JPH046944B2

JPH046944B2 -

Info

Publication number: JPH046944B2
Application number: JP58079598A
Authority: JP
Inventors: Hideo Yasutomi; Hiroshi Okamoto; Kunio Toda; Tomosaburo Kurosaki; Tadao Noda; Tsutomu Yogi
Original assignee: Minolta Co Ltd
Current assignee: Minolta Co Ltd
Priority date: 1983-05-07
Filing date: 1983-05-07
Publication date: 1992-02-07
Also published as: JPS59204052A

Description

【発明の詳細な説明】

技術分野本発明は、フタロシアニン系バインダ樹脂光導
電層を有する感光体を用いた画像形成方法に関す
る。従来技術感光体として既に様々なものが提案、実用化さ
れている。その一例としてSe系のものがあるが
感度面では比較的優れているものの、有害であり
結晶化温度が低いという欠点がある。またCdSバ
インダ樹脂光導電層を有する感光体も広く実用化
されているが、やはり有害で製造上、取扱い上に
問題がある。このことより、近年、フタロシアニ
ン系光導電性材料をバインダ樹脂に分散してなる
光導電層を有する感光体が注目されている。この
種の感光体は無公害で製造が容易であるという利
点を有する。ところでフタロシアニン顔料を光導電性材料と
するものには、α型、β、γ、ε、σ、χ等様々
な結晶形があり、夫々の結晶形において電子写真
特性が異なる。この中で後述する特殊α型フタロ
シアニン顔料をバインダ樹脂に分散してなる光導
電層を有する感光体は他の結晶形のものと比較し
て特異な特性を示す。即ち、本願発明者が夫々の
結晶形のフタロシアニン顔料を含む感光体に対し
て作像実験を行つたところ、上述した特殊α型フ
タロシアニン顔料を含む感光体にあつては低電位
部、つまり中間調が度々再現されないということ
が確認された。これは後でも詳述するが、上記特殊α型フタロ
シアニン顔料を含む感光体にあつては露光後の暗
減衰速度が露光照度にに依存して変化するという
特異な特性を示すためである。然るにこの種の感
光体を粉像転写型複写機に用いた場合、高照度域
では上記暗減衰速度の変化により現像される以前
に感光体上の電位が現像閾値電圧を割つてしま
い、見かけ上の感度が大幅に変化し、階調再現性
に著しく影響を与える。また、前述の感光体にあつては経時変化が著し
く感光体の電界強度に依存して画像上において白
斑点（白抜け）の発生と階調再現性の低下が認め
られ、暗減衰特性、光感度特性とも不安定とな
る。また暗減衰特性と光感度特性は経時変化によ
り左右されるのみならず繰り返し使用における残
留電荷除電のための光源の露光量にも依存し、長
期に渡つて良好な画像が得られないものであつ
た。発明の目的本発明は以上の事実に鑑みて成されたもので、
その目的とするところは、階調再現性、光感度特
性、暗減衰特性、繰り返し特性を含む電子写真特
性全般について優れた特性を保障し、長期に渡つ
て良好な画像を得ることのできる画像形成方法を
提供することにある。発明の要旨本発明の要旨は、感光体としてその光導電層の
膜厚が約５乃至10ミクロンで画像露光後における
暗減衰速度が露光照度に依存して変化する特性を
示す、フタロシアニンおよびフタロシアニン分子
のベンゼン核がニトロ基、シアノ基、ハロゲン原
子、スルホン基およびカルボキシル基から選ばれ
る少なくとも１種の電子吸引性基によつて置換さ
れたフタロシアニン誘導体を、フタロシアニンと
