JPH0467740B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0467740B2 JPH0467740B2 JP61276340A JP27634086A JPH0467740B2 JP H0467740 B2 JPH0467740 B2 JP H0467740B2 JP 61276340 A JP61276340 A JP 61276340A JP 27634086 A JP27634086 A JP 27634086A JP H0467740 B2 JPH0467740 B2 JP H0467740B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scanning
- pattern
- deflection
- pitch
- inspection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は検査時間の短縮と検査精度の向上を実
現した材料検査装置に関する。
現した材料検査装置に関する。
［従来の技術］
周知の如くマスクはウエハへパターンを焼付け
る為の原板であるが、このマスクの品質が最終的
に出来上る電気的素子の歩留りや性能に大きな影
響を及ぼす。その為、焼付けすべきパターンが描
画されたマスクの検査は欠くべからざるものとな
つている。
る為の原板であるが、このマスクの品質が最終的
に出来上る電気的素子の歩留りや性能に大きな影
響を及ぼす。その為、焼付けすべきパターンが描
画されたマスクの検査は欠くべからざるものとな
つている。
この様なマスク検査は、パターンが描画された
マスク上をビームにより走査し、該走査により該
材料から得られた情報（実測データ）と理想的材
料情報（設計データ）とを比較し、パターンの欠
陥（例えば、パターンの一部欠落部、パターンの
突起部、隣接するパターンとの間に出来たブリツ
ジ部）及びゴミ等を検査する様にしている。
マスク上をビームにより走査し、該走査により該
材料から得られた情報（実測データ）と理想的材
料情報（設計データ）とを比較し、パターンの欠
陥（例えば、パターンの一部欠落部、パターンの
突起部、隣接するパターンとの間に出来たブリツ
ジ部）及びゴミ等を検査する様にしている。
尚、この様な検査の後、該検査データに基づい
て、マスクリペアラー等によりこの様な欠陥を修
正する様にしている。
て、マスクリペアラー等によりこの様な欠陥を修
正する様にしている。
所で、この様な検査装置では、静電偏向による
ビーム走査機構か電磁偏向によるビーム走査機構
の何れか一つのビーム走査機構を採用している。
ビーム走査機構か電磁偏向によるビーム走査機構
の何れか一つのビーム走査機構を採用している。
［発明が解決しようとする問題点］
さて、静電偏向によるビーム走査機構を採用し
た場合、高速且つ直線性高い走査が出来る事から
精度の高い検査が可能となるが、偏向幅が小さい
事から検査時間が多く掛つてしまう。若し、偏向
幅を大きくしようとして静電偏向電圧を高くする
と、回路に分布容量が増加し高速走査が出来なく
なるばかりか、偏向歪みが許容の範囲を越えてし
まう。これに対し、電磁偏向によるビーム走査機
構を採用した場合、偏向幅を大きく取れるので、
検査時間がさほど掛らないが、走査の速度及び直
線性とも前者に比べ悪く、偏向歪みも大きいの
で、精度の高い検査が出来ない。
た場合、高速且つ直線性高い走査が出来る事から
精度の高い検査が可能となるが、偏向幅が小さい
事から検査時間が多く掛つてしまう。若し、偏向
幅を大きくしようとして静電偏向電圧を高くする
と、回路に分布容量が増加し高速走査が出来なく
なるばかりか、偏向歪みが許容の範囲を越えてし
まう。これに対し、電磁偏向によるビーム走査機
構を採用した場合、偏向幅を大きく取れるので、
検査時間がさほど掛らないが、走査の速度及び直
線性とも前者に比べ悪く、偏向歪みも大きいの
で、精度の高い検査が出来ない。
本発明は、この様に静電偏向によるビーム走査
機構か電磁偏向によるビーム走査機構の何れか一
つのビーム走査機構を採用した検査装置の問題を
解決する事を目的としたものである。
機構か電磁偏向によるビーム走査機構の何れか一
つのビーム走査機構を採用した検査装置の問題を
解決する事を目的としたものである。
［問題点を解決するための手段］
そこで、本発明の材料検査装置は、電磁偏向ビ
ーム走査手段、静電偏向ビーム走査手段、及び、
１つのパターン欠陥部分につき該欠陥部分の少く
ともどこかを走査出来る様な走査ピツチによるビ
