JPH0469832A - magneto-optical recording medium - Google Patents
magneto-optical recording mediumInfo
- Publication number
- JPH0469832A JPH0469832A JP18215890A JP18215890A JPH0469832A JP H0469832 A JPH0469832 A JP H0469832A JP 18215890 A JP18215890 A JP 18215890A JP 18215890 A JP18215890 A JP 18215890A JP H0469832 A JPH0469832 A JP H0469832A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magneto
- amorphous
- recording medium
- optical recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は光磁気記録媒体、特には化学的安定性にすぐれ
ており、光透過性がすぐれていてC/Nもよく、記録密
度の向上をはかることができる光磁気記録媒体に関する
ものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a magneto-optical recording medium, particularly a magneto-optical recording medium which has excellent chemical stability, excellent optical transparency, good C/N, and improved recording density. This invention relates to a magneto-optical recording medium that can measure
[従来の技術]
近年、情報化社会の進展に伴なって書換可能な光磁気メ
モリが注目を集めており、この光磁気メモリ用磁性膜と
してはTbFeCoなとの希土類元素−遷移金属元素薄
膜が用いられているが、このものは得られるカー回転角
があまり大きくないためにこれには再生信号のC/Nが
十分でないという欠点がある。[Prior Art] In recent years, with the advancement of the information society, rewritable magneto-optical memory has attracted attention, and rare earth element-transition metal element thin films such as TbFeCo are used as magnetic films for this magneto-optical memory. However, this method has the disadvantage that the obtained Kerr rotation angle is not very large and the C/N of the reproduced signal is not sufficient.
[発明が解決しようとする課題]
そのため、この種の光磁気記録媒体については従来公知
の非晶質磁性体膜の表面にSin、 SiN。[Problems to be Solved by the Invention] Therefore, in this type of magneto-optical recording medium, the surface of a conventionally known amorphous magnetic film is coated with Sin or SiN.
AfNなどの誘電体層(膜)を形成し、その膜厚をλ/
4n(λはレーザー波長、nは屈折率)とすることによ
って見かけのカー回転角を増大させ、C/Nを大きくす
る(エンハンス効果)ことが行なわれているが、これに
よる特性向上はまだ不十分てあり、この誘電体層につい
てはさらに高屈折率で透明性のよいものが求められてい
る。A dielectric layer (film) such as AfN is formed, and its thickness is set to λ/
4n (λ is the laser wavelength, n is the refractive index) to increase the apparent Kerr rotation angle and increase the C/N (enhancement effect), but the improvement in characteristics by this is still unresolved. There is a need for a dielectric layer with even higher refractive index and better transparency.
また、最近、この光磁気記録媒体については信号処理の
高速化に対する要求が強くなるにつれてディスクの記録
密度が大きな問題となり、この記録密度を上げるために
誘電体膜の熱伝導率を偉くしてその熱拡散を抑え、レー
ザーの熱効率を上げて記録に要するパワーを小さくする
ということも試みられているが、従来用いられているS
EN、AflN、 SiOなどを用いる誘電体膜では熱
伝導率を低く抑えることが難しく、この点からも新しい
膜材料の開発が求められている。Recently, as the demand for higher speed signal processing has become stronger for magneto-optical recording media, the recording density of the disk has become a major issue.In order to increase the recording density, the thermal conductivity of the dielectric film has been increased. Attempts have been made to reduce the power required for recording by suppressing thermal diffusion and increasing the thermal efficiency of lasers, but the conventionally used S
It is difficult to keep thermal conductivity low with dielectric films using EN, AflN, SiO, etc., and from this point of view as well, the development of new film materials is required.
他方、従来から使用されている非晶質磁性体膜は希土類
金属を含んでいるが、この希土類金属が極めて酸化され
易いものであるために、これには高温高湿下で簡単に磁
気特性が劣化するという難点があり、上記の誘電体層に
保護膜としての役割を負わせるという提案もあるが、S
iOなどの酸化物では逆に希土類元素がSiO中の0と
酸化反応を起こしてしまうためにその効果は十分なもの
ではないし、SiN、Ai’Nなどの窒化物には、この
ような反応性が小さいので耐蝕性向上という目的には通
しているものの、これには樹脂基板などに成膜するとき
にクラックが生じ易く、機械的強度に問題がある。On the other hand, conventionally used amorphous magnetic films contain rare earth metals, but because these rare earth metals are extremely easily oxidized, their magnetic properties easily deteriorate under high temperature and high humidity conditions. There is a problem that S
Oxides such as iO, on the other hand, do not have a sufficient effect because the rare earth elements cause an oxidation reaction with 0 in SiO, while nitrides such as SiN and Ai'N have such reactivity. Although it can be used for the purpose of improving corrosion resistance because of its small size, cracks are likely to occur when forming a film on a resin substrate or the like, and there are problems with mechanical strength.