塩を形成し得る無機酸と混合した後、水もしくは
塩基性物質によつて析出せしめて得られたフタロ
シアニン系光導電性材料をバインダ樹脂に分散し
てなるものを用い、帯電時の光導電層１ミクロン
当りの電界強度を約30乃至50ボルトとするととも
に、該感光体に対する画像露光から現像に至るま
での時間を約0.1乃至0.4秒とし、且つ除電を露光
量が約20乃至500lux・secの下で行うようにした
ことを特徴とする画像形成方法にある。実施例本発明に係る画像形成方法は感光体として、フ
タロシアニン系顔料をバインダ樹脂に分散してな
る光導電層を有するものを用い、特に望ましくは
導電性基板上に上記光導電層を厚さ約５乃至30ミ
クロンに積層してなるもの、更に必要によりその
上に絶縁性保護層を積層してなるものを用いる。
具体的に上記光導電層は後述するが、画像露光後
における暗減衰速度が露光照度に依存して変化す
る特性を有し、この如き特性を有するフタロシア
ニン顔料としては下記する特殊α型の結晶形があ
る。特殊α型結晶形フタロシアニン系顔料は、フタ
ロシアニンおよび、フタロシアニン分子のベンゼ
ン核がニトロ基、シアノ基、ハロゲン原子、スル
ホン基およびカルボキシル基から選ばれる少なく
とも１種の電子吸引性基によつて置換されたフタ
ロシアニンと塩を形成し得る無機酸と混合した
後、水もしくは塩基性物質によつて析出せしめて
得られるもので、こうして得られたものをバイン
ダ樹脂に分散して塗布により光導電層を形成する
ものである。尚、上記において、フタロシアニン
とフタロシアニン誘導体との組成割合は、フタロ
シアニン誘導体の電子吸引性基の数がフタロシア
ニンおよびフタロシアニン誘導体のフタロシアニ
ン単位の合計に対し２個以下、好ましくは１個以
下で、かつ0.001個以上、好ましくは0.002個以上
となるような割合にすることが望ましく、また、
フタロシアニンと塩を形成し得る無機酸として
は、硫酸、オルトリン酸、ピロリン酸、クロロス
ルホン酸、塩酸、ヨウ化水素酸、フツ化水素酸、
臭化水素酸等が用いられる。これら無機酸はフタ
ロシアニンのアシツドペーステイング法、アシツ
ドスラリー法等の従来より知られている方法に使
用されているものが用いられる。尚、フタロシア
ニンとしては無金属フタロシアニン、銅、ニツケ
ル、コバルト、亜鉛、スズ、鉄、ナトリウム、リ
チウム、カルシウム、マグネシウム等の金属フタ
ロシアニンあるいはこれらの混合物を用いること
ができる。以下、特殊α型結晶形のフタロシアニン系顔料
を含む光導電層を有する感光体を用いた場合にお
ける本発明の画像形成方法について詳述する。感光体は次のようにして作成した。銅フタロシ
アニン40重量部、ジニトロ銅フタロシアニン0.5
重量部を98％濃硫酸500重量部に十分撹拌しなが
ら溶解する。溶解した液を水2000重量部にあけ、
銅フタロシアニン、ジニトロ銅フタロシアニンの
組成物を析出させた後、濾過、水洗し、減圧下
120℃で乾燥する。尚、この組成物は特殊α型結
晶形フタロシアニン系顔料である。次に斯くして
得られた組成物10重量部を酢酸ブチル：セロソル
ブ（１：１）40重量部の有機溶剤とともにボール
ミルに入れ20時間分散する。続いて、熱硬化性ア
クリル樹脂32重量部（大日本インキ製アクリデイ
ツクA405）、メラミン樹脂８重量部（大日本イン
キ製スーパーベツカミンJ820）を上記分散溶剤10
重量部とボールミルに入れ４時間混練分散して光
導電性塗料を調整した。そしてこの塗料を直径80
mmのアルミニウムドラム上に約10ミクロン塗布し
て乾燥し感光体を作成した。こうして得られた感光体を第１図に示す複写機
乃至はそれに相当する測定装置にセツトして下記
する実験を行つた。尚、同図において、１が感光
体、２は該感光体１を均一帯電するためのコロナ
チヤージヤ、３は露光スリツト、４磁気ブラシ現
