JPH0469832A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0469832A JPH0469832A JP18215890A JP18215890A JPH0469832A JP H0469832 A JPH0469832 A JP H0469832A JP 18215890 A JP18215890 A JP 18215890A JP 18215890 A JP18215890 A JP 18215890A JP H0469832 A JPH0469832 A JP H0469832A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magneto
- amorphous
- recording medium
- optical recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は光磁気記録媒体、特には化学的安定性にすぐれ
ており、光透過性がすぐれていてＣ／Ｎもよく、記録密
度の向上をはかることができる光磁気記録媒体に関する
ものである。
ており、光透過性がすぐれていてＣ／Ｎもよく、記録密
度の向上をはかることができる光磁気記録媒体に関する
ものである。
［従来の技術］
近年、情報化社会の進展に伴なって書換可能な光磁気メ
モリが注目を集めており、この光磁気メモリ用磁性膜と
してはＴｂＦｅＣｏなとの希土類元素−遷移金属元素薄
膜が用いられているが、このものは得られるカー回転角
があまり大きくないためにこれには再生信号のＣ／Ｎが
十分でないという欠点がある。
モリが注目を集めており、この光磁気メモリ用磁性膜と
してはＴｂＦｅＣｏなとの希土類元素−遷移金属元素薄
膜が用いられているが、このものは得られるカー回転角
があまり大きくないためにこれには再生信号のＣ／Ｎが
十分でないという欠点がある。
［発明が解決しようとする課題］
そのため、この種の光磁気記録媒体については従来公知
の非晶質磁性体膜の表面にＳｉｎ、 ＳｉＮ。
の非晶質磁性体膜の表面にＳｉｎ、 ＳｉＮ。
ＡｆＮなどの誘電体層（膜）を形成し、その膜厚をλ／
４ｎ（λはレーザー波長、ｎは屈折率）とすることによ
って見かけのカー回転角を増大させ、Ｃ／Ｎを大きくす
る（エンハンス効果）ことが行なわれているが、これに
よる特性向上はまだ不十分てあり、この誘電体層につい
てはさらに高屈折率で透明性のよいものが求められてい
る。
４ｎ（λはレーザー波長、ｎは屈折率）とすることによ
って見かけのカー回転角を増大させ、Ｃ／Ｎを大きくす
る（エンハンス効果）ことが行なわれているが、これに
よる特性向上はまだ不十分てあり、この誘電体層につい
てはさらに高屈折率で透明性のよいものが求められてい
る。
また、最近、この光磁気記録媒体については信号処理の
高速化に対する要求が強くなるにつれてディスクの記録
密度が大きな問題となり、この記録密度を上げるために
誘電体膜の熱伝導率を偉くしてその熱拡散を抑え、レー
ザーの熱効率を上げて記録に要するパワーを小さくする
ということも試みられているが、従来用いられているＳ
ＥＮ、ＡｆｌＮ、 ＳｉＯなどを用いる誘電体膜では熱
伝導率を低く抑えることが難しく、この点からも新しい
膜材料の開発が求められている。
高速化に対する要求が強くなるにつれてディスクの記録
密度が大きな問題となり、この記録密度を上げるために
誘電体膜の熱伝導率を偉くしてその熱拡散を抑え、レー
ザーの熱効率を上げて記録に要するパワーを小さくする
ということも試みられているが、従来用いられているＳ
ＥＮ、ＡｆｌＮ、 ＳｉＯなどを用いる誘電体膜では熱
伝導率を低く抑えることが難しく、この点からも新しい
膜材料の開発が求められている。
他方、従来から使用されている非晶質磁性体膜は希土類
金属を含んでいるが、この希土類金属が極めて酸化され
易いものであるために、これには高温高湿下で簡単に磁
気特性が劣化するという難点があり、上記の誘電体層に
保護膜としての役割を負わせるという提案もあるが、Ｓ
ｉＯなどの酸化物では逆に希土類元素がＳｉＯ中の０と
酸化反応を起こしてしまうためにその効果は十分なもの
ではないし、ＳｉＮ、Ａｉ’Ｎなどの窒化物には、この
ような反応性が小さいので耐蝕性向上という目的には通
しているものの、これには樹脂基板などに成膜するとき
にクラックが生じ易く、機械的強度に問題がある。
金属を含んでいるが、この希土類金属が極めて酸化され
易いものであるために、これには高温高湿下で簡単に磁
気特性が劣化するという難点があり、上記の誘電体層に
保護膜としての役割を負わせるという提案もあるが、Ｓ
ｉＯなどの酸化物では逆に希土類元素がＳｉＯ中の０と
酸化反応を起こしてしまうためにその効果は十分なもの
ではないし、ＳｉＮ、Ａｉ’Ｎなどの窒化物には、この
ような反応性が小さいので耐蝕性向上という目的には通
