JPH0468398B2 - - Google Patents
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- JPH0468398B2 JPH0468398B2 JP58142666A JP14266683A JPH0468398B2 JP H0468398 B2 JPH0468398 B2 JP H0468398B2 JP 58142666 A JP58142666 A JP 58142666A JP 14266683 A JP14266683 A JP 14266683A JP H0468398 B2 JPH0468398 B2 JP H0468398B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
- C25D11/18—After-treatment, e.g. pore-sealing
- C25D11/24—Chemical after-treatment
- C25D11/246—Chemical after-treatment for sealing layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C309/00—Sulfonic acids; Halides, esters, or anhydrides thereof
- C07C309/01—Sulfonic acids
- C07C309/28—Sulfonic acids having sulfo groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of a carbon skeleton
- C07C309/45—Sulfonic acids having sulfo groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of a carbon skeleton containing nitrogen atoms, not being part of nitro or nitroso groups, bound to the carbon skeleton
- C07C309/51—Sulfonic acids having sulfo groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of a carbon skeleton containing nitrogen atoms, not being part of nitro or nitroso groups, bound to the carbon skeleton at least one of the nitrogen atoms being part of any of the groups, X being a hetero atom, Y being any atom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D251/00—Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings
- C07D251/02—Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings
- C07D251/12—Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
- C07D251/26—Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with only hetero atoms directly attached to ring carbon atoms
- C07D251/40—Nitrogen atoms
- C07D251/54—Three nitrogen atoms
- C07D251/70—Other substituted melamines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
- C23C8/08—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied
- C23C8/10—Oxidising
- C23C8/16—Oxidising using oxygen-containing compounds, e.g. water, carbon dioxide
- C23C8/18—Oxidising of ferrous surfaces
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Sealing Material Composition (AREA)
- Electrochemical Coating By Surface Reaction (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Preventing Corrosion Or Incrustation Of Metals (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Sealing Battery Cases Or Jackets (AREA)
Description
技術分野
本発明は、陽極酸化アルミニウム又はアルミニ
ウム合金(好ましくはアルミニウム)表面の封孔
を改善する方法に関する。 従来技術 熱い脱イオン水又は蒸留水(約98℃)に浸漬す
ることにより陽極酸化アルミニウム又はアルミニ
ウム合金表面を封孔することは普通である。この
封孔プロセス後においてのみ、そのような表面は
最適な耐腐食性を保持し、また着色されている場
合には最適な日光及び耐侯堅牢度を得る。封孔は
酸化フイルムの和水、多分酸化アルミニウム
(Al2O3)のベーマイト(AlO〔OH〕)への変成、
を含む。同時に、表面に暗色を生ずるので特に望
ましくないような、「スマツト」(smut)形成と
して知られる被覆層を形成する傾向がある。この