ーム走査を電磁偏向器により行なわせ、前記走査
ピツチより小さい走査ピツチによる材料上の特定
領域でのビーム走査を静電偏向器により行なわせ
る制御機構とを設けた。
ーム走査手段、静電偏向ビーム走査手段、及び、
１つのパターン欠陥部分につき該欠陥部分の少く
ともどこかを走査出来る様な走査ピツチによるビ
ーム走査を電磁偏向器により行なわせ、前記走査
ピツチより小さい走査ピツチによる材料上の特定
領域でのビーム走査を静電偏向器により行なわせ
る制御機構とを設けた。
［作用］
一般に、パターンの欠陥（例えば、パターンの
一部欠落部、パターンの突起部、隣接するパター
ンとの間に出来たブリツジ部）及びゴミはパター
ンの大きさに対して無視出来る程度の大きさでは
なく、或る程度の大きささを持つている。又、１
つのパターンに対して沢山存在する事はない。そ
こで、初めに、パターン欠陥が存在する場合、そ
の１つのパターン欠陥部分につき該欠陥部分の少
くともどこかを走査出来る程度の粗い走査ピツチ
で材料を一通り電磁偏向ビーム走査手段により走
査し、該走査によりパターン欠陥部の何れかの箇
所の位置を検出する。そして次に、該位置を含む
所定の範囲丈を前記走査ピツチより細かい走査ピ
ツチで静電偏向ビーム走査手段により走査し、該
走査により、そのパターン欠陥が存在する詳細な
位置を測定する。この様に電磁偏向ビーム手段に
よる粗い走査と静電偏向ビーム走査手段による特
定領域での細かい走査の組合わせにより、精度の
高い材料検査を高速に行なう事が出来る。
一部欠落部、パターンの突起部、隣接するパター
ンとの間に出来たブリツジ部）及びゴミはパター
ンの大きさに対して無視出来る程度の大きさでは
なく、或る程度の大きささを持つている。又、１
つのパターンに対して沢山存在する事はない。そ
こで、初めに、パターン欠陥が存在する場合、そ
の１つのパターン欠陥部分につき該欠陥部分の少
くともどこかを走査出来る程度の粗い走査ピツチ
で材料を一通り電磁偏向ビーム走査手段により走
査し、該走査によりパターン欠陥部の何れかの箇
所の位置を検出する。そして次に、該位置を含む
所定の範囲丈を前記走査ピツチより細かい走査ピ
ツチで静電偏向ビーム走査手段により走査し、該
走査により、そのパターン欠陥が存在する詳細な
位置を測定する。この様に電磁偏向ビーム手段に
よる粗い走査と静電偏向ビーム走査手段による特
定領域での細かい走査の組合わせにより、精度の
高い材料検査を高速に行なう事が出来る。
［実施例］
第１図は本発明の一実施例として示した材料検
査装置の概略図である。
査装置の概略図である。
図中１は電子銃、２は集束レンズ、３はステー
ジ、４Ｘ，４Ｙは各々Ｘ方向、Ｙ方向静電偏向電
極、５Ｘ，５Ｙは各々Ｘ方向、Ｙ方向電磁偏向コ
イル、６，７は各々ステツプ走査電圧信号発生回
路、ステツプ走査電流信号発生回路、８は制御装
置、９は反射電子検出器、１０，１１はDA変換
器、１２はAD変換器である。
ジ、４Ｘ，４Ｙは各々Ｘ方向、Ｙ方向静電偏向電
極、５Ｘ，５Ｙは各々Ｘ方向、Ｙ方向電磁偏向コ
イル、６，７は各々ステツプ走査電圧信号発生回
路、ステツプ走査電流信号発生回路、８は制御装
置、９は反射電子検出器、１０，１１はDA変換
器、１２はAD変換器である。
斯くの如き装置において、例えば第２図に示す
如きパターンＰが描画された材料１３をステージ
３上の所定の位置に載せ該材料の検査を行なう場
合について以下にその動作を説明する。
如きパターンＰが描画された材料１３をステージ
３上の所定の位置に載せ該材料の検査を行なう場
合について以下にその動作を説明する。
先ず、パターンの描画位置等のデータ（設計デ
ータ）を記憶している制御装置８からの指令によ
り、ステツプ走査電流信号発生回路７が作動し、
Ｘ、Ｙ方向電磁偏向コイル５Ｘ，５Ｙに夫々Ｘ、
Ｙ方向走査電流信号を供給する。さて、パターン
欠陥の大きさが直径1μｍ以上あると仮定し、該
Ｘ方向、Ｙ方向ステツプ走査電流信号の走査ステ
ツプピツチが共に1μｍになる様にし（第３図ａ，
ｂ参照）、前者の周波数が例えば3KHz、後者の周
波数が11.7×10-3KHz程度になる様にする。この
程度の走査ステツプピツチにすれば、通常のパタ
ーン欠陥やゴミの部分中のどこかを横切る事が出
来る。この時、集束レンズ２によつて材料１３上
に集束された電子ビームは、該Ｘ、Ｙ方向電磁偏
向コイル５Ｘ，５Ｙにより、材料１３上全面を
Ｘ、Ｙ方向に1μｍの走査ステツプピツチで一通
り粗く走査する。該走査により、該材料から発生
した反射電子は検出器９により検出され、AD変
