JPH0468580A - 半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
半導体発光素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH0468580A JPH0468580A JP2183768A JP18376890A JPH0468580A JP H0468580 A JPH0468580 A JP H0468580A JP 2183768 A JP2183768 A JP 2183768A JP 18376890 A JP18376890 A JP 18376890A JP H0468580 A JPH0468580 A JP H0468580A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- semiconductor light
- die
- electrode
- stem
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体発光素子の１！極形成工程及び組立工
程の製造方法に関するものである。
程の製造方法に関するものである。
第８図に従来のｎ−ＧａＡｓ基板上に結晶成長したＩ、
ＩＣＤの断面図である。図において＊ ＋ｌｌはｎ−Ｇ
ａＡａ基板、（！１はムｕｓｉｔ’！んだ、＋３１ｔｔ
ステムもしくはサグマウン） 、 、４１は球し／ズー
Ｕは樹脂。
ＩＣＤの断面図である。図において＊ ＋ｌｌはｎ−Ｇ
ａＡａ基板、（！１はムｕｓｉｔ’！んだ、＋３１ｔｔ
ステムもしくはサグマウン） 、 、４１は球し／ズー
Ｕは樹脂。
６１はｐ−電極、 ＋７１ｔ！ ＡｕＧｅ、 １８１１
！ Ｎｉ、１９１＃”！ムＵで。
！ Ｎｉ、１９１＃”！ムＵで。
ＡｕＧｅ ｌｙｌ 、 Ｎ１１８１ 、 Ａｕ １９１
ｆ 他称してｎｔ極ｄ０１とし、接着強度を取りオー
ミック性も確保している。
ｆ 他称してｎｔ極ｄ０１とし、接着強度を取りオー
ミック性も確保している。
矢にＢ造工程について説明する。＋１− Ｇ ｌ！Ｌ
Ａ ８基板ｉｌｌ上に結晶成長し、その後Ｐｔ極１６１
を形成し。
Ａ ８基板ｉｌｌ上に結晶成長し、その後Ｐｔ極１６１
を形成し。
ｎ ’ｊ［［＋ｌＧ ｆ ＡｕＧｅ １７１ 、Ｎ１ｆ
８１ 、 Ａｕ １９１の順番でスパッタする。その後
クエハをダイシング後、ｎ側電極１１０１１ｆｃＡｕＳ
ｉ Ｌｉ”ｌんだ（２）を供給してステムもしくはサグ
マウント（３）にダイボンドする。ワイヤポンディング
した後９球レンズｎｅｔ−樹脂（５）にて固定し、製品
は完成する（キャップがある場合＃−ｔｔ＆後にキャッ
ピングする） 〔発明が解決しようとする課題〕 従来の半４体発元素子のａ造方法は以上のように構成さ
れていたので、ｎ電極を形成しなければならないという
問題点があつ九。
８１ 、 Ａｕ １９１の順番でスパッタする。その後
クエハをダイシング後、ｎ側電極１１０１１ｆｃＡｕＳ
ｉ Ｌｉ”ｌんだ（２）を供給してステムもしくはサグ
マウント（３）にダイボンドする。ワイヤポンディング
した後９球レンズｎｅｔ−樹脂（５）にて固定し、製品
は完成する（キャップがある場合＃−ｔｔ＆後にキャッ
ピングする） 〔発明が解決しようとする課題〕 従来の半４体発元素子のａ造方法は以上のように構成さ
れていたので、ｎ電極を形成しなければならないという
問題点があつ九。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、必ずｎ［極？形成する工程が必要であるがそ
の工程を無くし工期？短縮することができる半導体発光
素子の製造方法を得ることを目的とする。
たもので、必ずｎ［極？形成する工程が必要であるがそ
の工程を無くし工期？短縮することができる半導体発光
素子の製造方法を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体発光素子の製造方法は、ｎ隠極全
形収しないでそのまま、 ｎ−ＧａＡａにムｕｓｉ Ｉ
’ｊんだにてスクラブすることにより、ステムもしくは
サグマウントに直接ダイポンドレ之ものである。
形収しないでそのまま、 ｎ−ＧａＡａにムｕｓｉ Ｉ
’ｊんだにてスクラブすることにより、ステムもしくは
サグマウントに直接ダイポンドレ之ものである。
