有してい
る。
及びトラツク密度の向上の為の研究開発が活発に
行なわれている。トラツク密度に関しては、従来
からサーボデイスクを用いたサーボ面サーボ方式
が採用されているが、この方式ではサーボデイス
クとデータデイスク間の物理的距離及び構造等に
基因する温度差による熱膨張の違いが生じてトラ
ツク密度の増大の大きな障害になつている。この
欠点を除去する方法として、二層の記憶媒体を有
する磁気デイスクを用いることが報告されてい
る。即ち主に使用されているγ−Fe2O3塗布型デ
イスクにおいて、下層媒体層にサーボ情報を記録
し、上層媒体層にデータ情報を記録することによ
り、温度差によるトラツク位置ずれを避ける方法
である。しかしながらγ−Fe2O3塗布型デイスク
においては、媒体層を薄くすることが困難な為に
記録密度を大巾に増加することは難しく且つ高密
度時の媒体Ｓ／Ｎが小さいという欠点を有してい
る。
一方垂直記録においては、現在コバルト・クロ
ム合金スパツタ媒体を中心にして研究開発が行な
われているが、リジツドデイスクにおいては線密
度が70000FRPI（Flux Reversal Per Inch）の可
能性があることが報告されており、又フロツピデ
イスクではD50で80000FRPI程度の線密度の可能
性があることが報告されている。
ム合金スパツタ媒体を中心にして研究開発が行な
われているが、リジツドデイスクにおいては線密
度が70000FRPI（Flux Reversal Per Inch）の可
能性があることが報告されており、又フロツピデ
イスクではD50で80000FRPI程度の線密度の可能
性があることが報告されている。
しかしながらこれらの報告で示されたトラツク
密度は非常に小さく、長手記録の現状のトラツク
密度（1100TPI）より大幅に小さい。又メツキ法
によるコバルト・ニツケル・リン合金を下層のサ
ーボ用磁性膜として使用する場合、保磁力を
1100Oc以上にすることが出来ないという欠点が
ある。
密度は非常に小さく、長手記録の現状のトラツク
密度（1100TPI）より大幅に小さい。又メツキ法
によるコバルト・ニツケル・リン合金を下層のサ
ーボ用磁性膜として使用する場合、保磁力を
1100Oc以上にすることが出来ないという欠点が
ある。
本発明の目的は高線密度及び高トラツク密度が
可能でかつ高密度時の媒体Ｓ／Ｎが良好なデータ
サーボ方式を実現させるために、下層のサーボ情
報媒体に長手記録用高保磁力酸化鉄磁性薄膜媒体
を有し、上層のデータ情報媒体にコバルト・クロ
ム垂直記録用磁性媒体を有する磁気２重層垂直磁
気記憶体を提供することにある。
可能でかつ高密度時の媒体Ｓ／Ｎが良好なデータ
サーボ方式を実現させるために、下層のサーボ情
報媒体に長手記録用高保磁力酸化鉄磁性薄膜媒体
を有し、上層のデータ情報媒体にコバルト・クロ
ム垂直記録用磁性媒体を有する磁気２重層垂直磁
気記憶体を提供することにある。
本発明による磁気２重層磁気記憶体は、非磁性
基板と、この非磁性基板を被覆するサーボ信号用
高保磁力酸化鉄層と、この高保磁力酸化鉄層を被
覆する非磁性層と、この非磁性層（例えばSiO2
スパツタ膜）を被覆するデータ信号用垂直磁気異
方性磁性層（例えばCo−Crスパツタ膜）と、こ
の垂直磁気異方性磁性膜を被覆する保護膜とから
なる多層構造を有している。
基板と、この非磁性基板を被覆するサーボ信号用
高保磁力酸化鉄層と、この高保磁力酸化鉄層を被
覆する非磁性層と、この非磁性層（例えばSiO2
スパツタ膜）を被覆するデータ信号用垂直磁気異
方性磁性層（例えばCo−Crスパツタ膜）と、こ
の垂直磁気異方性磁性膜を被覆する保護膜とから
なる多層構造を有している。
本磁気記憶体において、サーボ用磁性媒体とな
る下層の高保磁力酸化物磁性層は長手記録でサー
ボ情報が記録され、データ用磁性媒体となる上層
の垂直磁気異方性磁性層は垂直記録でデータ情報
が記録される。垂直磁気異方性磁性媒体として、
コバルト・クロムスパツタ膜を使用した場合、コ
バルト・クロム膜は耐食性を有するために、保護
膜層を薄膜化出来るので、スペーシングを小さく
出来、垂直磁気記録媒体として高線密度を達成出
来、下層のサーボ用高保磁力酸化鉄磁性層により
データ面サーボが可能なために高トラツク密度が
可能となる。
る下層の高保磁力酸化物磁性層は長手記録でサー
ボ情報が記録され、データ用磁性媒体となる上層
の垂直磁気異方性磁性層は垂直記録でデータ情報
が記録される。垂直磁気異方性磁性媒体として、
コバルト・クロムスパツタ膜を使用した場合、コ