換器１２を介して前記制御装置８に送られる。該
制御装置は該検出器からの材料上のパターンデー
タと予め記憶されている設計データと差を取り、
欠陥を測定する。この際、パターンＰに例えば欠
落部Ｋが存在する場合、該欠陥部中の１つの位置
（X0、Y0）を電子ビームが横切つたとすれば、該
位置が欠落位置として測定される。該制御装置
は、該欠落位置（X0、Y0）を中心として、±Ｘ方
向、±Ｙ方向にＤ／２の広さの領域Ｒ（材料上X1
〜X2とY1〜Y2が作る領域）丈走査される様に、
ステツプ走査電圧信号発生回路６に指令を送り、
該回路を作動させる。該ステツプ走査電圧信号発
生回路６は該制御装置からの指令により、材料の
Ｘ方向にX1〜X2、Ｙ方向にY1〜Y2の範囲走査さ
れる様なステツプ走査電圧信号（第３図ｃ，ｄに
示す波形の太い実線部）を夫々Ｘ方向、Ｙ方向静
電偏向電極４Ｘ，４Ｙに供給する。該Ｘ方向、Ｙ
方向ステツプ走査電圧信号の走査ステツプピツチ
を共に0.1μｍとなる様にし、又、前者の周波数を
例えば300KHz、後者の周波数を1.17KHz程度と、
前記Ｘ方向、Ｙ方向電磁偏向コイル５Ｘ，５Ｙに
供給したＸ方向、Ｙ方向ステツプ走査電流信号の
周波数の100倍程度の周波数にする。この時、集
束レンズ２によつて材料１３上に集束された電子
ビームは、該Ｘ、Ｙ方向静電偏向電極４Ｘ，４Ｙ
により、材料１３上の領域Ｒの部分丈Ｘ、Ｙ方向
0.1μｍの走査ステツプピツチで細かく走査する。
該走査により、該材料から発生した反射電子は検
出器９により検出され、AD変換器１２を介して
前記制御装置８に送られる。該制御装置は該検出
器からの材料上のパターンデータと予め記憶され
ている設計データとの差を取り、欠陥を測定す
る。該設計データは元々前記静電偏向電極による
走査の細かさに対応した細かさのパターン描画位
置データなので、該欠陥Ｋの部分が存在する詳細
な位置が測定される。
ータ）を記憶している制御装置８からの指令によ
り、ステツプ走査電流信号発生回路７が作動し、
Ｘ、Ｙ方向電磁偏向コイル５Ｘ，５Ｙに夫々Ｘ、
Ｙ方向走査電流信号を供給する。さて、パターン
欠陥の大きさが直径1μｍ以上あると仮定し、該
Ｘ方向、Ｙ方向ステツプ走査電流信号の走査ステ
ツプピツチが共に1μｍになる様にし（第３図ａ，
ｂ参照）、前者の周波数が例えば3KHz、後者の周
波数が11.7×10-3KHz程度になる様にする。この
程度の走査ステツプピツチにすれば、通常のパタ
ーン欠陥やゴミの部分中のどこかを横切る事が出
来る。この時、集束レンズ２によつて材料１３上
に集束された電子ビームは、該Ｘ、Ｙ方向電磁偏
向コイル５Ｘ，５Ｙにより、材料１３上全面を
Ｘ、Ｙ方向に1μｍの走査ステツプピツチで一通
り粗く走査する。該走査により、該材料から発生
した反射電子は検出器９により検出され、AD変
換器１２を介して前記制御装置８に送られる。該
制御装置は該検出器からの材料上のパターンデー
タと予め記憶されている設計データと差を取り、
欠陥を測定する。この際、パターンＰに例えば欠
落部Ｋが存在する場合、該欠陥部中の１つの位置
（X0、Y0）を電子ビームが横切つたとすれば、該
位置が欠落位置として測定される。該制御装置
は、該欠落位置（X0、Y0）を中心として、±Ｘ方
向、±Ｙ方向にＤ／２の広さの領域Ｒ（材料上X1
〜X2とY1〜Y2が作る領域）丈走査される様に、
ステツプ走査電圧信号発生回路６に指令を送り、
該回路を作動させる。該ステツプ走査電圧信号発
生回路６は該制御装置からの指令により、材料の
Ｘ方向にX1〜X2、Ｙ方向にY1〜Y2の範囲走査さ
れる様なステツプ走査電圧信号（第３図ｃ，ｄに
示す波形の太い実線部）を夫々Ｘ方向、Ｙ方向静
電偏向電極４Ｘ，４Ｙに供給する。該Ｘ方向、Ｙ
方向ステツプ走査電圧信号の走査ステツプピツチ
を共に0.1μｍとなる様にし、又、前者の周波数を
例えば300KHz、後者の周波数を1.17KHz程度と、
前記Ｘ方向、Ｙ方向電磁偏向コイル５Ｘ，５Ｙに
供給したＸ方向、Ｙ方向ステツプ走査電流信号の
周波数の100倍程度の周波数にする。この時、集
束レンズ２によつて材料１３上に集束された電子
ビームは、該Ｘ、Ｙ方向静電偏向電極４Ｘ，４Ｙ
により、材料１３上の領域Ｒの部分丈Ｘ、Ｙ方向
0.1μｍの走査ステツプピツチで細かく走査する。
該走査により、該材料から発生した反射電子は検
出器９により検出され、AD変換器１２を介して
前記制御装置８に送られる。該制御装置は該検出
器からの材料上のパターンデータと予め記憶され
ている設計データとの差を取り、欠陥を測定す
る。該設計データは元々前記静電偏向電極による