像器、５は転写チヤージヤ、６はブレードクリー
ナー、７はイレーサランプである。まず上記感光体をコロナチヤージヤ２により所
定の表面電位V₀に均一帯電してそのV₀から出発
する暗減衰特性を測定した。（以下、この暗減衰
特性をV₀ダークと呼ぶ。）測定結果は第２図に示
す通りで、同図においてカーブＡは初期表面電位
V₀が略500V、カーブＢはV₀が略400Vのときの
V₀ダークで、上記感光体のV₀は一定の暗減衰時
間まで徐々に低下し肩部を形成して急激に低下す
るという特異な特性を示す。つまりSeやCdS等の
感光体にあつてはV₀の暗減衰は略直線的に減衰
するところ、特殊α型フタロシアニン顔料を含む
光導電層を有する感光体にあつては上記の通り肩
部を形成して急激減衰する。カーブＡの場合、
V₀は暗減衰時間により除々に低下するが15秒ま
では差程減衰せず16秒位から急激に減衰する。こ
こで各カーブにおいて肩部が生じ始めるまでの時
間TinはカーブＡにおいて示したように初期表面
電位V₀からの水平線と肩部接線が交差する点を
求めることにより明かとなり、V₀が略500Vのカ
ーブＡでTinは15.9秒、V₀が略400VのカーブＢで
Tinは13.8秒である。このようにTinはかなり長
時間であり、またもつとも短くても常に２秒以上
が保障させるのであれば、低速の複写機を例にと
つてみても帯電から画像露光までそれ以上要する
ものはないので、特に問題となることはない。し
かし後述からも明かとなるがTinは感光体そのも
のの経時変化、電界強度、光導電層の膜厚、イレ
ーサランプ７の露光量等にかなり依存し条件によ
つては良好な画像が得られないという事態とな
る。更に特殊α型フタロシアニン顔料を含む上記感
光体は上述したV₀ダークという特異な特性とTin
の不安定性を示す他に、画像露光後における暗減
衰速度が露光照度に依存して変化するという特性
も示す。即ち、画像露光後の表面電位Viから出
発する暗減衰特性（以下、この特性をViダーク
と呼ぶ）を測定したところ、第２図においてカー
ブＣ，Ｄによつて示す通りの結果を得た。具体的
に感光体をその初期表面電位V₀が500Vとなるよ
うに帯電し、露光照度が夫々6.3lux、7.5luxの下
で露光し（露光時間は一定）露光直後からの暗減
衰特性を調べたところV₀ダークと相反して急激
な電位減衰が認められた。つまり露光照度が
6.3luxの露光の下で初期表面電位V₀はカーブＣに
よつて示される通り、400VのViにまで低下し、
そのViより出発する暗減衰は急激な電位減衰を
生じ暗減衰時間が0.5秒にもならないうちに50V
以下となる。露光照度が7.5luxの場合も、Viは略
300VとなるがカーブＤに示す通り、やはり急激
な電位減衰を生じる。このことを第１図に示した
複写機に当てはめて考えた場合、帯電、画像露光
により形成される静電潜像は少なくともその一部
が磁気ブラシ現像器４による現像以前に現像閾値
電位を割つてしまい全く現像されないということ
になる。つまり、例えば複写原稿として黒色画像（例え
ば黒文字）と灰色画像（写真や薄い文字等の中間
調像）からなるものを用い、V₀に帯電し画像露
光すると、黒色画像部に対応する電位は略V₀の
ままで少なくとも前述したTinまでは低下するこ
とはないが、灰色画像部は画像露光によりViま
で低下しカーブＣ，Ｄと同様、Viからは急激な
電位減衰が起こる。従つて、この灰色画像部の潜
像電位は現像閾値電位以下となる以前に磁気ブラ
シ現像器４により現像されなければ全く再現され
ないこととなる。特に磁気ブラシ現像器４の現像
電極へのバイアス電位印加が少なくとも10V程
度、通常は50〜350V程度であるので、より大き
な制約となる。露光照度に依存してViダークが変化する点に
つき更に上詳すると、第３Ａ図及び第３Ｂ図は露
光照度を1.2luxから300luxに渡つて変化させたと