スマツト形成は形成されたベーマイトを不安定に
し、表面の艷を消失させ易い。従つて、通常はこ
のスマツト層の形成を妨げるための剤を添加す
る。これらの剤はアルミニウム又はアルミニウム
合金表面上に堆積しやすく、封孔表面の品質に悪
影響を与えずに完全にスマツトの無い封孔を得る
ことは一般には不可能であつた。たとえ最適に封
孔された表面が得られても、このように処理され
たアルミニウム又はアルミニウム合金は層外曝露
により表面の黄変が生じ易い。これは未着色のア
ルミニウム又はアルミニウム合金では明瞭に認め
られ、表面が染料又はピグメントで着色されてい
る場合には望ましくない変色を起すことがある。 更に、得られる結果は過剰のスマツト防止剤に
鋭敏である。これは、浴全体に最適濃度を保持す
ることが必ずしも可能でないような、大きな処理
浴において特に問題を生じ、封孔品質が悪影響を
受けることとなる。 発明の概要 本発明は、特に封孔品質、耐食性、耐候性及び
低スマツト形成に関する優れた表面特性、並びに
高収率及び処理浴の長寿命を与える、改良された
封孔プロセスを提供する。濃度の変動に対する感
性が低下するために、吸尽された処理浴に新たに
薬剤を添加するときに十分な余裕の安全性が得ら
れる。 従つて、本発明は陽極酸化アルミニウム又はア
ルミニウム合金表面を封孔処理する方法を提供す
るものであつて、この方法はスマツト層の形成を
防止するためのスマツト防止剤の存在下に前記表
面を封孔することを含み、前記スマツト防止剤は
少なくとも350の分子量を有し、)少なくとも
1個のスルホン酸基及び)ともに芳香族環に結
合しかつ同一の芳香族環上において互いに他とオ
ルゾの位置にあるカルボキシ基及びヒドロキシ基
を含む、無色の、耐光堅牢性の、有機化合物であ
る。 発明の構成の具体的説明 好ましいアルミニウム合金は、少なくとも80重
量%、更に好ましくは少なくとも90重量%のアル
ミニウムを含む。 「耐光堅牢性」(もしくは日光堅牢性)なる語
は、化合物が、10mg/の化合物及び浴のPHを
5.5〜6にするための根跡量の酢酸を含む熱水の
封孔浴中において、陽極酸化未着色アルミニウム
片に対して、アルミニウム片の表面上の酸化物層
μm当り1〜3分の間、適用された場合に、処理
表面が英国基準(British Standard)1615;
1972、Appendix Nに従い、紫外アークランプに
5時間暴露した後に、何らの明瞭な黄変も示さな
いということを意味する。 本発明の方法に用いるのに好ましい化合物は下
記式で示される化合物である。 上式中、Rは水素、−COOH又は−SO3Hを表
わし、Zは−NH−、−CO−、−SO2−又は(―CH2
)―n(ここで、mは1〜6の整数を表わす)を表
わし、Aはn価の有機橋架け基を表わし、nは分
子量が少なくとも350になるような、1〜8の整
数を表わす。 n>1である場合、各R及び各Zは、それぞ
れ、同一のもしくは相異なる意味を有していても
よく、ベンゼン環上の同一もしくは相違なる位置
にあつてもよい。 基Zは基Aの炭素原子に直接結合しているか又
は基Aの一部とともに基−NH−CO−、−CO−
NH−、−SO2−NH−又は−NH−CO−NH−を
形成し、各場合にこの基の左側の部分は基Zに相
当し、この基の右側の部分は基Aの一部に相当す
る。 Rは好ましくは水素又は−SO3Hである。 Zは好ましくは−NH−又はSO2−、更に好ま
しくは−NH−である。−NH−としてのZは好
ましくは−OH基に対してオルソ又はパラ位にあ
り、−SO2−としてのZは好ましくはパラ位にあ
る。−SO3HとしてのRは好ましくは−OH基に対
してパラ位にあり、この場合Zは好ましくはオル
ソ位にある。 nは好ましくは1〜4、更に好ましくは2又は
3である。 n>1である場合は、大かつこ内の基は好まし
くは同一である。 好ましい化合物は、大かつこ内の基が下記の基
(a)〜(d)から選ばれるものであり、これらの基のう
ちでは基(b)、(e)及び(d)が好ましい。 適当な橋架け基Aは、基(a)、(e)及び(d)が直接に
又は−CO−、−NHCO−又は−SO2−基を介して
結合していてもよい脂肪族鎖又は複数環もしくは
芳香族環、及び基(b)が−NH−基を介して結合し
てもよい芳香族アミン残基を含む基を含む。 適当な芳香族複素環系はトリアジン、ジアジ
ン、ピリダジン、ピリミジン、フタラジン、キナ
ゾリン及びキノクサリンを含む。適当な炭素環式
芳香族環はベンゼン環、及びジフエニル及びナフ
タレン基を含む。 好ましい基Aは下記式(e)〜(y)で示される基であ
る。 (ここで、R1はH、CO、−CN、又は−NO2を表
わす)、 、 (ここで、pは0又は1〜6である)、R2(―NH
−CO)―o1(v)(ここで、n1は2又は3であり、R2
はポリメチレン基又は二又は三価のベンゼン、メ
チルベンゼン、ジフエニルメタン又はナフタレン
残基を表わす) 基(w)、(x)及び(y)は基(e)〜(s)と結合されて下記、 の如き基を形成していてもよく、そのような基に
おいて基(w)、(x)又は(y)は各末端に基(e)〜(s)から選
ばれる1個の基を有し、それらは同一であつても
相異なつていてもよいが、同一であるのが好まし
く、その場合末端基は基Zに結合している。この
ような基のうちでは、(z)及び(z1)が好ましい。 基(e)〜(v)から選ばれる基Aはその自由原子価の
全部よりも少ない数の(しかし、好ましくは1個
より多くない)自由原子価上に下記α)〜δ)か
ら選ばれる水可溶化基を有していてもよい。 (ここで、rは1又は2である)、 基(e)〜(u)、(z)及び(z1)から選ばれる基Aはそ
の自由原子価の全部よりも少ない数の(しかし、
好ましくは1個より多くない)自由原子価上にハ
ロゲン(即ち塩素又は臭素、好ましくは塩素)及
びヒドロキシから選ばれる基を有する。但し、−
CO−又は−SO2−基に結合している自由原子価
はハロゲン基を有していないものとする。 基(a)、(e)及び(d)は、(e)〜(v)、及び(z)及び(z1)
の如き基、並びに前述したような可溶化基α)〜
δ)及び/又はハロゲンもしくはヒドロキシ基を
有する基から選ばれる好ましいA基といつしよに
なつていてもよい。しかしながら、基(a)及び(b)は
