JPH0468812B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0468812B2 JPH0468812B2 JP58128823A JP12882383A JPH0468812B2 JP H0468812 B2 JPH0468812 B2 JP H0468812B2 JP 58128823 A JP58128823 A JP 58128823A JP 12882383 A JP12882383 A JP 12882383A JP H0468812 B2 JPH0468812 B2 JP H0468812B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- temperature
- thermistor
- resistance
- operational amplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/54—Modifications of networks to reduce influence of variations of temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H5/00—One-port networks comprising only passive electrical elements as network components
Landscapes
- Filters And Equalizers (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明はサーミスタを使用する温度補償回路に
係り、特に二個のサーミスタを使用し、ある温度
より上昇しても降下しても、その等価抵抗が増加
又は減少する特性を有する温度補償回路に関する
ものである。
係り、特に二個のサーミスタを使用し、ある温度
より上昇しても降下しても、その等価抵抗が増加
又は減少する特性を有する温度補償回路に関する
ものである。
(b) 従来技術の問題点
第1図は従来のサーミスタを使用する温度補償
回路の一例を示す図であり、aは回路図、bはそ
の温度特性を表す。図中、R1,R2はそれぞれ
抵抗、Thはサーミスタである。
回路の一例を示す図であり、aは回路図、bはそ
の温度特性を表す。図中、R1,R2はそれぞれ
抵抗、Thはサーミスタである。
サーミスタThは周知の如く温度が高くなると
その抵抗値は減少する。従つて第1図のaのよう
な回路を作ると端子α、端子β間の合成抵抗Rと
温度Tとの関係は第1図のbに示すようにある温
度範囲内では、温度Tの増加と共に合成抵抗Rは
略直線的に減少し、抵抗R1,R2を適当に選定
するとその傾斜を変化させることが出来る。この
特性を利用して各種の温度補償を行つていた。
その抵抗値は減少する。従つて第1図のaのよう
な回路を作ると端子α、端子β間の合成抵抗Rと
温度Tとの関係は第1図のbに示すようにある温
度範囲内では、温度Tの増加と共に合成抵抗Rは
略直線的に減少し、抵抗R1,R2を適当に選定
するとその傾斜を変化させることが出来る。この
特性を利用して各種の温度補償を行つていた。
然し上記の第1図aのような一個のサーミスタ
のみを使用する従来の回路では、温度Tの増加と
共に合成抵抗Rが略直線的に減少するのみである
ので、多様な温度補償を行うには不十分である。
のみを使用する従来の回路では、温度Tの増加と
共に合成抵抗Rが略直線的に減少するのみである
ので、多様な温度補償を行うには不十分である。
そこで、単に直線的に合成抵抗を変化させるの
みでなく、ある温度で合成抵抗の変化傾向を変え
るための回路構成から考案された。
みでなく、ある温度で合成抵抗の変化傾向を変え
るための回路構成から考案された。
第2図a〜hはその例を説明するための図であ
る。図中、R3,R4はそれぞれ抵抗、Thはサ
ーミスタである。
る。図中、R3,R4はそれぞれ抵抗、Thはサ
ーミスタである。
いま第2図のaにおいて、端子1及び端子2間
に一定の電圧を印加し、温度を変化した時の端子
3と端子2間の出力電圧V1と温度Tの関係をb
に示す。温度が上昇するとサーミスタThの抵抗
値が減少し、出力電圧V1は減少する。
に一定の電圧を印加し、温度を変化した時の端子
3と端子2間の出力電圧V1と温度Tの関係をb
に示す。温度が上昇するとサーミスタThの抵抗
値が減少し、出力電圧V1は減少する。
一方第2図のcにおいて、同様に端子4及び端