きの暗減衰時間を測定したもので、実験は同一製
造方法の下に作成された上記と同一の板状感光体
を用い測定装置として往復型静電特性装置を用い
た。尚、照射はシヤツターを介在させて行い、
100〜110ｍsec開とした。第３Ａ図において、カ
ーブＥ１は露光照度が1.2luxのときのViダーク特
性を、カーブＥ２は露光照度5lux、Ｅ３は10lux、
Ｅ４は20lux、Ｅ５は30lux並びにＥ６は50luxの
ときのViダーク特性を示す。各カーブから明ら
かなように、露光照度が大となるに従つて暗減衰
時間は早くなる。換言すれば複写原稿の高濃度画
像は暗減衰速度が遅いが、低濃度となるに従つて
早くなり、例えばカーブＥ１でViが300Vにまで
減衰する時間は約10秒であるのに対し、露光照度
が30luxのカーブＥ５では１秒、50luxのカーブＥ
６で0.4秒と非常に早くなる。この傾向は露光照
度が更に大きくなることで顕著となり、第３Ｂ図
に示すように露光照度が60luxのカーブＥ７、
100luxのカーブＥ８、150luxのカーブＥ９、
300luxのカーブＥ１０は夫々暗減衰が順次早くな
りViが300Vにまで減衰する時間はカーブＥ７で
0.33秒、Ｅ８で0.2秒、Ｅ９で0.18秒、Ｅ１０で
0.15秒である。このように特殊α型フタロシアニン顔料をバイ
ンダ樹脂に分散してなる光導電層を有する感光体
はその画像露光後における暗減衰速度が露光照度
の増大にしたがつて速くなるという特異な特性を
有する。然るに特に中間調画像の再現の場合、そ
れに対応する潜像電位が極めて短時間で現像閾値
電位以下となることにより、それ以前に現像しな
ければならない。またこれと関連して上述した第
２図、第３Ａ，Ｂ図で示したViダーク特性は感
光体の感度面でも密接な関係を有する。後述する
が上記感光体の光減衰特性を見た場合、その減衰
カーブの傾き度合いは相対的に強く、つまり立つ
ており、画像露光から現像までの時間に依存す
る。然るに、現像時期によつては高感度であるが
逆に階調再現性に乏しいかあるいはその逆とな
り、階調再現性に優れた良好な画像を得ることは
できない。更に前述した通り、上記の感光体は経
時変化が著しく、特に電界強度、即ち表面電位を
光導電層の膜厚で割つた１ミクロン当りの電位と
光導電層そのものの膜圧に大きく依存し、Tin、
階調再現性、光感度を不安定なものとするばかり
か面積像の形成時には白斑点の発生が顕著とな
り、長期に渡り良好な画像を得ることができな
い。また上記感光体はイレーサランプ７の露光量
によつて光感度とTinが変動し場合によつては前
の画像が次の画像に重複して再現されるというメ
モリー効果が発生する。本発明に係る画像形成方法は以上の事実に鑑
み、上記感光体としてその光導電層の膜厚が約５
乃至10ミクロンであるものを用い、画像形成のた
めの帯電においては光導電層１ミクロン当りの電
界強度が約30乃至50ボルトとなるような表面電位
に帯電するとともに画像露光から現像に至るまで
の時間を約0.1乃至0.4秒に設定し且つ残留電荷の
除電を約20乃至500lux・secで行うことにより長
期に渡り良好な画像を得るようにしたものであ
る。まず画像露光から現像に至るまでの時間（以
下、この時間をTidと呼ぶ）について説明する
と、第１図において露光スリツト３を介しての画
像露光により形成される潜像部分が磁気ブラシ現
像器４に到達するまでの時間Tidを約0.1乃至0.4
秒とするのは、0.1秒以下では現像までに到達す
るには高速化を図つても不充分であることに加え
て感光体の感度低下を生じるためで、また0.4秒
以上では中間調画像の一部が再現されなくなるば
かりか階調再現性そのものが低下するためであ
る。具体的に説明するに、第４図は画像露光から現
像までの時間Tidを変化させたときの表面電位V₀