バルト・クロム膜は耐食性を有するために、保護
膜層を薄膜化出来るので、スペーシングを小さく
出来、垂直磁気記録媒体として高線密度を達成出
来、下層のサーボ用高保磁力酸化鉄磁性層により
データ面サーボが可能なために高トラツク密度が
可能となる。
以下本発明による磁気２重層垂直磁気記憶体の
特徴を実施例により説明する。
特徴を実施例により説明する。
実施例 １
本発明の一実施例を第１図に示す。
第１図においてアルミニウム素板にメツキさ
れ、研磨された非磁性ニツケル合金の非磁性基板
１の上に膜厚0.2〜0.5μｍのγ−Fe2O3を主成分と
する高保磁力（例えば1000Oe以上）酸化鉄層２
を被覆し、この高保磁力酸化鉄層２の上に膜厚
0.2〜0.6μｍの非磁性層（例えばSiO2スパツタ層）
３を被覆し、この非磁性層３の上にスパツタ法に
より膜厚0.5μｍのコバルト・クロム合金を主成分
とする垂直磁気異方性磁性層４を被覆し、このコ
バルト・クロムを主成分とする垂直磁気異方性磁
性層４上に膜厚0.02μｍの保護膜層（例えばSiO2
スパツタ層）５を形成する。
れ、研磨された非磁性ニツケル合金の非磁性基板
１の上に膜厚0.2〜0.5μｍのγ−Fe2O3を主成分と
する高保磁力（例えば1000Oe以上）酸化鉄層２
を被覆し、この高保磁力酸化鉄層２の上に膜厚
0.2〜0.6μｍの非磁性層（例えばSiO2スパツタ層）
３を被覆し、この非磁性層３の上にスパツタ法に
より膜厚0.5μｍのコバルト・クロム合金を主成分
とする垂直磁気異方性磁性層４を被覆し、このコ
バルト・クロムを主成分とする垂直磁気異方性磁
性層４上に膜厚0.02μｍの保護膜層（例えばSiO2
スパツタ層）５を形成する。
この様にして得られる磁気２重層垂直磁気記憶
体をギヤツプ長の大きいサーボ記録用ヘツドによ
りスペーシングの小さい条件で、サーボ情報を高
保磁力酸化鉄層２と垂直異方性磁性層４に記録
し、その後ギヤツプ長の小さいデータ記録再生用
ヘツドによりスペーシングの大きい条件で、垂直
磁気異方性磁性層２に記録されたサーボ情報だけ
を消去する。高保磁力酸化鉄２には保磁力が高い
ために、前記データ記録再生用ヘツドによるデー
タの記録・再生に際し何ら変更を受けず、先に記
録されたサーボ情報のみが残り、そのサーボ情報
をギヤツプ長の小さい前記データ記録再生用ヘツ
ドで再生し、サーボ信号として使用する。
体をギヤツプ長の大きいサーボ記録用ヘツドによ
りスペーシングの小さい条件で、サーボ情報を高
保磁力酸化鉄層２と垂直異方性磁性層４に記録
し、その後ギヤツプ長の小さいデータ記録再生用
ヘツドによりスペーシングの大きい条件で、垂直
磁気異方性磁性層２に記録されたサーボ情報だけ
を消去する。高保磁力酸化鉄２には保磁力が高い
ために、前記データ記録再生用ヘツドによるデー
タの記録・再生に際し何ら変更を受けず、先に記
録されたサーボ情報のみが残り、そのサーボ情報
をギヤツプ長の小さい前記データ記録再生用ヘツ
ドで再生し、サーボ信号として使用する。
上層のコバルト・クロム合金を主成分とする垂
直磁気異方性磁性層４はギヤツプ長の小さいデー
タヘツドにより高線密度（70000FRPI）の達成を
可能にし、下層のγ−Fe2O3を主成分とする高保
磁力酸化鉄層２を高トラツク密度（1500〜
3000TPI）の達成を可能にする。
直磁気異方性磁性層４はギヤツプ長の小さいデー
タヘツドにより高線密度（70000FRPI）の達成を
可能にし、下層のγ−Fe2O3を主成分とする高保
磁力酸化鉄層２を高トラツク密度（1500〜
3000TPI）の達成を可能にする。
実施例 ２
第２図は実施例１と同様な２重層磁性膜の構成
であるが、基板が異なる。
であるが、基板が異なる。
即ち、フレキシブルデイスクに適用した場合
で、ポリイミド膜６を非磁性基体として、その上
に実施例１と同様な磁気２重層磁性膜を構成し
た。
で、ポリイミド膜６を非磁性基体として、その上
に実施例１と同様な磁気２重層磁性膜を構成し
た。
この様にして作製したフレキシブルデイスクは
線密度80000FRPIを達成し、十分高密度化が可能
であつた。又下層の高保磁力酸化鉄膜のサーボ情
報により高トラツク密度化が可能となつた。又フ
レキシブルデイスクの基板としてポリイミド以外
の樹脂を用いても何らかまわない。
線密度80000FRPIを達成し、十分高密度化が可能
であつた。又下層の高保磁力酸化鉄膜のサーボ情
報により高トラツク密度化が可能となつた。又フ
レキシブルデイスクの基板としてポリイミド以外
の樹脂を用いても何らかまわない。
