JPH0466430B2 - - Google Patents
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- JPH0466430B2 JPH0466430B2 JP62085472A JP8547287A JPH0466430B2 JP H0466430 B2 JPH0466430 B2 JP H0466430B2 JP 62085472 A JP62085472 A JP 62085472A JP 8547287 A JP8547287 A JP 8547287A JP H0466430 B2 JPH0466430 B2 JP H0466430B2
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- clock
- value
- flip
- flop
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Fax Reproducing Arrangements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はレーザプリンターに用いられ、半導体
レーザの光出力が一定になるよう制御する半導体
レーザの光出力制御装置に関する。
レーザの光出力が一定になるよう制御する半導体
レーザの光出力制御装置に関する。
［従来の技術］
レーザダイオードの電流に対する発光強度は温
度依存性が大きいため、レーザプリンターでは、
例えば１ページ印字する毎にAPC（自動光出力制
御）を行うようになつている。
度依存性が大きいため、レーザプリンターでは、
例えば１ページ印字する毎にAPC（自動光出力制
御）を行うようになつている。
この制御回路では、レーザダイオードの発光強
度を光検出器で検出し、比較器でその検出値を基
準値と比較し、比較結果に応じて該半導体レーザ
への供給電流を増減させ、これを一定時間（制御
が確実に完了していると考えられる十分な時間）
行つた後に制御を停止するようになつている。
度を光検出器で検出し、比較器でその検出値を基
準値と比較し、比較結果に応じて該半導体レーザ
への供給電流を増減させ、これを一定時間（制御
が確実に完了していると考えられる十分な時間）
行つた後に制御を停止するようになつている。
また、他の制御回路では、レーザダイオードの
発光強度を光検出器で検出し、比較器でその検出
値を基準値と比較し、クロツク毎に、検出値が基
準値以下のとき半導体レーザへの供給電流を所定
値増加させ、検出値が基準値以上になつたときこ
の増加制御を停止するようになつている（特開昭
59−147568号公報）。
発光強度を光検出器で検出し、比較器でその検出
値を基準値と比較し、クロツク毎に、検出値が基
準値以下のとき半導体レーザへの供給電流を所定
値増加させ、検出値が基準値以上になつたときこ
の増加制御を停止するようになつている（特開昭
59−147568号公報）。
［発明が解決しようとする問題点］
しかし、前者の制御回路では、制御が確実に完
了していると考えられる十分な時間経過後に制御
を停止するので、また、後者の制御回路では、光
出力を０にして制御を開始しなければならないの
で、発光強度制御を短時間に完了させることがで
きず、次の処理に速やかに移ることができない。
このため、装置の高速化の要求に伴い光出力調整
のために与えられる時間が極めて短時間になつた
場合に問題となる。
了していると考えられる十分な時間経過後に制御
を停止するので、また、後者の制御回路では、光
出力を０にして制御を開始しなければならないの
で、発光強度制御を短時間に完了させることがで
きず、次の処理に速やかに移ることができない。
このため、装置の高速化の要求に伴い光出力調整
のために与えられる時間が極めて短時間になつた
場合に問題となる。
また、前者の制御回路では、制御停止時点で上
記検出値が基準値以上になる場合がある。後者の
制御回路では、これを改良して基準値以上からで
も制御を開始できるようにしようとすると、比較
器出力の変化を検出して制御を停止させる構成に
なるので、この場合には基準値以下で制御が停止
するが、基準値以下から制御を開始すると、上記
のように基準値以上で制御が停止する。したがつ
て、制御停止時点では必ずしも検出値が基準値以
下にならず、装置のコンパクト化等の影響による
熱放出の悪化が加わると、周囲温度の変化による
半導体レーザの劣化や熱暴走が生ずる原因とな
る。
記検出値が基準値以上になる場合がある。後者の