スルホン酸基を含まないので、これらは基(c)又は
(d)も存在する場合又は基Aがスルホン酸基を含む
場合、例えば、基β)又はδ)を含む場合、にの
み存在し得る。 基(b)は(w)、(x)及び(y)から選ばれる好ましいA基
といつしよになつていてもよい。 更に好ましい基Aは基、(e)、(k)、(l)、(m)、(n)、
(p)、(q)、(r)、(s)、(t1)、(t2)、(u)、(v)、(x)
及び
(y)、特に基(e)、(t1)、(t2)、(u)、(v)、(x)及び(
y)か
ら選ばれる。特に好ましい基は基(e)である。 本発明に用いるのに好ましい化合物は、式に
おいて基(e)及び(d)が(e)、(t1)、(t2)及び(u)から
選ばれるA基といつしよになつている化合物及び
基(b)が(x)及び(y)から選ばれるA基といつしよにな
つている化合物及び基(b)が(x)及び(y)から選ばれる
A基といつしよになつている化合物である。 式の化合物は少なくとも350の分子量を有し
ていなければならない。好ましい化合物は500〜
1500、更に好ましくは600〜900の分子量を有する
化合物である。 式において大かつこ内の基が基(b)、(e)及び(d)
から選ばれ、Aが1個又はそれ以上の、可溶化基
α)〜δ)、ハロゲン及びヒドロキシ基から選ば
れる基を有する基(e)〜(z1)のうちの1つである
化合物は新規である。好ましい新規化合物は、基
Aが基α)〜δ)又はハロゲンもしくはヒドロキ
シ基を有していない化合物、特に本発明の方法に
対して好ましいものとして前述した化合物であ
る。 式において大かつこ内の基が基(b)であり、A
が(w)、(x)及び(y)から選ばれる基である化合物は、
下記式 で示される化合物を下記式、
ウム合金(好ましくはアルミニウム)表面の封孔
を改善する方法に関する。 従来技術 熱い脱イオン水又は蒸留水(約98℃)に浸漬す
ることにより陽極酸化アルミニウム又はアルミニ
ウム合金表面を封孔することは普通である。この
封孔プロセス後においてのみ、そのような表面は
最適な耐腐食性を保持し、また着色されている場
合には最適な日光及び耐侯堅牢度を得る。封孔は
酸化フイルムの和水、多分酸化アルミニウム
(Al2O3)のベーマイト(AlO〔OH〕)への変成、
を含む。同時に、表面に暗色を生ずるので特に望
ましくないような、「スマツト」(smut)形成と
して知られる被覆層を形成する傾向がある。この
スマツト形成は形成されたベーマイトを不安定に
し、表面の艷を消失させ易い。従つて、通常はこ
のスマツト層の形成を妨げるための剤を添加す
る。これらの剤はアルミニウム又はアルミニウム
合金表面上に堆積しやすく、封孔表面の品質に悪
影響を与えずに完全にスマツトの無い封孔を得る
ことは一般には不可能であつた。たとえ最適に封
孔された表面が得られても、このように処理され
たアルミニウム又はアルミニウム合金は層外曝露
により表面の黄変が生じ易い。これは未着色のア
ルミニウム又はアルミニウム合金では明瞭に認め
られ、表面が染料又はピグメントで着色されてい
る場合には望ましくない変色を起すことがある。 更に、得られる結果は過剰のスマツト防止剤に
鋭敏である。これは、浴全体に最適濃度を保持す
ることが必ずしも可能でないような、大きな処理
浴において特に問題を生じ、封孔品質が悪影響を
受けることとなる。 発明の概要 本発明は、特に封孔品質、耐食性、耐候性及び
低スマツト形成に関する優れた表面特性、並びに
高収率及び処理浴の長寿命を与える、改良された
封孔プロセスを提供する。濃度の変動に対する感
性が低下するために、吸尽された処理浴に新たに
薬剤を添加するときに十分な余裕の安全性が得ら
れる。 従つて、本発明は陽極酸化アルミニウム又はア
ルミニウム合金表面を封孔処理する方法を提供す
るものであつて、この方法はスマツト層の形成を
防止するためのスマツト防止剤の存在下に前記表
面を封孔することを含み、前記スマツト防止剤は
少なくとも350の分子量を有し、)少なくとも
1個のスルホン酸基及び)ともに芳香族環に結
合しかつ同一の芳香族環上において互いに他とオ
ルゾの位置にあるカルボキシ基及びヒドロキシ基
を含む、無色の、耐光堅牢性の、有機化合物であ
る。 発明の構成の具体的説明 好ましいアルミニウム合金は、少なくとも80重
量%、更に好ましくは少なくとも90重量%のアル
ミニウムを含む。 「耐光堅牢性」(もしくは日光堅牢性)なる語
は、化合物が、10mg/の化合物及び浴のPHを
5.5〜6にするための根跡量の酢酸を含む熱水の
封孔浴中において、陽極酸化未着色アルミニウム
片に対して、アルミニウム片の表面上の酸化物層
μm当り1〜3分の間、適用された場合に、処理
表面が英国基準(British Standard)1615;
1972、Appendix Nに従い、紫外アークランプに
5時間暴露した後に、何らの明瞭な黄変も示さな
いということを意味する。 本発明の方法に用いるのに好ましい化合物は下
記式で示される化合物である。 上式中、Rは水素、−COOH又は−SO3Hを表
わし、Zは−NH−、−CO−、−SO2−又は(―CH2
)―n(ここで、mは1〜6の整数を表わす)を表
わし、Aはn価の有機橋架け基を表わし、nは分
子量が少なくとも350になるような、1〜8の整
数を表わす。 n>1である場合、各R及び各Zは、それぞ
れ、同一のもしくは相異なる意味を有していても
よく、ベンゼン環上の同一もしくは相違なる位置
にあつてもよい。 基Zは基Aの炭素原子に直接結合しているか又
は基Aの一部とともに基−NH−CO−、−CO−
NH−、−SO2−NH−又は−NH−CO−NH−を
形成し、各場合にこの基の左側の部分は基Zに相
当し、この基の右側の部分は基Aの一部に相当す
る。 Rは好ましくは水素又は−SO3Hである。 Zは好ましくは−NH−又はSO2−、更に好ま
しくは−NH−である。−NH−としてのZは好
ましくは−OH基に対してオルソ又はパラ位にあ
り、−SO2−としてのZは好ましくはパラ位にあ
る。−SO3HとしてのRは好ましくは−OH基に対
してパラ位にあり、この場合Zは好ましくはオル
ソ位にある。 nは好ましくは1〜4、更に好ましくは2又は
3である。 n>1である場合は、大かつこ内の基は好まし
