JPS63250966A - 半導体レ−ザの光出力制御装置 - Google Patents
半導体レ−ザの光出力制御装置Info
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- JPS63250966A JPS63250966A JP62085472A JP8547287A JPS63250966A JP S63250966 A JPS63250966 A JP S63250966A JP 62085472 A JP62085472 A JP 62085472A JP 8547287 A JP8547287 A JP 8547287A JP S63250966 A JPS63250966 A JP S63250966A
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- laser diode
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- semiconductor laser
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明はレーザプリンターに用いられ、半導体レーザの
光出力が一定になるよう制御する半導体レーザの光出力
制御装置に関する。
光出力が一定になるよう制御する半導体レーザの光出力
制御装置に関する。
［従来の技術］
レーザダイオードの電流に対する発光強度は温度依存性
が大きいため、レーザプリンターでは、例えば１ペ一ジ
印字する毎にＡＰＣ（自動光出力制御）を行うようにな
っている。
が大きいため、レーザプリンターでは、例えば１ペ一ジ
印字する毎にＡＰＣ（自動光出力制御）を行うようにな
っている。
この制御回路では、レーザダイオードの発光強度を光検
出器で検出し、比較器でその検出値を基準値と比較し、
比較結果に応じて該１１屯導体レーザへの供給電流を増
減させ、これを一定時間（制御が確実に完了していると
考えられる十分な時間）行った後に制御を停止するよう
になっている。
出器で検出し、比較器でその検出値を基準値と比較し、
比較結果に応じて該１１屯導体レーザへの供給電流を増
減させ、これを一定時間（制御が確実に完了していると
考えられる十分な時間）行った後に制御を停止するよう
になっている。
し発明が解決しようとする問題点〕
しかし、コロナ放電による感光ドラムへの：；）電処理
等に伴うノイズの影響を受けるため、比較結果に誤りが
生じ、発光強度が基や値からずれているときに発光強度
の制御が終了する場合があり、半導体レーザの劣化や熱
Ｖ走の原因となる。
等に伴うノイズの影響を受けるため、比較結果に誤りが
生じ、発光強度が基や値からずれているときに発光強度
の制御が終了する場合があり、半導体レーザの劣化や熱
Ｖ走の原因となる。
さらに、発光強度制御を短時間で完了させることができ
ないので、次の印字処理に速やかにＦ炙ることができな
い。
ないので、次の印字処理に速やかにＦ炙ることができな
い。
また、異常な（確実に発光強度制御が完了したかどうか
を確認することもできない。
を確認することもできない。
本発明の目的は、上記問題点に鑑み、ノイズが発生して
も、短時間で発光強度制御を完了させることができ、し
かも半導体レーザの劣化や熱暴走を防止でき、さらに、
異常なく確実に発光強度制御が完了したかどうかを確認
することができる半導体レーザの光出力制御装置を提供
することにある。
も、短時間で発光強度制御を完了させることができ、し
かも半導体レーザの劣化や熱暴走を防止でき、さらに、
異常なく確実に発光強度制御が完了したかどうかを確認
することができる半導体レーザの光出力制御装置を提供
することにある。
Ｌ問題点を解決するための手段］
本発明では、半導体レーザの発光強度を光検出器で検出
し、比較器でその検出値を基準値と比較し、比較結果に
応じて該半導体レーザへの供給電流を定期的に増減させ
、該検出値が基準値に一致するよう制御する半導体レー
ザの光出力制御装置斤において 定期的に行われる該各増減動作に対応して、スト［！−
ブ信号を出力するタイミング発生手段と、該ストローブ
信号のタイミングで前記比較器の比較結果を記憶素子で