制御回路では、これを改良して基準値以上からで
も制御を開始できるようにしようとすると、比較
器出力の変化を検出して制御を停止させる構成に
なるので、この場合には基準値以下で制御が停止
するが、基準値以下から制御を開始すると、上記
のように基準値以上で制御が停止する。したがつ
て、制御停止時点では必ずしも検出値が基準値以
下にならず、装置のコンパクト化等の影響による
熱放出の悪化が加わると、周囲温度の変化による
半導体レーザの劣化や熱暴走が生ずる原因とな
る。
本発明の目的は、上記問題点に鑑み、短時間で
発光強度制御を完了させることができ、しかも半
導体レーザの劣化や熱暴走を防止することができ
る半導体レーザの光出力制御装置を提供すること
にある。
発光強度制御を完了させることができ、しかも半
導体レーザの劣化や熱暴走を防止することができ
る半導体レーザの光出力制御装置を提供すること
にある。
［問題点解決手段及びその作用効果］
(A) 半導体レーザの発光強度を検出する光検出器
と、 (B) 該光検出器の検出値と基準値とを比較し、該
検出値が基準値以上／基準値以下のいずれであ
るかを判定する比較手段と、 (C) クロツクを発生するクロツク発生器と (D) 該クロツクのタイミングで該比較器の比較結
果を記憶する記憶素子と、 (E) 該比較手段による比較結果が該「基準値以
上」である場合には該半導体レーザへの供給電
流を該クロツクのタイミングで所定値減少さ
せ、該比較手段による比較結果が該「基準値以
下」である場合には該半導体レーザへの供給電
流を該クロツクのタイミングで所定値増加させ
る制御手段と、 (F) 記憶した該比較結果が該「基準値以下」から
該「基準値以上」に変化するタイミングで、
APC完了信号を出力するAPC完了判別手段と、 (G) 該APC完了信号を受けて、該クロツク発生
器から次の該クロツクが出力される前に該制御
手段の該増減動作を停止させる制御停止手段
と、 を有する。
と、 (B) 該光検出器の検出値と基準値とを比較し、該
検出値が基準値以上／基準値以下のいずれであ
るかを判定する比較手段と、 (C) クロツクを発生するクロツク発生器と (D) 該クロツクのタイミングで該比較器の比較結
果を記憶する記憶素子と、 (E) 該比較手段による比較結果が該「基準値以
上」である場合には該半導体レーザへの供給電
流を該クロツクのタイミングで所定値減少さ
せ、該比較手段による比較結果が該「基準値以
下」である場合には該半導体レーザへの供給電
流を該クロツクのタイミングで所定値増加させ
る制御手段と、 (F) 記憶した該比較結果が該「基準値以下」から
該「基準値以上」に変化するタイミングで、
APC完了信号を出力するAPC完了判別手段と、 (G) 該APC完了信号を受けて、該クロツク発生
器から次の該クロツクが出力される前に該制御
手段の該増減動作を停止させる制御停止手段
と、 を有する。
なお、上記構成要素(F)の「基準値以下」から
「基準値以上」に変化するタイミングは、以下の
実施例においては、第２図及び第３図のQ1波形
の低レベルから高レベルに変化するタイミングに
対応している。
「基準値以上」に変化するタイミングは、以下の
実施例においては、第２図及び第３図のQ1波形
の低レベルから高レベルに変化するタイミングに
対応している。
本発明によれば、次のような結果(1)、(2)及び(3)
を奏する。
を奏する。
(1) 光検出器の検出値が基準値以上であるか基準
値以下であるかを問わず半導体レーザの任意の
光出力レベルから光出力調整を開始することが
でき、したがつて、半導体レーザの前回調整後
の光出力レベルから今回の光出力調整を開始す
ることができるので、光出力調整を短時間で行
うことができ、次の処理に速やかに移ることが
できる。
値以下であるかを問わず半導体レーザの任意の
光出力レベルから光出力調整を開始することが
でき、したがつて、半導体レーザの前回調整後
の光出力レベルから今回の光出力調整を開始す
ることができるので、光出力調整を短時間で行
うことができ、次の処理に速やかに移ることが
できる。
(2) 上記構成要素(F)においてAPC完了信号を出
力する時点では検出値が基準値以上になつてい
るが、この際のクロツクのタイミングで、上記
構成要素(E)により半導体レーザへの供給電流が
所定値減少し、上記構成要素(F)による増減動作
停止時点では検出値が基準値以下となる。した
がつて、必ず、光出力が基準値以下になつてい
るときに前期増減動作を停止させることができ
るので、周囲温度の変化による半導体レーザの