くは同一である。 好ましい化合物は、大かつこ内の基が下記の基
(a)〜(d)から選ばれるものであり、これらの基のう
ちでは基(b)、(e)及び(d)が好ましい。 適当な橋架け基Aは、基(a)、(e)及び(d)が直接に
又は−CO−、−NHCO−又は−SO2−基を介して
結合していてもよい脂肪族鎖又は複数環もしくは
芳香族環、及び基(b)が−NH−基を介して結合し
てもよい芳香族アミン残基を含む基を含む。 適当な芳香族複素環系はトリアジン、ジアジ
ン、ピリダジン、ピリミジン、フタラジン、キナ
ゾリン及びキノクサリンを含む。適当な炭素環式
芳香族環はベンゼン環、及びジフエニル及びナフ
タレン基を含む。 好ましい基Aは下記式(e)〜(y)で示される基であ
る。 (ここで、R1はH、CO、−CN、又は−NO2を表
わす)、 、 (ここで、pは0又は1〜6である)、R2(―NH
−CO)―o1(v)(ここで、n1は2又は3であり、R2
はポリメチレン基又は二又は三価のベンゼン、メ
チルベンゼン、ジフエニルメタン又はナフタレン
残基を表わす) 基(w)、(x)及び(y)は基(e)〜(s)と結合されて下記、 の如き基を形成していてもよく、そのような基に
おいて基(w)、(x)又は(y)は各末端に基(e)〜(s)から選
ばれる1個の基を有し、それらは同一であつても
相異なつていてもよいが、同一であるのが好まし
く、その場合末端基は基Zに結合している。この
ような基のうちでは、(z)及び(z1)が好ましい。 基(e)〜(v)から選ばれる基Aはその自由原子価の
全部よりも少ない数の(しかし、好ましくは1個
より多くない)自由原子価上に下記α)〜δ)か
ら選ばれる水可溶化基を有していてもよい。 (ここで、rは1又は2である)、 基(e)〜(u)、(z)及び(z1)から選ばれる基Aはそ
の自由原子価の全部よりも少ない数の(しかし、
好ましくは1個より多くない)自由原子価上にハ
ロゲン(即ち塩素又は臭素、好ましくは塩素)及
びヒドロキシから選ばれる基を有する。但し、−
CO−又は−SO2−基に結合している自由原子価
はハロゲン基を有していないものとする。 基(a)、(e)及び(d)は、(e)〜(v)、及び(z)及び(z1)
の如き基、並びに前述したような可溶化基α)〜
δ)及び/又はハロゲンもしくはヒドロキシ基を
有する基から選ばれる好ましいA基といつしよに
なつていてもよい。しかしながら、基(a)及び(b)は
スルホン酸基を含まないので、これらは基(c)又は
(d)も存在する場合又は基Aがスルホン酸基を含む
場合、例えば、基β)又はδ)を含む場合、にの
み存在し得る。 基(b)は(w)、(x)及び(y)から選ばれる好ましいA基
といつしよになつていてもよい。 更に好ましい基Aは基、(e)、(k)、(l)、(m)、(n)、
(p)、(q)、(r)、(s)、(t1)、(t2)、(u)、(v)、(x)
及び
(y)、特に基(e)、(t1)、(t2)、(u)、(v)、(x)及び(
y)か
ら選ばれる。特に好ましい基は基(e)である。 本発明に用いるのに好ましい化合物は、式に
おいて基(e)及び(d)が(e)、(t1)、(t2)及び(u)から
選ばれるA基といつしよになつている化合物及び
基(b)が(x)及び(y)から選ばれるA基といつしよにな
つている化合物及び基(b)が(x)及び(y)から選ばれる
A基といつしよになつている化合物である。 式の化合物は少なくとも350の分子量を有し
ていなければならない。好ましい化合物は500〜
1500、更に好ましくは600〜900の分子量を有する
化合物である。 式において大かつこ内の基が基(b)、(e)及び(d)
から選ばれ、Aが1個又はそれ以上の、可溶化基
α)〜δ)、ハロゲン及びヒドロキシ基から選ば
れる基を有する基(e)〜(z1)のうちの1つである
化合物は新規である。好ましい新規化合物は、基
Aが基α)〜δ)又はハロゲンもしくはヒドロキ
シ基を有していない化合物、特に本発明の方法に
対して好ましいものとして前述した化合物であ
る。 式において大かつこ内の基が基(b)であり、A
が(w)、(x)及び(y)から選ばれる基である化合物は、
下記式 で示される化合物を下記式、
【式】、
【式】又は
で示される化合物と反応させることにより製造す
ることができる。 式において大かつこ内の基が基(e)又は(d)であ
り、Aが(e)〜(u)、(z)及び(z1)から選ばれる基で
ある化合物は、下記式、 {上式中、Xが−SO3Hで、Yが−NH2であるか
又はXが−NH2であり、Yが−SO3Hであるかの
いずれかである} で示される化合物を又は式の化合物の両者をい
つしよに又は順次に、式A−(Hal)o(式中、A
は前記規定に同一のものを表わし、Halは塩素又
は臭素を表わす)で示される化合物又はその混合
物と反応させることにより製造することができ
る。不完全な反応はAが1個又はそれ以上のハロ
ゲン基又は、加水分解後には、ヒドロキシル基を
有する化合物を与える。 基Aが可溶性基α)〜δ)を含む場合、対応す
る式の化合物は、式A−(Hal)o(式中、Aは
(e)〜(u)、(z)又は(z1)から選ばれる)の化合物
を、同時に又は、好ましくは、順次に、1種又は
それ以上の式の化合物及び1種又はそれ以上の
下記式及び/又は、 {上式中、rは1又は2を表わし、Qは同一であ
つても相異なつていてもよく、それぞれ−
COOH又は−SO3Hを表わす} で示される化合物と反応させることにより製造す
ることができる。 これらの反応は、HCl又はHBrの除去を伴つて
進行し、標準の方法により、例えば、ハロゲン化
水素を吸収させるための塩基の存在下に、水性又
は有機溶媒中で、実施することができる。 式において大かつこ内の基が基(c)又は(d)であ
り、Aが所望により可溶化基を有する基(v)である
化合物は、式R2(―N=C=O)o1で示されるジー
又はトリ−イソシアネートを式の化合物一方又
は両方及び、所望により、1種又はそれ以上の式
又はの化合物と反応させることにより製造す
ることができる。適当なイソシアネートは1,4
−テトラメチレンジイソシアネート、1,6−ヘ
キサメチレンジイソシアネート、ジフエニルメタ
ン−4,4′−ジイソシアネート、トルエン−2,
