JPH0469835A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0469835A JPH0469835A JP18216190A JP18216190A JPH0469835A JP H0469835 A JPH0469835 A JP H0469835A JP 18216190 A JP18216190 A JP 18216190A JP 18216190 A JP18216190 A JP 18216190A JP H0469835 A JPH0469835 A JP H0469835A
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- JP
- Japan
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- film
- magneto
- optical recording
- recording medium
- sio
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は光磁気記録媒体、特には化学的安定性、光透過
性がすぐれていてＣ／Ｎもよく、記録密度の向上をはか
ることができる光磁気記録媒体に関するものである。
性がすぐれていてＣ／Ｎもよく、記録密度の向上をはか
ることができる光磁気記録媒体に関するものである。
［従来の技術］
近年、情報化社会の進展に件なって書換可能な光磁気メ
モリが注目を集めており、この光磁気メモリ用磁性膜と
してはＴｂＦｅＣｏなとの希土類元素−遷移金属元素薄
膜が用いられているが、このものは得られるカー回転角
があまり大きくないためにこれには再生信号のＣ／Ｎが
十分でないという欠点がある。
モリが注目を集めており、この光磁気メモリ用磁性膜と
してはＴｂＦｅＣｏなとの希土類元素−遷移金属元素薄
膜が用いられているが、このものは得られるカー回転角
があまり大きくないためにこれには再生信号のＣ／Ｎが
十分でないという欠点がある。
［発明が解決しようとする！！！題］
そのため、この種の光磁気記録媒体については従来公知
の非晶質磁性体膜の表面にＳｉＨ４ ＳｉＮ。
の非晶質磁性体膜の表面にＳｉＨ４ ＳｉＮ。
ＡｉＮなどの誘電体層（膜）を形成し、その膜厚をλ／
４ｎ（λはレーザー波長、ｎは屈折率）とすることによ
って見かけのカー回転角を増大させ、Ｃ／Ｎを大きくす
る（エンハンス効果）ことが行なわれているが、これに
よる特性向上はまだ不十分であり、この誘電体層につい
てはさらに高屈折率で透明性のよいものが求められてい
る。
４ｎ（λはレーザー波長、ｎは屈折率）とすることによ
って見かけのカー回転角を増大させ、Ｃ／Ｎを大きくす
る（エンハンス効果）ことが行なわれているが、これに
よる特性向上はまだ不十分であり、この誘電体層につい
てはさらに高屈折率で透明性のよいものが求められてい
る。
また、最近、この光磁気記録媒体については信号ＩＡ埋
の高速化に対する要求が強くなるにつれてディスクの記
録感度が大きな問題となり、この記録感度を上げるため
に誘電体膜の熱伝導率を低くしてその熱拡散を抑え、レ
ーザーの熱効率を上げて記録に要するパワーを小さくす
るということも試みられているが、従来用いられている
ＳｉＮ、ＡＪ２Ｎ、 ＳｉＯなどを用いる誘電体膜では
熱伝導率を低く抑えることが難しく、この点からも新し
い膜材料の開発が求められている。
の高速化に対する要求が強くなるにつれてディスクの記
録感度が大きな問題となり、この記録感度を上げるため
に誘電体膜の熱伝導率を低くしてその熱拡散を抑え、レ
ーザーの熱効率を上げて記録に要するパワーを小さくす
るということも試みられているが、従来用いられている
ＳｉＮ、ＡＪ２Ｎ、 ＳｉＯなどを用いる誘電体膜では
