JPH0470612B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0470612B2 JPH0470612B2 JP2416083A JP2416083A JPH0470612B2 JP H0470612 B2 JPH0470612 B2 JP H0470612B2 JP 2416083 A JP2416083 A JP 2416083A JP 2416083 A JP2416083 A JP 2416083A JP H0470612 B2 JPH0470612 B2 JP H0470612B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- transparent conductive
- liquid crystal
- substrate
- conductive film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 8
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 5
- 229910002855 Sn-Pd Inorganic materials 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N boronic acid Chemical compound OBO ZADPBFCGQRWHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M potassium hydroxide Substances [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶パネルの端子部分のメタライズ法
に関するものである、配向処理と透明導電膜上へ
の選択メツキ前処理プロセスを組み合わせること
によつて端子部分のみにメツキしようとするもの
である。
に関するものである、配向処理と透明導電膜上へ
の選択メツキ前処理プロセスを組み合わせること
によつて端子部分のみにメツキしようとするもの
である。
近年液晶パネルの端子数の増加にともなつて、
安価でしかも信頼性の高い実装法が望まれてい
る。それには透明導電膜の端子部をメタライズ
し、フレキシブルテープを使つてハンダ付けする
方法が優れている。しかし従来透明導電膜上のメ
タライズ法はスパツタリング、蒸着法等の真空法
で基板全面にCr−Au等を被覆し、フオトリソグ
ラフイーにより端子部分を除いて該金属被覆をエ
ツチング除去する方法をとつていたが、真空法を
使うためにコストが高い、フオト工程を通すため
工数が多く高コスト、又金等の貴金属のムダな消
費が多いといつた欠点を有し、液晶パネルコスト
を高価なものにしていた。そこで本発明者は、無
電解メツキ法によりNi基合金を選択的に透明導
電膜上のみに形成し、端子部を除いてフオト附に
よりNi基合金をエツチング除去する方法で大幅
なコストダウンができることを先に発明したが、
本発明はさらに簡易な方法により透明導電膜の端
子部のみに選択的にNi基合金を無電解メツキし
ようとするものである。すなわち無電解メツキプ
ロセスの前処理工程と、液晶パネルの配向処理を
組み合わせることにより、端子部分のみにメツキ
ができることを見出し、本発明を生むに至つた。
安価でしかも信頼性の高い実装法が望まれてい
る。それには透明導電膜の端子部をメタライズ
し、フレキシブルテープを使つてハンダ付けする
方法が優れている。しかし従来透明導電膜上のメ
タライズ法はスパツタリング、蒸着法等の真空法
で基板全面にCr−Au等を被覆し、フオトリソグ
ラフイーにより端子部分を除いて該金属被覆をエ
ツチング除去する方法をとつていたが、真空法を
使うためにコストが高い、フオト工程を通すため
工数が多く高コスト、又金等の貴金属のムダな消
費が多いといつた欠点を有し、液晶パネルコスト
を高価なものにしていた。そこで本発明者は、無
電解メツキ法によりNi基合金を選択的に透明導
電膜上のみに形成し、端子部を除いてフオト附に
よりNi基合金をエツチング除去する方法で大幅
なコストダウンができることを先に発明したが、
本発明はさらに簡易な方法により透明導電膜の端
子部のみに選択的にNi基合金を無電解メツキし
ようとするものである。すなわち無電解メツキプ
ロセスの前処理工程と、液晶パネルの配向処理を
