JPH0466402B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0466402B2 JPH0466402B2 JP61087642A JP8764286A JPH0466402B2 JP H0466402 B2 JPH0466402 B2 JP H0466402B2 JP 61087642 A JP61087642 A JP 61087642A JP 8764286 A JP8764286 A JP 8764286A JP H0466402 B2 JPH0466402 B2 JP H0466402B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency
- capacitance element
- variable capacitance
- piezoelectric vibrator
- oscillation circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B2201/00—Aspects of oscillators relating to varying the frequency of the oscillations
- H03B2201/02—Varying the frequency of the oscillations by electronic means
- H03B2201/0208—Varying the frequency of the oscillations by electronic means the means being an element with a variable capacitance, e.g. capacitance diode
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/02—Details
- H03B5/04—Modifications of generator to compensate for variations in physical values, e.g. power supply, load, temperature
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体基板表面に絶縁膜に覆われ外
部から絶縁された浮遊電極に蓄積した電荷によつ
て容量を制御する半導体可変容量素子を用いた圧
電振動子発振用の電子回路に関する。
部から絶縁された浮遊電極に蓄積した電荷によつ
て容量を制御する半導体可変容量素子を用いた圧
電振動子発振用の電子回路に関する。
［発明の概要］
本発明は浮遊電極に蓄積した電荷によつて容量
を制御する半導体可変容量素子を用いた圧電振動
子発振用の電子回路において、前記半導体可変容
量素子の浮遊電極に蓄積した電荷量を変化させる
ことによつて、発振回路の周波数を可変できると
ともに、前記半導体可変容量素子のバイアス端子
に印加するバイアス電圧を変化させることによつ
ても発振回路の周波数を可変できるようにしたも
のである。また、前記バイアス端子に印加するバ
イアス電圧が発振回路の電源電圧の変化に相関し
て変化することによつて、発振回路の電源電圧を
変化することでも発振回路の周波数を可変できる
ようにしたものである。
を制御する半導体可変容量素子を用いた圧電振動
子発振用の電子回路において、前記半導体可変容
量素子の浮遊電極に蓄積した電荷量を変化させる
ことによつて、発振回路の周波数を可変できると
ともに、前記半導体可変容量素子のバイアス端子
に印加するバイアス電圧を変化させることによつ
ても発振回路の周波数を可変できるようにしたも
のである。また、前記バイアス端子に印加するバ
イアス電圧が発振回路の電源電圧の変化に相関し
て変化することによつて、発振回路の電源電圧を
変化することでも発振回路の周波数を可変できる
ようにしたものである。
［従来の技術］
従来から半導体可変容量素子は文献
（Proceedings vol.2 in 11th
INTERNATIONAL CONGRESS of
CHRONOMETRY，’84，edited by The
French Society of Microtechnology and
Chronometry，P.9、’84）で知られるものであ
る。
（Proceedings vol.2 in 11th
INTERNATIONAL CONGRESS of
CHRONOMETRY，’84，edited by The
French Society of Microtechnology and
Chronometry，P.9、’84）で知られるものであ
る。
第２図は前記半導体可変容量素子を用いた従来
のCMOS水晶発振回路を示す回路図である。イ
ンバータ２１のソースドレイン間に帰還抵抗２２