熱伝導率を低く抑えることが難しく、この点からも新し
い膜材料の開発が求められている。
他方、従来からここに使用されている非晶買磁性体膜は
希土類金属を含んだものとされているが、この希土類金
属が極めて酸化され易いものであるために、これには高
温高湿下で簡単に磁気特性が劣化するという難点があり
、上記の誘電体層に保護膜としての役割を負わせるとい
う提案もあるが、ＳｉＮ、ＡｊＮなどの窒化物には、こ
のような反応性が小さいので耐蝕性向上という目的には
通しているものの、これには樹脂基板などに成膜すると
きにクラックが生じ易く、機械的強度に問題がある。な
お、ＳｉＯなとの酸化物は機械的強度の面では窒化物よ
りすぐれているものの、これには膜中の過剰の０２が磁
性膜中の希土類と反応して磁性膜の性能を劣化させてし
まうという欠点があった。
希土類金属を含んだものとされているが、この希土類金
属が極めて酸化され易いものであるために、これには高
温高湿下で簡単に磁気特性が劣化するという難点があり
、上記の誘電体層に保護膜としての役割を負わせるとい
う提案もあるが、ＳｉＮ、ＡｊＮなどの窒化物には、こ
のような反応性が小さいので耐蝕性向上という目的には
通しているものの、これには樹脂基板などに成膜すると
きにクラックが生じ易く、機械的強度に問題がある。な
お、ＳｉＯなとの酸化物は機械的強度の面では窒化物よ
りすぐれているものの、これには膜中の過剰の０２が磁
性膜中の希土類と反応して磁性膜の性能を劣化させてし
まうという欠点があった。
［課題を解決するための手段］
本発明はこのような課題を解決することのできる光磁気
記録媒体に関するもので、これは光の入射側に置かれる
透明基板上に、誘電体層、磁性膜、反射膜を設けてなる
光磁気記録媒体において、誘電体層がＨを含むＳｉＯか
らなる非晶質材料から作られることを特徴とするもので
ある。
記録媒体に関するもので、これは光の入射側に置かれる
透明基板上に、誘電体層、磁性膜、反射膜を設けてなる
光磁気記録媒体において、誘電体層がＨを含むＳｉＯか
らなる非晶質材料から作られることを特徴とするもので
ある。
すなわち、本発明者らは光透過性がすぐれていてＣ／Ｎ
もよく、記Ｂ密度も向上した光磁気記録媒体を開発すべ
く種々検討した結果、基体上に設けられる誘電体層にＨ
を含むＳｉＯからなる非晶質材１Ｉ４（以下アモルファ
スＳｉＯ：Ｈ膜材料と略記する）で作ると、ｌ）この膜
材料がＨを含んでいるので、Ｈを含まないＳｉＯＩｌｌ
にくらべて磁性膜との反応が小さく、耐久性のすぐれた
ものになる、２）このアモルファスＳｉＯ：）Ｉｌｉは
Ｈを含んでいるのでＨを含まないＳｉＯ膜にくらべて熱
伝導性が小さく、照射するレーザーの熱拡散を抑えられ
、効率よく温度上昇させることができるので、記録感度
を上昇させることができる、３ン膜材料がＨを含み熱拡
散が小さいので、記録ビット径の広がりを抑えることが
でき、記録密度の向上をはかることができる、４）ｗＡ
膜材料Ｈを含んでいるのでこのものはアモルファスにな
り易く、組成の均一性にすぐれた、表面の平滑な膜を得
ることができる、５）これは光透過性がすぐれており、
特に可視−赤外領域では極めて高い透過性を示すので、
Ｃ／Ｎの大きな光磁気記録媒体を得ることができる、と
いうことを見出し、この非晶質材料の形成方法などにつ
いての研究を進めて本発明を完成させた。
もよく、記Ｂ密度も向上した光磁気記録媒体を開発すべ
く種々検討した結果、基体上に設けられる誘電体層にＨ
を含むＳｉＯからなる非晶質材１Ｉ４（以下アモルファ
スＳｉＯ：Ｈ膜材料と略記する）で作ると、ｌ）この膜
材料がＨを含んでいるので、Ｈを含まないＳｉＯＩｌｌ
にくらべて磁性膜との反応が小さく、耐久性のすぐれた
ものになる、２）このアモルファスＳｉＯ：）Ｉｌｉは
Ｈを含んでいるのでＨを含まないＳｉＯ膜にくらべて熱
伝導性が小さく、照射するレーザーの熱拡散を抑えられ