この発明におけるｎ−ＧａＡｓ基板は、接着強度も大七
く、オーミック住も良好である。
く、オーミック住も良好である。
以下、この発明の一実施同を図について説明する。第１
図においてｅ Ｉｌｌ ｆｌ Ｅｌ−ＧａＡｇ ４板、
（２１１ＡｕＳｉｉｄんだ、（３１はステムもしくはサ
ブマウント、＋４１＃ｄ球レンズ、＋６）に樹脂、１６
）はｐ電極である。
図においてｅ Ｉｌｌ ｆｌ Ｅｌ−ＧａＡｇ ４板、
（２１１ＡｕＳｉｉｄんだ、（３１はステムもしくはサ
ブマウント、＋４１＃ｄ球レンズ、＋６）に樹脂、１６
）はｐ電極である。
次ＶＣ＃造工程につめて説明する。ｎ−ＧａＡ３基板ｉ
ｌｌ上に結晶成長し、その後ｐｉ極１６）のみ形成する
。クエへをダイシング後、 ｎ−ＧａＡａ ｆｉ板ｆＨ
側をダイボンドする。その際、 ＡｕＳｉ ’／１んだ
１２）を供給してスクラブして、ステムもしくにサブマ
ウント・３１′ｌｃダイボンドする。ワイヤボンディン
グ後９球レンズ４１を樹脂＋５１にて固定し、製品は完
成する（キャップがある場合最後にキャンピングする） なお、上記実施例では発光ダイオードのダイボンドの場
合について説明したが、 ｎ−ＧａＡｓ基板を１用して
いる半導体全般において、ｎ１極を漂くしてＡｕＳｉ
ｉんだ、２：にてダイボンドすｎばよい。
ｌｌ上に結晶成長し、その後ｐｉ極１６）のみ形成する
。クエへをダイシング後、 ｎ−ＧａＡａ ｆｉ板ｆＨ
側をダイボンドする。その際、 ＡｕＳｉ ’／１んだ
１２）を供給してスクラブして、ステムもしくにサブマ
ウント・３１′ｌｃダイボンドする。ワイヤボンディン
グ後９球レンズ４１を樹脂＋５１にて固定し、製品は完
成する（キャップがある場合最後にキャンピングする） なお、上記実施例では発光ダイオードのダイボンドの場
合について説明したが、 ｎ−ＧａＡｓ基板を１用して
いる半導体全般において、ｎ１極を漂くしてＡｕＳｉ
ｉんだ、２：にてダイボンドすｎばよい。
以上のようにこの発明によれば、ｎ電極首形成する工程
を削除できるため工期短縮に効果がある。
を削除できるため工期短縮に効果がある。
第１図はこの発明の−実り例である半導体発′／ｌ、素
子の断面図、第３図は従来の半導体発光素子の断面図で
ある。 図におｈて＊ ＋１１ ｉ ｎ−ＧａＡｓ基板、 ＋２
１ ＨＡｕ５１はんだ、１３１はステム又はサブマウン
ト、・４１ニ球レンズ、＋６）は倒Ｂ＠ 、 １６１に
ｐ電極を示す＠なお１図中９回−符号に同一、又は相当
部分を示す。
子の断面図、第３図は従来の半導体発光素子の断面図で
ある。 図におｈて＊ ＋１１ ｉ ｎ−ＧａＡｓ基板、 ＋２
１ ＨＡｕ５１はんだ、１３１はステム又はサブマウン
ト、・４１ニ球レンズ、＋６）は倒Ｂ＠ 、 １６１に
ｐ電極を示す＠なお１図中９回−符号に同一、又は相当
部分を示す。
Claims (1)
- ｎ−ＧａＡｓ基板上に結晶成長を行なう半導体発光素
子のｎ電極を形成しないでそのまま、前記ｎ−ＧａＡｓ
基板をＡｕＳｉはんだを用いてダイボンドしたことを特
徴とする半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2183768A JPH0468580A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2183768A JPH0468580A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 半導体発光素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0468580A true JPH0468580A (ja) | 1992-03-04 |
Family
ID=16141627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2183768A Pending JPH0468580A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0468580A (ja) |
-
1990
- 1990-07-09 JP JP2183768A patent/JPH0468580A/ja active Pending
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