走査の細かさに対応した細かさのパターン描画位
置データなので、該欠陥Ｋの部分が存在する詳細
な位置が測定される。
尚、前記実施例では電子ビム走査による検査装
置を示したが、イオンビーム走査による走査装置
等にも応用出来る。又、前記実施例では反射電子
を検出する様にしたが、その代わりに２次電子を
検出する様にしてもよい。
置を示したが、イオンビーム走査による走査装置
等にも応用出来る。又、前記実施例では反射電子
を検出する様にしたが、その代わりに２次電子を
検出する様にしてもよい。
［発明の効果］
本発明は、１つのパターン欠陥部分につき該欠
陥部分の少なくともどこかを走査出来る様な走査
ピツチによる走査を電磁偏向器により行なわせ、
前記走査ピツチより小さい走査ピツチによる材料
上の特定領域での走査を静電偏向器により行なわ
せる様に成しているので、精度の高い材料検査を
高速に行なう事が出来る。
陥部分の少なくともどこかを走査出来る様な走査
ピツチによる走査を電磁偏向器により行なわせ、
前記走査ピツチより小さい走査ピツチによる材料
上の特定領域での走査を静電偏向器により行なわ
せる様に成しているので、精度の高い材料検査を
高速に行なう事が出来る。
第１図は本発明の一実施例として示した材料検
査装置の概略図、第２図は材料を表わしたもの、
第３図は走査信号波形図である。 １：電子銃、２：集束レンズ、３：ステージ、
４Ｘ，４Ｙ：Ｘ方向、Ｙ方向静電偏向電極、５
Ｘ，５Ｙ：Ｘ方向、Ｙ方向電磁偏向コイル、６：
ステツプ走査電圧信号発生回路、７：ステツプ走
査電流発生回路、８：制御装置、９：反射電子検
出器、１０，１１：DA変換器、１２：AD変換
器。
査装置の概略図、第２図は材料を表わしたもの、
第３図は走査信号波形図である。 １：電子銃、２：集束レンズ、３：ステージ、
４Ｘ，４Ｙ：Ｘ方向、Ｙ方向静電偏向電極、５
Ｘ，５Ｙ：Ｘ方向、Ｙ方向電磁偏向コイル、６：
ステツプ走査電圧信号発生回路、７：ステツプ走
査電流発生回路、８：制御装置、９：反射電子検
出器、１０，１１：DA変換器、１２：AD変換
器。
Claims (1)
- １ パターンが描画された材料上をビームで走査
する事によつて該材料から得られた情報に基づい
てパターンの欠陥を検査する様に成した装置にお
いて、電磁偏向ビーム走査手段、静電偏向ビーム
走査手段、及び、１つのパターン欠陥部分につき
該欠陥部分の少くともどこかを走査出来る様な走
査ピツチによるビーム走査を電磁偏向器により行
なわせ、前記走査ピツチより小さい走査ピツチに
よる材料上の特定領域でのビーム走査を静電偏向
器により行なわせる制御機構とを設けた事を特徴
とする材料検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61276340A JPS63131451A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 材料検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61276340A JPS63131451A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 材料検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63131451A JPS63131451A (ja) | 1988-06-03 |
| JPH0467740B2 true JPH0467740B2 (ja) | 1992-10-29 |
Family
ID=17568072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61276340A Granted JPS63131451A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 材料検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63131451A (ja) |
-
1986
- 1986-11-19 JP JP61276340A patent/JPS63131451A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63131451A (ja) | 1988-06-03 |
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