JPH0523501B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0523501B2 JPH0523501B2 JP61150974A JP15097486A JPH0523501B2 JP H0523501 B2 JPH0523501 B2 JP H0523501B2 JP 61150974 A JP61150974 A JP 61150974A JP 15097486 A JP15097486 A JP 15097486A JP H0523501 B2 JPH0523501 B2 JP H0523501B2
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- JP
- Japan
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- pattern
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- drawn
- area
- inspection
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- Expired - Lifetime
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は検査時間を短縮した材料検査方法に関
する。
する。
［従来の技術］
周知の如くマスクはウエハへパターンを焼付け
るための原板であるが、このマスクの品質が最終
的に出来上る電気的素子の歩留りや性能に大きな
影響を及ぼす。その為、焼付けすべきパターンが
描画されたマスクの検査は欠くべからざるものと
なつている。
るための原板であるが、このマスクの品質が最終
的に出来上る電気的素子の歩留りや性能に大きな
影響を及ぼす。その為、焼付けすべきパターンが
描画されたマスクの検査は欠くべからざるものと
なつている。
さて、従来のマスクの検査方法は、パターンが
描画されたマスク上をビームにより適宜な一定の
走査ピツチで走査し、該走査により該材料から得
られた情報（実測データ）と理想的材料情報（設
計データ）とを比較し、パターンの欠陥（例え
ば、パターンの一部欠落部）、パターンの突起部、
隣接するパターンとの間に出来たブリツジ部）及
びゴミ等を検査する様にしている。
描画されたマスク上をビームにより適宜な一定の
走査ピツチで走査し、該走査により該材料から得
られた情報（実測データ）と理想的材料情報（設
計データ）とを比較し、パターンの欠陥（例え
ば、パターンの一部欠落部）、パターンの突起部、
隣接するパターンとの間に出来たブリツジ部）及
びゴミ等を検査する様にしている。
尚、この様な検査の後、該検査データに基づい
て、マスクリペアラー等によりこの様な欠陥を修
正する様にしている。
て、マスクリペアラー等によりこの様な欠陥を修
正する様にしている。
［発明が解決しようとする問題点］
所で、最近、パターンの微細化が進んだ事か
ら、検査の為のビームの走査ピツチもそれに合わ
せて細かくする必要がある。
ら、検査の為のビームの走査ピツチもそれに合わ
せて細かくする必要がある。
しかし、パターンの微細化に合わせてビームの
走査ピツチを細かくすると、マスクの検査時間が
多大化してしまう。その為、この様なマスク検査
を半導体製造の一工程に組込んだ場合、半導体製
造全体に要する時間が多大化してしまう。
走査ピツチを細かくすると、マスクの検査時間が
多大化してしまう。その為、この様なマスク検査
を半導体製造の一工程に組込んだ場合、半導体製
造全体に要する時間が多大化してしまう。
本発明はこの様な問題を解決し、パターンの描
画された材料の検査時間を短縮する事を目的とし
たものである。
画された材料の検査時間を短縮する事を目的とし
たものである。
［問題点を解決するための手段］
そこで、本発明は、パターンが描画されている
材料上の領域を密に走査し、それ以外の領域を粗
く走査する様にした。
材料上の領域を密に走査し、それ以外の領域を粗
く走査する様にした。
［作用］
パターンが描画されている材料上の領域を密に
走査し、それ以外の領域を粗く走査する。パター
ンが存在しない領域を粗く走査したのは、パター
ンが存在しない領域にゴミの存在をチエツク出来
れば良いからで、その様なゴミは粗い走査で見付