、効率よく温度上昇させることができるので、記録感度
を上昇させることができる、３ン膜材料がＨを含み熱拡
散が小さいので、記録ビット径の広がりを抑えることが
でき、記録密度の向上をはかることができる、４）ｗＡ
膜材料Ｈを含んでいるのでこのものはアモルファスにな
り易く、組成の均一性にすぐれた、表面の平滑な膜を得
ることができる、５）これは光透過性がすぐれており、
特に可視−赤外領域では極めて高い透過性を示すので、
Ｃ／Ｎの大きな光磁気記録媒体を得ることができる、と
いうことを見出し、この非晶質材料の形成方法などにつ
いての研究を進めて本発明を完成させた。
以下にこれをさらに詳述する。
［作 用コ
本発明の光磁気記録媒体は透明基板上に誘電体層、磁性
膜、反射膜を設けてなる光磁気記録媒体における誘電体
膜をアモルファスＳｉＯ：）！膜としたものである。
膜、反射膜を設けてなる光磁気記録媒体における誘電体
膜をアモルファスＳｉＯ：）！膜としたものである。
この光磁気記録媒体の構成は公知のものであり、これは
例えば第１図に示したように、トラッキング用ガイドグ
ループが形成されたガラス、石英ガラス、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂などからなる
透明基板１の上に誘電体＠２、磁性膜３、誘電体膜２と
同質の８電体１］ｉ４および反射膜５を順次積層された
ものであり、これは第２図に示したように透明基板７の
上に誘電体膜８、磁性膜９、誘電体膜ｌＯを順次積層し
た３層構造のものであってもよく、これらにおいてはこ
の透明基板１．７の光の入射側から光６．１１が入射す
ると光６は反射膜５で反射され、磁性膜の膜厚を厚くし
た第２図のものでは入射光１１は磁性膜９で反射される
。
例えば第１図に示したように、トラッキング用ガイドグ
ループが形成されたガラス、石英ガラス、ポリカーボネ
ート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂などからなる
透明基板１の上に誘電体＠２、磁性膜３、誘電体膜２と
同質の８電体１］ｉ４および反射膜５を順次積層された
ものであり、これは第２図に示したように透明基板７の
上に誘電体膜８、磁性膜９、誘電体膜ｌＯを順次積層し
た３層構造のものであってもよく、これらにおいてはこ
の透明基板１．７の光の入射側から光６．１１が入射す
ると光６は反射膜５で反射され、磁性膜の膜厚を厚くし
た第２図のものでは入射光１１は磁性膜９で反射される
。
本発明の光磁気記録媒体ではこの誘電体膜２８および／
または４，１０が前記したアモルファスＳｉＯ：）ｌ膜
で形成されるのであるが、この誘電体膜については水素
を含有させることによって水素を含まないものにくらべ
て熱伝導率、熱拡散が小さくなり、これによって記録感
度が向上されるし、表面平滑な膜が得られるので、これ
はモル比で２〜４０％の水素を含むものとすることがよ
く、このＳｉＯについては０量が過剰のときには磁性膜
中のＴｂと反応を起こし、これの特性を劣化させるので
このＳｉと０とのモル比は９０〜５０・１０〜５０の範
囲とすることがよい。また、このアモルファスＳｉｎ：
）ＩＩＩＭについてはその屈折率が１７５未満ては十分
なエンハンス効果が期待できず、２．５０より大きくし
ようとする透過率および膜質の低下がもたらされてＣ／
Ｎが低下したり、機械的強度や耐久性に悪影響が及ぼさ
れるので、これは１．７５〜２．５０の範囲とすること
がよい。
または４，１０が前記したアモルファスＳｉＯ：）ｌ膜
で形成されるのであるが、この誘電体膜については水素
を含有させることによって水素を含まないものにくらべ
て熱伝導率、熱拡散が小さくなり、これによって記録感
度が向上されるし、表面平滑な膜が得られるので、これ
はモル比で２〜４０％の水素を含むものとすることがよ
