JPH0644117Y2 - ２色発光ダイオ−ド素子 - Google Patents
２色発光ダイオ−ド素子Info
- Publication number
- JPH0644117Y2 JPH0644117Y2 JP1987101134U JP10113487U JPH0644117Y2 JP H0644117 Y2 JPH0644117 Y2 JP H0644117Y2 JP 1987101134 U JP1987101134 U JP 1987101134U JP 10113487 U JP10113487 U JP 10113487U JP H0644117 Y2 JPH0644117 Y2 JP H0644117Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting diode
- chip
- led
- stem
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Description
【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案は、２色発光ダイオード素子（以下２色LED素子
とする）に関し、特に単一電源での駆動を可能とするた
めの構造に係る。
とする）に関し、特に単一電源での駆動を可能とするた
めの構造に係る。
〈考案の概要〉 本考案、はＮオンＰタイプのGaAlAs発光ダイオードチッ
プ（以下、LEDチップとする）とＰ層の厚みを100μｍ以
上としたＮオンＰタイプのGaPLEDチップを有し、前記両
方のLEDチップをアノード側でステム上にマウントした
ことにより、両LEDチップのアノード側を共通端子とし
て、単一の電源にて駆動を行なうものである。
プ（以下、LEDチップとする）とＰ層の厚みを100μｍ以
上としたＮオンＰタイプのGaPLEDチップを有し、前記両
方のLEDチップをアノード側でステム上にマウントした
ことにより、両LEDチップのアノード側を共通端子とし
て、単一の電源にて駆動を行なうものである。
〈従来の技術〉 第５図に一般的な２色LED素子の断面図を示す。
図のように、ステム１上に２つのLEDチップ2,3を導電性
ペースト４を用いてマウントして共通端子1aとし、金線
5,6にて前記各LEDチップ2,3の他端を端子7,8に接続し、
全体を樹脂９にてモールドしたものである。
ペースト４を用いてマウントして共通端子1aとし、金線
5,6にて前記各LEDチップ2,3の他端を端子7,8に接続し、
全体を樹脂９にてモールドしたものである。
従来は第６図に示すように、ＮオンＰタイプのGaAlAsLE
Dチップ10とＰオンＮタイプのGaPLEDチップ11とをステ
ム１上にマウントしていた。ここで前記GaAlAsLEDチッ
プ10は第７図（ａ）のようにアノード電極A,120〜250μ
ｍ厚のGaAs層P1,10〜30μｍ厚のGaAlAs層P2,10〜40μｍ
厚のGaAlAs層N,カソード電極Ｋから構成され全体として
150〜250μｍ厚となり、前記アノード電極Ａ側がステム
１上にマウントされる。前記GaPLEDチップ11は第７図
（ｂ）のようにカソード電極K,100〜200μｍ厚のGaP層N
1,20〜80μｍ厚のGaP層N2,10〜60μｍ厚のGaP層P,アノ
ード電極Ａから構成され、全体として200〜300μｍ厚と
なり前記カソード電極Ｋ側がステム１上にマウントされ
る。
Dチップ10とＰオンＮタイプのGaPLEDチップ11とをステ
ム１上にマウントしていた。ここで前記GaAlAsLEDチッ
プ10は第７図（ａ）のようにアノード電極A,120〜250μ
ｍ厚のGaAs層P1,10〜30μｍ厚のGaAlAs層P2,10〜40μｍ
厚のGaAlAs層N,カソード電極Ｋから構成され全体として
150〜250μｍ厚となり、前記アノード電極Ａ側がステム
１上にマウントされる。前記GaPLEDチップ11は第７図
（ｂ）のようにカソード電極K,100〜200μｍ厚のGaP層N
1,20〜80μｍ厚のGaP層N2,10〜60μｍ厚のGaP層P,アノ
ード電極Ａから構成され、全体として200〜300μｍ厚と
なり前記カソード電極Ｋ側がステム１上にマウントされ
る。
このようなＮオンＰタイプのGaAlAsLEDチップ10とＰオ
ンＮタイプのGaPLEDチップ11を用いて構成した２色LED
素子は、両LEDチップ10,11の極性が異なるため、第８図
に示すように２電源V1,V2にて駆動していた。
ンＮタイプのGaPLEDチップ11を用いて構成した２色LED
素子は、両LEDチップ10,11の極性が異なるため、第８図
に示すように２電源V1,V2にて駆動していた。
〈考案が解決しようとする問題点〉 しかしながら、上記構成の２色LED素子は両LEDチップの
極性が逆であるため、電源を２つも必要としていた。
極性が逆であるため、電源を２つも必要としていた。
ここで電源を１つにするためには、両LEDチップの極性
を同じにすれば良いが、前記のGaPLEDチップ11のアノー
ド側をステム１上にマウントするには以下のような問題
点があった。
を同じにすれば良いが、前記のGaPLEDチップ11のアノー
ド側をステム１上にマウントするには以下のような問題
点があった。
それは第９図に示すように、LEDチップ12を銀ペースト1
3を用いてリードフレーム15上にタイボンドする時、前