[課題を解決するための手段]
本発明はこのような課題を解決することのできる光磁気
記録媒体に関するもので、これは光の入射側に置かれる
透明基板上に、誘電体層、磁性膜、反射膜を設けてなる
光磁気記録媒体において、誘電体層がHを含む非晶質材
料から作られることを特徴とするものである。[Means for Solving the Problems] The present invention relates to a magneto-optical recording medium that can solve the above problems, and includes a dielectric layer and a magnetic film on a transparent substrate placed on the light incident side. , a magneto-optical recording medium provided with a reflective film, characterized in that the dielectric layer is made of an amorphous material containing H.
すなわち、本発明者らは光透過性がすぐれていてC/N
もよく、記録密度も向上した光磁気記録媒体を開発すべ
く種々検討した結果、基体上に設けられる誘電体層にH
を含む非晶質材料を使用すると、1)膜材料の熱伝導性
を小さくすることができるので、照射するレーザーの熱
拡散が小さいものとなるし、磁性膜の温度上昇が効率よ
く行なわれるので、記録感度の向上をはかることができ
る、2)膜材料がHを含んでいると熱拡散が小さくなる
ので、記録ビット径の広がりを抑えることができ、記録
密度の向上がはかれる、3)膜原料がHを含んでいると
アモルファスになり易く、組成の均一性にすぐれた表面
の平滑な膜を得ることができる、4)このものは従来の
保護膜にくらべて剥離し難く、この膜は機械的強度、耐
久性にすぐれているので、記録膜の保護に役に立つ、5
)このものは大きな屈折率をもっているのでエンハンス
効果が大きく、また光透過性もすぐれており、特に可視
−遠赤外領域で極めて高い透過率を有するので、C/N
の大きい光磁気記録媒体を得ることができるということ
を見出し、ここに使用するHを含む非晶質材料の形成方
法などについての研究を進めて本発明を完成させた。In other words, the present inventors found that the C/N
As a result of various studies aimed at developing a magneto-optical recording medium with improved recording density and improved recording density, we found that H
When using an amorphous material containing , the recording sensitivity can be improved, 2) If the film material contains H, thermal diffusion is reduced, so the expansion of the recording bit diameter can be suppressed, and the recording density can be improved. 3) The film If the raw material contains H, it tends to become amorphous, and a smooth film with excellent compositional uniformity can be obtained. 4) This film is more difficult to peel than conventional protective films; It has excellent mechanical strength and durability, so it is useful for protecting the recording film.
) This material has a large refractive index, so it has a large enhancement effect, and it also has excellent light transmittance, especially in the visible to far infrared region, so the C/N
The inventors discovered that it was possible to obtain a magneto-optical recording medium with a large amount of hydrogen, and conducted research on methods for forming the amorphous material containing H used therein, and completed the present invention.
以下にこれをさらに詳述する。This will be explained in further detail below.
[作 用コ
本発明の光磁気記録媒体は透明基板上に誘電体層、磁性
膜、反射膜を設けてなる光磁気記録媒体における誘電体
層をHを含む非晶質材料としたものである。[Function] The magneto-optical recording medium of the present invention is a magneto-optical recording medium in which a dielectric layer, a magnetic film, and a reflective film are provided on a transparent substrate, in which the dielectric layer is made of an amorphous material containing H. .
この光磁気記録媒体の構成は公知のものであり、これは
例えば第1図に示したように、トラッキング用ガイドグ
ループが形成されたガラス、石英ガラス、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂などからなる
透明基板1の上に誘電体膜2、磁性膜3、誘電体膜2と
同質の誘電体膜4および反射膜5を順次積層されたもの
であり、これは第2図に示したように透明基板7の上に
誘電体層8、磁性膜9、誘電体1i10を順次積層した
3層構造のものであってもよく、これらにおいてほこの
透明基板1.7の光の入射側から光6,11が入射する
と光6は反射ll15で反射され、磁性膜の膜厚を厚く
した第2図のものでは入射光11は磁性膜9で反射され
る。The structure of this magneto-optical recording medium is known, and as shown in FIG. A dielectric film 2, a magnetic film 3, a dielectric film 4 of the same quality as the dielectric film 2, and a reflective film 5 are sequentially laminated on a substrate 1, and as shown in FIG. It may have a three-layer structure in which a dielectric layer 8, a magnetic film 9, and a dielectric layer 1i10 are sequentially laminated on top of the transparent substrate 1.7. When incident, the light 6 is reflected by the reflection 115, and in the case of the one shown in FIG. 2 in which the thickness of the magnetic film is increased, the incident light 11 is reflected by the magnetic film 9.