組み合わせることにより、端子部分のみにメツキ
ができることを見出し、本発明を生むに至つた。
本発明に用いられる液晶パネル基板としては、
ソーダガラス，パイレツクスガラス，石英ガラス
等の無機材料，フエノキシ樹脂，ポリエステル樹
脂，ポリエーテルサルフオン樹脂等の有機材料で
ある。このような基板上に酸化インジウム又はス
ズ等をドープしたITO，酸化スズ又はインジウ
ム，ハロゲン，アンチモン等をドープした透明導
電膜が、スパツタリング，蒸着法，CVD法等に
よつて被覆した後フオトリソグラフイーにより所
定の電極パターンにエツチングされる。
ソーダガラス，パイレツクスガラス，石英ガラス
等の無機材料，フエノキシ樹脂，ポリエステル樹
脂，ポリエーテルサルフオン樹脂等の有機材料で
ある。このような基板上に酸化インジウム又はス
ズ等をドープしたITO，酸化スズ又はインジウ
ム，ハロゲン，アンチモン等をドープした透明導
電膜が、スパツタリング，蒸着法，CVD法等に
よつて被覆した後フオトリソグラフイーにより所
定の電極パターンにエツチングされる。
次に透明導電膜上のみに（ガラス上を除いて）
選択的にメツキ触媒を塗布する。選択的触媒塗布
は、HCl，ホウフツ酸，フツ酸等の酸にSn−Pd
コロイド又は錯体を分解させた液に透明導電膜付
基板を浸漬することにより得られる。市販されて
いるものとしては、日立化成社製HS−101Bであ
る。ESCA分析の結果ガラス上にはSn−Pd触媒
は吸着していないことが確認できた。この工程に
はリパターン化された透明導電膜上のみがアクテ
イベイテイングされたことになる。
選択的にメツキ触媒を塗布する。選択的触媒塗布
は、HCl，ホウフツ酸，フツ酸等の酸にSn−Pd
コロイド又は錯体を分解させた液に透明導電膜付
基板を浸漬することにより得られる。市販されて
いるものとしては、日立化成社製HS−101Bであ
る。ESCA分析の結果ガラス上にはSn−Pd触媒
は吸着していないことが確認できた。この工程に
はリパターン化された透明導電膜上のみがアクテ
イベイテイングされたことになる。
次に乾燥後、端子部を除いてパターン状に配向
剤が被覆される。被覆方法としてはマスク斜め蒸
着法，ポリイミド，ポリエーテルサルフオン，
BTレンジ等のワニスをオフセツト，凸版印刷す
る方法等が用いられる。この被覆の厚みは100Å
〜5000Åが望ましい。この配向剤は配向剤として
の効果とメツキレジストとしての働きをしなけれ
ばならないことから膜厚、材質等がおのずから決
定される。あまり薄いとピンホールが生じ配向性
が劣るし、又メツキがピンホール内についてしま
い本発明の目的が達成しえない。又厚すぎるとメ
ツキレジストとしての効果は優れるが、配向剤と
しては電圧ドロツプがおき駆動特性の劣化をもた
らす。しかるに望ましくは200〜2000Åである。
このような材料をこのような方法で端子部を除く
パターン状に形成した後、必要に応じて焼成させ
被膜を強化する。
剤が被覆される。被覆方法としてはマスク斜め蒸
着法，ポリイミド，ポリエーテルサルフオン，
BTレンジ等のワニスをオフセツト，凸版印刷す
る方法等が用いられる。この被覆の厚みは100Å
〜5000Åが望ましい。この配向剤は配向剤として
の効果とメツキレジストとしての働きをしなけれ
ばならないことから膜厚、材質等がおのずから決
定される。あまり薄いとピンホールが生じ配向性
が劣るし、又メツキがピンホール内についてしま
い本発明の目的が達成しえない。又厚すぎるとメ
ツキレジストとしての効果は優れるが、配向剤と
しては電圧ドロツプがおき駆動特性の劣化をもた
らす。しかるに望ましくは200〜2000Åである。
このような材料をこのような方法で端子部を除く
パターン状に形成した後、必要に応じて焼成させ
被膜を強化する。
次に基板をメツキ促進剤に浸漬する工程に続
く。この工程を経ないとセンシタイジングされ触
媒被覆されていても無電解メツキは付かない。こ
の促進剤の効果は、Sn−Pdコロイド粒子のSnを
溶解する工程であると言われているが、ホウフツ
酸，NaOH，KOH溶液に浸漬することにより得
られる。
く。この工程を経ないとセンシタイジングされ触
媒被覆されていても無電解メツキは付かない。こ
の促進剤の効果は、Sn−Pdコロイド粒子のSnを
溶解する工程であると言われているが、ホウフツ
酸，NaOH，KOH溶液に浸漬することにより得
られる。
このようにして配向膜が被覆されていない所及
びガラス上以外の透明導電膜、すなわち端子部の