しているものの、これには樹脂基板などに成膜するとき
にクラックが生じ易く、機械的強度に問題がある。
［課題を解決するための手段］
本発明はこのような課題を解決することのできる光磁気
記録媒体に関するもので、これは光の入射側に置かれる
透明基板上に、誘電体層、磁性膜、反射膜を設けてなる
光磁気記録媒体において、誘電体層がＨを含む非晶質材
料から作られることを特徴とするものである。
記録媒体に関するもので、これは光の入射側に置かれる
透明基板上に、誘電体層、磁性膜、反射膜を設けてなる
光磁気記録媒体において、誘電体層がＨを含む非晶質材
料から作られることを特徴とするものである。
すなわち、本発明者らは光透過性がすぐれていてＣ／Ｎ
もよく、記録密度も向上した光磁気記録媒体を開発すべ
く種々検討した結果、基体上に設けられる誘電体層にＨ
を含む非晶質材料を使用すると、１）膜材料の熱伝導性
を小さくすることができるので、照射するレーザーの熱
拡散が小さいものとなるし、磁性膜の温度上昇が効率よ
く行なわれるので、記録感度の向上をはかることができ
る、２）膜材料がＨを含んでいると熱拡散が小さくなる
ので、記録ビット径の広がりを抑えることができ、記録
密度の向上がはかれる、３）膜原料がＨを含んでいると
アモルファスになり易く、組成の均一性にすぐれた表面
の平滑な膜を得ることができる、４）このものは従来の
保護膜にくらべて剥離し難く、この膜は機械的強度、耐
久性にすぐれているので、記録膜の保護に役に立つ、５
）このものは大きな屈折率をもっているのでエンハンス
効果が大きく、また光透過性もすぐれており、特に可視
−遠赤外領域で極めて高い透過率を有するので、Ｃ／Ｎ
の大きい光磁気記録媒体を得ることができるということ
を見出し、ここに使用するＨを含む非晶質材料の形成方
法などについての研究を進めて本発明を完成させた。
もよく、記録密度も向上した光磁気記録媒体を開発すべ
く種々検討した結果、基体上に設けられる誘電体層にＨ
を含む非晶質材料を使用すると、１）膜材料の熱伝導性
を小さくすることができるので、照射するレーザーの熱
拡散が小さいものとなるし、磁性膜の温度上昇が効率よ
く行なわれるので、記録感度の向上をはかることができ
る、２）膜材料がＨを含んでいると熱拡散が小さくなる
ので、記録ビット径の広がりを抑えることができ、記録
密度の向上がはかれる、３）膜原料がＨを含んでいると
アモルファスになり易く、組成の均一性にすぐれた表面
の平滑な膜を得ることができる、４）このものは従来の
保護膜にくらべて剥離し難く、この膜は機械的強度、耐
久性にすぐれているので、記録膜の保護に役に立つ、５
）このものは大きな屈折率をもっているのでエンハンス
効果が大きく、また光透過性もすぐれており、特に可視
−遠赤外領域で極めて高い透過率を有するので、Ｃ／Ｎ
の大きい光磁気記録媒体を得ることができるということ
を見出し、ここに使用するＨを含む非晶質材料の形成方
法などについての研究を進めて本発明を完成させた。
以下にこれをさらに詳述する。
［作 用コ
本発明の光磁気記録媒体は透明基板上に誘電体層、磁性
膜、反射膜を設けてなる光磁気記録媒体における誘電体
層をＨを含む非晶質材料としたものである。
膜、反射膜を設けてなる光磁気記録媒体における誘電体
層をＨを含む非晶質材料としたものである。
この光磁気記録媒体の構成は公知のものであり、これは
例えば第１図に示したように、トラッキング用ガイドグ
ループが形成されたガラス、石英ガラス、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂などからなる
透明基板１の上に誘電体膜２、磁性膜３、誘電体膜２と
同質の誘電体膜４および反射膜５を順次積層されたもの
であり、これは第２図に示したように透明基板７の上に
誘電体層８、磁性膜９、誘電体１ｉ１０を順次積層した
３層構造のものであってもよく、これらにおいてほこの
透明基板１．７の光の入射側から光６，１１が入射する
と光６は反射ｌｌ１５で反射され、磁性膜の膜厚を厚く
した第２図のものでは入射光１１は磁性膜９で反射され
る。
例えば第１図に示したように、トラッキング用ガイドグ
ループが形成されたガラス、石英ガラス、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂などからなる
透明基板１の上に誘電体膜２、磁性膜３、誘電体膜２と
同質の誘電体膜４および反射膜５を順次積層されたもの
であり、これは第２図に示したように透明基板７の上に
誘電体層８、磁性膜９、誘電体１ｉ１０を順次積層した
３層構造のものであってもよく、これらにおいてほこの
透明基板１．７の光の入射側から光６，１１が入射する
と光６は反射ｌｌ１５で反射され、磁性膜の膜厚を厚く
した第２図のものでは入射光１１は磁性膜９で反射され
る。
本発明の光磁、気記録媒体ではこの誘電体膜２゜８およ