本発明の光磁、気記録媒体ではこの誘電体膜2゜8およ
び/または4.10が前記したHを含む非晶質材料で形
成されるのであるが、このHを含む非晶質材料としては
アモルファスSi:H膜、アモルファス5iGe:Hw
A、アモルファスSiN:H膜などが例示される。この
誘電体膜の形成はターゲットとしてSi、 5iGe、
SiNなどを用い、高周波電源を用い、真空装置内を形
成する膜の種類に応じてH2,5iH4GeH4、N2
.N)hなどのガス雰囲気としてスパッタリング法で行
えばよい。In the magneto-optical recording medium of the present invention, the dielectric film 2.8 and/or 4.10 is formed of the above-mentioned amorphous material containing H. is amorphous Si:H film, amorphous 5iGe:Hw
A, an amorphous SiN:H film, etc. are exemplified. The formation of this dielectric film uses Si, 5iGe,
H2, 5iH4GeH4, N2 depending on the type of film forming inside the vacuum device using SiN etc. and using a high frequency power supply.
.. Sputtering may be performed in a gas atmosphere such as N)h.
このようにして得た誘電体膜は厚さが500〜1.00
0人のものとされるが、このものは屈折率が1.75未
満では媒体表面での光の多重反射によるθ3の見かけ上
の増大(エンハンス効果)が期待できず、逆に3,20
より大きくしようとすると膜質が低下し、機械的強度や
耐久性に悪影響が及ぼされるので、屈折率(n)が1.
75〜3.20のものとすることが望ましい。The dielectric film thus obtained has a thickness of 500 to 1.00 mm.
However, if the refractive index is less than 1.75, an apparent increase in θ3 (enhancement effect) due to multiple reflections of light on the medium surface cannot be expected;
If you try to make it larger, the film quality will deteriorate and mechanical strength and durability will be adversely affected, so the refractive index (n) should be 1.
It is desirable to set it as the thing of 75-3.20.
なお、本発明の光磁気記録媒体は基体上に成膜されたこ
の誘電体膜の上に磁性膜と反射膜を形成するのであるが
、これらはいずれも公知のものでよく、この磁性膜は希
土類元素−遷移金属元素膜からなるもの、したがってT
b、 Dy、 Gd、 Ndなどの希土類元素とFe、
Go、 Niなとの遷り金属元素からなる、例えばT
bFe、 TbFeCo、 Gd丁bFe、 GdDy
FeCoなどからなる非晶質金属膜を第1図の構造のも
のでは200〜500人、第2図の構造のものでは80
0〜1、.000人程度の厚さでスパッタリング法で形
成すればよく、この反射層はAρ、 Cu、 Au、
Agなどの金属膜を厚さ200〜1,000人程度で設
ければよい。Incidentally, in the magneto-optical recording medium of the present invention, a magnetic film and a reflective film are formed on the dielectric film formed on the substrate, and both of these may be of known type. consisting of a rare earth element-transition metal element film, therefore T
b, Rare earth elements such as Dy, Gd, and Nd and Fe,
Made of metal elements such as Go and Ni, for example, T
bFe, TbFeCo, GdDybFe, GdDy
An amorphous metal film made of FeCo or the like with the structure shown in Figure 1 requires 200 to 500 people, and with the structure shown in Figure 2 it requires 80 people.
0~1,. It is sufficient to form the reflective layer by sputtering to a thickness of about 1,000 mm, and this reflective layer is made of Aρ, Cu, Au,
A metal film such as Ag may be provided with a thickness of about 200 to 1,000 layers.
[実施例] つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。[Example] Next, examples of the present invention and comparative examples will be given.