劣化や熱暴走を防止することができる。
力する時点では検出値が基準値以上になつてい
るが、この際のクロツクのタイミングで、上記
構成要素(E)により半導体レーザへの供給電流が
所定値減少し、上記構成要素(F)による増減動作
停止時点では検出値が基準値以下となる。した
がつて、必ず、光出力が基準値以下になつてい
るときに前期増減動作を停止させることができ
るので、周囲温度の変化による半導体レーザの
劣化や熱暴走を防止することができる。
(3) 上記構成要素(D)及び(F)により、コロナ放電等
によるノイズが発生してもその影響を殆ど受け
ずに発光強度を基準値に略一致させることがで
きる。
によるノイズが発生してもその影響を殆ど受け
ずに発光強度を基準値に略一致させることがで
きる。
［実施例］
図面に基づいて本発明の実施例を説明する。第
１図には半導体レーザの光出力制御回路が示され
ている。
１図には半導体レーザの光出力制御回路が示され
ている。
クロツク発生器１０から出力されるクロツクパ
ルスがモノマルチバイブレータ１１へ供給され
て、第２図に示すようなクロツクパルスS2が作成
され、アンドゲート１２の一方の入力端子に供給
される。このアンドゲート１２の他方の入力端子
には、図示しないホストマイクロコンピユータか
らAPC制御信号S1が供給される。クロツクパル
スS2は、APC制御信号S1がＨ（ハイレベル）であ
る間、アンドゲート１２を通つてカウンタ１３の
クロツク入力端子CKに供給されてカウントされ
る。カウンタ１３のカウント値ＣはＤ／Ａ変換器
１４に供給されてアナログ変換され、次いでＶ／
Ｉ変換器１５に供給されて電流値に変換される。
Ｖ／Ｉ変換器１５の出力端子には、レーザダイオ
ードLDのアノードとNPNトランジスタ１６のコ
レクタが接続され、レーザダイオードLDのカソ
ード及びNPNトランジスタ１６のエミツタがア
ースされている。NPNトランジスタ１６のベー
スには、オアゲート１７を介して上記ホストマイ
クロコンピユータから変調信号が供給される。ま
た、オアゲート１７の他方の入力端子には、
APC制御信号S1が供給されており、APCが行わ
れている間、すなわちAPC制御信号S1がＨであ
る間は、この変調信号がＨにされ、NPNトラン
ジスタ１６のベース電圧がＬ（ロウレベル）にな
り、カウント値Ｃに比例した電流がＶ／Ｉ変換器
１４からレーザダイオードLDへ供給される。こ
のレーザダイオードLDから放射されるレーザ光
は、図示しない光学系により主走査される。
ルスがモノマルチバイブレータ１１へ供給され
て、第２図に示すようなクロツクパルスS2が作成
され、アンドゲート１２の一方の入力端子に供給
される。このアンドゲート１２の他方の入力端子
には、図示しないホストマイクロコンピユータか
らAPC制御信号S1が供給される。クロツクパル
スS2は、APC制御信号S1がＨ（ハイレベル）であ
る間、アンドゲート１２を通つてカウンタ１３の
クロツク入力端子CKに供給されてカウントされ
る。カウンタ１３のカウント値ＣはＤ／Ａ変換器
１４に供給されてアナログ変換され、次いでＶ／
Ｉ変換器１５に供給されて電流値に変換される。
Ｖ／Ｉ変換器１５の出力端子には、レーザダイオ
ードLDのアノードとNPNトランジスタ１６のコ
レクタが接続され、レーザダイオードLDのカソ
ード及びNPNトランジスタ１６のエミツタがア
ースされている。NPNトランジスタ１６のベー
スには、オアゲート１７を介して上記ホストマイ
クロコンピユータから変調信号が供給される。ま
た、オアゲート１７の他方の入力端子には、
APC制御信号S1が供給されており、APCが行わ
れている間、すなわちAPC制御信号S1がＨであ
る間は、この変調信号がＨにされ、NPNトラン
ジスタ１６のベース電圧がＬ（ロウレベル）にな
り、カウント値Ｃに比例した電流がＶ／Ｉ変換器
１４からレーザダイオードLDへ供給される。こ
のレーザダイオードLDから放射されるレーザ光
は、図示しない光学系により主走査される。
レーザダイオードLDにはPINフオトダイオー
ドPDが近設されており、レーザダイオードLDの
発光強度が検出される。PINフオトダイオード
PDは、そのカソードがアースされ、アノードが
抵抗器１８を介し電源の−Vcc端子に接続される
とともに、比較器２０の反転入力端子に接続され
ており、比較器２０の非反転入力端子には発光強
に対応した電圧Ｖが印加される。比較器２０の非
反転入力端子には基準電圧Veが印加されており、
レーザダイオードLDの発光強度が設定値を越え