が接続され、ドレイン抵抗２３を通じて水晶振動
子２４もソースドレイン間に接続されている。さ
らに、前記水晶振動子２４の両端にドレイン容量
２５と発振周波数を調整する半導体可変容量素子
２６が接続されている。また、電源電圧２８は定
電圧回路または定電流回路２７を通してインバー
タ２１に供給され、水晶発振回路の消費電流を低
減させるとともに電源電圧の変動で周波数の変動
するのを防止している。周波数の調整は半導体可
変容量素子２６の浮遊電極に蓄積する電荷で半導
体可変容量素子２６の容量を変化させることでお
こなつている。半導体可変容量素子２６の容量可
変は容易で発振周波数を正確に調整でき、かつ、
その信頼性も高い。
のCMOS水晶発振回路を示す回路図である。イ
ンバータ２１のソースドレイン間に帰還抵抗２２
が接続され、ドレイン抵抗２３を通じて水晶振動
子２４もソースドレイン間に接続されている。さ
らに、前記水晶振動子２４の両端にドレイン容量
２５と発振周波数を調整する半導体可変容量素子
２６が接続されている。また、電源電圧２８は定
電圧回路または定電流回路２７を通してインバー
タ２１に供給され、水晶発振回路の消費電流を低
減させるとともに電源電圧の変動で周波数の変動
するのを防止している。周波数の調整は半導体可
変容量素子２６の浮遊電極に蓄積する電荷で半導
体可変容量素子２６の容量を変化させることでお
こなつている。半導体可変容量素子２６の容量可
変は容易で発振周波数を正確に調整でき、かつ、
その信頼性も高い。
［発明が解決しようとする問題点］
しかし、前記第２図に示した従来のCMOS水
晶発振回路では、周波数を調整のための半導体可
変容量素子２６の容量可変には、10Vを越える高
電圧が必要であること、その電圧は正負両方の向
きが必要であることの他、一旦調整した周波数を
基準として相対的に周波数を変化させることは困
難という欠点があつた。すなわち、一旦調整した
周波数を変化させた後、以前の周波数にもどすこ
とは正確にはもどしにくいうえ手数がかかるとい
う問題点である。
晶発振回路では、周波数を調整のための半導体可
変容量素子２６の容量可変には、10Vを越える高
電圧が必要であること、その電圧は正負両方の向
きが必要であることの他、一旦調整した周波数を
基準として相対的に周波数を変化させることは困
難という欠点があつた。すなわち、一旦調整した
周波数を変化させた後、以前の周波数にもどすこ
とは正確にはもどしにくいうえ手数がかかるとい
う問題点である。
［問題点解決のための手段］
上記問題点を解決するために、本発明は、半導
体可変容量素子の容量電極に一定のバイアス電圧
を印加するバイアス端子をもうけた半導体可変容
量素子を周波数調整用容量として用いることで前
記問題点を解決した。電源をオフしても記憶しな
ければならないような基準となる周波数の調整に
は半導体可変容量素子の浮遊電極に蓄積した電荷
量を変化することによつておこなう。また、周波
数を一時的に変化させるため、あるいは、相対的
に変化させるためには容量電極に印加するバイア
ス電圧を変化することによつておこなうものであ
る。この容量電極に印加するバイアス電圧は5V
以下の低電圧でよく、また、電圧の向きも正また
は負のどちらか一方で良いので、バイアス電圧は
発振回路の電源電圧から供給できる。（バイアス
電圧の向きは半導体可変容量素子の基板をＰ型に
するかＮ型にするかによつて決まる）。
体可変容量素子の容量電極に一定のバイアス電圧
を印加するバイアス端子をもうけた半導体可変容
量素子を周波数調整用容量として用いることで前
記問題点を解決した。電源をオフしても記憶しな
ければならないような基準となる周波数の調整に
は半導体可変容量素子の浮遊電極に蓄積した電荷
量を変化することによつておこなう。また、周波
数を一時的に変化させるため、あるいは、相対的
に変化させるためには容量電極に印加するバイア
ス電圧を変化することによつておこなうものであ
る。この容量電極に印加するバイアス電圧は5V
以下の低電圧でよく、また、電圧の向きも正また
は負のどちらか一方で良いので、バイアス電圧は
発振回路の電源電圧から供給できる。（バイアス
電圧の向きは半導体可変容量素子の基板をＰ型に
するかＮ型にするかによつて決まる）。
［作用］
このことによつて、基準となる周波数の調整は
従来同様に正確かつ高信頼性でおこなえ、この周
波数に影響をあたえずに、周波数を一時的に変化
させる、あるいは、相対的に変化させる周波数の
制御が通常のTTLレベルの電圧範囲内で極めて
容易にできるようになつた。
従来同様に正確かつ高信頼性でおこなえ、この周
波数に影響をあたえずに、周波数を一時的に変化
させる、あるいは、相対的に変化させる周波数の
制御が通常のTTLレベルの電圧範囲内で極めて
容易にできるようになつた。
［実施例］
以下、本発明の詳細を実施例を用いて説明す
る。
る。