子5間に一定の電圧を印加し、温度を変化した時
の端子6と端子5間の出力電圧V2と温度Tの関
係をdに示す。温度が上昇するとサーミスタTh
の抵抗値が減少し、出力電圧V2は増加する。こ
の時抵抗R3及び抵抗R4とサーミスタThの抵
抗値との関係で、温度Tと出力電圧V1,V2曲
線に彎曲点が出来る、尚第2図のb,d等におい
て折線特性が示されているが、実際には点線で示
すように曲線で変化するものである。特性の変化
を明示する為折線表示としてある。
子5間に一定の電圧を印加し、温度を変化した時
の端子6と端子5間の出力電圧V2と温度Tの関
係をdに示す。温度が上昇するとサーミスタTh
の抵抗値が減少し、出力電圧V2は増加する。こ
の時抵抗R3及び抵抗R4とサーミスタThの抵
抗値との関係で、温度Tと出力電圧V1,V2曲
線に彎曲点が出来る、尚第2図のb,d等におい
て折線特性が示されているが、実際には点線で示
すように曲線で変化するものである。特性の変化
を明示する為折線表示としてある。
又第2図のeを示すようにサーミスタThに並
列抵抗R5を付けると、出力電圧V1はfに示す
ようにbとは反対方向に彎曲する。更に第2図の
gに示すようにサーミスタThは並列抵抗R5を
付けると、出力電圧V2はhに示すようにdとは
反対方向に彎曲する。
列抵抗R5を付けると、出力電圧V1はfに示す
ようにbとは反対方向に彎曲する。更に第2図の
gに示すようにサーミスタThは並列抵抗R5を
付けると、出力電圧V2はhに示すようにdとは
反対方向に彎曲する。
このように1個のサーミスタに、抵抗を直・並
列に接続すると、温度に対する合成抵抗値の変化
に彎曲点を設けることができる。しかし、実際に
はこれでもなお不十分で、ある温度を境に合成抵
抗値が増加から減少に、或いは減少から増加に変
化することを要する場合がある。
列に接続すると、温度に対する合成抵抗値の変化
に彎曲点を設けることができる。しかし、実際に
はこれでもなお不十分で、ある温度を境に合成抵
抗値が増加から減少に、或いは減少から増加に変
化することを要する場合がある。
第3図aは上記目的を実現した回路構成の一例
を示す図であつて、R6,R7はそれぞれ抵抗、
Th1,Th2はそれぞれサーミスタである。第3
図のbは第3図のaの回路の動作を説明する図で
ある。
を示す図であつて、R6,R7はそれぞれ抵抗、
Th1,Th2はそれぞれサーミスタである。第3
図のbは第3図のaの回路の動作を説明する図で
ある。
第3図のaにおいて、端子7と端子8の間に同
様一定電圧を印加し、温度Tにより端子9と端子
8の間の出力電圧V3が如何に変化するかを第3
図のbは示している。即ち温度の低い時は、抵抗
R7がサーミスタTh2の値より大きくなるよう
に設定しておくと、抵抗R7とサーミスタTh2
の合成抵抗の変化量は抵抗R6とサーミスタTh
1の合成抵抗の変化量より少ないので、第3図の
bに示すように温度Tが増加すると出力電圧V3
も増加する。しかし、ある温度を越すと抵抗R7
とサーミスタTh2の合成抵抗の変化量は主にサ
ーミスタTh2の変化量により支配される為、抵
抗R7とサーミスタTh2の合成抵抗の変化量は
抵抗R6とサーミスタTh1の合成抵抗の変化量
より大きくなり、出力電圧V3は減少する。この
結果、第3図のbに示すような特性が得られる。
様一定電圧を印加し、温度Tにより端子9と端子
8の間の出力電圧V3が如何に変化するかを第3
図のbは示している。即ち温度の低い時は、抵抗
R7がサーミスタTh2の値より大きくなるよう
に設定しておくと、抵抗R7とサーミスタTh2
の合成抵抗の変化量は抵抗R6とサーミスタTh
1の合成抵抗の変化量より少ないので、第3図の
bに示すように温度Tが増加すると出力電圧V3
も増加する。しかし、ある温度を越すと抵抗R7
とサーミスタTh2の合成抵抗の変化量は主にサ
ーミスタTh2の変化量により支配される為、抵
抗R7とサーミスタTh2の合成抵抗の変化量は
抵抗R6とサーミスタTh1の合成抵抗の変化量
より大きくなり、出力電圧V3は減少する。この
結果、第3図のbに示すような特性が得られる。
第4図のaは別の例を示す図であつて、第4図
のbは第3図のbの山型とは反対に谷型の特性を
示す。
のbは第3図のbの山型とは反対に谷型の特性を
示す。
このようにサーミスタを2個使用し、一方には
直列抵抗を接続し他方に並列抵抗を接続して、こ
の両者を直列に接続することによつて、第3図b
および第4図bに示す如く、温度がある値より高
くなつても低くなつても、合成抵抗はいずれも増