く、このＳｉＯについては０量が過剰のときには磁性膜
中のＴｂと反応を起こし、これの特性を劣化させるので
このＳｉと０とのモル比は９０〜５０・１０〜５０の範
囲とすることがよい。また、このアモルファスＳｉｎ：
）ＩＩＩＭについてはその屈折率が１７５未満ては十分
なエンハンス効果が期待できず、２．５０より大きくし
ようとする透過率および膜質の低下がもたらされてＣ／
Ｎが低下したり、機械的強度や耐久性に悪影響が及ぼさ
れるので、これは１．７５〜２．５０の範囲とすること
がよい。
なお、このアモルファスＳｉＯ：Ｈ膜の形成はプラズマ
ＣＶＤまたはスパッタリング法で行えばよい。
ＣＶＤまたはスパッタリング法で行えばよい。
このプラズマＣＶＤ法はＳｉＨ，とＮ２０ガスを反応装
置内に導入し、これをプラズマで励起して分解させて基
板にＳｉｎ：Ｈ膜を形成させればよく、この場合には４
００℃以下の低温でも成膜が可能となるので樹脂基板の
ように耐熱性が問題とされる場合に有利性が与えられる
。またこのスパッタリング法はＳｉＯをターゲットとし
、アルゴン−水素混合ガス雰囲気において高周波電力を
用いてスパッタリングすればよいが、これはＳｉＯまた
はＳｉＨ４をターゲットとし、ＳｉＯ４ガス雰囲気また
はアルゴン−ＳｉＨ４混合ガス雰囲気下にスパッタリン
グ法でアモルファスＳｉＯ：Ｈｍを形成させるようにし
てもよい。
置内に導入し、これをプラズマで励起して分解させて基
板にＳｉｎ：Ｈ膜を形成させればよく、この場合には４
００℃以下の低温でも成膜が可能となるので樹脂基板の
ように耐熱性が問題とされる場合に有利性が与えられる
。またこのスパッタリング法はＳｉＯをターゲットとし
、アルゴン−水素混合ガス雰囲気において高周波電力を
用いてスパッタリングすればよいが、これはＳｉＯまた
はＳｉＨ４をターゲットとし、ＳｉＯ４ガス雰囲気また
はアルゴン−ＳｉＨ４混合ガス雰囲気下にスパッタリン
グ法でアモルファスＳｉＯ：Ｈｍを形成させるようにし
てもよい。
なお、本発明の光磁気記録媒体は基体上に成膜されたこ
の誘電体膜の上に磁性膜と反射膜を形成するのであるが
、これらはいずれも公知のものでよく、この磁性膜は希
土類元素−遷移金属元素膜からなるもの、したがってＴ
ｂ、 Ｄｙ、 Ｇｄ、 Ｎｄなどの希土類元素とＦｅ、
Ｇｏ、 Ｎｉなとの遷移金属元素からなる、例えばＴ
ｂＦｅ、 ＴｂＦｅＣｏ、 ＧｄＴｂＦｅ、 ＧｄＤｙ
ＦｅＣｏなどからなる非晶質金属膜を第１図の構造のも
のでは２００〜５００人、第２図の構造のものでは８０
０〜１、ＣＩｏＯ人程度０厚さでスパッタリング法で形
成すればよく、この反射層はＡｉ’、 Ｃｕ、＾ｕ、
Ａ３などの金属膜を厚さ２００〜１，０００人程１で設
ければよい。
の誘電体膜の上に磁性膜と反射膜を形成するのであるが
、これらはいずれも公知のものでよく、この磁性膜は希
土類元素−遷移金属元素膜からなるもの、したがってＴ
ｂ、 Ｄｙ、 Ｇｄ、 Ｎｄなどの希土類元素とＦｅ、
Ｇｏ、 Ｎｉなとの遷移金属元素からなる、例えばＴ
ｂＦｅ、 ＴｂＦｅＣｏ、 ＧｄＴｂＦｅ、 ＧｄＤｙ
ＦｅＣｏなどからなる非晶質金属膜を第１図の構造のも
のでは２００〜５００人、第２図の構造のものでは８０
０〜１、ＣＩｏＯ人程度０厚さでスパッタリング法で形
成すればよく、この反射層はＡｉ’、 Ｃｕ、＾ｕ、
Ａ３などの金属膜を厚さ２００〜１，０００人程１で設
ければよい。
［実施例コ
つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。
実施例、比較例１〜２
ガラス基板上にターゲットとしてのＳｉＯを載置し、ア
ルゴンガス８Ｇ％、 ＳｉＨ４ガス２０％の混合ガス雰
囲気に出力３００ｍの高周波を用いてスパッタリング法
でアモルファスＳｉＯ：Ｈ膜を形成させ、このもののモ
ル組成比、膜の屈折率、透過率をしらべたところ、第１
表に示したとおりの結果が得られた。