記憶し、該比較結果が複数回反転して該検出値が：に基
堕値以下になっているときに、ＡＰＣ完了信号を出力す
るＡ Ｉ） Ｃ完了判別手段と、 該Ａ Ｐ Ｃ完了信号を受けて、次の該ストローブ信号
が出力される前に該増減動作を停止させる制御停＋４＝
ＴＺ段と、 をイｆすることを特徴としている。
し、比較器でその検出値を基準値と比較し、比較結果に
応じて該半導体レーザへの供給電流を定期的に増減させ
、該検出値が基準値に一致するよう制御する半導体レー
ザの光出力制御装置斤において 定期的に行われる該各増減動作に対応して、スト［！−
ブ信号を出力するタイミング発生手段と、該ストローブ
信号のタイミングで前記比較器の比較結果を記憶素子で
記憶し、該比較結果が複数回反転して該検出値が：に基
堕値以下になっているときに、ＡＰＣ完了信号を出力す
るＡ Ｉ） Ｃ完了判別手段と、 該Ａ Ｐ Ｃ完了信号を受けて、次の該ストローブ信号
が出力される前に該増減動作を停止させる制御停＋４＝
ＴＺ段と、 をイｆすることを特徴としている。
し実施例］
図面にＪＪｈづいて本発明の詳細な説明する。第１図に
は半導体レーザの光出力制御回路が示されている。
は半導体レーザの光出力制御回路が示されている。
クロック発生７Ａ ｌ Ｏから出力されるクロックパル
スがモノマルチバイブレーク１１へ供給されて、第２図
に示すようなりロックパルスＳ、が作成され、アンドゲ
ート１２の一方の入力端子に供給される。このアンドゲ
ート１２の他方の入力端子には、図示しないホストマイ
クロコンピュータからＡ Ｉ） Ｃ制御信号Ｓ１が供給
される。りａツクパルスＳ、は、ＡＰＣ制御信号Ｓ、が
Ｈ（ハイレベル）である間、アンドゲート１２を通って
カウンタ！３のクロック入力端子ＣＫに供給されてカウ
ントされる。カウンタＩ３のカウント値ＣはＤ ／Ａ
ａ換器１４に供給されてアナログ変換され、次いでＶ／
ｌ変換器１５に供給されて電流値に変換される。Ｖ／Ｉ
変換器１５の出力端子には、レーザダイオードＬ Ｄの
アノードとＮ Ｉ） Ｎ ｌ−ランジスタ１６のコレク
タが接続され、レーザダイオードＬＤのカソード及びＮ
ＰＮ トランジスタ１６のエミッタがアースされている
。ＮＰＮ ｌ−ランジスタ１６のベースには、オアゲー
ト１７を介して上記ホストマイクロコンピュータから変
調信号が供給される。また、オアゲート１７の他方の入
力端子には、Ａ Ｐ Ｃ制御信号Ｓｌが供給されており
、ＡＰＣが行われている間、すなわらΔＰＣ制御信号Ｓ
ｌが■１である間は、この変調信号が１１にされ、ＮＰ
Ｎトランジスタ１６のベース電圧がしくロウレベル）に
なり、カウント値Ｃに比例した電流がＶ／Ｉ変換器！・
１からレーザダイオードＬＤへ供給される。
スがモノマルチバイブレーク１１へ供給されて、第２図
に示すようなりロックパルスＳ、が作成され、アンドゲ
ート１２の一方の入力端子に供給される。このアンドゲ
ート１２の他方の入力端子には、図示しないホストマイ
クロコンピュータからＡ Ｉ） Ｃ制御信号Ｓ１が供給
される。りａツクパルスＳ、は、ＡＰＣ制御信号Ｓ、が
Ｈ（ハイレベル）である間、アンドゲート１２を通って
カウンタ！３のクロック入力端子ＣＫに供給されてカウ
ントされる。カウンタＩ３のカウント値ＣはＤ ／Ａ
ａ換器１４に供給されてアナログ変換され、次いでＶ／
ｌ変換器１５に供給されて電流値に変換される。Ｖ／Ｉ
変換器１５の出力端子には、レーザダイオードＬ Ｄの
アノードとＮ Ｉ） Ｎ ｌ−ランジスタ１６のコレク
タが接続され、レーザダイオードＬＤのカソード及びＮ
ＰＮ トランジスタ１６のエミッタがアースされている
。ＮＰＮ ｌ−ランジスタ１６のベースには、オアゲー
ト１７を介して上記ホストマイクロコンピュータから変
調信号が供給される。また、オアゲート１７の他方の入
力端子には、Ａ Ｐ Ｃ制御信号Ｓｌが供給されており
、ＡＰＣが行われている間、すなわらΔＰＣ制御信号Ｓ
ｌが■１である間は、この変調信号が１１にされ、ＮＰ
Ｎトランジスタ１６のベース電圧がしくロウレベル）に
なり、カウント値Ｃに比例した電流がＶ／Ｉ変換器！・
１からレーザダイオードＬＤへ供給される。
このレーザダイオードしＤから放射されるレーザ光は、
図示しない光学系により主走査される。
図示しない光学系により主走査される。