加あるいは減少する特性が得られる。この特性を
利用することによつて、ある温度で最大あるいは
最小となるような特性を有する回路や回路素子等
被補償手段温度特性を補償することができる。
直列抵抗を接続し他方に並列抵抗を接続して、こ
の両者を直列に接続することによつて、第3図b
および第4図bに示す如く、温度がある値より高
くなつても低くなつても、合成抵抗はいずれも増
加あるいは減少する特性が得られる。この特性を
利用することによつて、ある温度で最大あるいは
最小となるような特性を有する回路や回路素子等
被補償手段温度特性を補償することができる。
しかしこの種の構成のサーミスタ回路のみで温
度特性を補償できるのは、上記サーミスタ回路を
バイアス回路に用いて有効な場合に限られる。即
ち、上記第3図a、第4図aの回路の両端に電源
電圧を供給し、その中点(第3図aでは端子9、
第4図aでは端子12)からバイアス電圧を取り
出す構成を採ることによつて、温度特性を補償で
きる場合は有効であるが、すべての回路あるいは
回路素子の温度特性を、この種のバイアス補正に
よつて補償し得るものではない。
度特性を補償できるのは、上記サーミスタ回路を
バイアス回路に用いて有効な場合に限られる。即
ち、上記第3図a、第4図aの回路の両端に電源
電圧を供給し、その中点(第3図aでは端子9、
第4図aでは端子12)からバイアス電圧を取り
出す構成を採ることによつて、温度特性を補償で
きる場合は有効であるが、すべての回路あるいは
回路素子の温度特性を、この種のバイアス補正に
よつて補償し得るものではない。
例えば、レーザダイオードは一般に、レーザ素
子とこれの光出力を検知して出力するモニター素
子としてのフオトダイオードとから構成されてい
る。そしてこのレーザダイオードの使用に際して
は、レーザ素子の光出力をモニター素子で検知
し、これをフイードバツクしてレーザ素子の光出
力を制御する。
子とこれの光出力を検知して出力するモニター素
子としてのフオトダイオードとから構成されてい
る。そしてこのレーザダイオードの使用に際して
は、レーザ素子の光出力をモニター素子で検知
し、これをフイードバツクしてレーザ素子の光出
力を制御する。
ところが、上記モニター素子はその検知感度が
ある温度で最大あるいは最小となるような温度特
性を有することが多く、レーザ素子の光出力自身
は一定であるにもかかわらず、モニター素子の検
知出力が変動し、その結果光出力を変化させてし
まう場合がある。このモニター素子の検知出力の
温度特性の補償を行うには、上記構成のサーミス
タ回路では不可能であり、モニター素子と逆の温
度特性を持つ制御回路を設け、これにモニター素
子の検知出力を入力して温度補償を行い、その補
正出力をレーザ素子の光出力に対する検知出力と
することが必要である。
ある温度で最大あるいは最小となるような温度特
性を有することが多く、レーザ素子の光出力自身
は一定であるにもかかわらず、モニター素子の検
知出力が変動し、その結果光出力を変化させてし
まう場合がある。このモニター素子の検知出力の
温度特性の補償を行うには、上記構成のサーミス
タ回路では不可能であり、モニター素子と逆の温
度特性を持つ制御回路を設け、これにモニター素
子の検知出力を入力して温度補償を行い、その補
正出力をレーザ素子の光出力に対する検知出力と
することが必要である。
しかし上記従来構成のサーミスタを用いた温度
補償回路では、上記温度特性を有する被補償手段
であるモニター素子の検知出力の温度補償を行う
ことができない。
補償回路では、上記温度特性を有する被補償手段
であるモニター素子の検知出力の温度補償を行う
ことができない。
(c) 発明の目的
そこで本発明は従来技術の有する上記の欠点を
除去し、温度特性を有する入力に所定の温度補償
を加えて出力することができるサーミスタを用い
た温度補償回路を提供することを目的とする。
除去し、温度特性を有する入力に所定の温度補償
を加えて出力することができるサーミスタを用い
た温度補償回路を提供することを目的とする。
(d) 発明の構成
上記目的は本発明により、第一のサーミスタに
直列抵抗を接続した第一の回路、第二のサーミス
タに並列抵抗を接続した第二の回路、第一の演算
増幅器及び第二の演算増幅器を具備し、前記第一
の演算増幅器と第二の演算増幅器を前記第一の回
路又は第二の回路を介して接続し、前記第二の演
算増幅器の帰還回路に前記第二の回路又は第一の
回路を接続し、直列抵抗及び並列抵抗の値を変え
て回路の温度特性を、第一演算増幅器への入力電
圧を出力する被補償手段の温度特性と逆極性とす