び／または４．１０が前記したＨを含む非晶質材料で形
成されるのであるが、このＨを含む非晶質材料としては
アモルファスＳｉ：Ｈ膜、アモルファス５ｉＧｅ：Ｈｗ
Ａ、アモルファスＳｉＮ：Ｈ膜などが例示される。この
誘電体膜の形成はターゲットとしてＳｉ、 ５ｉＧｅ、
ＳｉＮなどを用い、高周波電源を用い、真空装置内を形
成する膜の種類に応じてＨ２，５ｉＨ４ＧｅＨ４、Ｎ２
．Ｎ）ｈなどのガス雰囲気としてスパッタリング法で行
えばよい。
び／または４．１０が前記したＨを含む非晶質材料で形
成されるのであるが、このＨを含む非晶質材料としては
アモルファスＳｉ：Ｈ膜、アモルファス５ｉＧｅ：Ｈｗ
Ａ、アモルファスＳｉＮ：Ｈ膜などが例示される。この
誘電体膜の形成はターゲットとしてＳｉ、 ５ｉＧｅ、
ＳｉＮなどを用い、高周波電源を用い、真空装置内を形
成する膜の種類に応じてＨ２，５ｉＨ４ＧｅＨ４、Ｎ２
．Ｎ）ｈなどのガス雰囲気としてスパッタリング法で行
えばよい。
このようにして得た誘電体膜は厚さが５００〜１．００
０人のものとされるが、このものは屈折率が１．７５未
満では媒体表面での光の多重反射によるθ３の見かけ上
の増大（エンハンス効果）が期待できず、逆に３，２０
より大きくしようとすると膜質が低下し、機械的強度や
耐久性に悪影響が及ぼされるので、屈折率（ｎ）が１．
７５〜３．２０のものとすることが望ましい。
０人のものとされるが、このものは屈折率が１．７５未
満では媒体表面での光の多重反射によるθ３の見かけ上
の増大（エンハンス効果）が期待できず、逆に３，２０
より大きくしようとすると膜質が低下し、機械的強度や
耐久性に悪影響が及ぼされるので、屈折率（ｎ）が１．
７５〜３．２０のものとすることが望ましい。
なお、本発明の光磁気記録媒体は基体上に成膜されたこ
の誘電体膜の上に磁性膜と反射膜を形成するのであるが
、これらはいずれも公知のものでよく、この磁性膜は希
土類元素−遷移金属元素膜からなるもの、したがってＴ
ｂ、 Ｄｙ、 Ｇｄ、 Ｎｄなどの希土類元素とＦｅ、
Ｇｏ、 Ｎｉなとの遷り金属元素からなる、例えばＴ
ｂＦｅ、 ＴｂＦｅＣｏ、 Ｇｄ丁ｂＦｅ、 ＧｄＤｙ
ＦｅＣｏなどからなる非晶質金属膜を第１図の構造のも
のでは２００〜５００人、第２図の構造のものでは８０
０〜１、．０００人程度の厚さでスパッタリング法で形
成すればよく、この反射層はＡρ、 Ｃｕ、 Ａｕ、
Ａｇなどの金属膜を厚さ２００〜１，０００人程度で設
ければよい。
の誘電体膜の上に磁性膜と反射膜を形成するのであるが
、これらはいずれも公知のものでよく、この磁性膜は希
土類元素−遷移金属元素膜からなるもの、したがってＴ
ｂ、 Ｄｙ、 Ｇｄ、 Ｎｄなどの希土類元素とＦｅ、
Ｇｏ、 Ｎｉなとの遷り金属元素からなる、例えばＴ
ｂＦｅ、 ＴｂＦｅＣｏ、 Ｇｄ丁ｂＦｅ、 ＧｄＤｙ
ＦｅＣｏなどからなる非晶質金属膜を第１図の構造のも
のでは２００〜５００人、第２図の構造のものでは８０
０〜１、．０００人程度の厚さでスパッタリング法で形
成すればよく、この反射層はＡρ、 Ｃｕ、 Ａｕ、
Ａｇなどの金属膜を厚さ２００〜１，０００人程度で設
ければよい。
［実施例］
つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。
実施例１〜３．比較例１〜２
アモルファス５ｉｌＨ膜、アモルファス５ｉＧｅ・）１
８、アモルファスＳｉＮ：Ｈ膜をスパッタリング法で作
ることとし、ポリカーボネート基板上にターゲットとし
てＳｉ、５ｒＧｅ、 ＳｉＮを載置し、アルゴンガス８
０％、水素ガス２０％のガス雰囲気を１００トールとし
、高周波出力３００ｗという条件でスパッタリングして
アモルファスＳｉ：Ｈ膜、アモルファス５ｉＧｅ：）Ｉ
膜、アモルファスＳｉＮ：Ｈ膜を各々７５０人、７００
人、１１００人の厚さで形成させ、ついて、これにＴｂ
ＦａＭｉ性膜、アモルファス誕導体膜、アルミニウム反
射膜を・アルゴンガス圧７＠トール、高周波出力２００
Ｗという条件でスパッタリングして厚さ２００人の磁性
膜、３００人の誘導体膜、５００人の反射膜を設けて光
磁気記録媒体をつくり、誘電体膜を形成する各元素をＲ
ＢＳ、 ＨＦＳで分析すると共に、このモル組成比、屈
折率、光透過率をしらべたところ、第１表に示したとお
りの結果が得られ、この光磁気記録媒体における水素量
と最適記録パワー変化量との関係をしらべたところ、第
３図に示したとおりの結果が得られた。また、８０℃、
８５％ＲＨにおける耐久性を調べたところ、第４図に示
したように一般によく用いられているＳｉＮにくらべて
耐久性にすぐれているものであった。
８、アモルファスＳｉＮ：Ｈ膜をスパッタリング法で作
ることとし、ポリカーボネート基板上にターゲットとし
てＳｉ、５ｒＧｅ、 ＳｉＮを載置し、アルゴンガス８
０％、水素ガス２０％のガス雰囲気を１００トールとし
、高周波出力３００ｗという条件でスパッタリングして
アモルファスＳｉ：Ｈ膜、アモルファス５ｉＧｅ：）Ｉ
