JPH0469835A - Magneto-optical recording medium - Google Patents
Magneto-optical recording mediumInfo
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- JPH0469835A JPH0469835A JP18216190A JP18216190A JPH0469835A JP H0469835 A JPH0469835 A JP H0469835A JP 18216190 A JP18216190 A JP 18216190A JP 18216190 A JP18216190 A JP 18216190A JP H0469835 A JPH0469835 A JP H0469835A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は光磁気記録媒体、特には化学的安定性、光透過
性がすぐれていてC/Nもよく、記録密度の向上をはか
ることができる光磁気記録媒体に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a magneto-optical recording medium, particularly a magneto-optical recording medium that has excellent chemical stability and optical transparency, has a good C/N, and can improve recording density. This relates to magneto-optical recording media that can be used.
[従来の技術]
近年、情報化社会の進展に件なって書換可能な光磁気メ
モリが注目を集めており、この光磁気メモリ用磁性膜と
してはTbFeCoなとの希土類元素−遷移金属元素薄
膜が用いられているが、このものは得られるカー回転角
があまり大きくないためにこれには再生信号のC/Nが
十分でないという欠点がある。[Prior Art] In recent years, with the advancement of the information society, rewritable magneto-optical memory has attracted attention, and rare earth element-transition metal element thin films such as TbFeCo are used as magnetic films for this magneto-optical memory. However, this method has the disadvantage that the obtained Kerr rotation angle is not very large and the C/N of the reproduced signal is not sufficient.
[発明が解決しようとする!!!題]
そのため、この種の光磁気記録媒体については従来公知
の非晶質磁性体膜の表面にSiH4 SiN。[Invention tries to solve! ! ! Problem] Therefore, for this type of magneto-optical recording medium, SiH4 SiN is used on the surface of a conventionally known amorphous magnetic film.
AiNなどの誘電体層(膜)を形成し、その膜厚をλ/
4n(λはレーザー波長、nは屈折率)とすることによ
って見かけのカー回転角を増大させ、C/Nを大きくす
る(エンハンス効果)ことが行なわれているが、これに
よる特性向上はまだ不十分であり、この誘電体層につい
てはさらに高屈折率で透明性のよいものが求められてい
る。A dielectric layer (film) such as AiN is formed, and its thickness is set to λ/
4n (λ is the laser wavelength, n is the refractive index) to increase the apparent Kerr rotation angle and increase the C/N (enhancement effect), but the improvement in characteristics by this is still unresolved. This is sufficient, and this dielectric layer is required to have an even higher refractive index and better transparency.
また、最近、この光磁気記録媒体については信号IA埋
の高速化に対する要求が強くなるにつれてディスクの記
録感度が大きな問題となり、この記録感度を上げるため
に誘電体膜の熱伝導率を低くしてその熱拡散を抑え、レ
ーザーの熱効率を上げて記録に要するパワーを小さくす
るということも試みられているが、従来用いられている
SiN、AJ2N、 SiOなどを用いる誘電体膜では
熱伝導率を低く抑えることが難しく、この点からも新し
い膜材料の開発が求められている。Recently, with regard to magneto-optical recording media, the recording sensitivity of the disk has become a major problem as the demand for faster signal IA filling has become stronger, and in order to increase this recording sensitivity, the thermal conductivity of the dielectric film has been lowered. Attempts have been made to suppress the thermal diffusion and increase the thermal efficiency of the laser to reduce the power required for recording, but conventionally used dielectric films made of SiN, AJ2N, SiO, etc. have low thermal conductivity. This is difficult to suppress, and from this point of view, there is a need for the development of new membrane materials.