レーザダイオードＬＤにはＰＩＮフォトダイオードＰ
Ｄが近設されており、レーザダイオードＬＩ）の発光強
度が検出される。ＰＩＮフォトダイオードＰ Ｄは、そ
のカソードがアースされ、アノードが抵抗′ＪＪＩ８を
介し電源の−Ｖｃｃ端子に接続されるとともに、比較器
２０の反転入力端子に接続されており、比較器２０の非
反転入力端子には全光強に対応した電圧Ｖが印加される
。比較器２゜の非反転入力端子には基準電圧Ｖ、が印加
されており、レーザダイオードＬ Ｄの発光強度が設定
値を越えると、比較器２０から出力される比較信号Ｓ、
がＬになる。
Ｄが近設されており、レーザダイオードＬＩ）の発光強
度が検出される。ＰＩＮフォトダイオードＰ Ｄは、そ
のカソードがアースされ、アノードが抵抗′ＪＪＩ８を
介し電源の−Ｖｃｃ端子に接続されるとともに、比較器
２０の反転入力端子に接続されており、比較器２０の非
反転入力端子には全光強に対応した電圧Ｖが印加される
。比較器２゜の非反転入力端子には基準電圧Ｖ、が印加
されており、レーザダイオードＬ Ｄの発光強度が設定
値を越えると、比較器２０から出力される比較信号Ｓ、
がＬになる。
この比較信号Ｓ３は、カウンタ１３のアップダウン制御
端子Ｕ／Ｄ及び記憶素子としてのＤフリッブフロツブ２
２の入力端子りへ供給される。Ｄフリップフロップ２２
のクロック入力端子Ｃには、モノマルチバイブレータ１
１からストローブ信号とし−このクロックパルスＳ、が
例えば１ｍ５ｅｃの周期で供給されろ。Ｄフリップフロ
ップ２２は、クロックパルスＳ、のポジティブエツジの
タイミングで比較信号Ｓ３の電圧レベルを記憶する。Ｄ
フリップフロップ２２のＱ、出力は、Ｄフリップフロッ
プ２４のクロック入力端子Ｃへ供給される。
端子Ｕ／Ｄ及び記憶素子としてのＤフリッブフロツブ２
２の入力端子りへ供給される。Ｄフリップフロップ２２
のクロック入力端子Ｃには、モノマルチバイブレータ１
１からストローブ信号とし−このクロックパルスＳ、が
例えば１ｍ５ｅｃの周期で供給されろ。Ｄフリップフロ
ップ２２は、クロックパルスＳ、のポジティブエツジの
タイミングで比較信号Ｓ３の電圧レベルを記憶する。Ｄ
フリップフロップ２２のＱ、出力は、Ｄフリップフロッ
プ２４のクロック入力端子Ｃへ供給される。
このＤフリップフロップ２４の入力端子りは常にＩｔに
されており、Ｄフリップフロップ２４は入力端子Ｃに供
給される信号のポジティブエツジを検出・記憶する。Ｄ
フリップフロップ２・１の出力端子Ｑ、からは、Ａ ）
） Ｃ完了信号（ΔＰＣＥＮＤ）が上記ホストマイクロ
コンピュータへ供給される。
されており、Ｄフリップフロップ２４は入力端子Ｃに供
給される信号のポジティブエツジを検出・記憶する。Ｄ
フリップフロップ２・１の出力端子Ｑ、からは、Ａ ）
） Ｃ完了信号（ΔＰＣＥＮＤ）が上記ホストマイクロ
コンピュータへ供給される。
ホストマイクロコンピュータはＡＰＣ完了信号を受は取
ると、クロックパルスＳ、の一周期以内、例えば０．０
４ｍ５ｅｃ後にへＰＣ制御信号Ｓ１を１７にしく第２図
参照）、その後、次頁の印字処理を行う。
ると、クロックパルスＳ、の一周期以内、例えば０．０
４ｍ５ｅｃ後にへＰＣ制御信号Ｓ１を１７にしく第２図
参照）、その後、次頁の印字処理を行う。
Ｄフリップフロップ２２及びｌ〕フリップフロップ２４
のクリア端子ＣＬ Ｉｔには、Ａ Ｐ Ｃ制御信号Ｓ１
が供給され、ΔＦ）Ｃ制御信号Ｓ、がしてあるとき、Ｉ
〕フリップフロ１ブ２２のＱ１出力は■（になっており
、りフリップフロップ２４のＱ、出力はＬになっている
。
のクリア端子ＣＬ Ｉｔには、Ａ Ｐ Ｃ制御信号Ｓ１
が供給され、ΔＦ）Ｃ制御信号Ｓ、がしてあるとき、Ｉ
〕フリップフロ１ブ２２のＱ１出力は■（になっており
、りフリップフロップ２４のＱ、出力はＬになっている
。
次に、」１記の如く構成された本実施例の動作を説明す
る。
る。
電源投入時または瞬停時には、リセット信：；−Ｓ４か
カウンタ１３のクリア入力端子ＣＬ Ｈに供給され、カ
ウント値がクリアされて、レーザダイオードＬＤが保護
される。
カウンタ１３のクリア入力端子ＣＬ Ｈに供給され、カ
ウント値がクリアされて、レーザダイオードＬＤが保護
される。
最初に、ＬＤの発光強度が設定値以下、すなわち比較信
号Ｓ、が■１であるときに、ＡＰＣが開始される場合、
すなわら、ＡＰＣ制御制御信号炉Ｈにされる場合を、第
２図を参照して説明する。
号Ｓ、が■１であるときに、ＡＰＣが開始される場合、
すなわら、ＡＰＣ制御制御信号炉Ｈにされる場合を、第
２図を参照して説明する。
クロックパルスＳ、のポジティブエツジがＤフリップフ
ロップ２２の入力端子Ｃに供給されると、比較信号Ｓ３
がＨであるので、Ｄフリップフロップ２２のＱ、出力は
Ｈからしに反転する。一方、クロックパルスＳ、はアン
ドゲート１２を通ってカウンタ１３の入力端子ＧＫにも
供給される。入力端子Ｕ／Ｄが［■であるのでカウンタ
Ｉ３はカウントアツプモードになっており、カウント値
Ｃがインクリメントされる。これにより、レーザダイオ
ードＬＤの発光強度が大きくなり、比較器２０の反転入
力端子の電圧■が一段高くなる。
ロップ２２の入力端子Ｃに供給されると、比較信号Ｓ３
がＨであるので、Ｄフリップフロップ２２のＱ、出力は
Ｈからしに反転する。一方、クロックパルスＳ、はアン
ドゲート１２を通ってカウンタ１３の入力端子ＧＫにも
供給される。入力端子Ｕ／Ｄが［■であるのでカウンタ
Ｉ３はカウントアツプモードになっており、カウント値
Ｃがインクリメントされる。これにより、レーザダイオ
ードＬＤの発光強度が大きくなり、比較器２０の反転入
力端子の電圧■が一段高くなる。
この電圧■は基準電圧■、以下であるが、塙準電圧Ｖ居
こ接近しており、帯電部でのコロナ放電等により発生し
たノイズの影響を受けると、比較信号Ｓ３が容易に反転
する。
こ接近しており、帯電部でのコロナ放電等により発生し
たノイズの影響を受けると、比較信号Ｓ３が容易に反転
する。
しかし、比較信号Ｓ３のレベルはクロックパルスＳ、の
ボッチイブエツジのタイミングでＤフリップフロップ２
２に記憶されるので、クロックパルスＳ、のポジティブ
エツジの位置でこのノイズの影響を受けない限り、フリ
ップフロップ２２は誤信号レベルを記憶することがない
。
ボッチイブエツジのタイミングでＤフリップフロップ２
２に記憶されるので、クロックパルスＳ、のポジティブ
エツジの位置でこのノイズの影響を受けない限り、フリ
ップフロップ２２は誤信号レベルを記憶することがない
。
ここで、クロックパルスＳ、の一周期に対するボッチイ
ブエツジの時間の比は極めて小さく、このボッチイブエ
ツジのときにノイズがのって比較（，１号Ｓ３が誤信号
となる確率は極めて小さいので、フリップフロップ２２
に記憶される比較信号Ｓ。
ブエツジの時間の比は極めて小さく、このボッチイブエ
ツジのときにノイズがのって比較（，１号Ｓ３が誤信号
となる確率は極めて小さいので、フリップフロップ２２
に記憶される比較信号Ｓ。
のレベルはノイズの影響をほとんど受けない。
次のクロックパルスＳ、のボッチイブエツジにより、カ
ウンタ１３のカウント値Ｃがさらにインクリメントされ
、レーザダイオードＬＤの発光強度が増大して比較信号
Ｓ３がＨからＬに反転する。
ウンタ１３のカウント値Ｃがさらにインクリメントされ
、レーザダイオードＬＤの発光強度が増大して比較信号
Ｓ３がＨからＬに反転する。
さらに次のクロックパルスＳ、のボノティブエ１〕によ
り、Ｄフリップフロップ２２のＱ、出力は１１に反転し
、そのボッチイブエツジがＤフリップフロップ２４の入
力端子Ｃに供給されてＤフリップフロップ２４のＱ、出
ツノがＨレベルになる。すなわち、へＰＣ完了信号が出
力される。比較信号Ｓ、がしてあるので、カウンタ１３
はカウントダウンモードになっており、このクロックパ
ルスＳ。
り、Ｄフリップフロップ２２のＱ、出力は１１に反転し
、そのボッチイブエツジがＤフリップフロップ２４の入
力端子Ｃに供給されてＤフリップフロップ２４のＱ、出
ツノがＨレベルになる。すなわち、へＰＣ完了信号が出
力される。比較信号Ｓ、がしてあるので、カウンタ１３
はカウントダウンモードになっており、このクロックパ
ルスＳ。
のボッチイブエツジでカウンタ１３のカウント値がデク
リメントされ、レーザダイオードＬ Ｄの発光強度が設
定値以下となって、比較信号Ｓ３が１１に反転する。
リメントされ、レーザダイオードＬ Ｄの発光強度が設
定値以下となって、比較信号Ｓ３が１１に反転する。
一方、ホストマイクロコンピュータがこのＡＰＣ完了信
号を受は取ると、クロックパルスＳ、の一周期以内に、
ホストマイクロコンピュータはＡＰＣ制御信号Ｓ、をＬ
にする。これにより、Ｄフリップフロップ２４のＱ、出
力がＬになる。また、アンドゲート１２が閉じられてカ
ウンタＩ３のカウント値Ｃが保持される。
号を受は取ると、クロックパルスＳ、の一周期以内に、
ホストマイクロコンピュータはＡＰＣ制御信号Ｓ、をＬ
にする。これにより、Ｄフリップフロップ２４のＱ、出
力がＬになる。また、アンドゲート１２が閉じられてカ
ウンタＩ３のカウント値Ｃが保持される。
したがって、レーザダイオードＬＤの発光強度が設定値
に略一致し、かつ設定値より小さいときにＡＰＣが完了
する。すなわち、レーザダイオードＬＤの制御が安全側
で完了し、熱暴走によるレーザダイオードＬＤの劣化や
破壊等が防止される。
に略一致し、かつ設定値より小さいときにＡＰＣが完了
する。すなわち、レーザダイオードＬＤの制御が安全側
で完了し、熱暴走によるレーザダイオードＬＤの劣化や
破壊等が防止される。
次に、次頁の印字が終了し、ＡＰＣ制御信号Ｓ１が１１
にされたとき゛に、周囲温度の変化によりレーザダイオ
ードＬＤの発光強度が設定値を越えている場合を、第３
図を参照して説明する。
にされたとき゛に、周囲温度の変化によりレーザダイオ
ードＬＤの発光強度が設定値を越えている場合を、第３
図を参照して説明する。
比較信号Ｓ、はしてあり、クロックパルスＳ、のポジテ
ィブエツジがＤフリップフロップ２２の入力端子Ｃに供
給されてもその０１出力はＨのままである。また、カウ
ンタＩ３はカウントダウンモードであり、このクロック
パルスＳ、によりカウンタ１３のカウント値がデクリメ
ントされ、レーザダイオードＬＤの発光強度が減少する
。この発光強度が設定値以下になると、比較信号Ｓ、が
１１に反転する。
ィブエツジがＤフリップフロップ２２の入力端子Ｃに供
給されてもその０１出力はＨのままである。また、カウ
ンタＩ３はカウントダウンモードであり、このクロック
パルスＳ、によりカウンタ１３のカウント値がデクリメ
ントされ、レーザダイオードＬＤの発光強度が減少する
。この発光強度が設定値以下になると、比較信号Ｓ、が
１１に反転する。
したがって、次のクロックパルスＳ、のボッチイブエツ
ジでＤフリップフロップ２２のＱ、出力がＬに反転する
。また、カウンタ１３がカウントアツプモードになって
いるので、このクロックパルスＳ１によりカウンタ１３
のカウント値Ｃがインクリメントされ□、レーザダイオ
ードＬＤの発光強度が増大して設定値以上となり、比較
信号Ｓ、がＬに反転する。
ジでＤフリップフロップ２２のＱ、出力がＬに反転する
。また、カウンタ１３がカウントアツプモードになって
いるので、このクロックパルスＳ１によりカウンタ１３
のカウント値Ｃがインクリメントされ□、レーザダイオ
ードＬＤの発光強度が増大して設定値以上となり、比較
信号Ｓ、がＬに反転する。
次のクロックパルスＳ、のポジティブエツジがＤフリッ
プ７０ツブ２２の入力端子Ｃに供給されると、Ｑｌ比出
力１１に反転し、そのポジティブエツジがＤフリップフ
ロップ２４に検出されて、Ｄフリップフロップ２４のＱ
、出力がハイレベルになる。一方、カウンタ１３はカウ
ントダウンモードになっており、そのカウント値がデク
リメントされて、レーザダイオードＬＤの発光強度が減
少され、設定値以下となって、比較信号ＳａがＨに反転
する。
プ７０ツブ２２の入力端子Ｃに供給されると、Ｑｌ比出
力１１に反転し、そのポジティブエツジがＤフリップフ
ロップ２４に検出されて、Ｄフリップフロップ２４のＱ
、出力がハイレベルになる。一方、カウンタ１３はカウ
ントダウンモードになっており、そのカウント値がデク
リメントされて、レーザダイオードＬＤの発光強度が減
少され、設定値以下となって、比較信号ＳａがＨに反転
する。
その後の動作は、第２図の場合と同一である。
なお、上記実施例では、比較信号Ｓ、のレベルを記憶す
るＤフリップフロップ２２が１個の場合を説明したが、
複数個用いてもよい。
るＤフリップフロップ２２が１個の場合を説明したが、
複数個用いてもよい。
また、Ｄフリ・ツブフロップのかわりにＪＫフリップフ
ロップを用゛１）てもよいことは勿論である。
ロップを用゛１）てもよいことは勿論である。
さらに、クロ１ツク発生器ｌＯ、モノマルチバイブレー
クＩｔ１アンドゲート！２、カウンタ１３及びりフリッ
プフロップ２２．２４をワンチップマイクロコンピュー
タで構成し、Ｄフリップフロップ２２．２４をそれぞれ
内蔵ＲＡＭの！ビットに対応させて、ソフトウェアでこ
れをセット・リセットするようにしてもよい。
クＩｔ１アンドゲート！２、カウンタ１３及びりフリッ
プフロップ２２．２４をワンチップマイクロコンピュー
タで構成し、Ｄフリップフロップ２２．２４をそれぞれ
内蔵ＲＡＭの！ビットに対応させて、ソフトウェアでこ
れをセット・リセットするようにしてもよい。
［発明の効果］
本発明に係る半導体レーザの光出力制御装置では、半導
体レーザの発光強度を基準値と比較し、比較結果に応じ
て該半導体レーザへの供給電流を定期的に増減させ、こ
の定期的に行われる各増減動作に対応してストローブ信
号を出力し、ストローブ信号のタイミングで該比較結果
を記憶素子で記憶し、該比較結果が複数回反転して発光
強度が基準値以下になっているときにＡＰＣ完了信号を
出力し、次のストローブ信号が出力される前に該増＾１
動作を停止させるようになっており、ストローブ信号発
生時間が短時間であるので、ストローブ信号発生時にノ
イズの影響を受けて比較結果が誤りとなる確率が極めて
小さく、コロナ放電等によりノイズが発生してもその影
響を受けずに発光強度を基準値に略一致させろことがで
きるという優れた効果がある。
体レーザの発光強度を基準値と比較し、比較結果に応じ
て該半導体レーザへの供給電流を定期的に増減させ、こ
の定期的に行われる各増減動作に対応してストローブ信
号を出力し、ストローブ信号のタイミングで該比較結果
を記憶素子で記憶し、該比較結果が複数回反転して発光
強度が基準値以下になっているときにＡＰＣ完了信号を
出力し、次のストローブ信号が出力される前に該増＾１
動作を停止させるようになっており、ストローブ信号発
生時間が短時間であるので、ストローブ信号発生時にノ
イズの影響を受けて比較結果が誤りとなる確率が極めて
小さく、コロナ放電等によりノイズが発生してもその影
響を受けずに発光強度を基準値に略一致させろことがで
きるという優れた効果がある。
そのうえ、このようなノイズの影響を受けることな（、
発光強度が基準値以下になっているときに１１η記増威
動作を停屯させることができるので、周囲温度の変化に
よる半導体レーザの劣化や熱暴走を防止することができ
るという優れた効果もある。
発光強度が基準値以下になっているときに１１η記増威
動作を停屯させることができるので、周囲温度の変化に
よる半導体レーザの劣化や熱暴走を防止することができ
るという優れた効果もある。
さらに、発光強度制御を短時間で完了させることができ
、次の印字処理に速やかに移ることができるという優れ
た効果もある。
、次の印字処理に速やかに移ることができるという優れ
た効果もある。
加えて、Ａ・ＰＣ完了信号を読み取ることにより、異常
なく発光強度制御が完了したかどうかを知ることができ
るという優れた効果もある。
なく発光強度制御が完了したかどうかを知ることができ
るという優れた効果もある。
また、構成が簡単であるという優れた効果もある。
第１図乃至第３図は本発明の実施例に係り、第１図はレ
ーザダイオードＬ ｌ）の発光強度制御回路図、第２図
及び第３図は該回路内の主要な信号のタイミングヂャー
トである。 ｌＯ・クロック発生器 ｌｌ：モノマルチバイブレータ Ｉ３：カウンタ ２０；比較器 ２２．２４：Ｄフリップフロップ ＬＤ：レーザダイオード ｔ’Ｄ：ＰＩＮフォトダイオード Ｓ、：ＡＰＣ制御信号 Ｓ！ ：スト［１−ブ信号としてのクロックパルスＳ３
：比較信号
ーザダイオードＬ ｌ）の発光強度制御回路図、第２図
及び第３図は該回路内の主要な信号のタイミングヂャー
トである。 ｌＯ・クロック発生器 ｌｌ：モノマルチバイブレータ Ｉ３：カウンタ ２０；比較器 ２２．２４：Ｄフリップフロップ ＬＤ：レーザダイオード ｔ’Ｄ：ＰＩＮフォトダイオード Ｓ、：ＡＰＣ制御信号 Ｓ！ ：スト［１−ブ信号としてのクロックパルスＳ３
：比較信号
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体レーザの発光強度を光検出器で検出し、比較器で
その検出値を基準値と比較し、比較結果に応じて該半導
体レーザへの供給電流を定期的に増減させ、該検出値が
基準値に一致するよう制御する半導体レーザの光出力制
御装置において定期的に行われる該各増減動作に対応し
て、ストローブ信号を出力するタイミング発生手段と、
該ストローブ信号のタイミングで前記比較器の比較結果
を記憶素子で記憶し、該比較結果が複数回反転して該検
出値が該基準値以下になっているときに、ＡＰＣ完了信
号を出力するＡＰＣ完了判別手段と、 該ＡＰＣ完了信号を受けて、次の該ストローブ信号が出
力される前に該増減動作を停止させる制御停止手段と、 を有することを特徴とする半導体レーザの光出力制御装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62085472A JPS63250966A (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | 半導体レ−ザの光出力制御装置 |
| US07/178,943 US4802179A (en) | 1987-04-07 | 1988-04-07 | Apparatus for controlling optical output from semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62085472A JPS63250966A (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | 半導体レ−ザの光出力制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63250966A true JPS63250966A (ja) | 1988-10-18 |
| JPH0466430B2 JPH0466430B2 (ja) | 1992-10-23 |
Family
ID=13859844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62085472A Granted JPS63250966A (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | 半導体レ−ザの光出力制御装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4802179A (ja) |
| JP (1) | JPS63250966A (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2905229B2 (ja) * | 1989-09-26 | 1999-06-14 | キヤノン株式会社 | 光ビーム駆動装置 |
| JPH03202808A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-04 | Toshiba Corp | レーザ発振器の光量制御装置 |
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| JP2001053377A (ja) | 1999-08-06 | 2001-02-23 | Asahi Optical Co Ltd | 半導体レーザ駆動装置 |
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-
1987
- 1987-04-07 JP JP62085472A patent/JPS63250966A/ja active Granted
-
1988
- 1988-04-07 US US07/178,943 patent/US4802179A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0466430B2 (ja) | 1992-10-23 |
| US4802179A (en) | 1989-01-31 |
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