4もしくは2,6−ジイソシアネート、1−メチ
ルベンゼン−2,4,6−トリイソシアネート、
ベンゼン−1,3,5−トリイソシアネート、ナ
フタレン−1,5−ジイソシアネート及びフエニ
レン−1,4−ジイソシアネートを含む。 式の他の化合物は公知であるか又は公知の化
合物と同様にして標準の方法で製造することので
きるものである。 スマツト防止剤を用いるアルミニウムの封孔プ
ロセスはよく知られている。本発明に係るスマツ
ト防止剤を用いる場合、このプロセスは2工程プ
ロセスとして実施することができ、これはクロム
酸塩又はニツケル及びコバルトの塩(好ましくは
酢酸ニツケル及び/又はコバルト)が存在する第
1の工程と引続く、金属塩の介在しない後処理工
程とを含む。あるいは、そのような金属塩の存在
下に又はその介在なしに単一工程プロセスを用い
ることもできる。好ましくは、本発明のスマツト
防止剤は、重金属塩の不存在下に、即ち、金属塩
を含まない1工程プロセスで、又は金属塩が第1
の工程に用いられるような2工程プロセスの第2
の工程で、用いられる。 本発明に係るスマツト防止剤、好ましくは式
の化合物は、好ましくは、1〜100mg/
(0.0001%〜0.01%)、更に好ましくは2〜50mg/
、特に5〜20mm/の水中濃度で用いられる。
封孔は50℃〜沸点の温度、好ましくは70℃〜沸点
の温度で実施することができる。PHは好ましくは
4.5〜8、更に好ましくは5〜7、特に5.5〜6.5で
あり、酢酸アンモニウム又は他の適当なバツフア
ー系を用いて通常の方法で調整することができ
る。 下記の例は、本発明を更に説明するためのもの
である。 実施例 1 226gの水、600gの氷、0.1gの表面活性剤及
び32.5gの微粉状の塩化シアヌル(2,4,6−
トリクロロ−1,3,5−トリアジン)の懸濁物
を、−2℃〜+2℃に温度を維持して撹拌し、同
時に126gの3−アミノ−2−ヒドロキシ−5−
スルホ安息香酸を添加する。30〜45分間以上、15
%の苛性ソーダを徐々に加えて、このPHを3.5ま
で上げたら、この混合物をPHで0〜3℃で2.5時
間撹拌する。その後、必要に応じて15%の苛性ソ
ーダを加えてPHを3.5に維持しながら、温度を1.5
時間以上かけて45℃に上げる。この混合物を30分
間45℃に保つた後、45分間以上をかけて80〜82℃
に加熱し、最級的にPH3.5で4時間、80〜82℃で
撹拌を行なう。この反応は、亜硝酸滴定を行な
い、未反応のアミンが2〜4gのみ残つているこ
とが示された時点をもつて終了とみなす。 反応終了後、このPHを濃酸塩で2.5まで下げて
晶出した生成物を、室温まで冷却した直後、ろ過
し、2Nの酢酸で洗浄し、乾燥させる。 わずかに灰白がかつた白色の生成物(130.5g)
が得られ、この生成物は高圧液体クロマトグラフ
イーによつて決定された2,4,6−トリス〔2
−オキシ−3−カルボキシ−5−スルホ−フエニ
ルアミノ〕−1,3,5−トリアジンを107g含ん
でいる。 実施例 2 35.8gの微粉状の塩化テレフタロイルを含む撹
拌懸濁物に対して、226mlの水、600gの氷及び
0.1gの表面活性剤を0℃まで冷却して42.0gの
3−アミノ−2−ヒドロキシ−5−スルホ安息香
酸に加え、このPHを15%の苛性ソーダ溶液を滴下
して添加し3.5に調整する。この混合物を、亜硝
酸滴定して残留するアミンの含有量が0.8gを示
すまで、このPHで3℃で1時間、3〜18℃で2時
間、18〜26℃で2時間撹拌する。 この反応生成物をPH8〜8.5で、3時間26〜33
℃で、1時間70〜76℃で加水分解し、この溶液を
ろ過し、濃塩酸でPH2.5まで酸性化する。室温で
晶出する生成物をろ過し、2Nの酢酸で洗浄し乾
燥させると、54.5gの次式に示す4−(2−オキ
シ−3−カルボキシ−5−スルホ−フエニルアミ
ノカルボニル)安息香酸を含有するわずかに灰色
がかつた白色の生成物59.8gを得る。 実施例 3 26.55gの塩化1,3,5−ベンゼントリカル
ボン酸、69.9gの3−アミノ−2−ヒドロキシ−
5−スルホ安息香酸、180mlの水、400gの氷及び
0.1gの表面活性剤を含む懸濁物を、0〜5℃で
3時間以上をかけて15%の苛性ソーダ溶液を滴下
して加えることによりPHを3.5に調整し、その後
2時間4〜18℃で撹拌を行なう。このPH及び温度
を徐々に上げていき、この混合物を1時間PH5.0、
42℃で撹拌し、次いでPH7.0〜7.5、同温で撹拌す
る。最終的にこの反応生成物をHClで酸性化して
単離し、ろ過し、2Nの酢酸で洗浄して乾燥させ
ると60.3gの次式で示す1,3,5−トリス〔2
−オキシ−3−カルボキシ−5−スルホ−フエニ
ルアミノカルボニル〕ベンゼンを含有する70.4g
のわずかに灰白がかつた白色の生成物を得る。 実施例 4 (a) 464mlのクロロ硫酸に対して、十分な撹拌を
行ないながら146.8gのサリチル酸を徐々に添
加し、その混合物を2時間45℃で撹拌する。次
いでこの混合物を600g以上の氷に注いで15分
間撹拌した後、この反応生成物、これは前記の
式のものであるが、これをろ過し、600mlの
冷水で洗浄する。 (b) (a)の生成物を30分以上をかけて33.4gの4,
4′−ジアミノ−1,1′−ジフエニル−2,2′−
ジスルホン酸の水溶液に加え、これによりこの
PHを3.7に落とす。40%のギ酸ナトリウムを添
加した後に、サリチルスルホン酸を沈殿させ、
ろ過で除去する。このろ過(100ml)は次式 で示される57gの縮合生成物を含有し、更に精
製することなしに適当な希釈でスマツト防止剤
として用いることができる。 実施例 5 50mlアセトン中に5.5mlのヘキサメチレンジイ
ソシアナートを含む溶液を、15分以上をかけて、
100mlの水の中に11.7gの3−アミノ−2−ヒド
ロキシ−5−スルホ安息香酸を含む溶液に滴下し
て加え、濃苛性ソーダ溶液でPH10〜11に調整す
る。この添加中は、温度を30〜37℃に上げる。1
時間の撹拌後、5gのろ過助剤を添加し、次にこ
の混合物を更に1時間撹拌し最終的にろ過する。
アセトンをろ液から蒸発させ、その生成物を125
mlの脱イオン水に溶解させる。この溶液は、次式 で示される尿素誘導体を15.8g含有し、更に精製