ける事が出来るからである。この様に走査すれ
ば、材料上の全体を密の走査する場合に比べて、
材料検査の為の走査時間が極めて短くなる。
走査し、それ以外の領域を粗く走査する。パター
ンが存在しない領域を粗く走査したのは、パター
ンが存在しない領域にゴミの存在をチエツク出来
れば良いからで、その様なゴミは粗い走査で見付
ける事が出来るからである。この様に走査すれ
ば、材料上の全体を密の走査する場合に比べて、
材料検査の為の走査時間が極めて短くなる。
［実施例］
第１図は本発明の材料検査方法を実施する為の
装置の一具体例を示したものである。
装置の一具体例を示したものである。
図中１は電子銃、２は該電子銃からの電子ビー
ムを材料３上に集束する為の集束レンズ、４は該
材料を載置したステージである。５Ｘ，５Ｙは材
料上を電子ビームで走査させる為のＸ，Ｙ方向偏
向器である。６はクロツク発生器、７は該クロツ
ク発生器からのクロツク信号の周波数を１／Ｎ
（Ｎは正の整数）に分周する分周器である。８Ｘ，
８Ｙは夫々前記クロツク発生器６、分周器７から
のクロツク信号を計数する為のカウンタである。
９Ｘ，９Ｙは夫々カウンタ８Ｘ，８Ｙからの出力
をアナログ信号に変換するDA変換器である。該
各DA変換器９Ｘ，９Ｙの出力は増幅器１０Ｘ，
１０Ｙを介して前記Ｘ，Ｙ方向偏向器５Ｘ，５Ｙ
に供給される。１１Ｘ，１１Ｙは制御装置１２か
らの指令に従つて前記各増幅器１０Ｘ，１０Ｙの
ゲインを制御するゲインコントロール回路であ
る。１３は材料上から発生した反射電子を検出す
る為の検出器である。該検出器の出力は増幅器１
４，AD変換器１５を介して前記制御装置１２に
送られる。該制御装置には予めステージ４に載置
されている材料３上の設計データ（各Ｘ，Ｙ座標
を持つ各位置にパターンがあるか無いかのデー
タ）が記憶されており、該制御装置は該設計デー
タと、前記検出器１３からの実測データの差を取
る事により、欠陥を出している。
ムを材料３上に集束する為の集束レンズ、４は該
材料を載置したステージである。５Ｘ，５Ｙは材
料上を電子ビームで走査させる為のＸ，Ｙ方向偏
向器である。６はクロツク発生器、７は該クロツ
ク発生器からのクロツク信号の周波数を１／Ｎ
（Ｎは正の整数）に分周する分周器である。８Ｘ，
８Ｙは夫々前記クロツク発生器６、分周器７から
のクロツク信号を計数する為のカウンタである。
９Ｘ，９Ｙは夫々カウンタ８Ｘ，８Ｙからの出力
をアナログ信号に変換するDA変換器である。該
各DA変換器９Ｘ，９Ｙの出力は増幅器１０Ｘ，
１０Ｙを介して前記Ｘ，Ｙ方向偏向器５Ｘ，５Ｙ
に供給される。１１Ｘ，１１Ｙは制御装置１２か
らの指令に従つて前記各増幅器１０Ｘ，１０Ｙの
ゲインを制御するゲインコントロール回路であ
る。１３は材料上から発生した反射電子を検出す
る為の検出器である。該検出器の出力は増幅器１
４，AD変換器１５を介して前記制御装置１２に
送られる。該制御装置には予めステージ４に載置
されている材料３上の設計データ（各Ｘ，Ｙ座標
を持つ各位置にパターンがあるか無いかのデー
タ）が記憶されており、該制御装置は該設計デー
タと、前記検出器１３からの実測データの差を取
る事により、欠陥を出している。
さて、例えば第２図に示す様に、材料上のx1〜
x2とy1〜y2の領域内丈にパターンが描画されてい
る場合の材料検査方法について、以下に説明す
る。
x2とy1〜y2の領域内丈にパターンが描画されてい
る場合の材料検査方法について、以下に説明す
る。
上記した様に、材料上のx1〜x2とy1〜y2の領域
丈にパターンが描画されている事を表すデータ
（設計データ）は予め制御装置１２に記憶されて
いる。該制御装置は、このパターンが描画されて
いる領域の位置データに基づいて、ゲインコント
ロール回路１１Ｘ，１１Ｙに指令を送り、増幅器
１０Ｘ，１０Ｙのゲインをコントロールする。即
ち、クロツク信号発生器６からのクロツク信号は
カウンタ８Ｘ、DA変換器９Ｘを介して増幅器１
０Ｘに、分周器７、カウンタ８Ｙ、DA変換器９
Ｙを介して増幅器１０Ｙに夫々入力される。この
際、上記パターンが描画されている領域（x1〜x2
とy1〜y2が作る領域）以外の部分においては、ビ
ームがΔtの時間にΔXaずつＸ方向にステツプ走
査し、NΔtの時間にΔyaずつＹ方向にステツプ走
査する様に、一方パターンが描画されている領域
（x1〜x2とy1〜y2が作る領域）においては、ビー