他方、従来からここに使用されている非晶買磁性体膜は
希土類金属を含んだものとされているが、この希土類金
属が極めて酸化され易いものであるために、これには高
温高湿下で簡単に磁気特性が劣化するという難点があり
、上記の誘電体層に保護膜としての役割を負わせるとい
う提案もあるが、SiN、AjNなどの窒化物には、こ
のような反応性が小さいので耐蝕性向上という目的には
通しているものの、これには樹脂基板などに成膜すると
きにクラックが生じ易く、機械的強度に問題がある。な
お、SiOなとの酸化物は機械的強度の面では窒化物よ
りすぐれているものの、これには膜中の過剰の02が磁
性膜中の希土類と反応して磁性膜の性能を劣化させてし
まうという欠点があった。On the other hand, the amorphous magnetism film conventionally used here is said to contain rare earth metals, but since these rare earth metals are extremely easily oxidized, they cannot be used under high temperature and high humidity conditions. However, nitrides such as SiN and AjN have low reactivity, and there is a proposal to use the dielectric layer described above as a protective film. Therefore, although it is successful in improving corrosion resistance, it tends to crack when it is deposited on a resin substrate or the like, and there are problems with mechanical strength. Note that although oxides such as SiO are superior to nitrides in terms of mechanical strength, the excess 02 in the film reacts with the rare earths in the magnetic film and deteriorates the performance of the magnetic film. There was a drawback that it could be stored away.
[課題を解決するための手段]
本発明はこのような課題を解決することのできる光磁気
記録媒体に関するもので、これは光の入射側に置かれる
透明基板上に、誘電体層、磁性膜、反射膜を設けてなる
光磁気記録媒体において、誘電体層がHを含むSiOか
らなる非晶質材料から作られることを特徴とするもので
ある。[Means for Solving the Problems] The present invention relates to a magneto-optical recording medium that can solve the above problems, and includes a dielectric layer and a magnetic film on a transparent substrate placed on the light incident side. , a magneto-optical recording medium provided with a reflective film, characterized in that the dielectric layer is made of an amorphous material made of SiO containing H.
すなわち、本発明者らは光透過性がすぐれていてC/N
もよく、記B密度も向上した光磁気記録媒体を開発すべ
く種々検討した結果、基体上に設けられる誘電体層にH
を含むSiOからなる非晶質材1I4(以下アモルファ
スSiO:H膜材料と略記する)で作ると、l)この膜
材料がHを含んでいるので、Hを含まないSiOIll
にくらべて磁性膜との反応が小さく、耐久性のすぐれた
ものになる、2)このアモルファスSiO:)Iliは
Hを含んでいるのでHを含まないSiO膜にくらべて熱
伝導性が小さく、照射するレーザーの熱拡散を抑えられ
、効率よく温度上昇させることができるので、記録感度
を上昇させることができる、3ン膜材料がHを含み熱拡
散が小さいので、記録ビット径の広がりを抑えることが
でき、記録密度の向上をはかることができる、4)wA
膜材料Hを含んでいるのでこのものはアモルファスにな
り易く、組成の均一性にすぐれた、表面の平滑な膜を得
ることができる、5)これは光透過性がすぐれており、
特に可視−赤外領域では極めて高い透過性を示すので、
C/Nの大きな光磁気記録媒体を得ることができる、と
いうことを見出し、この非晶質材料の形成方法などにつ
いての研究を進めて本発明を完成させた。In other words, the present inventors found that the C/N
As a result of various studies aimed at developing a magneto-optical recording medium with improved B density, H
When made from an amorphous material 1I4 (hereinafter abbreviated as amorphous SiO:H film material) made of SiO containing
2) This amorphous SiO:) Ili contains H, so it has lower thermal conductivity than a SiO film that does not contain H. Thermal diffusion of the irradiating laser can be suppressed and the temperature can be raised efficiently, so recording sensitivity can be increased.The 3-layer film material contains H and thermal diffusion is small, suppressing the expansion of the recording bit diameter. 4) wA
Since it contains film material H, this material tends to become amorphous, and a film with excellent compositional uniformity and a smooth surface can be obtained.5) This material has excellent light transmittance;
In particular, it exhibits extremely high transparency in the visible-infrared region, so
The inventors discovered that it was possible to obtain a magneto-optical recording medium with a large C/N ratio, conducted research on methods for forming this amorphous material, and completed the present invention.