することなしに適当な希釈でスマツト防止剤とし
て用いることができる。 実施例 6〜14 実施例1〜5と同様の方法により、表に示す
化合物を製造することができる。実施例6〜11の
化合物を製造するに際して、塩化シアヌルの3つ
の塩素原子を0℃、30〜50℃及び80〜100℃の
各々の温度で次々に反応させるようにして使用し
た。そして、末反応の塩素を、適切に残したり
(実施例8)、加水分解したり(実施例9)、又は
可溶化基と反応させたり、ジアミンと反応させた
り(実施例10,11)することが可能である。
ることができる。 式において大かつこ内の基が基(e)又は(d)であ
り、Aが(e)〜(u)、(z)及び(z1)から選ばれる基で
ある化合物は、下記式、 {上式中、Xが−SO3Hで、Yが−NH2であるか
又はXが−NH2であり、Yが−SO3Hであるかの
いずれかである} で示される化合物を又は式の化合物の両者をい
つしよに又は順次に、式A−(Hal)o(式中、A
は前記規定に同一のものを表わし、Halは塩素又
は臭素を表わす)で示される化合物又はその混合
物と反応させることにより製造することができ
る。不完全な反応はAが1個又はそれ以上のハロ
ゲン基又は、加水分解後には、ヒドロキシル基を
有する化合物を与える。 基Aが可溶性基α)〜δ)を含む場合、対応す
る式の化合物は、式A−(Hal)o(式中、Aは
(e)〜(u)、(z)又は(z1)から選ばれる)の化合物
を、同時に又は、好ましくは、順次に、1種又は
それ以上の式の化合物及び1種又はそれ以上の
下記式及び/又は、 {上式中、rは1又は2を表わし、Qは同一であ
つても相異なつていてもよく、それぞれ−
COOH又は−SO3Hを表わす} で示される化合物と反応させることにより製造す
ることができる。 これらの反応は、HCl又はHBrの除去を伴つて
進行し、標準の方法により、例えば、ハロゲン化
水素を吸収させるための塩基の存在下に、水性又
は有機溶媒中で、実施することができる。 式において大かつこ内の基が基(c)又は(d)であ
り、Aが所望により可溶化基を有する基(v)である
化合物は、式R2(―N=C=O)o1で示されるジー
又はトリ−イソシアネートを式の化合物一方又
は両方及び、所望により、1種又はそれ以上の式
又はの化合物と反応させることにより製造す
ることができる。適当なイソシアネートは1,4
−テトラメチレンジイソシアネート、1,6−ヘ
キサメチレンジイソシアネート、ジフエニルメタ
ン−4,4′−ジイソシアネート、トルエン−2,
4もしくは2,6−ジイソシアネート、1−メチ
ルベンゼン−2,4,6−トリイソシアネート、
ベンゼン−1,3,5−トリイソシアネート、ナ
フタレン−1,5−ジイソシアネート及びフエニ
レン−1,4−ジイソシアネートを含む。 式の他の化合物は公知であるか又は公知の化
合物と同様にして標準の方法で製造することので
きるものである。 スマツト防止剤を用いるアルミニウムの封孔プ
ロセスはよく知られている。本発明に係るスマツ
ト防止剤を用いる場合、このプロセスは2工程プ
ロセスとして実施することができ、これはクロム
酸塩又はニツケル及びコバルトの塩(好ましくは
酢酸ニツケル及び/又はコバルト)が存在する第
1の工程と引続く、金属塩の介在しない後処理工
程とを含む。あるいは、そのような金属塩の存在
下に又はその介在なしに単一工程プロセスを用い
ることもできる。好ましくは、本発明のスマツト
防止剤は、重金属塩の不存在下に、即ち、金属塩
を含まない1工程プロセスで、又は金属塩が第1
の工程に用いられるような2工程プロセスの第2
の工程で、用いられる。 本発明に係るスマツト防止剤、好ましくは式
の化合物は、好ましくは、1〜100mg/
(0.0001%〜0.01%)、更に好ましくは2〜50mg/
、特に5〜20mm/の水中濃度で用いられる。
封孔は50℃〜沸点の温度、好ましくは70℃〜沸点
の温度で実施することができる。PHは好ましくは
4.5〜8、更に好ましくは5〜7、特に5.5〜6.5で
あり、酢酸アンモニウム又は他の適当なバツフア
ー系を用いて通常の方法で調整することができ
る。 下記の例は、本発明を更に説明するためのもの
である。 実施例 1 226gの水、600gの氷、0.1gの表面活性剤及
び32.5gの微粉状の塩化シアヌル(2,4,6−
トリクロロ−1,3,5−トリアジン)の懸濁物
を、−2℃〜+2℃に温度を維持して撹拌し、同
時に126gの3−アミノ−2−ヒドロキシ−5−
スルホ安息香酸を添加する。30〜45分間以上、15
%の苛性ソーダを徐々に加えて、このPHを3.5ま
で上げたら、この混合物をPHで0〜3℃で2.5時
間撹拌する。その後、必要に応じて15%の苛性ソ
ーダを加えてPHを3.5に維持しながら、温度を1.5
時間以上かけて45℃に上げる。この混合物を30分
間45℃に保つた後、45分間以上をかけて80〜82℃
に加熱し、最級的にPH3.5で4時間、80〜82℃で
撹拌を行なう。この反応は、亜硝酸滴定を行な
い、未反応のアミンが2〜4gのみ残つているこ
とが示された時点をもつて終了とみなす。 反応終了後、このPHを濃酸塩で2.5まで下げて
晶出した生成物を、室温まで冷却した直後、ろ過
し、2Nの酢酸で洗浄し、乾燥させる。 わずかに灰白がかつた白色の生成物(130.5g)
が得られ、この生成物は高圧液体クロマトグラフ
イーによつて決定された2,4,6−トリス〔2
−オキシ−3−カルボキシ−5−スルホ−フエニ
ルアミノ〕−1,3,5−トリアジンを107g含ん
でいる。 実施例 2 35.8gの微粉状の塩化テレフタロイルを含む撹
拌懸濁物に対して、226mlの水、600gの氷及び
0.1gの表面活性剤を0℃まで冷却して42.0gの
3−アミノ−2−ヒドロキシ−5−スルホ安息香
酸に加え、このPHを15%の苛性ソーダ溶液を滴下
して添加し3.5に調整する。この混合物を、亜硝
酸滴定して残留するアミンの含有量が0.8gを示
すまで、このPHで3℃で1時間、3〜18℃で2時
間、18〜26℃で2時間撹拌する。 この反応生成物をPH8〜8.5で、3時間26〜33
℃で、1時間70〜76℃で加水分解し、この溶液を
ろ過し、濃塩酸でPH2.5まで酸性化する。室温で