第１図は実施例１で用いた磁気２重層垂直磁気
記憶体の断面図である。 １…非磁性基板、２…高保磁力酸化鉄層、３…
非磁性層、４…垂直磁気異方性磁性層（例えばコ
バルト・クロム）、５…保護膜層。 第２図は、実施例２で用いた磁気２重層垂直磁
気記憶体の断面図である。 ６…ポリイミド膜。
記憶体の断面図である。 １…非磁性基板、２…高保磁力酸化鉄層、３…
非磁性層、４…垂直磁気異方性磁性層（例えばコ
バルト・クロム）、５…保護膜層。 第２図は、実施例２で用いた磁気２重層垂直磁
気記憶体の断面図である。 ６…ポリイミド膜。
Claims (1)
- １ 非磁性基板と、この非磁性基板を被覆するサ
ーボ信号用高保磁力酸化鉄と、この高保磁力酸化
鉄層を被覆する非磁性層と、この非磁性層を被覆
するデータ信号用コバルト・クロム垂直磁気異方
性層と、この垂直磁気異方性層を被覆する保護膜
層とからなることを特徴とする磁気２重層垂直磁
気記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58015655A JPS59142737A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 磁気２重層垂直磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58015655A JPS59142737A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 磁気２重層垂直磁気記憶体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59142737A JPS59142737A (ja) | 1984-08-16 |
| JPH0157413B2 true JPH0157413B2 (ja) | 1989-12-05 |
Family
ID=11894733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58015655A Granted JPS59142737A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 磁気２重層垂直磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59142737A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61172218A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-02 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
| JPS61284831A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-15 | Nec Corp | 磁気２重層垂直磁気記憶体 |
| JP2016029357A (ja) | 2014-07-24 | 2016-03-03 | 株式会社デンソー | 温度センサ |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5410703A (en) * | 1977-06-27 | 1979-01-26 | Hokushin Electric Works | Magnetic recording medium |
| JPS5434205A (en) * | 1977-08-22 | 1979-03-13 | Canon Inc | Magnetic recording medium |
| JPS5891B2 (ja) * | 1977-09-30 | 1983-01-05 | 俊一 岩崎 | 磁気記録媒体 |
| JPS54145105A (en) * | 1978-05-02 | 1979-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
-
1983
- 1983-02-02 JP JP58015655A patent/JPS59142737A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59142737A (ja) | 1984-08-16 |
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