ルゴンガス８Ｇ％、 ＳｉＨ４ガス２０％の混合ガス雰
囲気に出力３００ｍの高周波を用いてスパッタリング法
でアモルファスＳｉＯ：Ｈ膜を形成させ、このもののモ
ル組成比、膜の屈折率、透過率をしらべたところ、第１
表に示したとおりの結果が得られた。
また、比較のために上記における雰囲気をアルゴンガス
１００％からなるものとしたほかは上記と同様に処理し
てＨを含まないＳｉＣ膜を作る（比較例１）と共に、従
来から使用されているＳｉＮ膜（比較例２）についてそ
の屈折率、透過率をしらべたところ、第１表に併記した
とおりの結果が得られた。
１００％からなるものとしたほかは上記と同様に処理し
てＨを含まないＳｉＣ膜を作る（比較例１）と共に、従
来から使用されているＳｉＮ膜（比較例２）についてそ
の屈折率、透過率をしらべたところ、第１表に併記した
とおりの結果が得られた。
つぎに第１図に示したような光磁気記録媒体を作るべく
、ポリカーボネート基板上にスバッタリングン去でアモ
ルファスＳｉＯ：Ｈｔｍを厚さ１，０００人にに形成し
、この１にアルゴンガス圧７ｍトール、高周波電力２０
０Ｗという条件で厚さ２００人のＴｂＦｅ磁性膜と厚さ
３００人のＳｉＯ：）ｌ膜および５００人のアルミニウ
ム反射膜を形成し、このもののＨ％ｉ： ！Ａ’ ｉる
最適記録パワーを測定したところ、第３図に小した当り
の結果が得られた。
、ポリカーボネート基板上にスバッタリングン去でアモ
ルファスＳｉＯ：Ｈｔｍを厚さ１，０００人にに形成し
、この１にアルゴンガス圧７ｍトール、高周波電力２０
０Ｗという条件で厚さ２００人のＴｂＦｅ磁性膜と厚さ
３００人のＳｉＯ：）ｌ膜および５００人のアルミニウ
ム反射膜を形成し、このもののＨ％ｉ： ！Ａ’ ｉる
最適記録パワーを測定したところ、第３図に小した当り
の結果が得られた。
また、この光磁気記録媒体については８５℃、８５％Ｒ
Ｈにおける耐久試験を行な一フだところ、第４図に示し
たとおりの結果か得られ、このものは極めてすぐれた耐
食性を示したが、比較のために上記した比較例１．２で
作られたＳｉＣ，ＳｉＮを用いたものは第４図に示した
ように試験中に８電体膜の剥離、クランクの発生などで
性能に劣化がみられた。
Ｈにおける耐久試験を行な一フだところ、第４図に示し
たとおりの結果か得られ、このものは極めてすぐれた耐
食性を示したが、比較のために上記した比較例１．２で
作られたＳｉＣ，ＳｉＮを用いたものは第４図に示した
ように試験中に８電体膜の剥離、クランクの発生などで
性能に劣化がみられた。
累
表
（発明の効果）
本発明は光６ｎ気記録媒体に関するもので、これは前記
したように基板に８電体膜、磁性膜、反射膜を設けた光
磁気記録媒体において、この話π体をＨを含むＳｉＯか
らなる非晶Ｍ層重とするというものであり、これによれ
ばこの８電体膜が屈折率１．７５〜２．５０のものとな
るので大きなエンハンス効果をもつものとなり、また光
透過性がすぐれているのでＣ／Ｎが増大されるほか、こ
の非晶質膜はＨを含んでいるのて膜面が平滑なものとな
るし、これはまた機械的強度、耐久性がすぐれたものと
なり、熱伝導度が小さいのでレーザーの熱拡散が小さく
なって記録ビットの径の広がりが抑えられるので記録密
度が向上されるという有利性が与えられる。
したように基板に８電体膜、磁性膜、反射膜を設けた光
磁気記録媒体において、この話π体をＨを含むＳｉＯか
らなる非晶Ｍ層重とするというものであり、これによれ
ばこの８電体膜が屈折率１．７５〜２．５０のものとな
るので大きなエンハンス効果をもつものとなり、また光
透過性がすぐれているのでＣ／Ｎが増大されるほか、こ
の非晶質膜はＨを含んでいるのて膜面が平滑なものとな
るし、これはまた機械的強度、耐久性がすぐれたものと
なり、熱伝導度が小さいのでレーザーの熱拡散が小さく
なって記録ビットの径の広がりが抑えられるので記録密