実施例1〜3.比較例1〜2
アモルファス5ilH膜、アモルファス5iGe・)1
8、アモルファスSiN:H膜をスパッタリング法で作
ることとし、ポリカーボネート基板上にターゲットとし
てSi、5rGe、 SiNを載置し、アルゴンガス8
0%、水素ガス20%のガス雰囲気を100トールとし
、高周波出力300wという条件でスパッタリングして
アモルファスSi:H膜、アモルファス5iGe:)I
膜、アモルファスSiN:H膜を各々750人、700
人、1100人の厚さで形成させ、ついて、これにTb
FaMi性膜、アモルファス誕導体膜、アルミニウム反
射膜を・アルゴンガス圧7@トール、高周波出力200
Wという条件でスパッタリングして厚さ200人の磁性
膜、300人の誘導体膜、500人の反射膜を設けて光
磁気記録媒体をつくり、誘電体膜を形成する各元素をR
BS、 HFSで分析すると共に、このモル組成比、屈
折率、光透過率をしらべたところ、第1表に示したとお
りの結果が得られ、この光磁気記録媒体における水素量
と最適記録パワー変化量との関係をしらべたところ、第
3図に示したとおりの結果が得られた。また、80℃、
85%RHにおける耐久性を調べたところ、第4図に示
したように一般によく用いられているSiNにくらべて
耐久性にすぐれているものであった。Examples 1-3. Comparative Examples 1-2 Amorphous 5ilH film, amorphous 5iGe・)1
8. An amorphous SiN:H film was created by sputtering, and Si, 5rGe, and SiN were placed as targets on a polycarbonate substrate, and argon gas was applied.
Amorphous Si:H film, amorphous 5iGe: )
750 people and 700 people for the film and amorphous SiN:H film, respectively.
The Tb
FaMi film, amorphous conductor film, aluminum reflective film, argon gas pressure 7@Torr, high frequency output 200
A magneto-optical recording medium was created by sputtering under the conditions of W, a magnetic film of 200 mm thickness, a dielectric film of 300 mm thickness, and a reflective film of 500 mm thickness, and each element forming the dielectric film was
When analyzed by BS and HFS and examined for its molar composition ratio, refractive index, and light transmittance, the results shown in Table 1 were obtained, and the hydrogen content and optimum recording power change in this magneto-optical recording medium were determined. When we investigated the relationship with the amount, we obtained the results shown in Figure 3. Also, 80℃,
When the durability at 85% RH was investigated, as shown in FIG. 4, it was found to have superior durability compared to commonly used SiN.
しかし、比較のために上記における誘電体膜の形成をア
ルゴンガス雰囲気におけるスパッタリングとしてHを含
まないSi、5iGe、 SiN gからなるものとし
、このもののモル組成比、屈折率、光透過率をしらへた
ところ、第1表に併記したとおりの結果が得られ、これ
についての記録感度をしらべたところ、このものは熱伝
導率が高く、透過率も下がるので記録感度は上記実施例
のものにくらべて劣るものであった。However, for comparison, the dielectric film was formed by sputtering in an argon gas atmosphere and was made of H-free Si, 5iGe, and SiNg, and the molar composition ratio, refractive index, and light transmittance of this film were As a result, the results shown in Table 1 were obtained, and when the recording sensitivity of this material was investigated, it was found that this material has a high thermal conductivity and a lower transmittance, so the recording sensitivity was lower than that of the above example. It was inferior.
[発明の効果]
本発明は光磁気記録媒体に関するもので、これは前記し
たように基板に8電体膜、磁性膜、反射膜を設けた光磁
気記録媒体において、この誕電体をHを含む非晶質材料
とするというものであり、これによればこの誘電体膜が
屈折率1.75〜3.20のものとなるので大きなエン
ハンス効果をもつものとなり、これはまた光透過性がす
ぐれているのでC/Nが増大されるほか、この非晶質膜
はHを含んでいるので膜面が平滑なものとなるし、これ
はまた機械的強度、耐久性がすぐれたものとなり、熱伝
導度が小さいのでレーザーの熱拡散が小さくなフて記録
ビットの径の広がりが抑えられるので記録密度が向上さ
れるという有利性が与えられる。[Effects of the Invention] The present invention relates to a magneto-optical recording medium, which is a magneto-optical recording medium in which a substrate is provided with an 8-electroelectric film, a magnetic film, and a reflective film, as described above, in which this electromagnetic material is formed by H. According to this method, this dielectric film has a refractive index of 1.75 to 3.20, which has a large enhancement effect, and also has a high light transmittance. In addition to increasing the C/N ratio, this amorphous film also has a smooth film surface because it contains H, which also has excellent mechanical strength and durability. Since the thermal conductivity is low, the thermal diffusion of the laser is small, which suppresses the expansion of the diameter of the recording bit, giving the advantage that the recording density is improved.