記LEDチップ12の接合位置は銀ペースト13のはい上りを
さけるために高い方が望ましい。前記LEDチップ12の全
厚みは通常200〜300μｍであり、その接合位置は一般に
は100μｍ以上であり、そのためＰ層の厚みは100μｍ以
上が必要である。しかし、従来のGaPLEDチップ11はＰ層
の厚みは10〜60μｍと薄く、Ｐ層側、即ちアノード電極
Ａ側をスラム１上にマウントすると銀ペースト13とＮ層
とが短絡してしまうので、アノード電極側を共通端子に
できなかった。このことは、GaAlAsLEDチップ10のカソ
ード側をステム１にマウントした場合も同様である。
3を用いてリードフレーム15上にタイボンドする時、前
記LEDチップ12の接合位置は銀ペースト13のはい上りを
さけるために高い方が望ましい。前記LEDチップ12の全
厚みは通常200〜300μｍであり、その接合位置は一般に
は100μｍ以上であり、そのためＰ層の厚みは100μｍ以
上が必要である。しかし、従来のGaPLEDチップ11はＰ層
の厚みは10〜60μｍと薄く、Ｐ層側、即ちアノード電極
Ａ側をスラム１上にマウントすると銀ペースト13とＮ層
とが短絡してしまうので、アノード電極側を共通端子に
できなかった。このことは、GaAlAsLEDチップ10のカソ
ード側をステム１にマウントした場合も同様である。
本考案は上記問題点に鑑みてなされたものであり、アノ
ード電極側をステム上にマウントできるGaPLEDチップを
備えた、単一電源で駆動できる２色LED素子を提供する
ことを目的とする。
ード電極側をステム上にマウントできるGaPLEDチップを
備えた、単一電源で駆動できる２色LED素子を提供する
ことを目的とする。
〈問題点を解決するための手段〉 本考案は、ステム上に２つのLEDチップをマウントして
なる２色LED素子において、前記一方のLEDチップをＮオ
ンＰタイプのGaAlAsLEDチップとし、もう一方のLEDチッ
プをＰ層の厚みを100μｍ以上としたＮオンＰタイプのG
aPLEDチップとして、前記両方のLEDチップのアノード側
を前記ステム上にマウントして共通端子としたものであ
る。
なる２色LED素子において、前記一方のLEDチップをＮオ
ンＰタイプのGaAlAsLEDチップとし、もう一方のLEDチッ
プをＰ層の厚みを100μｍ以上としたＮオンＰタイプのG
aPLEDチップとして、前記両方のLEDチップのアノード側
を前記ステム上にマウントして共通端子としたものであ
る。
〈作用〉 上記により、両LEDチップのアノード側がステムにマウ
ントされて共通端子となり、両LEDチップの極性が同じ
であるので単一の電源での駆動が行なえる。
ントされて共通端子となり、両LEDチップの極性が同じ
であるので単一の電源での駆動が行なえる。
〈実施例〉 以下、図面を用いて本考案の一実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図に示すように、ＮオンＰタイプのGaAlAsLEDチッ
プ10とＰ層の厚みを100μｍ以上としたＮオンＰタイプ
のGaPLEDチップ14をステム１上にマウントしている。こ
こで、前記GaAlAsは従来と同様の構成であるのでここで
の説明は省略する。前記GaPLEDチップ14は第２図に示す
ように、アノード電極A,100〜150μｍ厚のGaP層P,20〜8
0μｍのGaP層N2,80〜180μｍ厚のGaP層N1，カソード電
極Ｋから構成され、全体として200〜300μｍ厚となる。
プ10とＰ層の厚みを100μｍ以上としたＮオンＰタイプ
のGaPLEDチップ14をステム１上にマウントしている。こ
こで、前記GaAlAsは従来と同様の構成であるのでここで
の説明は省略する。前記GaPLEDチップ14は第２図に示す
ように、アノード電極A,100〜150μｍ厚のGaP層P,20〜8
0μｍのGaP層N2,80〜180μｍ厚のGaP層N1，カソード電
極Ｋから構成され、全体として200〜300μｍ厚となる。
このようなGaPLEDチップ14はＰ層（GaP層Ｐ）が100μｍ
以上の厚みがあるのでアノード電極Ａ側をステム１上に
マウントできる。ここで、Ｐ層の厚みは第３図（ａ）に
示す従来のエピ成長プログラムを第３図（ｂ）のように
改善することにより100μｍ以上の厚みを得ている。
以上の厚みがあるのでアノード電極Ａ側をステム１上に
マウントできる。ここで、Ｐ層の厚みは第３図（ａ）に
示す従来のエピ成長プログラムを第３図（ｂ）のように
改善することにより100μｍ以上の厚みを得ている。
上記構造の２色LED素子は、両LEDチップ10,14が共にア
ノード側でステム１上にマウントしているために、アノ
ード側を共通端子1aとすることができ、それによって第
４図に示すような単一の電源Vccでの駆動が可能にな
る。
ノード側でステム１上にマウントしているために、アノ
ード側を共通端子1aとすることができ、それによって第
４図に示すような単一の電源Vccでの駆動が可能にな
る。
〈考案の効果〉 以上のように本考案によれば、両LEDチップをアノード
側を共通端子としており、逆性が同じであるので単一の
電源での駆動が行なえ、回路が簡略化するとともに、IC
での駆動も可能となる有用な２色LED素子を提供でき
る。
側を共通端子としており、逆性が同じであるので単一の
電源での駆動が行なえ、回路が簡略化するとともに、IC