と露光量の関係を示す光減衰特性で、カーブＦ１
はTidが0.25秒、Ｆ２はTidが0.39秒、またＦ３は
Tidが0.67秒のときの光減衰カーブである。同図
から明らかなように各カーブＦ１，Ｆ２，Ｆ３の
傾き度合いは、Tidが長くなるに従つて立つてき
ており感度が高くなることを示している。しかし
逆に階調性の面、特に中間調再現は低下すること
を意味し、結局、中間調再現範囲を広くとるには
Tidは短くする方がよいことが分かる。またこの
ことより所望の階調再現がTidを変化させること
により得られる。第５図は左縦軸に表面電位V₀から出発する暗
減衰カーブの肩部が生じるまでの時間Tinを、右
縦軸にV₀を半減するに必要な露光量Ｅ1/2を、ま
た横軸にTidをとつた関係を示し、第１図におけ
る感光体１の回転速度を変化させるとともに固定
の画像露光位置に対し現像位置、実験上では測定
位置を変化させてTin及びTidを測定したもので
ある。具体的に測定結果は下記第１表に示す通り
で、グラフプロツトしたのが第５図である。第１
表において、RPMは感光体回転速度、Itは感光
体を500VのV₀に帯電するために必要なコロナチ
ヤージヤ２のコロナ電流μA、秒／周は感光体が
一回転するに要する時間、θは画像露光位置から
反時計方向に位置するプローブ位置並びに各プロ
ーブ位置におけるTid、Tin、Ｅ1/2を示してあ
る。

【表】尚、第５図において○と●は夫々θ＝25°にお
けるTinとTid及びＥ1/2とTidの関係を、△と▲
はθ＝45°のときTin−Tid及びＥ1/2−Tid、また
□と■はθ＝60°のときのTin−TidとＥ1/2−Tid
の関係を示す。まずTinとTidの関係を見るに
TinはTidが長くなるに従つて飽和傾向を示す。
また図示しないがTinはTidが0.1秒、特に0.05秒
以下で急激に低下し、この意味でもTidが0.1秒以
上であることが重要である。一方、Ｅ1/2とTid
の関係を見た場合、Tidが長くなるに従つて高感
度となることが分かる。例えばTidが0.12秒のと
きＥ1/2は9.3lux・secであるのに対して、0.5秒で
5.9lux・sec、0.67秒で5.0lux・secとかなり感度
向上となつている。しかしながら第４図において
も説明した通り、感度向上は階調再現性の低下を
招く。第６図はTidと階調再現性の関係を示し、縦軸
はコダツクグレースケール再現段数を、横軸は
Tidで、Tidが夫々0.25秒、0.39秒、0.67秒のとき
再現段数を示している。この図から明らかなよう
に階調再現性はTidが長くなるに従つて低くな
り、一般に６段数の階調再現が良好な画像を得る
上で求められることよりTidは最大でも0.4秒とす
るのが必要である。次にコロナチヤージヤ２による帯電を上記感光
体の光導電層１ミクロン当り約30〜50ボルトの電
界強度となるよう行うことについて説明する。感
光体として前述と同一の製造方法の下に導電性基
板上に厚さが夫々７〜８ミクロン（試料Ａ）、11
〜12ミクロン（試料Ｂ）、16〜17ミクロン（試料
Ｃ）の特殊α型フタロシアニン光導電性材料をバ
インダ樹脂に分散してなる光導電層を積層してな
るものを３種類用意し、これらを夫々第１図に示
す複写機にセツトし第７図に示す実験を行つた。
尚、これら感光体試料Ａ〜Ｃは製造直後のもので
ある。また各作像実験はTidが0.35秒の下で行つ
た。第７図は横軸に前記電界強度（E₀、Ｖ／μ）
を、縦軸に上から白斑点ランク、コダツクグレー
スケール階調再現段数及びTinをとつた関係を示
しており、試料Ａの測定結果を○印で夫々カーブ
Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３で、試料Ｂを□印でカーブＨ
１，Ｈ２，Ｈ３．で、また試料Ｃを△印でカーブ
Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３で示してある。尚、白斑点ラン
クとは面積像（ベタ黒画像）を複写した場合の単
位面積当りの白斑点の発生頻度でランク５が白斑
点の発生がなく最良で、ランク１が発生頻度がも
つとも高く画像上不良のもので、ランク３以上が
実用の上で必要とされる。また階調再現段数は前
述した通り６段以上が優れた中間調の再現を保障
する上で必要とされる。更にTinは低速複写機も
考慮した上で最低で２秒以上必要とされる。第７図において、電界強度E₀を夫々30、40、
50、60V／μと可変したときの試料Ａ、Ｂ、Ｃの
白斑点の発生度合いはカーブＧ１，Ｈ１，Ｉ１に
示されるように、E₀が30、40V／μの下ではラン
クが何れも４と優れているが50V／μの下では試
料Ａはランク４と変わりはないものの光導電層の
膜厚が大である試料Ｂ、Ｃは３、２まで低下す
る。またE₀が60V／μでは白斑点ランクは何れも
２以下となり実用上問題となる。一方、階調再現
段数はカーブＧ２，Ｈ２，Ｉ２で示される通り
で、E₀が30V／μのとき試料Ａ、Ｂで５段である
ことを除いて何れも６段以上と優れた階調再現性
を示している。次にTinについてであるが、この
特性はE₀にかなり依存する。例えば試料Ａ、Ｂ
の場合、E₀が30V／μではカーブＧ３，Ｈ３によ
つて示される通りTinは８秒、40V／μで９〜10
秒、50V／μでピークの12〜13秒、60V／μで11
秒である。これに対し試料Ｃでは30V／μで５
秒、40V／μで７秒たらず、50V／μで約13秒と
なつて60V／μで９秒となる。然るに何れもTin
は最低必要とされる２秒以上はあり感光体使用初
期の特性としては問題ない。尚、E₀が20V／μで
も同一の実験を行つたが現像バイアス電圧との関
係でカブリが顕著であつたので結果は示されな
い。この感光体は上記実験完了後、経時変化測定の
目的のために常温（20℃）常湿（50％）の下にダ
ンボール箱に６週間保管した。ただし、この間、
１週間毎に感光体を取り出し120枚の連続複写を
行つた。７週目に上記感光体に対し第７図と同一
の実験を行つたところ、第８図に示す通りの結果
が得られた。電界強度E₀と白斑点ランクとの関
係を見た場合、試料ＡではカーブＧ４で示される
通り、E₀が30V／μ、42V／μでランク４と良好
で50V／μ以上で２以下となる。これに対し光導
電層の膜厚が夫々11〜12、16〜17μと試料Ａより
厚い試料Ｂ、ＣでE₀が30V／μではカーブＨ４、
Ｉ４の通りランクが夫々４と３で許容ランクでは
あるが40V／μ以上では２以下となり実用上問題
となる。また、階調再現段数との関係では試料Ａが何れ
の電界強度でも６段以上あり（カーブＧ５）優れ
た階調再現性を示すが、試料Ｂ、ＣではカーブＨ
５，Ｉ５で示す通り40V／μ以上で５段となる。
一方、Tinは第７図に示した感光体使用初期のと
きと比べて全体的に短くなつている。つまり試料
Ａ、ＢではカーブＧ６，Ｈ６によつて示す通り、
E₀が30／μで約５秒、40V／μで約８秒、50V／
μで８〜９秒、60V／μで約６秒と短くなつてい
る。試料Ｃの場合もカーブＩ６で示すように最長
でも50V／μで７秒と初期の約半分となつてい
る。このように上記感光体はかなりの経時変化を
示す。もつともTinについてはE₀が30〜60V／μ
の範囲で最低必要とされる２秒以下が測定されて
いるが、20V／μとしたときは２秒以下となり、
また60V／μでは不安定となることが確実に予測
される。上記感光体は再び11週に渡つてダンボール箱に
保管され、この間はやはり１週間毎に120枚の連
続複写を行つた。そして11週間経過後、つまり初
期使用から数えて18週目に第７図、第８図と同一
の実験を行つたところ、第９図に示す通りの結果