膜、アモルファスＳｉＮ：Ｈ膜を各々７５０人、７００
人、１１００人の厚さで形成させ、ついて、これにＴｂ
ＦａＭｉ性膜、アモルファス誕導体膜、アルミニウム反
射膜を・アルゴンガス圧７＠トール、高周波出力２００
Ｗという条件でスパッタリングして厚さ２００人の磁性
膜、３００人の誘導体膜、５００人の反射膜を設けて光
磁気記録媒体をつくり、誘電体膜を形成する各元素をＲ
ＢＳ、 ＨＦＳで分析すると共に、このモル組成比、屈
折率、光透過率をしらべたところ、第１表に示したとお
りの結果が得られ、この光磁気記録媒体における水素量
と最適記録パワー変化量との関係をしらべたところ、第
３図に示したとおりの結果が得られた。また、８０℃、
８５％ＲＨにおける耐久性を調べたところ、第４図に示
したように一般によく用いられているＳｉＮにくらべて
耐久性にすぐれているものであった。
しかし、比較のために上記における誘電体膜の形成をア
ルゴンガス雰囲気におけるスパッタリングとしてＨを含
まないＳｉ、５ｉＧｅ、 ＳｉＮ ｇからなるものとし
、このもののモル組成比、屈折率、光透過率をしらへた
ところ、第１表に併記したとおりの結果が得られ、これ
についての記録感度をしらべたところ、このものは熱伝
導率が高く、透過率も下がるので記録感度は上記実施例
のものにくらべて劣るものであった。
ルゴンガス雰囲気におけるスパッタリングとしてＨを含
まないＳｉ、５ｉＧｅ、 ＳｉＮ ｇからなるものとし
、このもののモル組成比、屈折率、光透過率をしらへた
ところ、第１表に併記したとおりの結果が得られ、これ
についての記録感度をしらべたところ、このものは熱伝
導率が高く、透過率も下がるので記録感度は上記実施例
のものにくらべて劣るものであった。
［発明の効果］
本発明は光磁気記録媒体に関するもので、これは前記し
たように基板に８電体膜、磁性膜、反射膜を設けた光磁
気記録媒体において、この誕電体をＨを含む非晶質材料
とするというものであり、これによればこの誘電体膜が
屈折率１．７５〜３．２０のものとなるので大きなエン
ハンス効果をもつものとなり、これはまた光透過性がす
ぐれているのでＣ／Ｎが増大されるほか、この非晶質膜
はＨを含んでいるので膜面が平滑なものとなるし、これ
はまた機械的強度、耐久性がすぐれたものとなり、熱伝
導度が小さいのでレーザーの熱拡散が小さくなフて記録
ビットの径の広がりが抑えられるので記録密度が向上さ
れるという有利性が与えられる。
たように基板に８電体膜、磁性膜、反射膜を設けた光磁
気記録媒体において、この誕電体をＨを含む非晶質材料
とするというものであり、これによればこの誘電体膜が
屈折率１．７５〜３．２０のものとなるので大きなエン
ハンス効果をもつものとなり、これはまた光透過性がす
ぐれているのでＣ／Ｎが増大されるほか、この非晶質膜
はＨを含んでいるので膜面が平滑なものとなるし、これ
はまた機械的強度、耐久性がすぐれたものとなり、熱伝
導度が小さいのでレーザーの熱拡散が小さくなフて記録
ビットの径の広がりが抑えられるので記録密度が向上さ
れるという有利性が与えられる。
第１図、第２図は光磁気記録媒体の構成図、第３図は実
施例における光磁気記録媒体の水素量と最適記録パワー
変化量との関係グラフ、第４図はこの保持時間と保磁力
変化との関係グラフを示したものである。 ７ ・ ・ 透明基板 ４．８．１０・・・誘電体膜（層） ３．９・・・磁性１１［５・・・反射膜ＷＪ−声薇 ２０ ４〇 一〜横Ｈ量（ａｔ％） 第３因
施例における光磁気記録媒体の水素量と最適記録パワー
変化量との関係グラフ、第４図はこの保持時間と保磁力
変化との関係グラフを示したものである。 ７ ・ ・ 透明基板 ４．８．１０・・・誘電体膜（層） ３．９・・・磁性１１［５・・・反射膜ＷＪ−声薇 ２０ ４〇 一〜横Ｈ量（ａｔ％） 第３因
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光の入射側に置かれる透明基板上に、誘電体層、磁
性膜、反射膜を設けて成る光磁気記録媒体において、誘
電体層がＨを含む非晶質材料からなることを特徴とする
光磁気記録媒体。 ２、Ｈを含む非晶質材料がモル比として２〜３０％のＨ
を有してなるものとされる請求項１に記載の光磁気記録
媒体。 ３、Ｈを含む非晶質材料が屈折率（ｎ）＝１．７５〜３
．２０のものとされる請求項１または２に記載の光磁気
記録媒体。 ４、非晶質誘電体膜材料がスパッタリング法により形成
される請求項１、２または３に記載した光磁気記録媒体
。 ５、誘電体層がアモルファスＳｉ：Ｈからなる非晶質材
料から作られる請求項１に記載した光磁気記録媒体。 ６、誘電体層がアモルファスＳｉＧｅ：Ｈからなる非晶
質材料から作られる請求項１に記載した光磁気記録媒体
。 ７、誘電体層がアモルファスＳｉＮ：Ｈからなる非晶質
材料から作られる請求項１に記載した光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18215890A JPH0469832A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18215890A JPH0469832A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0469832A true JPH0469832A (ja) | 1992-03-05 |
Family
ID=16113372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18215890A Pending JPH0469832A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0469832A (ja) |
-
1990
- 1990-07-10 JP JP18215890A patent/JPH0469832A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3178025B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH02192046A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH03187039A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0469833A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0469832A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0296952A (ja) | 光学記憶素子 | |
| US5091267A (en) | Magneto-optical recording medium and process for production of the same | |
| US5040166A (en) | Magneto-optical recording medium having a reflective film of Ag and Mn or Ag, Mn and Sn | |
| JPH02265052A (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
| JP2527762B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0469834A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP2622206B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| EP0475452A2 (en) | Use of a quasi-amorphous or amorphous zirconia dielectric layer for optical or magneto-optic data storage media | |
| JPH04113533A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH02128346A (ja) | 光磁気デイスク | |
| JP2754658B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH04134653A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3148017B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH0766579B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPH03165350A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3030713B2 (ja) | 光磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH04162233A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0469835A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH038148A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH03141058A (ja) | 光磁気記録媒体 |