ると、比較器２０から出力される比較信号S3がＬ
になる。
ドPDが近設されており、レーザダイオードLDの
発光強度が検出される。PINフオトダイオード
PDは、そのカソードがアースされ、アノードが
抵抗器１８を介し電源の−Vcc端子に接続される
とともに、比較器２０の反転入力端子に接続され
ており、比較器２０の非反転入力端子には発光強
に対応した電圧Ｖが印加される。比較器２０の非
反転入力端子には基準電圧Veが印加されており、
レーザダイオードLDの発光強度が設定値を越え
ると、比較器２０から出力される比較信号S3がＬ
になる。
この比較信号S3は、カウンタ１３のアツプダウ
ン制御端子Ｕ／Ｄ及び記憶素子としてのＤフリツ
プフロツプ２２の入力端子Ｄへ供給される。Ｄフ
リツプフロツプ２２のクロツク入力端子Ｃには、
モノマルチバイブレータ１１からストローブ信号
としてのクロツクパルスS2が例えば１ｍsecの周
期で供給される。Ｄフリツプフロツプ２２は、ク
ロツクパルスS2のポジテイブエツジのタイミング
で比較信号S3の電圧レベルを記憶する。Ｄフリツ
プフロツプ２２の1出力は、Ｄフリツプフロツ
プ２４のクロツク入力端子Ｃへ供給される。この
Ｄフリツプフロツプ２４の入力端子Ｄは常にＨに
されており、Ｄフリツプフロツプ２４は入力端子
Ｃに供給される信号のポジテイブエツジを検出・
記憶する。Ｄフリツプフロツプ２４の出力端子
Q2からは、APC完了信号（APCEND）が上記ホ
ストマイクロコンピユータへ供給される。ホスト
マイクロコンピユータはAPC完了信号を受け取
ると、クロツクパルスS2の一周期以内、例えば
0.04ｍsec後にAPC制御信号S1をＬにし（第２図
参照）、その後、次頁の印字処理を行う。
ン制御端子Ｕ／Ｄ及び記憶素子としてのＤフリツ
プフロツプ２２の入力端子Ｄへ供給される。Ｄフ
リツプフロツプ２２のクロツク入力端子Ｃには、
モノマルチバイブレータ１１からストローブ信号
としてのクロツクパルスS2が例えば１ｍsecの周
期で供給される。Ｄフリツプフロツプ２２は、ク
ロツクパルスS2のポジテイブエツジのタイミング
で比較信号S3の電圧レベルを記憶する。Ｄフリツ
プフロツプ２２の1出力は、Ｄフリツプフロツ
プ２４のクロツク入力端子Ｃへ供給される。この
Ｄフリツプフロツプ２４の入力端子Ｄは常にＨに
されており、Ｄフリツプフロツプ２４は入力端子
Ｃに供給される信号のポジテイブエツジを検出・
記憶する。Ｄフリツプフロツプ２４の出力端子
Q2からは、APC完了信号（APCEND）が上記ホ
ストマイクロコンピユータへ供給される。ホスト
マイクロコンピユータはAPC完了信号を受け取
ると、クロツクパルスS2の一周期以内、例えば
0.04ｍsec後にAPC制御信号S1をＬにし（第２図
参照）、その後、次頁の印字処理を行う。
Ｄフリツプフロツプ２２及びＤフリツプフロツ
プ２４のクリア端子CLRには、APC制御信号S1
が供給され、APC制御信号S1がＬであるとき、
Ｄフリツプフロツプ２２の1出力はＨになつて
おり、Ｄフリツプフロツプ２４のQ2出力はＬに
なつている。
プ２４のクリア端子CLRには、APC制御信号S1
が供給され、APC制御信号S1がＬであるとき、
Ｄフリツプフロツプ２２の1出力はＨになつて
おり、Ｄフリツプフロツプ２４のQ2出力はＬに
なつている。
次に、上記の如く構成された本実施例の動作を
説明する。
説明する。
電源投入時または瞬停時には、リセツト信号S4
がカウンタ１３のクリア入力端子CLRに供給さ
れ、カウント値がクリアされて、レーザダイオー
ドLDが保護される。
がカウンタ１３のクリア入力端子CLRに供給さ
れ、カウント値がクリアされて、レーザダイオー
ドLDが保護される。
最初に、LDの発光強度が設定値以下、すなわ
ち比較信号S3がＨであるときに、APCが開始さ
れる場合、すなわち、APC制御信号S1がＨにさ
れる場合を、第２図を参照して説明する。
ち比較信号S3がＨであるときに、APCが開始さ
れる場合、すなわち、APC制御信号S1がＨにさ
れる場合を、第２図を参照して説明する。
最初、APC制御信号S1がＬになつているので、
Ｄフリツプフロツプ２２及び２４が強制的にリセ
ツトされて、Q1出力がＨ、Q2出力がＬになつて
いる。
Ｄフリツプフロツプ２２及び２４が強制的にリセ
ツトされて、Q1出力がＨ、Q2出力がＬになつて
いる。
クロツクパルスS2のポジテイブエツジがＤフリ
ツプフロツプ２２の入力端子Ｃに供給されると、
比較信号S3がＨであるので、Ｄフリツプフロツプ
２２の1出力はＨからＬに反転する。一方、ク