ることを特徴とするサーミスタを使用する温度補
償回路によつて達成される。
直列抵抗を接続した第一の回路、第二のサーミス
タに並列抵抗を接続した第二の回路、第一の演算
増幅器及び第二の演算増幅器を具備し、前記第一
の演算増幅器と第二の演算増幅器を前記第一の回
路又は第二の回路を介して接続し、前記第二の演
算増幅器の帰還回路に前記第二の回路又は第一の
回路を接続し、直列抵抗及び並列抵抗の値を変え
て回路の温度特性を、第一演算増幅器への入力電
圧を出力する被補償手段の温度特性と逆極性とす
ることを特徴とするサーミスタを使用する温度補
償回路によつて達成される。
(e) 発明の実施例
第5図は本発明の一実施例を示す図で、R8〜
R13はそれぞれ抵抗、AMP1、AMP2はそれ
ぞれ演算増幅器である。
R13はそれぞれ抵抗、AMP1、AMP2はそれ
ぞれ演算増幅器である。
本例は演算増幅器の端子a1と端子a、端子a
2と端子b、端子b1と端子c、端子b2と端子
dをそれぞれ接続することにより、即ち、端子a
1−a2間に接続する入力抵抗として、サーミス
タTh1と抵抗R13との直列接続回路、端子b
1−b2間に接続する帰還抵抗として、サーミス
タTh2と抵抗R14の並列接続回路を使用する
ことにより、第3図のbに示したのと同様な温度
特性が得られる。
2と端子b、端子b1と端子c、端子b2と端子
dをそれぞれ接続することにより、即ち、端子a
1−a2間に接続する入力抵抗として、サーミス
タTh1と抵抗R13との直列接続回路、端子b
1−b2間に接続する帰還抵抗として、サーミス
タTh2と抵抗R14の並列接続回路を使用する
ことにより、第3図のbに示したのと同様な温度
特性が得られる。
また端子a1と端子c、端子a2と端子d、端
子b1と端子a、端子b2と端子bをそれぞれ接
続することにより、即ち、入力抵抗としてサーミ
スタTh2と抵抗R14の並列接続回路、帰還抵
抗としてサーミスタTh1と抵抗R13との直列
接続回路をしようとすることにより、第4図bに
示したのと同様な温度特性が得られる。
子b1と端子a、端子b2と端子bをそれぞれ接
続することにより、即ち、入力抵抗としてサーミ
スタTh2と抵抗R14の並列接続回路、帰還抵
抗としてサーミスタTh1と抵抗R13との直列
接続回路をしようとすることにより、第4図bに
示したのと同様な温度特性が得られる。
このように構成した本実施例の温度補償回路を
用いれば、前述のレーザダイオードのモニター素
子等被補償手段の温度補償を行うことができる。
用いれば、前述のレーザダイオードのモニター素
子等被補償手段の温度補償を行うことができる。
即ち、上記構成の温度補償回路の温度特性を、
モニター素子の温度特性の逆特性としておき、こ
れの入力端子INに上記モニター素子の検知出力
を入力すれば、この温度補償回路により温度特性
が補償された補正出力を得ることができる。従つ
てたとえモニター素子が温度特性を有している場
合でも、その温度特性を補償した出力が得られる
ので、これをレーザ素子の光出力の制御に用いれ
ば、モニター素子の温度特性によつてレーザ素子
の光出力を誤つて制御することを防止できる。
モニター素子の温度特性の逆特性としておき、こ
れの入力端子INに上記モニター素子の検知出力
を入力すれば、この温度補償回路により温度特性
が補償された補正出力を得ることができる。従つ
てたとえモニター素子が温度特性を有している場
合でも、その温度特性を補償した出力が得られる
ので、これをレーザ素子の光出力の制御に用いれ
ば、モニター素子の温度特性によつてレーザ素子
の光出力を誤つて制御することを防止できる。
なお、第6図に前述の第3図aに示した構成の
温度サーミスタ回路の温度特性を実測値を示す。
図示したように、サーミスタと直列接続した抵抗
および並列接続した抵抗の値を変えることによつ
て、種々の曲線が得られる。従つて、本発明に係
る2つの演算増幅器の入力抵抗および帰還抵抗に
上記サーミスタと抵抗の直列回路、並列回路を組
み合わせることにより、種々の温度特性を有する
回路あるいは回路素子の出力に対し、温度補償を
加えることが可能となる。
温度サーミスタ回路の温度特性を実測値を示す。
図示したように、サーミスタと直列接続した抵抗
および並列接続した抵抗の値を変えることによつ
て、種々の曲線が得られる。従つて、本発明に係
る2つの演算増幅器の入力抵抗および帰還抵抗に
上記サーミスタと抵抗の直列回路、並列回路を組
み合わせることにより、種々の温度特性を有する
回路あるいは回路素子の出力に対し、温度補償を
加えることが可能となる。