以下にこれをさらに詳述する。This will be explained in further detail below.
[作 用コ
本発明の光磁気記録媒体は透明基板上に誘電体層、磁性
膜、反射膜を設けてなる光磁気記録媒体における誘電体
膜をアモルファスSiO:)!膜としたものである。[Function] In the magneto-optical recording medium of the present invention, the dielectric film in the magneto-optical recording medium is formed by providing a dielectric layer, a magnetic film, and a reflective film on a transparent substrate using amorphous SiO:)! It is made into a membrane.
この光磁気記録媒体の構成は公知のものであり、これは
例えば第1図に示したように、トラッキング用ガイドグ
ループが形成されたガラス、石英ガラス、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂などからなる
透明基板1の上に誘電体@2、磁性膜3、誘電体膜2と
同質の8電体1]i4および反射膜5を順次積層された
ものであり、これは第2図に示したように透明基板7の
上に誘電体膜8、磁性膜9、誘電体膜lOを順次積層し
た3層構造のものであってもよく、これらにおいてはこ
の透明基板1.7の光の入射側から光6.11が入射す
ると光6は反射膜5で反射され、磁性膜の膜厚を厚くし
た第2図のものでは入射光11は磁性膜9で反射される
。The structure of this magneto-optical recording medium is known, and as shown in FIG. A dielectric @ 2, a magnetic film 3, an 8-electric material 1]i4 of the same quality as the dielectric film 2, and a reflective film 5 are sequentially laminated on a substrate 1, as shown in Fig. 2. It may also have a three-layer structure in which a dielectric film 8, a magnetic film 9, and a dielectric film 10 are sequentially laminated on the transparent substrate 7, and in these, light is transmitted from the light incident side of the transparent substrate 1.7. 6.11 is incident, the light 6 is reflected by the reflective film 5, and in the case of FIG. 2 in which the thickness of the magnetic film is increased, the incident light 11 is reflected by the magnetic film 9.
本発明の光磁気記録媒体ではこの誘電体膜28および/
または4,10が前記したアモルファスSiO:)l膜
で形成されるのであるが、この誘電体膜については水素
を含有させることによって水素を含まないものにくらべ
て熱伝導率、熱拡散が小さくなり、これによって記録感
度が向上されるし、表面平滑な膜が得られるので、これ
はモル比で2〜40%の水素を含むものとすることがよ
く、このSiOについては0量が過剰のときには磁性膜
中のTbと反応を起こし、これの特性を劣化させるので
このSiと0とのモル比は90〜50・10〜50の範
囲とすることがよい。また、このアモルファスSin:
)IIIMについてはその屈折率が175未満ては十分
なエンハンス効果が期待できず、2.50より大きくし
ようとする透過率および膜質の低下がもたらされてC/
Nが低下したり、機械的強度や耐久性に悪影響が及ぼさ
れるので、これは1.75〜2.50の範囲とすること
がよい。In the magneto-optical recording medium of the present invention, the dielectric film 28 and/or
Alternatively, 4 and 10 are formed from the amorphous SiO: Since this improves the recording sensitivity and provides a film with a smooth surface, it is often made to contain hydrogen in a molar ratio of 2 to 40%, and when the amount of SiO is in excess, it is difficult to form a magnetic film. The molar ratio of Si and 0 is preferably in the range of 90 to 50 and 10 to 50, since it reacts with Tb in the silicon and deteriorates its properties. Also, this amorphous Sin:
) For IIIM, if the refractive index is less than 175, a sufficient enhancement effect cannot be expected, and attempts to make it larger than 2.50 result in a decrease in transmittance and film quality, resulting in C/
This value is preferably in the range of 1.75 to 2.50 since this may reduce N and adversely affect mechanical strength and durability.
なお、このアモルファスSiO:H膜の形成はプラズマ
CVDまたはスパッタリング法で行えばよい。Note that this amorphous SiO:H film may be formed by plasma CVD or sputtering.