第1図、第2図は光磁気記録媒体の構成図、第3図は実
施例における光磁気記録媒体の水素量と最適記録パワー
変化量との関係グラフ、第4図はこの保持時間と保磁力
変化との関係グラフを示したものである。
7 ・ ・
透明基板
4.8.10・・・誘電体膜(層)
3.9・・・磁性11[5・・・反射膜WJ−声薇
20 4〇
一〜横H量(at%)
第3因Figures 1 and 2 are block diagrams of magneto-optical recording media, Figure 3 is a graph of the relationship between the amount of hydrogen in the magneto-optical recording medium and the amount of change in optimum recording power in the example, and Figure 4 is a graph of the relationship between the retention time and the storage capacity. This is a graph showing the relationship with changes in magnetic force. 7 ・ ・ Transparent substrate 4.8.10... Dielectric film (layer) 3.9... Magnetic 11 [5... Reflective film WJ-voice 20 401 ~ Lateral H amount (at%) Third cause
Claims (1)
性膜、反射膜を設けて成る光磁気記録媒体において、誘
電体層がHを含む非晶質材料からなることを特徴とする
光磁気記録媒体。 2、Hを含む非晶質材料がモル比として2〜30%のH
を有してなるものとされる請求項1に記載の光磁気記録
媒体。 3、Hを含む非晶質材料が屈折率(n)=1.75〜3
.20のものとされる請求項1または2に記載の光磁気
記録媒体。 4、非晶質誘電体膜材料がスパッタリング法により形成
される請求項1、2または3に記載した光磁気記録媒体
。 5、誘電体層がアモルファスSi:Hからなる非晶質材
料から作られる請求項1に記載した光磁気記録媒体。 6、誘電体層がアモルファスSiGe:Hからなる非晶
質材料から作られる請求項1に記載した光磁気記録媒体
。 7、誘電体層がアモルファスSiN:Hからなる非晶質
材料から作られる請求項1に記載した光磁気記録媒体。[Claims] 1. In a magneto-optical recording medium comprising a dielectric layer, a magnetic film, and a reflective film provided on a transparent substrate placed on the light incident side, the dielectric layer is an amorphous material containing H. A magneto-optical recording medium characterized by comprising: 2. The amorphous material containing H has a molar ratio of 2 to 30% H.
2. The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the magneto-optical recording medium comprises: 3. The amorphous material containing H has a refractive index (n) of 1.75 to 3.
.. 3. The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the magneto-optical recording medium has a diameter of 20. 4. The magneto-optical recording medium according to claim 1, 2 or 3, wherein the amorphous dielectric film material is formed by a sputtering method. 5. The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the dielectric layer is made of an amorphous material consisting of amorphous Si:H. 6. The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the dielectric layer is made of an amorphous material consisting of amorphous SiGe:H. 7. The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the dielectric layer is made of an amorphous material consisting of amorphous SiN:H.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18215890A JPH0469832A (en) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18215890A JPH0469832A (en) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | magneto-optical recording medium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0469832A true JPH0469832A (en) | 1992-03-05 |
Family
ID=16113372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18215890A Pending JPH0469832A (en) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | magneto-optical recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0469832A (en) |
-
1990
- 1990-07-10 JP JP18215890A patent/JPH0469832A/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3178025B2 (en) | Magneto-optical recording medium and method of manufacturing the same | |
| JPH02192046A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH03187039A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH0469833A (en) | magneto-optical recording medium | |
| JPH0469832A (en) | magneto-optical recording medium | |
| JPH0296952A (en) | Optical memory element | |
| US5091267A (en) | Magneto-optical recording medium and process for production of the same | |
| US5040166A (en) | Magneto-optical recording medium having a reflective film of Ag and Mn or Ag, Mn and Sn | |
| JPH02265052A (en) | Production of optical recording medium | |
| JP2527762B2 (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH0469834A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JP2622206B2 (en) | Magneto-optical recording medium | |
| EP0475452A2 (en) | Use of a quasi-amorphous or amorphous zirconia dielectric layer for optical or magneto-optic data storage media | |
| JPH04113533A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH02128346A (en) | Magneto-optical disk | |
| JP2754658B2 (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH04134653A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JP3148017B2 (en) | Magneto-optical recording medium and method of manufacturing the same | |
| JPH0766579B2 (en) | Magneto-optical recording medium and manufacturing method thereof | |
| JPH03165350A (en) | magneto-optical recording medium | |
| JP3030713B2 (en) | Magneto-optical recording medium and method of manufacturing the same | |
| JPH04162233A (en) | magneto-optical recording medium | |
| JPH0469835A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH038148A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH03141058A (en) | Magneto-optical recording medium |