(f) 発明の効果
以上詳細に説明したように本発明によれば、山
型あるいは谷型の温度特性を有する回路あるいは
回路素子の出力に対し、効果的に温度補償を加え
ることが可能となる。
型あるいは谷型の温度特性を有する回路あるいは
回路素子の出力に対し、効果的に温度補償を加え
ることが可能となる。
第1図a,bは従来のサーミスタを使用する温
度補償回路の一例を示す図、第2図a〜hは従来
のサーミスタを使用する温度補償回路の他の例を
示す図、第3図a,bは従来のサーミスタを2個
使用する温度補償回路の一例を示す図、第4図
a,bは従来のサーミスタを2個使用する温度補
償回路の他の例を示す図、第5図は本発明に係る
温度補償回路の構成を示す図、第6図は第3図a
に示す回路の実測値を示す図である。 図中、R1〜R14は抵抗、Th,Th1,Th
2はそれぞれサーミスタ、AMP1,AMP2はそ
れぞれ演算増幅器である。
度補償回路の一例を示す図、第2図a〜hは従来
のサーミスタを使用する温度補償回路の他の例を
示す図、第3図a,bは従来のサーミスタを2個
使用する温度補償回路の一例を示す図、第4図
a,bは従来のサーミスタを2個使用する温度補
償回路の他の例を示す図、第5図は本発明に係る
温度補償回路の構成を示す図、第6図は第3図a
に示す回路の実測値を示す図である。 図中、R1〜R14は抵抗、Th,Th1,Th
2はそれぞれサーミスタ、AMP1,AMP2はそ
れぞれ演算増幅器である。
Claims (1)
- 1 第一のサーミスタに直列抵抗を接続した第一
の回路、第二のサーミスタに並列抵抗を接続した
第二の回路、第一の演算増幅器及び第二の演算増
幅器を具備し、前記第一の演算増幅器と第二の演
算増幅器を前記第一の回路又は第二の回路を介し
て接続し、前記第二の演算増幅器の帰還回路に前
記第二の回路又は第一の回路を接続し、直列抵抗
及び並列抵抗の値を変えて回路の温度特性を、第
一演算増幅器への入力電圧を出力する被補償手段
の温度特性と逆極性とすることを特徴とするサー
ミスタを使用する温度補償回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58128823A JPS6020613A (ja) | 1983-07-15 | 1983-07-15 | サ−ミスタを使用する温度補償回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58128823A JPS6020613A (ja) | 1983-07-15 | 1983-07-15 | サ−ミスタを使用する温度補償回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6020613A JPS6020613A (ja) | 1985-02-01 |
| JPH0468812B2 true JPH0468812B2 (ja) | 1992-11-04 |
Family
ID=14994291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58128823A Granted JPS6020613A (ja) | 1983-07-15 | 1983-07-15 | サ−ミスタを使用する温度補償回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6020613A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4508001B2 (ja) * | 2005-06-22 | 2010-07-21 | 株式会社デンソー | 温度補正回路 |
| DE102006034181B3 (de) * | 2006-07-24 | 2008-04-03 | Siemens Ag | Temperatursensor |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS495179A (ja) * | 1972-03-27 | 1974-01-17 |
-
1983
- 1983-07-15 JP JP58128823A patent/JPS6020613A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6020613A (ja) | 1985-02-01 |
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