を得た。尚、同図において試料Ｃの測定結果は省
略したが何れも試料Ｂより悪いものであつた。第９図において、白斑点ランクとの関係では試
料ＡとＢの間で顕著な差がでており、試料Ａでは
カーブＧ７で示す如くE₀が30〜60V／μで３以
上、特に30、40V／μでは最も良い５のランクと
なつているのに対し試料ＢではカーブＨ７の通り
30V／μで３であるものの40、50V／μでは夫々
画像不良の２、１となる。一方、階調再現段数と
の関係を見た場合、試料Ａでは30、40V／μで７
段とかなり優れているのに対し試料Ｂは40、
50V／μで５段以下となつている。更にTinとの
関係では試料ＡはカーブＧ９で示す通りE₀が
30V／μで４秒以上、40V／μで約10秒、50V／
μでピークの11秒、そして60V／μで８秒と必要
とされる２秒以上が保障されているが、20V／μ
では略２秒かそれ以下となることが予測され、ま
た60V／μではTinの変動幅が大きい。試料Ｂで
はカーブＨ９より明らかなようにE₀が30、40V／
μで３秒程度と２秒にかなり近く好ましいとは言
えない。このように特殊α型フタロシアニン顔料をバイ
ンダ樹脂に分散してなる光導電層を有する感光体
は電界強度、更には光導電層自体の膜厚に依存し
て経時変化を示す。上述の初期から18週目に至る
実験から、光導電層の膜厚が11ミクロン以上の感
光体（試料Ｂ、Ｃ）は電界高度を30〜60V／μと
振つても経時とともに白斑点、階調再現性、Tin
の特性が劣化しており、長期に渡る反復使用に適
していないことが分かる。これに対し光導電層の
膜厚が７〜８ミクロンの試料Ａでは電界強度が約
30〜50V／μの範囲において何れの特性に対して
も良好な結果を示している。即ち、試料ＡはE₀
が30〜50V／μの範囲に設定される限り、経時変
化が最も小さく長期に渡る反復使用によつても良
好な特性を維持する。光導電層の膜厚は７〜８ミ
クロンに限らず約５〜10ミクロンでも同様に経時
変化の少ない結果が得られる。電界強度を約30〜50V／μとすることについて
更に詳述すれば、第１０図は電界強度E₀を夫々
30、50、60V／μとしたときの経時日数と白斑点
ランク、階調再現性、露光量E_0pA並びにTinとの
関係を示し、カーブＪ１〜Ｊ４が30V／μ、Ｋ１
〜Ｋ４が50V／μのE₀、Ｌ１〜Ｌ４が60V／μの
E₀のときの特性を示す。まず白斑点ランクとの
関係を見ればE₀が30、50V／μのときは良好であ
る４のランクが維持されるが60V／μの下では変
動が激しく２乃至３である。階調再現段数ではカ
ーブＪ２，Ｋ２で示される通り６段以上が保障さ
れているが、E₀を60V／μとしたときには経時変
化が著しく４段まで劣化する。露光量（E_0pt、適
正画像露光ランプ電圧値の露光量換算値）は何れ
のE₀でも略安定しているが、60V／μでは前述し
たViダーク特性が遅くなり光導電層の膜厚ムラ
によつてピンホール画像の発生が認められた。
Tinについては幾分の変動はあるが何れも２秒よ
りは十分長い。但しE₀が50V／μと60V／μとの
間では特に使用初期においてかなりの差があり、
60V／μのときでは50V／μと比較してTinが50
日位まで1/2となつている。尚、この経時変化の
実験では130日の期間に11回に分けて120枚づつの
連続複写を行つたが、E₀が30、50V／μの下では
初期から最後まで良好な画像が得られたが、
60V／μでは階調再現性も不十分で白斑点の発生
度合いが目立つ画像しか得られなかつた。この結
果から明らかなように電界強度は30〜50V／μと
することが必要である。最後に上記感光体に対し残留電荷除電のための
イレーサランプによる除電を約20〜500lux・sec
の露光量により行うことについて説明する。第１
１図は横軸にイレーサランプ７の露光量Elを、左