ロツクパルスS2はアンドゲート１２を通つてカウ
ンタ１３の入力端子CKにも供給される。入力端
子Ｕ／ＤがＨであるのでカウンタ１３はカウント
アツプモードになつており、カウント値Ｃがイン
クリメントされる。これにより、レーザダイオー
ドLDの発光強度が大きくなり、比較器２０の反
転入力端子の電圧Ｖが一段高くなる。
ツプフロツプ２２の入力端子Ｃに供給されると、
比較信号S3がＨであるので、Ｄフリツプフロツプ
２２の1出力はＨからＬに反転する。一方、ク
ロツクパルスS2はアンドゲート１２を通つてカウ
ンタ１３の入力端子CKにも供給される。入力端
子Ｕ／ＤがＨであるのでカウンタ１３はカウント
アツプモードになつており、カウント値Ｃがイン
クリメントされる。これにより、レーザダイオー
ドLDの発光強度が大きくなり、比較器２０の反
転入力端子の電圧Ｖが一段高くなる。
この電圧Ｖは基準電圧Ve以下であるが、基準
電圧Veに接近しており、帯電部でのコロナ放電
等により発生したノイズの影響を受けると、比較
信号S3が容易に反転する。
電圧Veに接近しており、帯電部でのコロナ放電
等により発生したノイズの影響を受けると、比較
信号S3が容易に反転する。
しかし、比較信号S3のレベルはクロツクパルス
S2のポジテイブエツジのタイミングでＤフリツプ
フロツプ２２に記憶されるので、クロツクパルス
S2のポジテイブエツジの位置でこのノイズの影響
を受けない限り、フリツプフロツプ２２は誤信号
レベルを記憶することがない。
S2のポジテイブエツジのタイミングでＤフリツプ
フロツプ２２に記憶されるので、クロツクパルス
S2のポジテイブエツジの位置でこのノイズの影響
を受けない限り、フリツプフロツプ２２は誤信号
レベルを記憶することがない。
ここで、クロツクパルスS2の一周期に対するポ
ジテイブエツジの時間の比は極めて小さく、この
ポジテイブエツジのときにノイズがのつて比較信
号S3が誤信号となる確率は極めて小さいので、フ
リツプフロツプ２２に記憶される比較信号S3のレ
ベルはノイズの影響をほとんど受けない。
ジテイブエツジの時間の比は極めて小さく、この
ポジテイブエツジのときにノイズがのつて比較信
号S3が誤信号となる確率は極めて小さいので、フ
リツプフロツプ２２に記憶される比較信号S3のレ
ベルはノイズの影響をほとんど受けない。
次のクロツクパルスS2のポジテイブエツジによ
り、カウンタ１３のカウント値Ｃがさらにインク
リメントされ、レーザダイオードLDの発光強度
が増大して比較信号S3がＨからＬに反転する。
り、カウンタ１３のカウント値Ｃがさらにインク
リメントされ、レーザダイオードLDの発光強度
が増大して比較信号S3がＨからＬに反転する。
さらに次のクロツクパルスS2のポジテイブエツ
ジにより、Ｄフリツプフロツプ２２の1出力は
Ｈに反転し、そのポジテイブエツジがＤフリツプ
フロツプ２４の入力端子Ｃに供給されてＤフリツ
プフロツプ２４のQ2出力がＨレベルになる。す
なわち、APC完了信号が出力される。比較信号
S3がＬであるので、カウンタ１３はカウントダウ
ンモードになつており、このクロツクパルスS2の
ポジテイブエツジでカウンタ１３のカウント値が
デクリメントされ、レーザダイオードLDの発光
強度が設定値以下となつて、比較信号S3がＨに反
転する。
ジにより、Ｄフリツプフロツプ２２の1出力は
Ｈに反転し、そのポジテイブエツジがＤフリツプ
フロツプ２４の入力端子Ｃに供給されてＤフリツ
プフロツプ２４のQ2出力がＨレベルになる。す
なわち、APC完了信号が出力される。比較信号
S3がＬであるので、カウンタ１３はカウントダウ
ンモードになつており、このクロツクパルスS2の
ポジテイブエツジでカウンタ１３のカウント値が
デクリメントされ、レーザダイオードLDの発光
強度が設定値以下となつて、比較信号S3がＨに反
転する。
一方、ホストマイクロコンピユータがこの
APC完了信号を受け取ると、クロツクパルスS2
の一周期以内に、ホストマイクロコンピユータは
APC制御信号S1をＬにする。これにより、Ｄフ
リツプフロツプ２４のQ2出力がＬになる。また、
アンドゲード１２が閉じられてカウンタ１３のカ
ウント値Ｃが保持される。
APC完了信号を受け取ると、クロツクパルスS2
の一周期以内に、ホストマイクロコンピユータは
APC制御信号S1をＬにする。これにより、Ｄフ
リツプフロツプ２４のQ2出力がＬになる。また、
アンドゲード１２が閉じられてカウンタ１３のカ
ウント値Ｃが保持される。
したがつて、レーザダイオードLDの発光強度
が設定値に略一致し、かつ設定値より小さいとき