晶出する生成物をろ過し、2Nの酢酸で洗浄し乾
燥させると、54.5gの次式に示す4−(2−オキ
シ−3−カルボキシ−5−スルホ−フエニルアミ
ノカルボニル)安息香酸を含有するわずかに灰色
がかつた白色の生成物59.8gを得る。 実施例 3 26.55gの塩化1,3,5−ベンゼントリカル
ボン酸、69.9gの3−アミノ−2−ヒドロキシ−
5−スルホ安息香酸、180mlの水、400gの氷及び
0.1gの表面活性剤を含む懸濁物を、0〜5℃で
3時間以上をかけて15%の苛性ソーダ溶液を滴下
して加えることによりPHを3.5に調整し、その後
2時間4〜18℃で撹拌を行なう。このPH及び温度
を徐々に上げていき、この混合物を1時間PH5.0、
42℃で撹拌し、次いでPH7.0〜7.5、同温で撹拌す
る。最終的にこの反応生成物をHClで酸性化して
単離し、ろ過し、2Nの酢酸で洗浄して乾燥させ
ると60.3gの次式で示す1,3,5−トリス〔2
−オキシ−3−カルボキシ−5−スルホ−フエニ
ルアミノカルボニル〕ベンゼンを含有する70.4g
のわずかに灰白がかつた白色の生成物を得る。 実施例 4 (a) 464mlのクロロ硫酸に対して、十分な撹拌を
行ないながら146.8gのサリチル酸を徐々に添
加し、その混合物を2時間45℃で撹拌する。次
いでこの混合物を600g以上の氷に注いで15分
間撹拌した後、この反応生成物、これは前記の
式のものであるが、これをろ過し、600mlの
冷水で洗浄する。 (b) (a)の生成物を30分以上をかけて33.4gの4,
4′−ジアミノ−1,1′−ジフエニル−2,2′−
ジスルホン酸の水溶液に加え、これによりこの
PHを3.7に落とす。40%のギ酸ナトリウムを添
加した後に、サリチルスルホン酸を沈殿させ、
ろ過で除去する。このろ過(100ml)は次式 で示される57gの縮合生成物を含有し、更に精
製することなしに適当な希釈でスマツト防止剤
として用いることができる。 実施例 5 50mlアセトン中に5.5mlのヘキサメチレンジイ
ソシアナートを含む溶液を、15分以上をかけて、
100mlの水の中に11.7gの3−アミノ−2−ヒド
ロキシ−5−スルホ安息香酸を含む溶液に滴下し
て加え、濃苛性ソーダ溶液でPH10〜11に調整す
る。この添加中は、温度を30〜37℃に上げる。1
時間の撹拌後、5gのろ過助剤を添加し、次にこ
の混合物を更に1時間撹拌し最終的にろ過する。
アセトンをろ液から蒸発させ、その生成物を125
mlの脱イオン水に溶解させる。この溶液は、次式 で示される尿素誘導体を15.8g含有し、更に精製
することなしに適当な希釈でスマツト防止剤とし
て用いることができる。 実施例 6〜14 実施例1〜5と同様の方法により、表に示す
化合物を製造することができる。実施例6〜11の
化合物を製造するに際して、塩化シアヌルの3つ
の塩素原子を0℃、30〜50℃及び80〜100℃の
各々の温度で次々に反応させるようにして使用し
た。そして、末反応の塩素を、適切に残したり
(実施例8)、加水分解したり(実施例9)、又は
可溶化基と反応させたり、ジアミンと反応させた
り(実施例10,11)することが可能である。
【表】
【表】
【表】
適用例 A
(a) 陽極酸化及び着色
50×50×0.5mmの寸法のアルミニウム板
(Alusuisse、Peraluman PE101.24)を、直流/
硫酸プロセスにより20゜±0.5℃において12〜13μm
の酸化層に陽極酸化し、アルメカラープロセス
(Almecalor processに従つて、錫塩溶液中で直
流を用いて、中間的なブロンズ色に電解着色し
た。 (b) 封孔 着色された試験片を、10mg/の実施例1の化
合物を含み、酢酸/アンモニアでPH5.7〜5.8に調
整した脱イオン水の封孔浴中で、沸点において30
分間(2.5分/μm)封孔した。浴の吸尽のため
に、スマツトが認められはじめたときに、浴に更
に10mg/の実施例1の化合物を補給した。 収率を、10mgの化合物を用いてスマツトを生成
することなく封孔することのできたアルミニウム
表面のdm2の単位で測定した。優れた結果が得ら
れた。 封孔品質をISO 3210に従つて測定した。過剰
のスマツト防止剤化合物(50mg/及び100mg/
)を用いた場合にも、優れた結果が得られた。 同様に良好な結果が例2〜14の化合物を用いて
も得られる。 上記のようにして得られた封孔試験の結果を、
スマツトを生成させない溶液濃度(ml/)とし
て、下記の表2に示す。
(Alusuisse、Peraluman PE101.24)を、直流/
硫酸プロセスにより20゜±0.5℃において12〜13μm
の酸化層に陽極酸化し、アルメカラープロセス
(Almecalor processに従つて、錫塩溶液中で直
流を用いて、中間的なブロンズ色に電解着色し
た。 (b) 封孔 着色された試験片を、10mg/の実施例1の化
合物を含み、酢酸/アンモニアでPH5.7〜5.8に調
整した脱イオン水の封孔浴中で、沸点において30
分間(2.5分/μm)封孔した。浴の吸尽のため
に、スマツトが認められはじめたときに、浴に更
に10mg/の実施例1の化合物を補給した。 収率を、10mgの化合物を用いてスマツトを生成
することなく封孔することのできたアルミニウム
表面のdm2の単位で測定した。優れた結果が得ら
れた。 封孔品質をISO 3210に従つて測定した。過剰
のスマツト防止剤化合物(50mg/及び100mg/
)を用いた場合にも、優れた結果が得られた。 同様に良好な結果が例2〜14の化合物を用いて
も得られる。 上記のようにして得られた封孔試験の結果を、
スマツトを生成させない溶液濃度(ml/)とし
て、下記の表2に示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 陽極酸化されたアルミニウム又はアルミニウ
ム合金表面を封孔処理するに当り、スマツト層の
形成を防止するためのスマツト防止剤の存在下に
前記表面を封孔することを含み、前記スマツト防
止剤が少なくとも350の分子量を有し、下記式、 {上式中、Rは水素、−COOH又は−SO3Hを表
わし、Zは−NH−,−CO−,−SO2−又は(―CH2
)―n(ここで、mは1〜6の整数を表わす)を表