第１図は本発明の第１の実施例の回路を示す回
路図である。CMOSインバータ１のソースドレ
イン間に帰還抵抗２が接続され、ドレイン抵抗３
を通じて水晶振動子４もソースドレイン間に接続
されている。さらに、前記水晶振動子４のドレイ
ン側の端子にドレイン容量５接続され、ソース側
の端子にDCカツト容量９を介して発振周波数を
調整する半導体可変容量素子６が接続されてい
る。また、インバータ１の電源８には定電圧回路
または定電流回路７が挿入され、水晶発振回路の
消費電流を低減させるとともに電源電圧の変動で
周波数の変動するのを防止している。半導体可変
容量素子６の容量電極にはRFカツト抵抗１０が
接続され、さらに分割抵抗１２，１３を介して外
部からバイアス電圧を印加するバイアス端子１４
を構成している。前記分割抵抗１２，１３はバイ
アス端子１４に印加するバイアス電圧による半導
体可変容量素子６の容量変化の制御性をよくする
ためのもので原理的には無くてもよい。
路図である。CMOSインバータ１のソースドレ
イン間に帰還抵抗２が接続され、ドレイン抵抗３
を通じて水晶振動子４もソースドレイン間に接続
されている。さらに、前記水晶振動子４のドレイ
ン側の端子にドレイン容量５接続され、ソース側
の端子にDCカツト容量９を介して発振周波数を
調整する半導体可変容量素子６が接続されてい
る。また、インバータ１の電源８には定電圧回路
または定電流回路７が挿入され、水晶発振回路の
消費電流を低減させるとともに電源電圧の変動で
周波数の変動するのを防止している。半導体可変
容量素子６の容量電極にはRFカツト抵抗１０が
接続され、さらに分割抵抗１２，１３を介して外
部からバイアス電圧を印加するバイアス端子１４
を構成している。前記分割抵抗１２，１３はバイ
アス端子１４に印加するバイアス電圧による半導
体可変容量素子６の容量変化の制御性をよくする
ためのもので原理的には無くてもよい。
周波数の調整は半導体可変容量素子６の容量を
変えることで行つている。
変えることで行つている。
半導体可変容量素子６の可変端子１１は、半導
体可変容量素子６内の前記浮遊電極の蓄積電荷量
を制御するものである。可変端子１１に正負いず
れかの高い電圧を加えると半導体可変容量素子６
内の浮遊電極との間の極薄い酸化膜にトンネル電
流が流れ、浮遊電極の蓄積電荷量を変化できる。
蓄積電荷で生じる浮遊電極の電位の変化により、
半導体可変容量素子６内の浮遊電極の下の半導体
基板表面の空乏層容量も変化する。浮遊電極は絶
縁性に優れた酸化膜で覆われているため、蓄積さ
れている電荷は、可変端子１１に可変電圧パルス
を加えないかぎり経時変化しない。この結果、半
導体可変容量素子６は浮遊電極の蓄積電荷量によ
つて、基板と容量電極の間の静電容量を任意に可
変できる。
体可変容量素子６内の前記浮遊電極の蓄積電荷量
を制御するものである。可変端子１１に正負いず
れかの高い電圧を加えると半導体可変容量素子６
内の浮遊電極との間の極薄い酸化膜にトンネル電
流が流れ、浮遊電極の蓄積電荷量を変化できる。
蓄積電荷で生じる浮遊電極の電位の変化により、
半導体可変容量素子６内の浮遊電極の下の半導体
基板表面の空乏層容量も変化する。浮遊電極は絶
縁性に優れた酸化膜で覆われているため、蓄積さ
れている電荷は、可変端子１１に可変電圧パルス
を加えないかぎり経時変化しない。この結果、半
導体可変容量素子６は浮遊電極の蓄積電荷量によ
つて、基板と容量電極の間の静電容量を任意に可
変できる。
また、半導体可変容量素子６内の浮遊電極と容
量電極とは強く容量結合しており、浮遊電極の電
位は容量電極の電圧に大きく影響を受ける。半導
体可変容量素子６内の浮遊電極の電位によつて容
量値は変化するので、バイアス端子１４のバイア
ス電圧を変化させても、半導体可変容量素子６の
容量値は可変できる。バイアス端子１４の電圧を
変化すれば、半導体可変容量素子６の容量電極に
加わる電圧も変化し、容量電極の電圧にしたがつ
て半導体可変容量素子６内の浮遊電極の電位も変
化するので、容量値は可変できる。
量電極とは強く容量結合しており、浮遊電極の電
位は容量電極の電圧に大きく影響を受ける。半導
体可変容量素子６内の浮遊電極の電位によつて容
量値は変化するので、バイアス端子１４のバイア
ス電圧を変化させても、半導体可変容量素子６の
容量値は可変できる。バイアス端子１４の電圧を
変化すれば、半導体可変容量素子６の容量電極に
加わる電圧も変化し、容量電極の電圧にしたがつ
て半導体可変容量素子６内の浮遊電極の電位も変
化するので、容量値は可変できる。
したがつて、水晶発振回路の周波数はインバー
タ１のソースに接続された容量値で変化するの
で、第１の実施例の発振回路の周波数は可変端子
１１に正負いずれかの可変電圧パルスを印加する
か、あるいは、バイアス端子１４のバイアス電圧
を変化するかのどちらでも可変できる。
タ１のソースに接続された容量値で変化するの