にAPCが完了する。すなわち、レーザダイオー
ドLDの制御が安全側で完了し、熱暴走によるレ
ーザダイオードLDの劣化や破壊等が防止される。
が設定値に略一致し、かつ設定値より小さいとき
にAPCが完了する。すなわち、レーザダイオー
ドLDの制御が安全側で完了し、熱暴走によるレ
ーザダイオードLDの劣化や破壊等が防止される。
次に、次頁の印字が終了し、APC制御信号S1
がＨにされたときに、周囲温度の変化によりレー
ザダイオードLDの発光強度が設定値を越えてい
る場合を、第３図を参照して説明する。
がＨにされたときに、周囲温度の変化によりレー
ザダイオードLDの発光強度が設定値を越えてい
る場合を、第３図を参照して説明する。
最初、APC制御信号S1がＬになつているので、
Ｄフリツプフロツプ２２及び２４が強制的にリセ
ツトされて、Q1出力がＨ、Q2出力がＬになつて
いる。
Ｄフリツプフロツプ２２及び２４が強制的にリセ
ツトされて、Q1出力がＨ、Q2出力がＬになつて
いる。
比較信号S3はＬであり、クロツクパルスS2のポ
ジテイブエツジがＤフリツプフロツプ２２の入力
端子Ｃに供給されてもその1出力はＨのままで
ある。また、カウンタ１３はカウントダウンモー
ドであり、このクロツクパルスS2によりカウンタ
１３のカウント値がデクリメントされ、レーザダ
イオードLDの発光強度が減少する。この発光強
度が設定値以下になると、比較信号S3がＨに反転
する。
ジテイブエツジがＤフリツプフロツプ２２の入力
端子Ｃに供給されてもその1出力はＨのままで
ある。また、カウンタ１３はカウントダウンモー
ドであり、このクロツクパルスS2によりカウンタ
１３のカウント値がデクリメントされ、レーザダ
イオードLDの発光強度が減少する。この発光強
度が設定値以下になると、比較信号S3がＨに反転
する。
したがつて、次のクロツクパルスS2のポジテイ
ブエツジでＤフリツプフロツプ２２の1出力が
Ｌに反転する。また、カウンタ１３がカウントア
ツプモードになつているので、このクロツクパル
スS1によりカウンタ１３のカウント値Ｃがインク
リメントされ、レーザダイオードLDの発光強度
が増大して設定値以上となり、比較信号S3がＬに
反転する。
ブエツジでＤフリツプフロツプ２２の1出力が
Ｌに反転する。また、カウンタ１３がカウントア
ツプモードになつているので、このクロツクパル
スS1によりカウンタ１３のカウント値Ｃがインク
リメントされ、レーザダイオードLDの発光強度
が増大して設定値以上となり、比較信号S3がＬに
反転する。
次のクロツクパルスS3のポジテイブエツジがＤ
フリツプフロツプ２２の入力端子Ｃに供給される
と、1出力はＨに反転し、そのポジテイブエツ
ジがＤフリツプフロツプ２４に検出されて、Ｄフ
リツプフロツプ２４のQ2出力がハイレベルにな
る。一方、カウンタ１３はカウントダウンモード
になつており、そのカウント値がデクリメントさ
れて、レーザダイオードLDの発光強度が減少さ
れ、設定値以下となつて、比較信号S3がＨに反転
する。
フリツプフロツプ２２の入力端子Ｃに供給される
と、1出力はＨに反転し、そのポジテイブエツ
ジがＤフリツプフロツプ２４に検出されて、Ｄフ
リツプフロツプ２４のQ2出力がハイレベルにな
る。一方、カウンタ１３はカウントダウンモード
になつており、そのカウント値がデクリメントさ
れて、レーザダイオードLDの発光強度が減少さ
れ、設定値以下となつて、比較信号S3がＨに反転
する。
その後の動作は、第２図の場合と同一である。
なお、上記実施例では、比較信号S3のレベルを
記憶するＤフリツプフロツプ２２が１個の場合を
説明したが、複数個用いてもよい。
記憶するＤフリツプフロツプ２２が１個の場合を
説明したが、複数個用いてもよい。
また、ＤフリツプフロツプのかわりにJKフリ
ツプフロツプを用いてもよいことは勿論である。
ツプフロツプを用いてもよいことは勿論である。
さらに、クロツク発生器１０、モノマルチバイ
ブレータ１１、アンドゲート１２、カウンタ１３
及びＤフリツプフロツプ２２，２４をワンツチプ
マイクロコンピユータで構成し、Ｄフリツプフロ
ツプ２２，２４をそれぞれ内蔵RAMの１ビツト
に対応させて、ソフトウエアでこれをセツト・リ
セツトするようにしてもよい。
ブレータ１１、アンドゲート１２、カウンタ１３
及びＤフリツプフロツプ２２，２４をワンツチプ
マイクロコンピユータで構成し、Ｄフリツプフロ
ツプ２２，２４をそれぞれ内蔵RAMの１ビツト
に対応させて、ソフトウエアでこれをセツト・リ
セツトするようにしてもよい。