このプラズマCVD法はSiH,とN20ガスを反応装
置内に導入し、これをプラズマで励起して分解させて基
板にSin:H膜を形成させればよく、この場合には4
00℃以下の低温でも成膜が可能となるので樹脂基板の
ように耐熱性が問題とされる場合に有利性が与えられる
。またこのスパッタリング法はSiOをターゲットとし
、アルゴン−水素混合ガス雰囲気において高周波電力を
用いてスパッタリングすればよいが、これはSiOまた
はSiH4をターゲットとし、SiO4ガス雰囲気また
はアルゴン−SiH4混合ガス雰囲気下にスパッタリン
グ法でアモルファスSiO:Hmを形成させるようにし
てもよい。In this plasma CVD method, SiH and N20 gases are introduced into a reaction apparatus, and these are excited and decomposed by plasma to form a Sin:H film on the substrate.
Since it is possible to form a film even at a low temperature of 00° C. or lower, it is advantageous in cases where heat resistance is a problem, such as in the case of resin substrates. In addition, this sputtering method uses SiO as a target and performs sputtering using high-frequency power in an argon-hydrogen mixed gas atmosphere. Alternatively, amorphous SiO:Hm may be formed by a method.
なお、本発明の光磁気記録媒体は基体上に成膜されたこ
の誘電体膜の上に磁性膜と反射膜を形成するのであるが
、これらはいずれも公知のものでよく、この磁性膜は希
土類元素−遷移金属元素膜からなるもの、したがってT
b、 Dy、 Gd、 Ndなどの希土類元素とFe、
Go、 Niなとの遷移金属元素からなる、例えばT
bFe、 TbFeCo、 GdTbFe、 GdDy
FeCoなどからなる非晶質金属膜を第1図の構造のも
のでは200〜500人、第2図の構造のものでは80
0〜1、CIoO人程度0厚さでスパッタリング法で形
成すればよく、この反射層はAi’、 Cu、^u、
A3などの金属膜を厚さ200〜1,000人程1で設
ければよい。Incidentally, in the magneto-optical recording medium of the present invention, a magnetic film and a reflective film are formed on the dielectric film formed on the substrate, and both of these may be of known type. consisting of a rare earth element-transition metal element film, therefore T
b, Rare earth elements such as Dy, Gd, and Nd and Fe,
Made of transition metal elements such as Go and Ni, for example T
bFe, TbFeCo, GdTbFe, GdDy
An amorphous metal film made of FeCo or the like with the structure shown in Figure 1 requires 200 to 500 people, and with the structure shown in Figure 2 it requires 80 people.
The reflective layer may be formed by sputtering to a thickness of about 0 to 1, CIoO.
A metal film such as A3 may be provided with a thickness of about 200 to 1,000.
[実施例コ つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。[Example code] Next, examples of the present invention and comparative examples will be given.
実施例、比較例1〜2
ガラス基板上にターゲットとしてのSiOを載置し、ア
ルゴンガス8G%、 SiH4ガス20%の混合ガス雰
囲気に出力300mの高周波を用いてスパッタリング法
でアモルファスSiO:H膜を形成させ、このもののモ
ル組成比、膜の屈折率、透過率をしらべたところ、第1
表に示したとおりの結果が得られた。Examples, Comparative Examples 1 and 2 SiO as a target was placed on a glass substrate, and an amorphous SiO:H film was formed by sputtering using a high frequency with an output of 300 m in a mixed gas atmosphere of 8G% argon gas and 20% SiH4 gas. was formed, and the molar composition ratio, refractive index, and transmittance of the film were investigated.
The results shown in the table were obtained.
また、比較のために上記における雰囲気をアルゴンガス
100%からなるものとしたほかは上記と同様に処理し
てHを含まないSiC膜を作る(比較例1)と共に、従
来から使用されているSiN膜(比較例2)についてそ
の屈折率、透過率をしらべたところ、第1表に併記した
とおりの結果が得られた。In addition, for comparison, the above atmosphere was changed to 100% argon gas, but the same process as above was used to produce a SiC film that does not contain H (Comparative Example 1). When the refractive index and transmittance of the film (Comparative Example 2) were examined, the results shown in Table 1 were obtained.