ムがΔtの時間にΔxb（Δxb＜Δxa）ずつＸ方向にス
テツプ走査し、PNΔt（Ｐ＞１）の時間にΔyb
（Δyb＜Δya）ずつＹ方向にステツプ走査する様に
制御装置１２は増幅器１０Ｘ，１０Ｙのゲインを
コントロールする。尚、Δxb，Δxa，Δyb，Δyaを
任意にコントロールする事により密及び粗の程度
をコントロールする事が出来る。該コントロール
により、該増幅器１０Ｘ，１０Ｙから夫々前記
Ｘ，Ｙ方向偏向器５Ｘ，５Ｙに供給されるＸ方向
走査信号、Ｙ方向走査信号が夫々第３図ａ，ｂに
示す波形となる。該各Ｘ方向走査信号、Ｙ方向走
査信号に従つてビームはパターンが描画されてい
る領域（x1〜x2とy1〜y2が作る領域）以外の部分
においては、Δtの時間にΔxaずつＸ方向に粗くス
テツプ走査し、NΔtの時間にΔyaずつＹ方向に粗
くステツプ走査する。そして、パターンが描画さ
れている領域（x1〜x2とy1〜y2が作る領域）にお
いては、Δtの時間にΔxb（Δxb＜Δxa）ずつＸ方向
に密にステツプ走査し、PNΔt（Ｐ＞１）の時間
にΔyb（Δyb＜Δya）ずつＹ方向に密にステツプ走
査する。
丈にパターンが描画されている事を表すデータ
（設計データ）は予め制御装置１２に記憶されて
いる。該制御装置は、このパターンが描画されて
いる領域の位置データに基づいて、ゲインコント
ロール回路１１Ｘ，１１Ｙに指令を送り、増幅器
１０Ｘ，１０Ｙのゲインをコントロールする。即
ち、クロツク信号発生器６からのクロツク信号は
カウンタ８Ｘ、DA変換器９Ｘを介して増幅器１
０Ｘに、分周器７、カウンタ８Ｙ、DA変換器９
Ｙを介して増幅器１０Ｙに夫々入力される。この
際、上記パターンが描画されている領域（x1〜x2
とy1〜y2が作る領域）以外の部分においては、ビ
ームがΔtの時間にΔXaずつＸ方向にステツプ走
査し、NΔtの時間にΔyaずつＹ方向にステツプ走
査する様に、一方パターンが描画されている領域
（x1〜x2とy1〜y2が作る領域）においては、ビー
ムがΔtの時間にΔxb（Δxb＜Δxa）ずつＸ方向にス
テツプ走査し、PNΔt（Ｐ＞１）の時間にΔyb
（Δyb＜Δya）ずつＹ方向にステツプ走査する様に
制御装置１２は増幅器１０Ｘ，１０Ｙのゲインを
コントロールする。尚、Δxb，Δxa，Δyb，Δyaを
任意にコントロールする事により密及び粗の程度
をコントロールする事が出来る。該コントロール
により、該増幅器１０Ｘ，１０Ｙから夫々前記
Ｘ，Ｙ方向偏向器５Ｘ，５Ｙに供給されるＸ方向
走査信号、Ｙ方向走査信号が夫々第３図ａ，ｂに
示す波形となる。該各Ｘ方向走査信号、Ｙ方向走
査信号に従つてビームはパターンが描画されてい
る領域（x1〜x2とy1〜y2が作る領域）以外の部分
においては、Δtの時間にΔxaずつＸ方向に粗くス
テツプ走査し、NΔtの時間にΔyaずつＹ方向に粗
くステツプ走査する。そして、パターンが描画さ
れている領域（x1〜x2とy1〜y2が作る領域）にお
いては、Δtの時間にΔxb（Δxb＜Δxa）ずつＸ方向
に密にステツプ走査し、PNΔt（Ｐ＞１）の時間
にΔyb（Δyb＜Δya）ずつＹ方向に密にステツプ走
査する。
この様にして、材料３上がビームにより走査さ
れる事により、該材料から発生した反射電子は検
出器１３に検出され、増幅器１４及びAD変換器
１５を介して前記制御装置１２に送られる。該制
御装置は該検出器からの材料上のパターンデータ
と予め記憶されている設計データ差を取り、欠陥
を測定する。
れる事により、該材料から発生した反射電子は検
出器１３に検出され、増幅器１４及びAD変換器
１５を介して前記制御装置１２に送られる。該制
御装置は該検出器からの材料上のパターンデータ
と予め記憶されている設計データ差を取り、欠陥
を測定する。
尚、前記実施例では電子ビーム走査による検査
方法を示したが、イオンビーム走査が光走査によ
る検査法にも応用出来る。又、前記実施例では反
射電子を検出する様にしたが、その代わりに２次
電子を検出する様にしてもよい。
方法を示したが、イオンビーム走査が光走査によ
る検査法にも応用出来る。又、前記実施例では反
射電子を検出する様にしたが、その代わりに２次
電子を検出する様にしてもよい。
［発明の効果］
本発明ではパターンが描画されている材料上の
領域を密に走査し、それ以外の領域を粗く走査す
る様にしたので、材料上の全体を密に走査する場
合に比べて、材料検査の為の走査時間が極めて短