わし、Aはn価の有機橋架け基を表わし、nは1
〜8の整数を表わす。但し、この化合物は少なく
とも1個の−SO3H基を有するものとする} で示される、無色の、耐光堅牢性の、有機化合物
である封孔処理方法。 2 スマツト防止剤が、式において、大かつこ
内の基が下記の基(a),(b),(c)及び(d)、 から選ばれたものである、化合物である特許請求
の範囲第1項記載の方法。 3 スマツト防止剤が、式において、大かつこ
内の基が下記の基(b),(c)及び(d)、 から選ばれたものであり、nが1〜4の整数であ
り、基Aが () 下記の基(e)〜(z1)、 (ここで、R1はH、CO、−CN又は−NO2を表
わす)、 、 、 、 、 (ここで、pは0又は1〜6である)、R2(―
NH−CO)―o1(v)(ここで、n1は2又は3であ
り、R2はポリメチレン基又は二又は三価のベ
ンゼン、メチルベンゼン、ジフエニルメタン又
はナフタレン残基を表わす)、 () それらの全部よりは少ない数の自由原子価
上に下記のα)〜δ)から選ばれる水可溶性基
を有する基(e)〜(v)及び(z1)、 (ここで、rは1又は2である)、 () それらの全部よりは少ない数の自由原子価
上にハロゲン、ヒドロキシ及び基α)〜δ)か
ら選ばれる基を有する基(e)〜(u)、(z)及び(z1)
(但し、−CO−又は−SO2基に結合している自
由原子価はハロゲン基を有していなくてもよい
ものとする)、 から選ばれたものであり、但し、)大かつこ内
の基が基(b)である場合、Aは基(w)、(x)及び(y)から
選ばれるものとし、)大かつこ内の基が基(c)又
は(d)である場合、Aは(w)、(x)又は(y)以外のもので
ある、化合物である特許請求の範囲第2項記載の
方法。 4 スマツト防止剤が下記式′、 (上式中、Aは基(w)、(x)又は(y)である) で示される化合物である特許請求の範囲第3項記
載の方法。 5 スマツト防止剤が、式において、大かつこ
内の基が基(c)又は(d)であり、Aが、所望により全
部よりも少ない数の自由原子価上にα)、β)、
γ)、δ)、塩素、臭素及びヒドロキシから選ばれ
る基を有していてもよい。基(e),(t1),(t2)又
は(u)又は、所望により全部よりも少ない数の自由
原子価上にα)、β)、γ)及びδ)から選ばれる
基を有していてもよい、基(v)である、化合物であ
る特許請求の範囲第3項記載の方法。 6 スマツト防止剤が、式において、大かつこ
内の基が基(c)又は(d)であり、Aが追加の基を有し
ない基(e),(t1),(t2)(u)又は(v)である、化合物
である特許請求の範囲第5項記載の方法。 7 スマツト防止剤が、式において、Aが基(e)
で、nが3であるか、又はAがα)、β)、γ)、
δ)、塩素、臭素及びヒドロキシから選ばれる1
個の基を有する基(e)で、nが2である、化合物で
ある特許請求の範囲第5項記載の方法。 8 スマツト防止剤が、2,4,6−トリス(2
−オキシ−3−カルボキシ−5−スルホフエニル
アミノ)−1,3,5−トリアジンである特許請
求の範囲第7項記載の方法。 9 スマツト防止剤が重金属塩の介在なしに1工
程プロセスに用いられる特許請求の範囲第1〜8
項のいずれかに記載の方法。 10 スマツト防止剤が、クロム酸塩又はコバル
ト及び/又はニツケルの塩が第1の工程で用いら
れるような、2工程プロセスの第2の工程に用い
られる特許請求の範囲第1〜8項のいずれかに記
載の方法。 11 スマツト防止剤が、70℃から沸点までの温
度及び5.5〜6.5のPHにおいて、5〜20mg/の水
中濃度で用いられる特許請求の範囲第1〜10項
のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3229513.8 | 1982-08-07 | ||
| DE3229513 | 1982-08-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5951255A JPS5951255A (ja) | 1984-03-24 |
| JPH0468398B2 true JPH0468398B2 (ja) | 1992-11-02 |
Family
ID=6170362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58142666A Granted JPS5951255A (ja) | 1982-08-07 | 1983-08-05 | 陽極酸化アルミニウム又はアルミニウム合金表面の封孔処理 |
Country Status (16)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4531979A (ja) |
| JP (1) | JPS5951255A (ja) |
| AT (1) | AT380904B (ja) |
| AU (1) | AU568306B2 (ja) |
| BE (1) | BE897432A (ja) |
| BR (1) | BR8304223A (ja) |
| CA (1) | CA1262354A (ja) |
| CH (1) | CH654853A5 (ja) |
| DE (1) | DE3327191C2 (ja) |
| ES (1) | ES8504747A1 (ja) |
| FR (1) | FR2531430B1 (ja) |
| GB (1) | GB2126215B (ja) |
| HK (1) | HK61289A (ja) |
| IT (1) | IT1168954B (ja) |
| NZ (1) | NZ205158A (ja) |
| ZA (1) | ZA835782B (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8309571D0 (en) * | 1983-04-08 | 1983-05-11 | Albright & Wilson | Accelerated sealing of anodised aluminium |
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