つぎに第1図に示したような光磁気記録媒体を作るべく
、ポリカーボネート基板上にスバッタリングン去でアモ
ルファスSiO:Htmを厚さ1,000人にに形成し
、この1にアルゴンガス圧7mトール、高周波電力20
0Wという条件で厚さ200人のTbFe磁性膜と厚さ
300人のSiO:)l膜および500人のアルミニウ
ム反射膜を形成し、このもののH%i: !A’ iる
最適記録パワーを測定したところ、第3図に小した当り
の結果が得られた。Next, in order to make a magneto-optical recording medium as shown in Figure 1, amorphous SiO:Htm was formed on a polycarbonate substrate to a thickness of 1,000 mm by sputtering, and argon gas pressure was applied to this layer. 7m tall, high frequency power 20
Under the condition of 0 W, a 200-thick TbFe magnetic film, a 300-thick SiO:)l film, and a 500-thick aluminum reflective film were formed, and their H%i: ! When the optimum recording power was measured, the results shown in FIG. 3 were slightly hit.
また、この光磁気記録媒体については85℃、85%R
Hにおける耐久試験を行な一フだところ、第4図に示し
たとおりの結果か得られ、このものは極めてすぐれた耐
食性を示したが、比較のために上記した比較例1.2で
作られたSiC,SiNを用いたものは第4図に示した
ように試験中に8電体膜の剥離、クランクの発生などで
性能に劣化がみられた。Moreover, for this magneto-optical recording medium, 85°C, 85%R
After conducting a durability test on H, the results shown in Figure 4 were obtained, indicating that this product had extremely excellent corrosion resistance. As shown in FIG. 4, the performance of the devices using SiC and SiN deteriorated during testing due to peeling of the 8-electrode film and occurrence of cranks.
累
表
(発明の効果)
本発明は光6n気記録媒体に関するもので、これは前記
したように基板に8電体膜、磁性膜、反射膜を設けた光
磁気記録媒体において、この話π体をHを含むSiOか
らなる非晶M層重とするというものであり、これによれ
ばこの8電体膜が屈折率1.75〜2.50のものとな
るので大きなエンハンス効果をもつものとなり、また光
透過性がすぐれているのでC/Nが増大されるほか、こ
の非晶質膜はHを含んでいるのて膜面が平滑なものとな
るし、これはまた機械的強度、耐久性がすぐれたものと
なり、熱伝導度が小さいのでレーザーの熱拡散が小さく
なって記録ビットの径の広がりが抑えられるので記録密
度が向上されるという有利性が与えられる。Summary (Effects of the Invention) The present invention relates to an optical 6n optical recording medium, which is a magneto-optical recording medium in which a substrate is provided with an 8-electroelectric film, a magnetic film, and a reflective film. is made of an amorphous M layer made of SiO containing H. According to this, this 8-electrode film has a refractive index of 1.75 to 2.50, so it has a large enhancement effect. In addition, the C/N ratio is increased due to its excellent light transmittance, and since this amorphous film contains H, the film surface becomes smooth, which also improves mechanical strength and durability. Since the thermal conductivity is low, the thermal diffusion of the laser is reduced, and the expansion of the diameter of the recording bit is suppressed, so that the recording density is improved.
第1図、第2図は光磁気記録媒体の構成図、第3図は実
施例における光磁気記録媒体の水素Iと最適記録パワー
変化量との関係グラフ、第4図は実施例、比較例による
光磁気記録媒体の85℃、85%RHにおける耐久性試
験結果グラフを示したものである。
1.7・・・透明基板
2.4.8.10・・・誘電体膜(ffi)3.9・・
・磁性膜
5・・・反射膜
特許出願人 信越化学工業株式会社
荒 井 鐘 1−ビキ楚、
− −ト4 量 (al °X)第3図Figures 1 and 2 are configuration diagrams of magneto-optical recording media, Figure 3 is a graph of the relationship between hydrogen I and optimum recording power variation of the magneto-optical recording medium in the example, and Figure 4 is the example and comparative example. This is a graph showing the results of a durability test of a magneto-optical recording medium at 85° C. and 85% RH. 1.7... Transparent substrate 2.4.8.10... Dielectric film (ffi) 3.9...
・Magnetic film 5... Reflective film Patent applicant: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Kane Arai 1-Biki Chu, - -to4 Quantity (al °X) Figure 3
Claims (1)
性膜、反射膜を設けて成る光磁気記録媒体において、誘
電体層がHを含むSiOからなる非晶質材料からなるこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。 2、Hを含むSiOからなる非晶質材料がモル比として
2〜40%のHを含むものとされる請求項1に記載の光
磁気記録媒体。 3、Hを含むSiOからなる非晶質材料におけるSiO
のSiとOのモル比がSi:O(モル比)=90〜50
:10〜50である請求項1に記載の光磁気記録媒体。 4、Hを含むSiOからなる非晶質材料が屈折率(n)
=1.75〜2.50のものとされる請求項1に記載の
光磁気記録媒体。 5、Hを含むSiOからなる非晶質材料がプラズマCV
D法またはスパッタリング法によって形成されてなるも
のである請求項1に記載の光磁気記録媒体。 6、Hを含むSiOからなる非晶質材料がSiOをター
ゲットとし、アルゴン−H_2混合ガス雰囲気中でのス
パッタリング法により形成されてなるものである請求項
1または5に記載の光磁気記録媒体。 7、Hを含むSiOからなる非晶質材料がSiOまたは
SiO_2をターゲットとし、SiH_4ガス雰囲気ま
たはアルゴン−SiH_4混合ガス雰囲気でのスパッタ
リング法により形成されてなるものである請求項1また
は5に記載の光磁気記録媒体。 8、Hを含むSiOからなる非晶質材料がSiH_4ガ
スとN_2Oガスを原料とするプラズマCVD法によつ
て形成されてなるものである請求項1または5に記載の
光磁気記録媒体。[Claims] 1. A magneto-optical recording medium in which a dielectric layer, a magnetic film, and a reflective film are provided on a transparent substrate placed on the light incident side, in which the dielectric layer is a non-containing material made of SiO containing H. A magneto-optical recording medium characterized by being made of a crystalline material. 2. The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the amorphous material made of SiO containing H contains H in a molar ratio of 2 to 40%. 3. SiO in an amorphous material made of SiO containing H
The molar ratio of Si and O is Si:O (molar ratio) = 90 to 50
2. The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein: 4. An amorphous material made of SiO containing H has a refractive index (n)
2. The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the magneto-optical recording medium has a value of 1.75 to 2.50. 5. Amorphous material made of SiO containing H is plasma CV
2. The magneto-optical recording medium according to claim 1, which is formed by the D method or the sputtering method. 6. The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the amorphous material made of SiO containing H is formed by sputtering using SiO as a target in an argon-H_2 mixed gas atmosphere. 7. The amorphous material made of SiO containing H is formed by sputtering using SiO or SiO_2 as a target in an SiH_4 gas atmosphere or an argon-SiH_4 mixed gas atmosphere. Magneto-optical recording medium. 8. The magneto-optical recording medium according to claim 1, wherein the amorphous material made of SiO containing H is formed by a plasma CVD method using SiH_4 gas and N_2O gas as raw materials.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18216190A JPH0469835A (en) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | Magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18216190A JPH0469835A (en) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | Magneto-optical recording medium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0469835A true JPH0469835A (en) | 1992-03-05 |
Family
ID=16113423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18216190A Pending JPH0469835A (en) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | Magneto-optical recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0469835A (en) |
-
1990
- 1990-07-10 JP JP18216190A patent/JPH0469835A/en active Pending
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