で、第１の実施例の発振回路の周波数は可変端子
１１に正負いずれかの可変電圧パルスを印加する
か、あるいは、バイアス端子１４のバイアス電圧
を変化するかのどちらでも可変できる。
水晶発振回路の周波数の絶対値を調整する場合
には、バイアス端子１４に一定のバイアス電圧を
印加しておき、半導体可変容量素子６の可変端子
１１に正負いずれかの可変電圧パルスを印加する
方法を用いる。半導体可変容量素子６の可変端子
１１に正負いずれかの可変電圧パルスを印加する
ことで半導体可変容量素子６内の浮遊電極に蓄積
される電荷量は極めて精度良く制御できる。ま
た、浮遊電極に一度蓄積された電荷は極めて安定
で10年以上の長期にわたつて変化しないし、ま
た、発振回路の電源をオフしても変化しない。
には、バイアス端子１４に一定のバイアス電圧を
印加しておき、半導体可変容量素子６の可変端子
１１に正負いずれかの可変電圧パルスを印加する
方法を用いる。半導体可変容量素子６の可変端子
１１に正負いずれかの可変電圧パルスを印加する
ことで半導体可変容量素子６内の浮遊電極に蓄積
される電荷量は極めて精度良く制御できる。ま
た、浮遊電極に一度蓄積された電荷は極めて安定
で10年以上の長期にわたつて変化しないし、ま
た、発振回路の電源をオフしても変化しない。
一方、水晶発振回路の周波数を相対的にあるい
は一時的に調整する場合にはバイアス端子１４に
印加するバイアス電圧を変化する方法を用いる。
バイアス端子１４に印加するバイアス電圧は5V
以下の小さな電圧でよく水晶発振回路と同一IC
内に組み込めるDAコンバータ等で容易に発生で
きる。また、制御するのが電圧であるため、可変
が容易で基準となるバイアス電圧から一度変化さ
せた後また元の基準電圧にもどすことも簡単であ
る。たとえば、２つのバイアス電圧を用意してお
き、このバイアス電圧を電気的に切り換えること
で２種の発振周波数を簡単に得ることができ、ま
た、簡単に２つの周波数を切り換えられる。
は一時的に調整する場合にはバイアス端子１４に
印加するバイアス電圧を変化する方法を用いる。
バイアス端子１４に印加するバイアス電圧は5V
以下の小さな電圧でよく水晶発振回路と同一IC
内に組み込めるDAコンバータ等で容易に発生で
きる。また、制御するのが電圧であるため、可変
が容易で基準となるバイアス電圧から一度変化さ
せた後また元の基準電圧にもどすことも簡単であ
る。たとえば、２つのバイアス電圧を用意してお
き、このバイアス電圧を電気的に切り換えること
で２種の発振周波数を簡単に得ることができ、ま
た、簡単に２つの周波数を切り換えられる。
したがつて、水晶発振回路の周波数を相対的に
あるいは一時的に調整する場合にはバイアス端子
１４に印加するバイアス電圧を変化する方法が適
している。
あるいは一時的に調整する場合にはバイアス端子
１４に印加するバイアス電圧を変化する方法が適
している。
第３図は本発明の第２の実施例の回路を示す回
路図である。CMOSインバータ３１のソースド
レイン間に帰還抵抗３２が接続され、ドレイン抵
抗３３を通じて水晶振動子３４もソースドレイン
間に接続されている。さらに、前記水晶振動子３
４のドレイン側の端子にドレイン容量３５接続さ
れ、ソース側の端子にDCカツト容量３９を介し
て発振周波数を調整する半導体可変容量素子３６
が接続されている。また、インバータ３１の電源
には定電圧回路または定電流回路３７が挿入さ
れ、水晶発振回路の消費電流を低減させている。
分割抵抗４２，４３を介してさらにRFカツト抵
抗４０を通じて水晶発振回路の電源電圧３８から
バイアス電圧を半導体可変容量素子３６の容量電
極に印加している。
路図である。CMOSインバータ３１のソースド
レイン間に帰還抵抗３２が接続され、ドレイン抵
抗３３を通じて水晶振動子３４もソースドレイン
間に接続されている。さらに、前記水晶振動子３
４のドレイン側の端子にドレイン容量３５接続さ
れ、ソース側の端子にDCカツト容量３９を介し
て発振周波数を調整する半導体可変容量素子３６
が接続されている。また、インバータ３１の電源
には定電圧回路または定電流回路３７が挿入さ
れ、水晶発振回路の消費電流を低減させている。
分割抵抗４２，４３を介してさらにRFカツト抵
抗４０を通じて水晶発振回路の電源電圧３８から
バイアス電圧を半導体可変容量素子３６の容量電
極に印加している。
この第２の実施例では、水晶発振回路の周波数
の絶対値を調整する場合には、水晶発振回路の電
源電圧３８を一定しておき、半導体可変容量素子
３６の可変端子４て１に正負いずれかの可変電圧
パルスを印加する方法を用いて第１の実施例と同
様にできる。また、水晶発振回路の電源電圧を変
化させると分割抵抗４２，４３およびRFカツト
抵抗４０を通じて半導体可変容量素子３６の容量
電極に印加するバイアス電圧が変化し半導体可変
容量素子３６の容量も変化する。水晶発振回路の