度が向上されるという有利性が与えられる。
第１図、第２図は光磁気記録媒体の構成図、第３図は実
施例における光磁気記録媒体の水素Ｉと最適記録パワー
変化量との関係グラフ、第４図は実施例、比較例による
光磁気記録媒体の８５℃、８５％ＲＨにおける耐久性試
験結果グラフを示したものである。 １．７・・・透明基板 ２．４．８．１０・・・誘電体膜（ｆｆｉ）３．９・・
・磁性膜 ５・・・反射膜 特許出願人 信越化学工業株式会社 荒 井 鐘 １−ビキ楚、 − −ト４ 量 （ａｌ °Ｘ）第３図
施例における光磁気記録媒体の水素Ｉと最適記録パワー
変化量との関係グラフ、第４図は実施例、比較例による
光磁気記録媒体の８５℃、８５％ＲＨにおける耐久性試
験結果グラフを示したものである。 １．７・・・透明基板 ２．４．８．１０・・・誘電体膜（ｆｆｉ）３．９・・
・磁性膜 ５・・・反射膜 特許出願人 信越化学工業株式会社 荒 井 鐘 １−ビキ楚、 − −ト４ 量 （ａｌ °Ｘ）第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光の入射側に置かれる透明基板上に、誘電体層、磁
性膜、反射膜を設けて成る光磁気記録媒体において、誘
電体層がＨを含むＳｉＯからなる非晶質材料からなるこ
とを特徴とする光磁気記録媒体。 ２、Ｈを含むＳｉＯからなる非晶質材料がモル比として
２〜４０％のＨを含むものとされる請求項１に記載の光
磁気記録媒体。 ３、Ｈを含むＳｉＯからなる非晶質材料におけるＳｉＯ
のＳｉとＯのモル比がＳｉ：Ｏ（モル比）＝９０〜５０
：１０〜５０である請求項１に記載の光磁気記録媒体。 ４、Ｈを含むＳｉＯからなる非晶質材料が屈折率（ｎ）
＝１．７５〜２．５０のものとされる請求項１に記載の
光磁気記録媒体。 ５、Ｈを含むＳｉＯからなる非晶質材料がプラズマＣＶ
Ｄ法またはスパッタリング法によって形成されてなるも
のである請求項１に記載の光磁気記録媒体。 ６、Ｈを含むＳｉＯからなる非晶質材料がＳｉＯをター
ゲットとし、アルゴン−Ｈ＿２混合ガス雰囲気中でのス
パッタリング法により形成されてなるものである請求項
１または５に記載の光磁気記録媒体。 ７、Ｈを含むＳｉＯからなる非晶質材料がＳｉＯまたは
ＳｉＯ＿２をターゲットとし、ＳｉＨ＿４ガス雰囲気ま
たはアルゴン−ＳｉＨ＿４混合ガス雰囲気でのスパッタ
リング法により形成されてなるものである請求項１また
は５に記載の光磁気記録媒体。 ８、Ｈを含むＳｉＯからなる非晶質材料がＳｉＨ＿４ガ
スとＮ＿２Ｏガスを原料とするプラズマＣＶＤ法によつ
て形成されてなるものである請求項１または５に記載の
光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18216190A JPH0469835A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18216190A JPH0469835A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0469835A true JPH0469835A (ja) | 1992-03-05 |
Family
ID=16113423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18216190A Pending JPH0469835A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0469835A (ja) |
-
1990
- 1990-07-10 JP JP18216190A patent/JPH0469835A/ja active Pending
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