第１図乃至第３図は本発明の実施例に係り、第
１図はレーザダイオードLDの発光強度制御回路
図、第２図及び第３図は該回路内の主要な信号の
タイミングチヤートである。 １０：クロツク発生器、１１：モノマルチバイ
ブレータ、１３：カウンタ、２０：比較器、２
２，２４：Ｄフリツプフロツプ、LD：レーザダ
イオード、PD：PINフオトダイオード、S1：
APC制御信号、S2：ストローブ信号としてのク
ロツクパルス、S3：比較信号。
１図はレーザダイオードLDの発光強度制御回路
図、第２図及び第３図は該回路内の主要な信号の
タイミングチヤートである。 １０：クロツク発生器、１１：モノマルチバイ
ブレータ、１３：カウンタ、２０：比較器、２
２，２４：Ｄフリツプフロツプ、LD：レーザダ
イオード、PD：PINフオトダイオード、S1：
APC制御信号、S2：ストローブ信号としてのク
ロツクパルス、S3：比較信号。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体レーザの発光強度を検出する光検出器
と、 該光検出器の検出値と基準値とを比較し、該検
出値が基準値以上／基準値以下のいずれであるか
を判定する比較手段と、 クロツクを発生するクロツク発生器と 該クロツクのタイミングで該比較器の比較結果
を記憶する記憶素子と、 該比較手段による比較結果が該「基準値以上」
である場合には該半導体レーザへの供給電流を該
クロツクのタイミングで所定値減少させ、該比較
手段による比較結果が該「基準値以下」である場
合には該半導体レーザへの供給電流を該クロツク
のタイミングで所定値増加させる制御手段と、 記憶した該比較結果が該「基準値以下」から該
「基準値以上」に変化したタイミングで、APC完
了信号を出力するAPC完了判別手段と、 該APC完了信号を受けて、該クロツク発生器
から次の該クロツクが出力される前に該制御手段
の該増減動作を停止させる制御停止手段と、 を有することを特徴とする半導体レーザの光出力
制御装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62085472A JPS63250966A (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | 半導体レ−ザの光出力制御装置 |
| US07/178,943 US4802179A (en) | 1987-04-07 | 1988-04-07 | Apparatus for controlling optical output from semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62085472A JPS63250966A (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | 半導体レ−ザの光出力制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63250966A JPS63250966A (ja) | 1988-10-18 |
| JPH0466430B2 true JPH0466430B2 (ja) | 1992-10-23 |
Family
ID=13859844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62085472A Granted JPS63250966A (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | 半導体レ−ザの光出力制御装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4802179A (ja) |
| JP (1) | JPS63250966A (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2905229B2 (ja) * | 1989-09-26 | 1999-06-14 | キヤノン株式会社 | 光ビーム駆動装置 |
| JPH03202808A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-04 | Toshiba Corp | レーザ発振器の光量制御装置 |