電源電圧３８を変化することによつて、水晶発振
回路の周波数を相対的にあるいは一時的に可変で
きる。電源電圧の変化による周波数変化の感度
は、分割抵抗４２，４３の比を適当に選ぶことに
よつて調整できる。
の絶対値を調整する場合には、水晶発振回路の電
源電圧３８を一定しておき、半導体可変容量素子
３６の可変端子４て１に正負いずれかの可変電圧
パルスを印加する方法を用いて第１の実施例と同
様にできる。また、水晶発振回路の電源電圧を変
化させると分割抵抗４２，４３およびRFカツト
抵抗４０を通じて半導体可変容量素子３６の容量
電極に印加するバイアス電圧が変化し半導体可変
容量素子３６の容量も変化する。水晶発振回路の
電源電圧３８を変化することによつて、水晶発振
回路の周波数を相対的にあるいは一時的に可変で
きる。電源電圧の変化による周波数変化の感度
は、分割抵抗４２，４３の比を適当に選ぶことに
よつて調整できる。
第２の実施例の発振回路にCMOSを用いれば、
その消費電流は極めて少なく、電流出力容量の小
さいDAコンバータのアナログ出力を発振回路の
電源電圧３８に接続することが可能である。
その消費電流は極めて少なく、電流出力容量の小
さいDAコンバータのアナログ出力を発振回路の
電源電圧３８に接続することが可能である。
本発明を応用すれば、半導体可変容量素子６の
可変端子１１を使い常温で周波数を調整し、バイ
アス端子１４を使つて水晶振動子の温度特性によ
る周波数の補正を行うことも容易にできる。
可変端子１１を使い常温で周波数を調整し、バイ
アス端子１４を使つて水晶振動子の温度特性によ
る周波数の補正を行うことも容易にできる。
［発明の効果］
以上の説明で明らかなように、本発明は、圧電
振動子を用いる発振回路の周波数調整用の半導体
可変容量素子に外部からその容量電極にバイアス
電圧を印加できるバイアス端子をもうけたことに
より、半導体可変容量素子の浮遊電極に蓄積する
電荷量によるばかりでなく、バイアス電圧でも周
波数を可変できるようにしたものである。このこ
とによつて、基準となる周波数の絶対値の調整は
従来同様に正確かつ高信頼性でおこなえ、この周
波数に影響をあたえずに、周波数を一時的に変化
させる、あるいは、相対的に変化させる周波数の
制御が通常のTTLレベルの範囲内の電圧で極め
て容易にできるようになつた。
振動子を用いる発振回路の周波数調整用の半導体
可変容量素子に外部からその容量電極にバイアス
電圧を印加できるバイアス端子をもうけたことに
より、半導体可変容量素子の浮遊電極に蓄積する
電荷量によるばかりでなく、バイアス電圧でも周
波数を可変できるようにしたものである。このこ
とによつて、基準となる周波数の絶対値の調整は
従来同様に正確かつ高信頼性でおこなえ、この周
波数に影響をあたえずに、周波数を一時的に変化
させる、あるいは、相対的に変化させる周波数の
制御が通常のTTLレベルの範囲内の電圧で極め
て容易にできるようになつた。
第１図は、本発明の第１の実施例の回路図で、
第２図は従来の水晶発振回路の回路図で、第３図
は本発明の第２の実施例の回路図である。 １，２１，３１……インバータ、２，２２，３
２……帰還抵抗、４，２４，３４……水晶振動
子、６，２６，３６……半導体可変容量素子、
９，３９……DCカツト容量、１０，４０……RF
カツト抵抗、１４……バイアス端子、１１，４１
……可変端子。
第２図は従来の水晶発振回路の回路図で、第３図
は本発明の第２の実施例の回路図である。 １，２１，３１……インバータ、２，２２，３
２……帰還抵抗、４，２４，３４……水晶振動
子、６，２６，３６……半導体可変容量素子、
９，３９……DCカツト容量、１０，４０……RF
カツト抵抗、１４……バイアス端子、１１，４１
……可変端子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 圧電振動子と、前記圧電振動子の発振周波数
を制御するための前記圧電振動子に接続された半
導体可変容量素子とからなり、前記半導体可変容
量素子は半導体基板と前記半導体基板上に配置さ
れ外部と絶縁されている浮遊電極と前記浮遊電極
の蓄積電荷量を制御するための可変端子と容量電
極とからなつている圧電振動子発振回路におい
て、 前記容量電極にバイアス電圧を印加し圧電振動
子の発振周波数を制御するためのバイアス電圧印
加手段を設けたことを特徴とする圧電振動子発振
回路。 ２ 前記半導体可変容量素子のバイアス電圧が前
記電子回路の電源電圧によつて制御されることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の圧電振動
子発振回路。 ３ 前記圧電振動子発振回路の特定温度での周波
数を前記半導体可変容量素子の浮遊電極に蓄積し
た電荷によつて調整し、前記圧電振動子の温度特