での駆動も可能となる有用な２色LED素子を提供でき
る。
第１図は本考案の一実施例を示す部分断面図、第２図は
同LEDチップを示す側断面図、第３図は同駆動回路図、
第４図（ａ），（ｂ）は従来及び本考案のエピ成長温度
プログラムを示すグラフ、第５図は一般的な２色LED素
子を示す側断面図、第６図は従来例を示す部分断面図、
第７図（ａ），（ｂ）は同LEDチップを示す側断面図、
第８図は同駆動回路図、第９図はLEDチップのダイボン
ド部を示す拡大断面図である。 １……ステム、1a……共通端子、2,3,12……LEDチッ
プ、４……導電性ペースト、5,6……金線、7,8……端
子、９……樹脂、10……ＮオンＰタイプのGaAlAsLEDチ
ップ、11……ＰオンＮタイプのGaPLEDチップ、13……銀
ペースト、15……リードフレーム、14……ＮオンＰタイ
プのGaPLEDチップ。
同LEDチップを示す側断面図、第３図は同駆動回路図、
第４図（ａ），（ｂ）は従来及び本考案のエピ成長温度
プログラムを示すグラフ、第５図は一般的な２色LED素
子を示す側断面図、第６図は従来例を示す部分断面図、
第７図（ａ），（ｂ）は同LEDチップを示す側断面図、
第８図は同駆動回路図、第９図はLEDチップのダイボン
ド部を示す拡大断面図である。 １……ステム、1a……共通端子、2,3,12……LEDチッ
プ、４……導電性ペースト、5,6……金線、7,8……端
子、９……樹脂、10……ＮオンＰタイプのGaAlAsLEDチ
ップ、11……ＰオンＮタイプのGaPLEDチップ、13……銀
ペースト、15……リードフレーム、14……ＮオンＰタイ
プのGaPLEDチップ。
Claims (1)
- 【請求項１】スラム上に２つの発光ダイオードチップを
マウントしてなる２色発光ダイオード素子において、 前記一方の発光ダイオードチップをＮオンＰタイプのGa
AlAs発光ダイオードチップとし、もう一方の発光ダイオ
ードチップをＰ層の厚みを100μｍ以上としたＮオンＰ
タイプのGaP発光ダイオードチップとして、前記両方の
発光ダイオードチップのアノード側を前記ステム上にマ
ウントして共通端子としたことを特徴とする２色発光ダ
イオード素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987101134U JPH0644117Y2 (ja) | 1987-06-30 | 1987-06-30 | ２色発光ダイオ−ド素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987101134U JPH0644117Y2 (ja) | 1987-06-30 | 1987-06-30 | ２色発光ダイオ−ド素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS646054U JPS646054U (ja) | 1989-01-13 |
| JPH0644117Y2 true JPH0644117Y2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=31329850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987101134U Expired - Lifetime JPH0644117Y2 (ja) | 1987-06-30 | 1987-06-30 | ２色発光ダイオ−ド素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644117Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0539270U (ja) * | 1991-10-30 | 1993-05-28 | ダイワ精工株式会社 | 覆面型魚釣用リ−ル |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS531196A (en) * | 1976-06-25 | 1978-01-07 | Hitachi Metals Ltd | Static regenerating furnace for active carbon |
| JPS5891688A (ja) * | 1981-11-26 | 1983-05-31 | Toshiba Corp | 二色発光ダイオ−ドおよびその製造方法 |
| JPS61181176A (ja) * | 1985-02-06 | 1986-08-13 | Toshiba Corp | 光半導体装置 |
| JPS6255975A (ja) * | 1985-09-05 | 1987-03-11 | Mitaka Denshi Kagaku Kenkyusho:Kk | Ｌｅｄ多色発光システム |
| JPS6247154U (ja) * | 1985-09-10 | 1987-03-23 |
-
1987
- 1987-06-30 JP JP1987101134U patent/JPH0644117Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS646054U (ja) | 1989-01-13 |
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