| US5179565A (en) * | 1990-06-07 | 1993-01-12 | Hamamatsu Photonics, K.K. | Low noise pulsed light source utilizing laser diode and voltage detector device utilizing same low noise pulsed light source |
| JP2562087Y2 (ja) * | 1991-03-15 | 1998-02-04 | 旭光学工業株式会社 | レーザーパワー調整装置 |
| JPH0569965U (ja) * | 1992-02-26 | 1993-09-21 | 旭光学工業株式会社 | レーザダイオード発光装置の光出力制御回路 |
| JPH0623267U (ja) * | 1992-08-28 | 1994-03-25 | 旭光学工業株式会社 | レーザ発光装置の光出力切替装置 |
| JP3231436B2 (ja) * | 1992-11-16 | 2001-11-19 | 旭光学工業株式会社 | レーザ発光装置の光出力切替装置 |
| IL118458A (en) * | 1995-05-30 | 2000-08-31 | Asahi Optical Co Ltd | Light intensity controlling device |
| JPH0969662A (ja) * | 1995-08-31 | 1997-03-11 | Asahi Optical Co Ltd | 光走査装置の光強度変調回路 |
| JPH09148630A (ja) * | 1995-11-21 | 1997-06-06 | Rohm Co Ltd | 光量調整回路及びこれを用いた光応用装置 |
| US6438147B1 (en) * | 1996-07-26 | 2002-08-20 | Perkin Elmer Instruments Llc | Tunable external cavity diode laser |
| US6350978B1 (en) | 1999-02-18 | 2002-02-26 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Deterioration sensing device for light-emitting diode |
| JP2001053377A (ja) | 1999-08-06 | 2001-02-23 | Asahi Optical Co Ltd | 半導体レーザ駆動装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5839130A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-07 | Fujitsu Ltd | 電気−光変換回路方式 |
| JPH0722318B2 (ja) * | 1983-02-10 | 1995-03-08 | キヤノン株式会社 | 記録装置 |
| JPS59182637A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ビデオ信号光伝送装置 |
| JPS60171863A (ja) * | 1984-02-16 | 1985-09-05 | Ricoh Co Ltd | 半導体レ−ザの出力制御装置 |
| JPS61165836A (ja) * | 1985-01-17 | 1986-07-26 | Olympus Optical Co Ltd | 光出力安定化装置 |
| JP2503202B2 (ja) * | 1985-01-30 | 1996-06-05 | 株式会社リコー | 半導体レ−ザの出力制御装置 |
| JP2575614B2 (ja) * | 1985-03-15 | 1997-01-29 | オリンパス光学工業株式会社 | 光出力安定化装置 |
-
1987
- 1987-04-07 JP JP62085472A patent/JPS63250966A/ja active Granted
-
1988
- 1988-04-07 US US07/178,943 patent/US4802179A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63250966A (ja) | 1988-10-18 |
| US4802179A (en) | 1989-01-31 |
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