性による周波数変化を前記バイアス電圧で補正す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項記載の圧電振動子発振回路。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61087642A JPS62243405A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 圧電振動子発振回路 |
| US07/036,285 US4821001A (en) | 1986-04-16 | 1987-04-09 | Circuit oscillator |
| EP87303084A EP0242125A3 (en) | 1986-04-16 | 1987-04-09 | Oscillation circuit for a piezo-electric resonator and method of controlling same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61087642A JPS62243405A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 圧電振動子発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62243405A JPS62243405A (ja) | 1987-10-23 |
| JPH0466402B2 true JPH0466402B2 (ja) | 1992-10-23 |
Family
ID=13920635
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61087642A Granted JPS62243405A (ja) | 1986-04-16 | 1986-04-16 | 圧電振動子発振回路 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4821001A (ja) |
| EP (1) | EP0242125A3 (ja) |
| JP (1) | JPS62243405A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01309504A (ja) * | 1988-06-08 | 1989-12-13 | Seiko Electronic Components Ltd | 周波数変調型水晶発振器 |
| FR2635920B1 (fr) * | 1988-08-30 | 1990-10-12 | Thomson Csf | Procede de fabrication d'une zone de connexion pour un circuit hyperfrequence de type triplaque et circuit ainsi obtenu |
| US5650754A (en) * | 1995-02-15 | 1997-07-22 | Synergy Microwave Corporation | Phase-loched loop circuits and voltage controlled oscillator circuits |
| US5627498A (en) * | 1996-02-09 | 1997-05-06 | Nvision, Inc. | Multiple frequency oscillator |
| US7471163B2 (en) * | 2006-09-29 | 2008-12-30 | Intel Corporation | Oxide overstress tolerant crystal oscillator |
| JP6658112B2 (ja) * | 2016-03-04 | 2020-03-04 | セイコーエプソン株式会社 | 温度補償機能付き時計 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4097829A (en) * | 1977-02-14 | 1978-06-27 | Cutler-Hammer, Inc. | Thermoelectric compensation for voltage control devices |
| FR2501434B1 (fr) * | 1981-03-03 | 1985-10-11 | Cepe | Oscillateur a frequence commandee comportant un element piezoelectrique et presentant une plage de variation de frequence etendue |