縦軸に所定の表面電位を半減するに要する画像露
光量Ｅ1/2を、また右縦軸にTinをとつた関係を
示しており、カーブＭ１は感光体使用初期のとき
のElとＥ1/2の関係を、Ｍ２は1000枚の連続複写
後におけるElとＥ1/2の関係を、またカーブＮ１，
Ｎ２は夫々感光体使用初期と1000枚連続複写後の
ElとTinの関係を示す。尚、感光体としては前述
の試料Ａと同じものを使用した。各特性とも大体
イレーサランプの露光量が20〜500lux・secの範
囲において略安定していることが分かる。しかし
500lux・sec以上となると感度Ｅ1/2、Tinともに
変動が見受けられ両者とも不安定となり、特に
Tinは1000lux・secで反復複写後は２秒以下とな
る。Tinが短くなる原因はイレーサランプ７の露
光量が500lux・sec以上となると発熱によつて温
度が上昇してTinが早くなるものと考えられる。
また20lux・sec以下では先の複写像が次の複写像
と重複して再現されるというメモリー現象の発生
が認められた。従つて長期に渡つて良好な画像を
得るにはイレーサランプの露光量は約20〜
500lux・secとすることが必要である。効果以上の説明から明らかなように、本発明に係る
画像形成方法によれば階調再現性、光感度特性、
暗減衰特性、繰り返し特性を含む電子写真特性全
般について優れた特性を保障し長期に渡つて良好
な画像を得ることができる。特に感光体の経時変
化を最低限に抑制でき、また感光体に膜厚ムラが
あつても電界強度を比較的広範囲に渡つて変化さ
せることができるから容易に所望の良好な画像を
得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る画像形成方法が実施可能
な複写機の概略構成を示す図、第２図は特殊α型
フタロシアニンバインダ樹脂感光体の暗減衰特性
を示す図、第３Ａ図及び第３Ｂ図は露光照度変化
による暗減衰特性を示す図、第４図は画像露光か
ら現像までの時間を変化させたときの光減衰特性
を示す図、第５図は暗減衰特性において肩部が生
じるまでの時間、光感度並びに画像露光から現像
までの時間との関係を示す図、第６図は階調再現
性と画像露光から現像までの時間の関係を示す
図、第７図、第８図、第９図は電界強度と白斑点
ランク、階調再現段数並びにTinとの関係を示す
図、第１０図は経時日数と白斑点ランク、階調再
現段数、画像露光量、Tinとの関係を示す図、第
１１図はイレーサランプの露光量と画像露光量並
びにTinとの関係を示す図である。１……感光体、２……コロナチヤージヤ、３…
…露光スリツト、４……磁気ブラシ現像器、７…
…イレーサランプ、Tid……画像露光から現像ま
での時間、Tin……暗減衰カーブの肩部が生じる
までの時間、E₀……電界強度。

Claims

【特許請求の範囲】

１帯電、画像露光、現像、転写並びに除電の各
工程を経て画像を得る画像形成方法において、感
光体としてその光導電層の膜厚が約５乃至10ミク
ロンで画像露光後における暗減衰速度が露光照度
に依存して変化する特性を示す、フタロシアニン
およびフタロシアニン分子のベンゼン核がニトロ
基、シアノ基、ハロゲン原子、スルホン基および
カルボキシル基から選ばれる少なくとも１種の電
子吸引性基によつて置換されたフタロシアニン誘
導体を、フタロシアニンと塩を形成し得る無機酸
と混合した後、水もしくは塩基性物質によつて析
出せしめて得られたフタロシアニン系光導電性材
料をバインダ樹脂に分散してなるものを用い、該
帯電時の光導電層１ミクロン当りの電界強度を約
30乃至50ボルトとするとともに、該感光体に対す
る画像露光から現像に至るまでの時間を約0.1乃
至0.4秒とし、且つ該除電を露光量が約20乃至
500lux・secの下で行うようにしたことを特徴と
する画像形成方法。