くなる。その為、この様なマスク検査を半導体製
造の一工程に組込んだ場合、半導体製造全体に要
する時間が短縮する。
領域を密に走査し、それ以外の領域を粗く走査す
る様にしたので、材料上の全体を密に走査する場
合に比べて、材料検査の為の走査時間が極めて短
くなる。その為、この様なマスク検査を半導体製
造の一工程に組込んだ場合、半導体製造全体に要
する時間が短縮する。
第１図は本発明の材料検査方法を実施する為の
装置の一具体例を示したもの、第２図は本発明の
動作の説明に用いた材料上の或る領域を示したも
の、第３図は本発明の動作の説明に用いた信号波
形図を示したものである。 １……電子銃、２……集束レンズ、３……材
料、４……ステージ、５Ｘ，５Ｙ……Ｘ，Ｙ方向
偏向器、６……クロツク発生器、７……分周器、
８Ｘ，８Ｙ……カウンタ、９Ｘ，９Ｙ……DA変
換器、１０Ｘ，１０Ｙ……増幅器、１１Ｘ，１１
Ｙ……ゲインコントロール回路、１２……制御装
置、１３……検出器。
装置の一具体例を示したもの、第２図は本発明の
動作の説明に用いた材料上の或る領域を示したも
の、第３図は本発明の動作の説明に用いた信号波
形図を示したものである。 １……電子銃、２……集束レンズ、３……材
料、４……ステージ、５Ｘ，５Ｙ……Ｘ，Ｙ方向
偏向器、６……クロツク発生器、７……分周器、
８Ｘ，８Ｙ……カウンタ、９Ｘ，９Ｙ……DA変
換器、１０Ｘ，１０Ｙ……増幅器、１１Ｘ，１１
Ｙ……ゲインコントロール回路、１２……制御装
置、１３……検出器。
Claims (1)
- １ パターンが描画された材料上をビームで走査
する事によつて該材料から得られた情報に基づい
てパターンの欠陥を検査する方法において、パタ
ーンが描画されている材料上の領域を密に走査
し、それ以外の領域を粗く走査した事を特徴とす
る材料検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61150974A JPS63100362A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 材料検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61150974A JPS63100362A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 材料検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63100362A JPS63100362A (ja) | 1988-05-02 |
| JPH0523501B2 true JPH0523501B2 (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=15508514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61150974A Granted JPS63100362A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | 材料検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63100362A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02204954A (ja) * | 1989-02-01 | 1990-08-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 走査型透過電子顕微鏡法 |
| KR102803067B1 (ko) * | 2021-06-04 | 2025-05-07 | 주식회사 히타치하이테크 | 시료상 관찰 장치 및 방법 |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP61150974A patent/JPS63100362A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63100362A (ja) | 1988-05-02 |
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