| JPS5853864A (ja) * | 1981-09-25 | 1983-03-30 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 半導体可変容量素子 |
| JPS5892885A (ja) * | 1981-11-27 | 1983-06-02 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 温度補償電子時計 |
| JPS5923569A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-07 | Matsushita Electronics Corp | 半導体可変容量素子 |
| JPH0718897B2 (ja) * | 1986-05-28 | 1995-03-06 | セイコ−電子部品株式会社 | 水晶発振器の周波数温度補償回路 |
-
1986
- 1986-04-16 JP JP61087642A patent/JPS62243405A/ja active Granted
-
1987
- 1987-04-09 US US07/036,285 patent/US4821001A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-04-09 EP EP87303084A patent/EP0242125A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0242125A3 (en) | 1989-08-16 |
| JPS62243405A (ja) | 1987-10-23 |
| US4821001A (en) | 1989-04-11 |
| EP0242125A2 (en) | 1987-10-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0248589B1 (en) | Temperature-compensated oscillator circuit | |
| US5859560A (en) | Temperature compensated bias generator | |
| US4360789A (en) | Very low current pierce oscillator | |
| US4405906A (en) | Low power consumption C-MOS oscillator | |
| JPS6242283B2 (ja) | ||
| US6734747B1 (en) | Piezoelectric oscillator | |
| JPH0466402B2 (ja) | ||
| US4816894A (en) | Semiconductor variable capacitance element | |
| JPS5895408A (ja) | 改良温度補償回路 | |
| GB2084421A (en) | Oscillator Circuit With Low Current Consumption | |
| US4015216A (en) | Frequency-voltage converter and a stabilized pulse generator using it | |
| US4106278A (en) | Electronic timepiece utilizing semiconductor-insulating substrate integrated circuitry | |
| EP0232117B1 (en) | Semiconductor variable capacitance element | |
| JP3266883B2 (ja) | 圧電発振器 | |
| WO2000019434A1 (en) | Compensation technique using mos capacitance | |
| JPH03155206A (ja) | 発振回路 | |
| US4219787A (en) | Relaxation oscillator not restricted by FET threshold | |
| JPS6154704A (ja) | マイクロ波発振器 | |
| JPH01126004A (ja) | ディジタル温度補償水晶発振器 | |
| JPS6286907A (ja) | 水晶発振回路 | |
| JPS6155808B2 (ja) | ||
| JPH0533054Y2 (ja) | ||
| JPH0279603A (ja) | 発振回路 | |
| JP2535802B2 (ja) | 発振回路 | |
| JPH1168457A (ja) | 発振回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |