JPH0466700B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0466700B2 JPH0466700B2 JP58224264A JP22426483A JPH0466700B2 JP H0466700 B2 JPH0466700 B2 JP H0466700B2 JP 58224264 A JP58224264 A JP 58224264A JP 22426483 A JP22426483 A JP 22426483A JP H0466700 B2 JPH0466700 B2 JP H0466700B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat generating
- layer
- liquid
- heat
- common electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 97
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 97
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 230000009471 action Effects 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- -1 fluororesins Polymers 0.000 description 6
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical compound OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002160 Celluloid Polymers 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical class [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- XKEFYDZQGKAQCN-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC(Cl)=CC(Cl)=C1 XKEFYDZQGKAQCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSEBUVRVKCANEP-UHFFFAOYSA-N 2-pyrroline Chemical compound C1CC=CN1 RSEBUVRVKCANEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017060 Fe Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002544 Fe-Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002593 Fe-Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017263 Mo—C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017318 Mo—Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- UBUCNCOMADRQHX-UHFFFAOYSA-N N-Nitrosodiphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1N(N=O)C1=CC=CC=C1 UBUCNCOMADRQHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018106 Ni—C Inorganic materials 0.000 description 1
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004693 Polybenzimidazole Substances 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004337 Ti-Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910011208 Ti—N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910011209 Ti—Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008938 W—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- LRTTZMZPZHBOPO-UHFFFAOYSA-N [B].[B].[Hf] Chemical compound [B].[B].[Hf] LRTTZMZPZHBOPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012644 addition polymerization Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- WDODWFPDZYSKIA-UHFFFAOYSA-N benzeneselenol Chemical compound [SeH]C1=CC=CC=C1 WDODWFPDZYSKIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VDZMENNHPJNJPP-UHFFFAOYSA-N boranylidyneniobium Chemical compound [Nb]#B VDZMENNHPJNJPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTDAIYZKROTZLD-UHFFFAOYSA-N boranylidynetantalum Chemical compound [Ta]#B XTDAIYZKROTZLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUVPWTYQZMLSKY-UHFFFAOYSA-N boron;vanadium Chemical compound [V]#B AUVPWTYQZMLSKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- UPHIPHFJVNKLMR-UHFFFAOYSA-N chromium iron Chemical compound [Cr].[Fe] UPHIPHFJVNKLMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- VGBAECKRTWHKHC-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;1-ethenylcyclopenta-1,3-diene;iron(2+) Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.[CH2-]C=C1C=CC=C1 VGBAECKRTWHKHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- HWMTUNCVVYPZHZ-UHFFFAOYSA-N diphenylmercury Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Hg]C1=CC=CC=C1 HWMTUNCVVYPZHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 1
- YUWFEBAXEOLKSG-UHFFFAOYSA-N hexamethylbenzene Chemical compound CC1=C(C)C(C)=C(C)C(C)=C1C YUWFEBAXEOLKSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHYBPSFKEHXSLX-UHFFFAOYSA-N iminotitanium Chemical compound [Ti]=N KHYBPSFKEHXSLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUONGYYJJVDODC-UHFFFAOYSA-N malononitrile Chemical compound N#CCC#N CUONGYYJJVDODC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- GYVGXEWAOAAJEU-UHFFFAOYSA-N n,n,4-trimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=C(C)C=C1 GYVGXEWAOAAJEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLZLOWPYUQHHCG-UHFFFAOYSA-N nitromethylbenzene Chemical compound [O-][N+](=O)CC1=CC=CC=C1 VLZLOWPYUQHHCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- BEZDDPMMPIDMGJ-UHFFFAOYSA-N pentamethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=C(C)C(C)=C1C BEZDDPMMPIDMGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- ORQWTLCYLDRDHK-UHFFFAOYSA-N phenylselanylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Se]C1=CC=CC=C1 ORQWTLCYLDRDHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- ZVJHJDDKYZXRJI-UHFFFAOYSA-N pyrroline Natural products C1CC=NC1 ZVJHJDDKYZXRJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoethylene Chemical group N#CC(C#N)=C(C#N)C#N NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Chemical compound CC(N)=S YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Natural products CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14016—Structure of bubble jet print heads
- B41J2/14088—Structure of heating means
- B41J2/14112—Resistive element
- B41J2/14129—Layer structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2002/14379—Edge shooter
Landscapes
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液体を噴射し、飛翔液滴を形成して
記録を行なう液体噴射記録ヘツドに関する。
記録を行なう液体噴射記録ヘツドに関する。
インクジエツト記録法(液体噴射記録法)は、
記録時における騒音の発生が無視し得る程度に極
めて小さいという点、高速記録が可能でありしか
も所謂普通紙に定着という特別な処理を必要とせ
ずに記録の行なえる点において、最近関心を集め
ている。
記録時における騒音の発生が無視し得る程度に極
めて小さいという点、高速記録が可能でありしか
も所謂普通紙に定着という特別な処理を必要とせ
ずに記録の行なえる点において、最近関心を集め
ている。
その中で、例えば特開昭54−51837号公報、ド
イツ公開(DOLS)第2843064号公報に記載され
ている液体噴射記録法は、熱エネルギーを液体に
作用させて、液滴吐出の原動力を得るという点に
おいて、他の液体噴射記録法とは、異なる特徴を
有している。
イツ公開(DOLS)第2843064号公報に記載され
ている液体噴射記録法は、熱エネルギーを液体に
作用させて、液滴吐出の原動力を得るという点に
おいて、他の液体噴射記録法とは、異なる特徴を
有している。
即ち、上記の公報に開示された記録法は、熱エ
ネルギーの作用を受けた液体が急峻な体積の増大
を伴う状態変化を起し、該状態変化に基づく作用
力によつて、記録ヘツド部先端のオリフイスより
液体が吐出されて、飛翔的液滴が形成され、該液
滴が被記録部材に付着し記録が行なわれる。
ネルギーの作用を受けた液体が急峻な体積の増大
を伴う状態変化を起し、該状態変化に基づく作用
力によつて、記録ヘツド部先端のオリフイスより
液体が吐出されて、飛翔的液滴が形成され、該液
滴が被記録部材に付着し記録が行なわれる。
殊に、DOLS 2843064号公報に開示されている
液体噴射記録法は、所謂drop−on demand 記
録法に極めて有効に適用されるばかりではなく、
記録ヘツド部をfull lineタイプで高密度マルチオ
リフイス化された記録ヘツドが容易に具現化でき
るので、高解像度、高品質の画像を高速で得られ
るという特徴を有している。
液体噴射記録法は、所謂drop−on demand 記
録法に極めて有効に適用されるばかりではなく、
記録ヘツド部をfull lineタイプで高密度マルチオ
リフイス化された記録ヘツドが容易に具現化でき
るので、高解像度、高品質の画像を高速で得られ
るという特徴を有している。
上記の記録法に適用される装置の記録ヘツド部
は、液体を吐出するために設けられたオリフイス
と、該オリフイスに連通し、液滴を吐出するため
の熱エネルギーが液体に作用する部分である熱作
用部を構成の一部とする液流路とを有する液吐出
部と、熱エネルギーを発生する手段としての電気
熱交換体とを具備している。
は、液体を吐出するために設けられたオリフイス
と、該オリフイスに連通し、液滴を吐出するため
の熱エネルギーが液体に作用する部分である熱作
用部を構成の一部とする液流路とを有する液吐出
部と、熱エネルギーを発生する手段としての電気
熱交換体とを具備している。
そして、この電気熱交換体は、一対の電極と、
これ等の電極に接続しこれ等の電極の間に発熱す
る領域(熱発生部)を有する発熱抵抗層とを具備
している。
これ等の電極に接続しこれ等の電極の間に発熱す
る領域(熱発生部)を有する発熱抵抗層とを具備
している。
このような液体噴射記録ヘツドの構造を示す典
型的な例が、第1図a、及び第1図bに示され
る。第1図aは、液体噴射記録ヘツドのオリフイ
ス側から見た正面部分図であり、第1図bは、第
1図aに一点鎖線XYで示す部分で切断した場合
の切断面部分図である。
型的な例が、第1図a、及び第1図bに示され
る。第1図aは、液体噴射記録ヘツドのオリフイ
ス側から見た正面部分図であり、第1図bは、第
1図aに一点鎖線XYで示す部分で切断した場合
の切断面部分図である。
記録ヘツド100は、その表面に電気熱変換体
101が設けられている基板102の表面を、所
定の線密度で所定の巾と深さの溝が所定数設けら
れている溝付板103で覆うように接合すること
によつて、オリフイス104と液吐出部105が
形成された構造を有している。図に示す記録ヘツ
ドの場合には、オリフイス104を複数有するも
のとして示されているが、勿論本発明において
は、このようなものに限定されるものではなく、
単一オリフイスの記録ヘツドも本発明の範疇には
いるものである。
101が設けられている基板102の表面を、所
定の線密度で所定の巾と深さの溝が所定数設けら
れている溝付板103で覆うように接合すること
によつて、オリフイス104と液吐出部105が
形成された構造を有している。図に示す記録ヘツ
ドの場合には、オリフイス104を複数有するも
のとして示されているが、勿論本発明において
は、このようなものに限定されるものではなく、
単一オリフイスの記録ヘツドも本発明の範疇には
いるものである。
液吐出部105は、その終端に液体を吐出させ
るためのオリフイス104と、電気熱変換体10
1より発生される熱エネルギーが液体に作用して
気泡を発生し、その体積の膨張と収縮に依る急激
な状態変化を引き起す箇所である熱作用部106
とを有する。
るためのオリフイス104と、電気熱変換体10
1より発生される熱エネルギーが液体に作用して
気泡を発生し、その体積の膨張と収縮に依る急激
な状態変化を引き起す箇所である熱作用部106
とを有する。
熱作用部106は、電気熱変換体101の熱発
生部107の上部に位置し、熱発生部107の液
体と接触する面としての熱作用面108をその低
面としている。
生部107の上部に位置し、熱発生部107の液
体と接触する面としての熱作用面108をその低
面としている。
熱発生部107は、基板102上に設けられた
下部層109、該下部層109上に設けられた共
通電極113、該共通電極113上に設けられた
絶縁層114、該絶縁層114上に設けられた発
熱抵抗層110、該発熱抵抗層110上に設けら
れた上部層111とで構成される。発熱抵抗層1
10には、熱を発生させるために該層110に通
電するための電極112,113が絶縁層114
をはさんで設けられてある。電極112は、各液
吐出部の熱発生部を選択して発熱させるための選
択電極であり、電極113は、各液吐出部の熱発
生部に共通の電極であつて、液吐出部の液流路に
沿つて設けられている。
下部層109、該下部層109上に設けられた共
通電極113、該共通電極113上に設けられた
絶縁層114、該絶縁層114上に設けられた発
熱抵抗層110、該発熱抵抗層110上に設けら
れた上部層111とで構成される。発熱抵抗層1
10には、熱を発生させるために該層110に通
電するための電極112,113が絶縁層114
をはさんで設けられてある。電極112は、各液
吐出部の熱発生部を選択して発熱させるための選
択電極であり、電極113は、各液吐出部の熱発
生部に共通の電極であつて、液吐出部の液流路に
沿つて設けられている。
上部層111は、熱発生部107に於いては発
熱抵抗層110を、使用する液体から化学的、物
理的に保護するために発熱抵抗層110と液吐出
部105の液流路を満たしている液体とを隔絶す
る発熱抵抗層110の保護的機能を有している。
また、上部層111は、隣接する電極間に於ける
電気的リークを防止する役目も荷つている。殊
に、各選択電極間に於ける電気的リークの防止、
或いは各液流路下にある電極が何等かの理由で電
極と液体とが接触し、これに通電することによつ
て起る電極の電蝕の防止は重要であつて、このた
めにこのような保護層的機能を有する上部層11
1が少なくとも液流路下に存在する電極上には設
けられている。
熱抵抗層110を、使用する液体から化学的、物
理的に保護するために発熱抵抗層110と液吐出
部105の液流路を満たしている液体とを隔絶す
る発熱抵抗層110の保護的機能を有している。
また、上部層111は、隣接する電極間に於ける
電気的リークを防止する役目も荷つている。殊
に、各選択電極間に於ける電気的リークの防止、
或いは各液流路下にある電極が何等かの理由で電
極と液体とが接触し、これに通電することによつ
て起る電極の電蝕の防止は重要であつて、このた
めにこのような保護層的機能を有する上部層11
1が少なくとも液流路下に存在する電極上には設
けられている。
更に、各液吐出部に設けられている液流路は、
その上流に於いて、該液流路に供給する液体を貯
える共通液室(不図示)に連通しているが、各液
吐出部に設けられた電気熱変換体に接続されてい
る電極は、その設計上の都合により、熱作用部の
上流側に於いて前記共通液室下を通るように設け
られるのが一般的である。従つて、この部分に於
いても電極が液体と接触するのを防止すべく前記
した上部層が設けられるのが一般的である。
その上流に於いて、該液流路に供給する液体を貯
える共通液室(不図示)に連通しているが、各液
吐出部に設けられた電気熱変換体に接続されてい
る電極は、その設計上の都合により、熱作用部の
上流側に於いて前記共通液室下を通るように設け
られるのが一般的である。従つて、この部分に於
いても電極が液体と接触するのを防止すべく前記
した上部層が設けられるのが一般的である。
しかし、従来の構成の記録ヘツドでは電極が熱
発生部の下を通るために電極の材質が耐熱性の優
れたものに限定される上、絶縁層が蓄熱層を兼ね
るためスルホールの歩留りが悪い等の欠点があ
る。また、従来の熱発生部は、前述した例でも明
らかなように数層からなり、それぞれの層の材質
が異なるため、それぞれの熱膨張係数が異なり、
頻繁に熱がかかると内部歪は蓄積され、ひいては
クラツクが発生し、耐久性の点でも問題があつ
た。
発生部の下を通るために電極の材質が耐熱性の優
れたものに限定される上、絶縁層が蓄熱層を兼ね
るためスルホールの歩留りが悪い等の欠点があ
る。また、従来の熱発生部は、前述した例でも明
らかなように数層からなり、それぞれの層の材質
が異なるため、それぞれの熱膨張係数が異なり、
頻繁に熱がかかると内部歪は蓄積され、ひいては
クラツクが発生し、耐久性の点でも問題があつ
た。
本発明は、上記の諸点に鑑み成されたものであ
つて、頻繁なる繰返し使用や長時間の連続使用に
於いて総合的な耐久性に優れ、初期の良好な液滴
形成特性を長期に亘つて安定的に維持し得る液体
噴射記録ヘツドを提供することを主たる目的とす
る。
つて、頻繁なる繰返し使用や長時間の連続使用に
於いて総合的な耐久性に優れ、初期の良好な液滴
形成特性を長期に亘つて安定的に維持し得る液体
噴射記録ヘツドを提供することを主たる目的とす
る。
また、本発明の別の目的は、製造加工上に於け
る信頼性の高い液体噴射記録ヘツドを提供するこ
とでもある。
る信頼性の高い液体噴射記録ヘツドを提供するこ
とでもある。
本発明の液体噴射記録ヘツドは、発熱抵抗層を
有する熱発生部と、該熱発生部の発熱抵抗層に電
気的に接続される各熱発生部に共通の共通電極
と、同じく前記発熱抵抗層に電気的に接続される
とともに、前記共通電極と少なくとも絶縁層を介
して積層され、熱発生部を選択して発熱させる選
択電極と、を有し、液体を吐出するための熱エネ
ルギーを発生する電気熱変換体がオリフイスに連
通する液流路に対応して設けられている液体噴射
記録ヘツドにおいて、前記電気熱変換体は、基板
の上に前記共通電極、絶縁層、発熱抵抗層、選択
電極とがこの順に積層されている領域を有すると
共に、熱発生部の発熱抵抗層の下部には、前記共
通電極と前記絶縁層とが配されていないことを特
徴とし、 また、本発明の液体噴射記録ヘツドは、発熱抵
抗層を有する熱発生部と、該熱発生部の発熱抵抗
層に電気的に接続される各熱発生部に共通の共通
電極と、同じく前記発熱抵抗層に電気的に接続さ
れるとともに、前記共通電極と少なくとも絶縁層
を介して積層され、熱発生部を選択して発熱させ
る選択電極と、を有し、液体を吐出するための熱
エネルギーを発生する電気熱変換体がオリフイス
に連通する液流路に対応して設けられている液体
噴射記録ヘツドにおいて、前記電気熱変換体は、
基板の上に発熱抵抗層、選択電極、絶縁層、共通
電極とがこの順に積層されている領域を有すると
共に、熱発生部の発熱抵抗層の上部には、前記共
通電極と前記絶縁層が配されていないことを特徴
とするものである。
有する熱発生部と、該熱発生部の発熱抵抗層に電
気的に接続される各熱発生部に共通の共通電極
と、同じく前記発熱抵抗層に電気的に接続される
とともに、前記共通電極と少なくとも絶縁層を介
して積層され、熱発生部を選択して発熱させる選
択電極と、を有し、液体を吐出するための熱エネ
ルギーを発生する電気熱変換体がオリフイスに連
通する液流路に対応して設けられている液体噴射
記録ヘツドにおいて、前記電気熱変換体は、基板
の上に前記共通電極、絶縁層、発熱抵抗層、選択
電極とがこの順に積層されている領域を有すると
共に、熱発生部の発熱抵抗層の下部には、前記共
通電極と前記絶縁層とが配されていないことを特
徴とし、 また、本発明の液体噴射記録ヘツドは、発熱抵
抗層を有する熱発生部と、該熱発生部の発熱抵抗
層に電気的に接続される各熱発生部に共通の共通
電極と、同じく前記発熱抵抗層に電気的に接続さ
れるとともに、前記共通電極と少なくとも絶縁層
を介して積層され、熱発生部を選択して発熱させ
る選択電極と、を有し、液体を吐出するための熱
エネルギーを発生する電気熱変換体がオリフイス
に連通する液流路に対応して設けられている液体
噴射記録ヘツドにおいて、前記電気熱変換体は、
基板の上に発熱抵抗層、選択電極、絶縁層、共通
電極とがこの順に積層されている領域を有すると
共に、熱発生部の発熱抵抗層の上部には、前記共
通電極と前記絶縁層が配されていないことを特徴
とするものである。
以下に本発明を第2図a〜第2図eに従つて具
体的に説明する。
体的に説明する。
第2図aには、本発明の液体噴射記録ヘツドの
好適な実施態様例の構造の主要部を説明するため
のオリフイス側から見た正面部分図が、第2図b
には、第2図aに一点鎖線AA′で示した部分で切
断した場合の切断面部分図が示されており、第2
図aは、先に説明した第1図aに相当し、第2図
bは第1図bに相当するものである。
好適な実施態様例の構造の主要部を説明するため
のオリフイス側から見た正面部分図が、第2図b
には、第2図aに一点鎖線AA′で示した部分で切
断した場合の切断面部分図が示されており、第2
図aは、先に説明した第1図aに相当し、第2図
bは第1図bに相当するものである。
図に示される液体噴射記録ヘツド200は、所
望数の電気熱変換体201が設けられた熱を液吐
出に利用する液体噴射記録(サーマルインクジエ
ツト:TJと略記する)用の基板202と、前記
電気熱変換体201に対応して設けられた溝を所
望数有する溝付板203とでその主要部が構成さ
れている。
望数の電気熱変換体201が設けられた熱を液吐
出に利用する液体噴射記録(サーマルインクジエ
ツト:TJと略記する)用の基板202と、前記
電気熱変換体201に対応して設けられた溝を所
望数有する溝付板203とでその主要部が構成さ
れている。
TJ基板202と溝付板203とは、所定個所
で接着剤等で接合されることでTJ基板202の
電気熱変換体201の設けられている部分と、溝
付板203の溝の部分とによつて液流路204を
形成しており、該液流路204は、その構成の一
部に熱作用部205を有する。
で接着剤等で接合されることでTJ基板202の
電気熱変換体201の設けられている部分と、溝
付板203の溝の部分とによつて液流路204を
形成しており、該液流路204は、その構成の一
部に熱作用部205を有する。
TJ基板202は、シリコン、ガラス、セラミ
ツクス等で構成されている支持体206と、該支
持体206上にSiO2等で構成される下部層20
7と、共通電極208、絶縁層209を設けた
後、熱発生部215に該当する部分の共通電極2
08、絶縁層209をパターニングによつて除去
し、次いで発熱抵抗層210と、発熱抵抗層の上
面の熱発生部の両側には液流路204に沿つて選
択電極211,212と、発熱抵抗層210の上
面の電極で被覆されてない部分及び選択電極21
1,212の部分を覆う様に第1の保護層213
と、第1の保護層の上面の熱発生部を除く部分に
第2の保護層214とを具備している。なお、絶
縁層209にオリフイス先端付近でスルホール穴
を設け、選択電極と共通電極とは接続されてい
る。
ツクス等で構成されている支持体206と、該支
持体206上にSiO2等で構成される下部層20
7と、共通電極208、絶縁層209を設けた
後、熱発生部215に該当する部分の共通電極2
08、絶縁層209をパターニングによつて除去
し、次いで発熱抵抗層210と、発熱抵抗層の上
面の熱発生部の両側には液流路204に沿つて選
択電極211,212と、発熱抵抗層210の上
面の電極で被覆されてない部分及び選択電極21
1,212の部分を覆う様に第1の保護層213
と、第1の保護層の上面の熱発生部を除く部分に
第2の保護層214とを具備している。なお、絶
縁層209にオリフイス先端付近でスルホール穴
を設け、選択電極と共通電極とは接続されてい
る。
電気熱変換体201は、その主要部として熱発
生部215を有し、熱発生部215は、支持体2
06上に支持体206側から順次、下部層20
7、発熱抵抗層210、第1の保護層213で構
成されており、第1の保護層213の表面(熱作
用面216)は、液流路204を満たしている液
体と直接接触している。
生部215を有し、熱発生部215は、支持体2
06上に支持体206側から順次、下部層20
7、発熱抵抗層210、第1の保護層213で構
成されており、第1の保護層213の表面(熱作
用面216)は、液流路204を満たしている液
体と直接接触している。
一方、選択電極211,212の表面は、第1
の保護層213で覆われ、熱発生部215を除く
第1の保護層の上は第2の保護層214が設けら
れている。
の保護層213で覆われ、熱発生部215を除く
第1の保護層の上は第2の保護層214が設けら
れている。
第2図cは、第2図bに一点鎖線BB′で示した
部分で切断した場合の切断面部分図であり、第2
図dは、第2図bに一点鎖線CC′の位置における
基板平面図、第2図eは、第1の保護層213と
第2の保護層214を除いた基板平面図である。
部分で切断した場合の切断面部分図であり、第2
図dは、第2図bに一点鎖線CC′の位置における
基板平面図、第2図eは、第1の保護層213と
第2の保護層214を除いた基板平面図である。
第2図に示される液体噴射記録ヘツド200の
場合には、選択電極211の上層にも第2の保護
層214が設けられた構造を有するが、本発明に
於いては、これに限定されることはなく、選択電
極211の上層には第2の保護層214を設けな
くてもよい。第2の保護層214を設けなけれ
ば、各液吐出部における液流路204の熱作用面
216よりオリフイス側と熱作用面216との表
面位置の段差が少なくてすむため、第2図に示し
たような構造の熱作用面216よりオリフイス側
にも第2の保護層を設けた場合に比べて、液流路
の底面が比較的滑らかであるので、液体の流れが
円滑であつて液滴の形成が安定的に行なわれる。
しかしながら、熱作用面216よりオリフイス側
の表面位置と、熱作用面216の表面位置との段
差が、液流路204の上面と熱作用面216の距
離に比べて実質的に無視し得る程に小さければ液
滴形成の安定性にはそれ程影響がない。従つてこ
の範囲内であれば、熱作用面216よりオリフイ
ス側に、第2の保護層を設けることも、設けない
ことも可能である。
場合には、選択電極211の上層にも第2の保護
層214が設けられた構造を有するが、本発明に
於いては、これに限定されることはなく、選択電
極211の上層には第2の保護層214を設けな
くてもよい。第2の保護層214を設けなけれ
ば、各液吐出部における液流路204の熱作用面
216よりオリフイス側と熱作用面216との表
面位置の段差が少なくてすむため、第2図に示し
たような構造の熱作用面216よりオリフイス側
にも第2の保護層を設けた場合に比べて、液流路
の底面が比較的滑らかであるので、液体の流れが
円滑であつて液滴の形成が安定的に行なわれる。
しかしながら、熱作用面216よりオリフイス側
の表面位置と、熱作用面216の表面位置との段
差が、液流路204の上面と熱作用面216の距
離に比べて実質的に無視し得る程に小さければ液
滴形成の安定性にはそれ程影響がない。従つてこ
の範囲内であれば、熱作用面216よりオリフイ
ス側に、第2の保護層を設けることも、設けない
ことも可能である。
第1の保護層213を構成する材料としては、
比較的熱伝導性及び耐熱性に優れた無機質絶縁材
料が適している。例えば、SiO2等の無機酸化物
や酸化チタン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸
化モリブデン、酸化タンタル、酸化タングステ
ン、酸化クロム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニ
ウム、酸化ランタン、酸化イツトリウム、酸化マ
ンガン、等の遷移金属酸化物、更に酸化アルミニ
ウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸
化バリウム、酸化シリコン、等の金属酸化物及び
それらの複合体、窒化シリコン、窒化アルミニウ
ム、窒化ボロン、窒化タンタル等高抵抗窒化物及
びこれら酸化物、窒化物の複合体、更にアモルフ
アスシリコン、アモルフアスセレン等の半導体な
どバルクでは低抵抗であつてもスパツタリング
法、CVD法、蒸着法、気相反応法、液体コーテ
イング法等の製造過程で高抵抗化し得る薄膜材料
を挙げることができる。
比較的熱伝導性及び耐熱性に優れた無機質絶縁材
料が適している。例えば、SiO2等の無機酸化物
や酸化チタン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸
化モリブデン、酸化タンタル、酸化タングステ
ン、酸化クロム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニ
ウム、酸化ランタン、酸化イツトリウム、酸化マ
ンガン、等の遷移金属酸化物、更に酸化アルミニ
ウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸
化バリウム、酸化シリコン、等の金属酸化物及び
それらの複合体、窒化シリコン、窒化アルミニウ
ム、窒化ボロン、窒化タンタル等高抵抗窒化物及
びこれら酸化物、窒化物の複合体、更にアモルフ
アスシリコン、アモルフアスセレン等の半導体な
どバルクでは低抵抗であつてもスパツタリング
法、CVD法、蒸着法、気相反応法、液体コーテ
イング法等の製造過程で高抵抗化し得る薄膜材料
を挙げることができる。
第2の保護層214は、液浸透防止と耐液作用
に優れた有機質絶縁材料で構成され、更には、
成膜性が良いこと、緻密な構造でかつピンホー
ルが少ないこと、使用インクに対し膨潤、溶解
しないこと、成膜したとき絶縁性が良いこと、
耐熱性が高いこと等の物性を具備していること
が望ましい。そのような有機質材料としては以下
の樹脂、例えばシリコーン樹脂、フツ素樹脂、芳
香族ポリアミド、付加重合型ポリイミド、ポリベ
ンズイミダゾール、金属キレート重合体、チタン
酸エステル、エポキシ樹脂、フタル酸樹脂、熱硬
化性フエノール樹脂、P−ビニルフエノール樹
脂、ザイロツク樹脂、トリアジン樹脂、BT樹脂
(トリアジン樹脂とビスマレイミド付加重合樹脂)
等が挙げられる。又、この他に、ポリキシリレン
樹脂及びその誘導体を蒸着して第2の保護層21
4を形成することもできる。
に優れた有機質絶縁材料で構成され、更には、
成膜性が良いこと、緻密な構造でかつピンホー
ルが少ないこと、使用インクに対し膨潤、溶解
しないこと、成膜したとき絶縁性が良いこと、
耐熱性が高いこと等の物性を具備していること
が望ましい。そのような有機質材料としては以下
の樹脂、例えばシリコーン樹脂、フツ素樹脂、芳
香族ポリアミド、付加重合型ポリイミド、ポリベ
ンズイミダゾール、金属キレート重合体、チタン
酸エステル、エポキシ樹脂、フタル酸樹脂、熱硬
化性フエノール樹脂、P−ビニルフエノール樹
脂、ザイロツク樹脂、トリアジン樹脂、BT樹脂
(トリアジン樹脂とビスマレイミド付加重合樹脂)
等が挙げられる。又、この他に、ポリキシリレン
樹脂及びその誘導体を蒸着して第2の保護層21
4を形成することもできる。
更に、種々の有機化合物モノマー、例えばチオ
ウレア、チオアセトアミド、ビニルフエロセン、
1,3,5−トリクロロベンゼン、クロロベンゼ
ン、スチレン、フエロセン、ピロリン、ナフタレ
ン、ペンタメチルベンゼン、ニトロトルエン、ア
クリロニトリル、ジフエニルセレナイド、P−ト
ルイジン、P−キシレン、N,N−ジメチル−P
−トルイジン、トルエン、アニリン、ジフエニル
マーキユリー、ヘキサメチルベンゼン、マロノニ
トリル、テトラシアノエチレン、チオフエン、ベ
ンゼンセレノール、テトラフルオロエチレン、エ
チレン、N−ニトロソジフエニルアミン、アセチ
レン、1,2,4−トリクロロベンゼン、プロパ
ン等を使用してプラズマ重合法によつて成膜させ
て、第2の保護層214を形成することもでき
る。
ウレア、チオアセトアミド、ビニルフエロセン、
1,3,5−トリクロロベンゼン、クロロベンゼ
ン、スチレン、フエロセン、ピロリン、ナフタレ
ン、ペンタメチルベンゼン、ニトロトルエン、ア
クリロニトリル、ジフエニルセレナイド、P−ト
ルイジン、P−キシレン、N,N−ジメチル−P
−トルイジン、トルエン、アニリン、ジフエニル
マーキユリー、ヘキサメチルベンゼン、マロノニ
トリル、テトラシアノエチレン、チオフエン、ベ
ンゼンセレノール、テトラフルオロエチレン、エ
チレン、N−ニトロソジフエニルアミン、アセチ
レン、1,2,4−トリクロロベンゼン、プロパ
ン等を使用してプラズマ重合法によつて成膜させ
て、第2の保護層214を形成することもでき
る。
しかしながら、高密度マルチオリフイスタイプ
の記録ヘツドを作成するのであれば、上記した有
機質材料とは別に微細フオトリソグラフイ−加工
が極めて容易とされる有機質材料を第2の保護層
214を形成する材料として使用するのが望まし
い。そのような有機質材料としては具体的には、
例えば、ポリイミドイソインドロキナゾリンジオ
ン(商品名:PIQ、日立化成製)、ポリイミド樹
脂(商品名:PYRALIN、デユポン製)、環化ポ
リブタジエン(商品名:JSR−CBR,CBR−
M901、日本合成ゴム製)、フオトニース(商品
名:東レ製)、その他の感光性ポリイミド樹脂等
が好ましいものとして挙げられる。
の記録ヘツドを作成するのであれば、上記した有
機質材料とは別に微細フオトリソグラフイ−加工
が極めて容易とされる有機質材料を第2の保護層
214を形成する材料として使用するのが望まし
い。そのような有機質材料としては具体的には、
例えば、ポリイミドイソインドロキナゾリンジオ
ン(商品名:PIQ、日立化成製)、ポリイミド樹
脂(商品名:PYRALIN、デユポン製)、環化ポ
リブタジエン(商品名:JSR−CBR,CBR−
M901、日本合成ゴム製)、フオトニース(商品
名:東レ製)、その他の感光性ポリイミド樹脂等
が好ましいものとして挙げられる。
更に第3の保護層を最表層に設けることもでき
る。第3の保護層の役割は、主に耐液性と機械的
強度の補強の付与にある。この第3の保護層は、
液流路204及び共通液室のような液体と接触す
る可能性のあるTJ基板のほぼ全面に最表層とし
て設けられ、粘りがあつて、比較的機械的強度に
優れ、かつ第1の層213及び第2の層214に
対して密着性と接着性のある、例えば層213が
SiO2で形成されている場合にはTa等の金属材料
で構成される。このように基板の表面層に金属等
の比較的粘りがあつて機械的強度のある無機材料
で構成される第3の保護層を配設することによつ
て、特に熱作用面216に於いて、液体吐出の際
に生ずるキヤビテーシヨン作用からのシヨツクを
充分吸収することができ、電気熱変換体201の
寿命を格段に延ばす効果がある。
る。第3の保護層の役割は、主に耐液性と機械的
強度の補強の付与にある。この第3の保護層は、
液流路204及び共通液室のような液体と接触す
る可能性のあるTJ基板のほぼ全面に最表層とし
て設けられ、粘りがあつて、比較的機械的強度に
優れ、かつ第1の層213及び第2の層214に
対して密着性と接着性のある、例えば層213が
SiO2で形成されている場合にはTa等の金属材料
で構成される。このように基板の表面層に金属等
の比較的粘りがあつて機械的強度のある無機材料
で構成される第3の保護層を配設することによつ
て、特に熱作用面216に於いて、液体吐出の際
に生ずるキヤビテーシヨン作用からのシヨツクを
充分吸収することができ、電気熱変換体201の
寿命を格段に延ばす効果がある。
第3の保護層を形成することのできる材料とし
ては、上記のTaの他に、Sc,Yなどの周期律表
第a族の元素、Ti,Zr,Hfなどの第a族の
元素、V,Nbなどの第a族の元素、Cr,Mo,
Wなどの第a族の元素、Fe,Co,Niなどの第
族の元素;Ti−Ni,Ta−W,Ta−Mo−Ni,
Ni−Cr,Fe−Co,Ti−W,Fe−Ti,Fe−Ni,
Fe−Cr,Fe−Ni−Crなどの上記金属の合金;Ti
−B,Ta−B,Hf−B,W−Bなどの上記金属
の硼化物;Ti−C,Zr−C,V−C,Ta−C,
Mo−C,Ni−Cなどの上記金属の炭化物;Mo
−Si,W−Si,Ta−Siなどの上記金属のケイ化
物;Ti−N,Nb−N,Ta−Nなどの上記金属の
窒化物が挙げられる。第3の保護層は、これらの
材料を用いて蒸着法、スパツタリング法、CVD
法等の手法により形成することができる。第3の
保護層は、上記の層単独であつてもよいが、もち
ろんこれらの幾つかを組合わせることもできる。
また、第3の保護層を上記のもの単独ではなく、
第1の保護層の材質と組み合わせて使用すること
も可能である。
ては、上記のTaの他に、Sc,Yなどの周期律表
第a族の元素、Ti,Zr,Hfなどの第a族の
元素、V,Nbなどの第a族の元素、Cr,Mo,
Wなどの第a族の元素、Fe,Co,Niなどの第
族の元素;Ti−Ni,Ta−W,Ta−Mo−Ni,
Ni−Cr,Fe−Co,Ti−W,Fe−Ti,Fe−Ni,
Fe−Cr,Fe−Ni−Crなどの上記金属の合金;Ti
−B,Ta−B,Hf−B,W−Bなどの上記金属
の硼化物;Ti−C,Zr−C,V−C,Ta−C,
Mo−C,Ni−Cなどの上記金属の炭化物;Mo
−Si,W−Si,Ta−Siなどの上記金属のケイ化
物;Ti−N,Nb−N,Ta−Nなどの上記金属の
窒化物が挙げられる。第3の保護層は、これらの
材料を用いて蒸着法、スパツタリング法、CVD
法等の手法により形成することができる。第3の
保護層は、上記の層単独であつてもよいが、もち
ろんこれらの幾つかを組合わせることもできる。
また、第3の保護層を上記のもの単独ではなく、
第1の保護層の材質と組み合わせて使用すること
も可能である。
下部層207は、主に熱発生部215より発生
する熱の支持体206側への流れを制御する層と
して設けられるもので、熱作用部205に於いて
液体に熱エネルギーを作用させる場合には、熱発
生部215より発生する熱が熱作用部205側に
より多く流れるようにし、電気熱変換体201へ
の通電がOFFされた際には、熱発生部215に
残存している熱が、支持体206側に速やかに流
れるように構成材料の選択と、その層厚の設計が
成される。下部層207を構成する材料として
は、先に挙げたSiO2の他に酸化ジルコニウム、
酸化タンタル、酸化マグネシウム、酸化アルミニ
ウム等の金属酸化物に代表される無機質材料が挙
げられる。
する熱の支持体206側への流れを制御する層と
して設けられるもので、熱作用部205に於いて
液体に熱エネルギーを作用させる場合には、熱発
生部215より発生する熱が熱作用部205側に
より多く流れるようにし、電気熱変換体201へ
の通電がOFFされた際には、熱発生部215に
残存している熱が、支持体206側に速やかに流
れるように構成材料の選択と、その層厚の設計が
成される。下部層207を構成する材料として
は、先に挙げたSiO2の他に酸化ジルコニウム、
酸化タンタル、酸化マグネシウム、酸化アルミニ
ウム等の金属酸化物に代表される無機質材料が挙
げられる。
発熱抵抗層210を構成する材料は、通電され
ることによつて、所望通りの熱が発生するもので
あれば大概のものが採用され得る。
ることによつて、所望通りの熱が発生するもので
あれば大概のものが採用され得る。
そのような材料としては、具体的には例えば窒
化タンタル、ニクロム、銀一パラジウム合金、シ
リコン半導体、或いは、ハフニウム、ランタン、
ジルコニウム、チタン、タンタル、タングステ
ン、モリブデン、ニオブ、クロム、バナジウム等
の金属及びその合金並びにそれらの硼化物等が好
ましいものとして挙げられる。
化タンタル、ニクロム、銀一パラジウム合金、シ
リコン半導体、或いは、ハフニウム、ランタン、
ジルコニウム、チタン、タンタル、タングステ
ン、モリブデン、ニオブ、クロム、バナジウム等
の金属及びその合金並びにそれらの硼化物等が好
ましいものとして挙げられる。
これ等の発熱抵抗層210を構成する材料の
中、殊に金属硼化物が優れたものとして挙げるこ
とができ、その中でも最も特性の優れているのが
硼化ハフニウムであり、次いで硼化ジルコニウ
ム、硼化ランタン、硼化タンタル、硼化バナジウ
ム、硼化ニオブの順となつている。
中、殊に金属硼化物が優れたものとして挙げるこ
とができ、その中でも最も特性の優れているのが
硼化ハフニウムであり、次いで硼化ジルコニウ
ム、硼化ランタン、硼化タンタル、硼化バナジウ
ム、硼化ニオブの順となつている。
発熱抵抗層210は、上記した材料を使用し
て、電子ビーム蒸着やスパツタリング等の手法を
用いて形成することができる。
て、電子ビーム蒸着やスパツタリング等の手法を
用いて形成することができる。
電極209,211及び212を構成する材料
としては、通常使用されている電極材料の多くの
ものが有効に使用され、具体的には例えば、Al,
Ag,Au,Pt,Cu等の金属が挙げられ、これ等
を使用して、蒸着等の手法で所定位置に、所定の
大きさ、形状、厚さで設けられる。
としては、通常使用されている電極材料の多くの
ものが有効に使用され、具体的には例えば、Al,
Ag,Au,Pt,Cu等の金属が挙げられ、これ等
を使用して、蒸着等の手法で所定位置に、所定の
大きさ、形状、厚さで設けられる。
絶縁層209を構成する材料としては、電極2
09上に所定のパターニング形成が容易で、電極
209と電極211,212間でシヨートを発生
しないようピンホールレスの有機及び無機絶縁材
料が使用できる。具体的には例えばSiO2,Si3N4
等でリフト−オフ形成されたもの、ポリイミドイ
ソインドロキナゾリンジオン(商品名:PIQ、日
立化成製)、ポリイミド樹脂(商品名:
PYRALINデユポン製)、環化ポリブタジエン
(商品名:JSR−CBR,CBR−M901、日本合成
ゴム製)、フオトニース(商品名:東レ製)、その
他の感光性ポリイミド樹脂等が挙げられる。
09上に所定のパターニング形成が容易で、電極
209と電極211,212間でシヨートを発生
しないようピンホールレスの有機及び無機絶縁材
料が使用できる。具体的には例えばSiO2,Si3N4
等でリフト−オフ形成されたもの、ポリイミドイ
ソインドロキナゾリンジオン(商品名:PIQ、日
立化成製)、ポリイミド樹脂(商品名:
PYRALINデユポン製)、環化ポリブタジエン
(商品名:JSR−CBR,CBR−M901、日本合成
ゴム製)、フオトニース(商品名:東レ製)、その
他の感光性ポリイミド樹脂等が挙げられる。
溝付板203並びに熱作用部205の上流側に
設けられる共通液室の構成部材を構成する材料と
しては、記録ヘツドの工作時の、或いは使用時の
環境下に於いて形状に熱的影響を受けないか或い
は殆んど受けないものであつて微細精密加工が容
易に適用され得ると共に、面精度を所望通りに容
易に出すことができ、更には、それ等によつて形
成される流路中を液体がスムーズに流れ得るよう
に加工し得るものであれば、大概のものが有効で
ある。
設けられる共通液室の構成部材を構成する材料と
しては、記録ヘツドの工作時の、或いは使用時の
環境下に於いて形状に熱的影響を受けないか或い
は殆んど受けないものであつて微細精密加工が容
易に適用され得ると共に、面精度を所望通りに容
易に出すことができ、更には、それ等によつて形
成される流路中を液体がスムーズに流れ得るよう
に加工し得るものであれば、大概のものが有効で
ある。
そのような材料として代表的なものを挙げれ
ば、セラミツクス、ガラス、金属、プラスチツク
或いはシリコンウエハー等が好適なものとして例
示される。殊に、ガラス、シリコンウエーハーは
加工上容易であること、適度の耐熱性、熱膨張係
数、熱伝導性を有しているので好適な材料の1つ
である。オリフイス217の周りの外表面は液体
で漏れて、液体がオリフイス217の外側に回り
込まないように、液体が水系の場合には撥水処理
を、液体が非水系の場合には撥油処理を施した方
が良い。
ば、セラミツクス、ガラス、金属、プラスチツク
或いはシリコンウエハー等が好適なものとして例
示される。殊に、ガラス、シリコンウエーハーは
加工上容易であること、適度の耐熱性、熱膨張係
数、熱伝導性を有しているので好適な材料の1つ
である。オリフイス217の周りの外表面は液体
で漏れて、液体がオリフイス217の外側に回り
込まないように、液体が水系の場合には撥水処理
を、液体が非水系の場合には撥油処理を施した方
が良い。
オリフイス217の形成は、感光性樹脂を基板
202に貼付け、フオトリソグラフイーでパター
ン形成しさらに天板を貼付けることによつて行な
つても良い。
202に貼付け、フオトリソグラフイーでパター
ン形成しさらに天板を貼付けることによつて行な
つても良い。
第3図、第4図に本発明の他の実施態様を示
す。第3図、第4図は、共に第2図bに相当する
ものである。
す。第3図、第4図は、共に第2図bに相当する
ものである。
第3図に示す実施態様では、支持体206の上
に下部層207を設け、該下部層207の上に下
部層側から順に発熱抵抗層210、選択電極21
1,212、絶縁層209、共通電極208を設
け、熱発生部215に該当する部分の電極、絶縁
層をパターニングにより除去した後、電極、発熱
抵抗層、絶縁層を覆う様に第1の保護層213を
設け、液流路204に沿つて熱発生部215より
共通液室側にのみ第2の保護層214を設けてい
る。
に下部層207を設け、該下部層207の上に下
部層側から順に発熱抵抗層210、選択電極21
1,212、絶縁層209、共通電極208を設
け、熱発生部215に該当する部分の電極、絶縁
層をパターニングにより除去した後、電極、発熱
抵抗層、絶縁層を覆う様に第1の保護層213を
設け、液流路204に沿つて熱発生部215より
共通液室側にのみ第2の保護層214を設けてい
る。
第4図に示す実施態様では、熱発生部215よ
りオリフイス217側には、選択電極、第2の保
護層を設けず、液吐出部における熱発生部215
よりオリフイス側と熱作用面216との表面段差
を小さくしたものである。
りオリフイス217側には、選択電極、第2の保
護層を設けず、液吐出部における熱発生部215
よりオリフイス側と熱作用面216との表面段差
を小さくしたものである。
以下に実施例を示した本発明の液体噴射記録ヘ
ツドを具体的に説明する。
ツドを具体的に説明する。
実施例
第2図に示した液体噴射記録ヘツドを以下のよ
うにして製造した。
うにして製造した。
Siウエハーの熱酸化により5μm厚のSiO2膜を形
成し基板とした。基板に電子ビーム蒸着により
Ti層50Å,Al層5000Å厚を連続的に堆積し、共
通電極208を形成した。次にフオトリソ工程に
より共通電極208を第2図dに示したパターン
に形成し、熱作用面周辺部の窓抜きを行つた。窓
抜きサイズは、30μm巾、150μm長さである。次
に絶縁層209としてフオトニース(商品名:東
レ製)を1.5μm厚に、熱作用面周辺部(25μm巾、
140μm長さ)と、共通電極208と選択電極21
1のコンタクトホール(30μm巾、20μm長さ)を
除く部分に形成した。次にスパツタにより発熱抵
抗層210としてHfB2を1500Å厚に形成し、続
いて電子ビーム蒸着によりTi層50Å,Al層5000
Åを連続的に堆積した。フオトリソ工程により第
2図eに示したパターンの選択電極211,21
2を形成、熱作用面のサイズは25μm巾、140μm
長さで、Al電極の抵抗を含めて150オームであつ
た。
成し基板とした。基板に電子ビーム蒸着により
Ti層50Å,Al層5000Å厚を連続的に堆積し、共
通電極208を形成した。次にフオトリソ工程に
より共通電極208を第2図dに示したパターン
に形成し、熱作用面周辺部の窓抜きを行つた。窓
抜きサイズは、30μm巾、150μm長さである。次
に絶縁層209としてフオトニース(商品名:東
レ製)を1.5μm厚に、熱作用面周辺部(25μm巾、
140μm長さ)と、共通電極208と選択電極21
1のコンタクトホール(30μm巾、20μm長さ)を
除く部分に形成した。次にスパツタにより発熱抵
抗層210としてHfB2を1500Å厚に形成し、続
いて電子ビーム蒸着によりTi層50Å,Al層5000
Åを連続的に堆積した。フオトリソ工程により第
2図eに示したパターンの選択電極211,21
2を形成、熱作用面のサイズは25μm巾、140μm
長さで、Al電極の抵抗を含めて150オームであつ
た。
次に第1の保護層213としてSiO2を2.0μm厚
にマグネトロン型ハイレートスパツタ法によつて
基板の全面上に積層した。続いて第2の保護層2
14としてフオトニース(商品名:東レ製)を
1.5μm厚に熱作用面周辺部を除く部分にフオトリ
ソグラフイーにより形成し、TJ基板を製造した。
にマグネトロン型ハイレートスパツタ法によつて
基板の全面上に積層した。続いて第2の保護層2
14としてフオトニース(商品名:東レ製)を
1.5μm厚に熱作用面周辺部を除く部分にフオトリ
ソグラフイーにより形成し、TJ基板を製造した。
このTJ基板上に溝付ガラス板を所定通りに接
着した。即ち、第2図bに示してあるのと同様に
TJ基板にインク導入流路と熱作用部を形成する
為の溝付ガラス板(溝サイズ巾50μm×深さ50μm
×長さ2mm)が接着されている。
着した。即ち、第2図bに示してあるのと同様に
TJ基板にインク導入流路と熱作用部を形成する
為の溝付ガラス板(溝サイズ巾50μm×深さ50μm
×長さ2mm)が接着されている。
上記のようにして25Pelの高密度マルチノズル
記録ヘツドを製造した。
記録ヘツドを製造した。
製造した記録ヘツドは、従来のものより高密度
である上、頻繁なる繰返し使用や長時間の連続使
用に於いて総合的な耐久性に優れ、初期の良好な
液滴形成特性を長期に亘つて安定的に維持するこ
とができた。
である上、頻繁なる繰返し使用や長時間の連続使
用に於いて総合的な耐久性に優れ、初期の良好な
液滴形成特性を長期に亘つて安定的に維持するこ
とができた。
第1図a,bは夫々、従来の液体噴射記録ヘツ
ドの構成を説明するためのもので、第1図aは模
式的正面部分図、第1図bは第1図aの一点鎖線
XY′での切断面部分図、第2図a,b,c,d,
eは夫々本発明の液体噴射記録ヘツドの構成を説
明するためのもので、第2図aは模式的正面部分
図、第2図bは第2図aに示す一点鎖線AA′での
切断面部分図、第2図cは第2図bに一点鎖線
BB′での切断面部分図、第2図dは第2図bに一
点鎖線CC′の位置における基板平面図、第2図e
は第1の保護層及び第2の保護層を除いた基板の
平面図である。第3図、第4図は夫々本発明の他
の例を示すための切断面部分図である。 100,200……液体噴射記録ヘツド、10
1,201……電気熱変換体、102,202…
…基板、103,203……溝付板、104,2
17……オリフイス、105……液吐出部、10
6,205……熱作用部、107,215……熱
発生部、108,216……熱作用面、109,
207……下部層、110,210……発熱抵抗
層、111……上部層、112,211,212
……(選択)電極、113,208……(共通)
電極、114,209……絶縁層、204……液
流路、206……支持体、213……第1の保護
層、214……第2の保護層。
ドの構成を説明するためのもので、第1図aは模
式的正面部分図、第1図bは第1図aの一点鎖線
XY′での切断面部分図、第2図a,b,c,d,
eは夫々本発明の液体噴射記録ヘツドの構成を説
明するためのもので、第2図aは模式的正面部分
図、第2図bは第2図aに示す一点鎖線AA′での
切断面部分図、第2図cは第2図bに一点鎖線
BB′での切断面部分図、第2図dは第2図bに一
点鎖線CC′の位置における基板平面図、第2図e
は第1の保護層及び第2の保護層を除いた基板の
平面図である。第3図、第4図は夫々本発明の他
の例を示すための切断面部分図である。 100,200……液体噴射記録ヘツド、10
1,201……電気熱変換体、102,202…
…基板、103,203……溝付板、104,2
17……オリフイス、105……液吐出部、10
6,205……熱作用部、107,215……熱
発生部、108,216……熱作用面、109,
207……下部層、110,210……発熱抵抗
層、111……上部層、112,211,212
……(選択)電極、113,208……(共通)
電極、114,209……絶縁層、204……液
流路、206……支持体、213……第1の保護
層、214……第2の保護層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 発熱抵抗層を有する熱発生部と、該熱発生部
の発熱抵抗層に電気的に接続される各熱発生部に
共通の共通電極と、同じく前記発熱抵抗層に電気
的に接続されるとともに、前記共通電極と少なく
とも絶縁層を介して積層され、熱発生部を選択し
て発熱させる選択電極と、を有し、液体を吐出す
るための熱エネルギーを発生する電気熱変換体が
オリフイスに連通する液流路に対応して設けられ
ている液体噴射記録ヘツドにおいて、 前記電気熱変換体は、基板の上に前記共通電
極、絶縁層、発熱抵抗層、選択電極とがこの順に
積層されている領域を有すると共に、熱発生部の
発熱抵抗層の下部には、前記共通電極と前記絶縁
層とが配されていないことを特徴とする液体噴射
記録ヘツド。 2 前記電気熱変換体は更に保護層が積層されて
いる特許請求の範囲第1項に記載の液体噴射記録
ヘツド。 3 発熱抵抗層を有する熱発生部と、該熱発生部
の発熱抵抗層に電気的に接続される各熱発生部に
共通の共通電極と、同じく前記発熱抵抗層に電気
的に接続されるとともに、前記共通電極と少なく
とも絶縁層を介して積層され、熱発生部を選択し
て発熱させる選択電極と、を有し、液体を吐出す
るための熱エネルギーを発生する電気熱変換体が
オリフイスに連通する液流路に対応して設けられ
ている液体噴射記録ヘツドにおいて、 前記電気熱変換体は、基板の上に発熱抵抗層、
選択電極、絶縁層、共通電極とがこの順に積層さ
れている領域を有すると共に、熱発生部の発熱抵
抗層の上部には、前記共通電極と前記絶縁層が配
されていないことを特徴とする液体噴射記録ヘツ
ド。 4 前記電気熱変換体は更に保護層が積層されて
いる特許請求の範囲第3項に記載の液体噴射記録
ヘツド。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58224264A JPS60116451A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 液体噴射記録ヘツド |
| US06/674,659 US4686544A (en) | 1983-11-30 | 1984-11-26 | Liquid jet recording head |
| DE3443563A DE3443563C2 (de) | 1983-11-30 | 1984-11-29 | Schichtträger für einen Flüssigkeitsstrahlaufzeichnungskopf |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58224264A JPS60116451A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 液体噴射記録ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60116451A JPS60116451A (ja) | 1985-06-22 |
| JPH0466700B2 true JPH0466700B2 (ja) | 1992-10-26 |
Family
ID=16811048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58224264A Granted JPS60116451A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 液体噴射記録ヘツド |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4686544A (ja) |
| JP (1) | JPS60116451A (ja) |
| DE (1) | DE3443563C2 (ja) |
Families Citing this family (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60157873A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-19 | Canon Inc | 液体噴射記録装置の駆動回路 |
| JPH0729431B2 (ja) * | 1986-03-04 | 1995-04-05 | キヤノン株式会社 | 液体噴射記録ヘツドの作成方法 |
| JPH0729433B2 (ja) * | 1986-03-05 | 1995-04-05 | キヤノン株式会社 | 液体噴射記録ヘツドの作成方法 |
| US4751531A (en) * | 1986-03-27 | 1988-06-14 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Thermal-electrostatic ink jet recording apparatus |
| JP2611981B2 (ja) * | 1987-02-04 | 1997-05-21 | キヤノン株式会社 | インクジエツト記録ヘツド用基板及びインクジエツト記録ヘツド |
| JP2815146B2 (ja) * | 1987-03-27 | 1998-10-27 | キヤノン株式会社 | インクジェット記録ヘッド用基体及びインクジェット記録ヘッド並びに該記録ヘッドを具備するインクジェット記録装置 |
| JP2612580B2 (ja) * | 1987-12-01 | 1997-05-21 | キヤノン株式会社 | 液体噴射記録ヘッド及び該ヘッド用基板 |
| US4990939A (en) * | 1988-09-01 | 1991-02-05 | Ricoh Company, Ltd. | Bubble jet printer head with improved operational speed |
| JP2840271B2 (ja) * | 1989-01-27 | 1998-12-24 | キヤノン株式会社 | 記録ヘッド |
| US4935752A (en) * | 1989-03-30 | 1990-06-19 | Xerox Corporation | Thermal ink jet device with improved heating elements |
| US4947193A (en) * | 1989-05-01 | 1990-08-07 | Xerox Corporation | Thermal ink jet printhead with improved heating elements |
| US4956653A (en) * | 1989-05-12 | 1990-09-11 | Eastman Kodak Company | Bubble jet print head having improved multi-layer protective structure for heater elements |
| EP0578329B1 (en) * | 1989-09-18 | 1996-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet recording head and ink jet apparatus having same |
| US5075690A (en) * | 1989-12-18 | 1991-12-24 | Xerox Corporation | Temperature sensor for an ink jet printhead |
| US4980702A (en) * | 1989-12-28 | 1990-12-25 | Xerox Corporation | Temperature control for an ink jet printhead |
| ES2087999T3 (es) * | 1990-02-26 | 1996-08-01 | Canon Kk | Substrato para cabezal para chorros de tinta. |
| JP2833875B2 (ja) * | 1991-04-16 | 1998-12-09 | キヤノン株式会社 | インクジェットヘッドの製造方法、及びその製造機 |
| JP3071869B2 (ja) * | 1991-05-13 | 2000-07-31 | 株式会社リコー | 液体噴射記録装置及び記録方法 |
| US5699093A (en) * | 1992-10-07 | 1997-12-16 | Hslc Technology Associates Inc | Ink jet print head |
| EP0661157B1 (en) * | 1993-12-28 | 2001-05-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet recording head, ink jet recording apparatus having same, and ink jet head manufacturing method |
| JPH0929969A (ja) | 1995-07-18 | 1997-02-04 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッド及びその製造方法 |
| US5901425A (en) | 1996-08-27 | 1999-05-11 | Topaz Technologies Inc. | Inkjet print head apparatus |
| US6532027B2 (en) * | 1997-12-18 | 2003-03-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet recording head, substrate for this head, manufacturing method of this substrate and ink jet recording apparatus |
| US6820959B1 (en) * | 1998-06-03 | 2004-11-23 | Lexmark International, In.C | Ink jet cartridge structure |
| US6331049B1 (en) * | 1999-03-12 | 2001-12-18 | Hewlett-Packard Company | Printhead having varied thickness passivation layer and method of making same |
| JP2001077108A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-23 | Nec Corp | 半導体装置及び複合酸化物薄膜の製造方法 |
| JP4564674B2 (ja) | 2000-01-27 | 2010-10-20 | キヤノン株式会社 | 画像出力制御装置および画像出力制御装置の制御方法および記憶媒体 |
| JP3710364B2 (ja) | 2000-07-31 | 2005-10-26 | キヤノン株式会社 | インクジェットヘッド |
| US6981760B2 (en) * | 2001-09-27 | 2006-01-03 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Ink jet head and ink jet printer |
| KR100571769B1 (ko) * | 2003-08-25 | 2006-04-18 | 삼성전자주식회사 | 잉크젯 프린트 헤드의 보호층 및 이를 구비하는 잉크젯프린트 헤드의 제조방법 |
| US7673970B2 (en) * | 2004-06-30 | 2010-03-09 | Lexmark International, Inc. | Flexible circuit corrosion protection |
| JP4182035B2 (ja) * | 2004-08-16 | 2008-11-19 | キヤノン株式会社 | インクジェットヘッド用基板、該基板の製造方法および前記基板を用いるインクジェットヘッド |
| JP4208793B2 (ja) * | 2004-08-16 | 2009-01-14 | キヤノン株式会社 | インクジェットヘッド用基板、該基板の製造方法および前記基板を用いるインクジェットヘッド |
| JP4208794B2 (ja) * | 2004-08-16 | 2009-01-14 | キヤノン株式会社 | インクジェットヘッド用基板、該基板の製造方法および前記基板を用いるインクジェットヘッド |
| JP4137027B2 (ja) * | 2004-08-16 | 2008-08-20 | キヤノン株式会社 | インクジェットヘッド用基板、該基板の製造方法および前記基板を用いるインクジェットヘッド |
| US7413289B2 (en) * | 2005-12-23 | 2008-08-19 | Lexmark International, Inc. | Low energy, long life micro-fluid ejection device |
| JP4847360B2 (ja) * | 2006-02-02 | 2011-12-28 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッド基体、その基体を用いた液体吐出ヘッドおよびそれらの製造方法 |
| JP4949888B2 (ja) * | 2007-02-21 | 2012-06-13 | 三菱重工業株式会社 | 摩擦式差動遊星動力伝達装置 |
| JP7023650B2 (ja) * | 2017-09-27 | 2022-02-22 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッド及びその製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1127227A (en) * | 1977-10-03 | 1982-07-06 | Ichiro Endo | Liquid jet recording process and apparatus therefor |
| AU531269B2 (en) * | 1979-03-06 | 1983-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet printer |
| US4335389A (en) * | 1979-03-27 | 1982-06-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid droplet ejecting recording head |
| DE3011919A1 (de) * | 1979-03-27 | 1980-10-09 | Canon Kk | Verfahren zur herstellung eines aufzeichnungskopfes |
| JPS5833472A (ja) * | 1981-08-24 | 1983-02-26 | Canon Inc | 液体噴射記録ヘツド |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP58224264A patent/JPS60116451A/ja active Granted
-
1984
- 1984-11-26 US US06/674,659 patent/US4686544A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-11-29 DE DE3443563A patent/DE3443563C2/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3443563C2 (de) | 1994-10-20 |
| US4686544A (en) | 1987-08-11 |
| JPS60116451A (ja) | 1985-06-22 |
| DE3443563A1 (de) | 1985-06-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0466700B2 (ja) | ||
| US4720716A (en) | Liquid jet recording head | |
| JPH0466701B2 (ja) | ||
| US4567493A (en) | Liquid jet recording head | |
| US4596994A (en) | Liquid jet recording head | |
| US4577202A (en) | Liquid jet recording head | |
| JPS6338306B2 (ja) | ||
| US5113203A (en) | Liquid jet head, substrate for said head and liquid jet apparatus having said head | |
| US5455612A (en) | Liquid jet recording head | |
| US5451994A (en) | Liquid jet recording head having a support with an organic protective layer omitted from a heat-generating section on the support and from an edge of the support | |
| JPS60159061A (ja) | 液体噴射記録ヘツド | |
| JPH0526657B2 (ja) | ||
| US5153610A (en) | Liquid jet recording head | |
| JPH0512150B2 (ja) | ||
| JPH0526656B2 (ja) | ||
| JPH0584910A (ja) | 液体噴射記録ヘツド | |
| JPS60116453A (ja) | 液体噴射記録ヘツド | |
| JPH02187354A (ja) | 液体噴射記録ヘッド用基体およびそれを用いた液体噴射記録ヘッド | |
| JPS60120067A (ja) | 液体噴射記録ヘツド | |
| JPS60157869A (ja) | 液体噴射記録ヘツド | |
| JP3542369B2 (ja) | 薄膜抵抗素子を有する基板の製造方法、インクジェットヘッド及びインクジェット装置 | |
| KR20050091253A (ko) | 잉크젯 헤드 기판, 잉크젯 헤드 및 잉크젯 헤드 기판의제조방법 | |
| JPH0322305B2 (ja) | ||
| JPH04276456A (ja) | 液体噴射記録ヘッド、及び同ヘッドを備えた記録装置 | |
| JPH02281951A (ja) | インクジェット記録ヘッドおよび該記録ヘッド用基体 |