透明導電膜上のみが次に続く無電解メツキが進行
するようにスタンバイされる。
びガラス上以外の透明導電膜、すなわち端子部の
透明導電膜上のみが次に続く無電解メツキが進行
するようにスタンバイされる。
次に無電解Ni基合金メツキ液に浸漬し端子部
分のみの透明導電膜上にのみメツキする。前工程
で選択的に透明導電膜上にのみメツキ触媒が塗布
され、しかも端子部以外の透明導電膜は配向剤に
よつて被覆されているため、端子部のみにNi基
合金メツキがなされるわけである。ここで用いら
れるNi基合金メツキには、Ni−Ｐ，Ni−Ｂ，Ni
−Co−Ｐ，Ni−Cr−Ｐ，Ni−Fe−Ｐ，Ni−In
−Ｐ等があるがNi−Ｐメツキが密着性の点で優
れている。これらは必ずしも単独で使用する必要
はなく、例えば下地としてNi−Ｐ，上付けとし
てNi−Ｂというように組み合わせて使うことも
可能である。膜厚はハンダ付け性、すなわちハン
ダ食われ防止及び基板との密着性からして1000Å
以上10000Å以下である。10000Å以上となると透
明導電膜との密着性が劣化する。又1000Å以下で
あるとハンダ食われが生じるためかピール強度が
低下する。望ましくは2000Å〜6000Åである。メ
ツキ後、メツキ被膜と透明導電膜との密着性を向
上させる目的で熱処理しても良い。100℃以上、
500℃以下であり、高温となれば処理時間は短か
くしてすむ。200℃，15min，250℃，５〜
10min，等が使用される。
分のみの透明導電膜上にのみメツキする。前工程
で選択的に透明導電膜上にのみメツキ触媒が塗布
され、しかも端子部以外の透明導電膜は配向剤に
よつて被覆されているため、端子部のみにNi基
合金メツキがなされるわけである。ここで用いら
れるNi基合金メツキには、Ni−Ｐ，Ni−Ｂ，Ni
−Co−Ｐ，Ni−Cr−Ｐ，Ni−Fe−Ｐ，Ni−In
−Ｐ等があるがNi−Ｐメツキが密着性の点で優
れている。これらは必ずしも単独で使用する必要
はなく、例えば下地としてNi−Ｐ，上付けとし
てNi−Ｂというように組み合わせて使うことも
可能である。膜厚はハンダ付け性、すなわちハン
ダ食われ防止及び基板との密着性からして1000Å
以上10000Å以下である。10000Å以上となると透
明導電膜との密着性が劣化する。又1000Å以下で
あるとハンダ食われが生じるためかピール強度が
低下する。望ましくは2000Å〜6000Åである。メ
ツキ後、メツキ被膜と透明導電膜との密着性を向
上させる目的で熱処理しても良い。100℃以上、
500℃以下であり、高温となれば処理時間は短か
くしてすむ。200℃，15min，250℃，５〜
10min，等が使用される。
次に前記有機配向剤の場合で水平配向が必要と
される場合にはラビング工程に入る。その後通常
の工程によつて液晶パネルが組み立てられる。液
晶注入，封止後、端子部には予備ハンダがされ
る。ハンダフローにより簡単に予備ハンダ可能で
ある。次に導体を形成したポリイミド，ポリエス
テル等のフレキシブルテープでハンダされた液晶
パネル端子を接続し実装する。この方法によれ
ば、50〜100μピツチの端子をもつた液晶パネル
の実装が可能となり、ハイデユーテイ液晶パネ
ル、TFT，MIM等のアクテイブマトリクス液晶
パネル、さらには実装の信頼性を特に要求される
自動車用パネル等に適用できる。
される場合にはラビング工程に入る。その後通常
の工程によつて液晶パネルが組み立てられる。液
晶注入，封止後、端子部には予備ハンダがされ
る。ハンダフローにより簡単に予備ハンダ可能で
ある。次に導体を形成したポリイミド，ポリエス
テル等のフレキシブルテープでハンダされた液晶
パネル端子を接続し実装する。この方法によれ
ば、50〜100μピツチの端子をもつた液晶パネル
の実装が可能となり、ハイデユーテイ液晶パネ
ル、TFT，MIM等のアクテイブマトリクス液晶
パネル、さらには実装の信頼性を特に要求される
自動車用パネル等に適用できる。
なお、ハンダの流れ性を向上させるため、及び
抵抗を下げる等の目的でNi基合金のトツプコー
トとして貴金属メツキを施すこともできる。貴金
属とはAu，Ag，Pt，Rh，Pd等であり、置換型
無電解メツキが可能でしかもメツキ中にNi基合
金を溶解してしまわないアルカリ浴が優れてい
る。例えば、日本エンゲルハルト社製Auメツキ
であるアトメツクスは有用である。貴金属の厚み
は目的からして50Å〜2000Åであり、望ましくは
200Å〜1000Åである。
抵抗を下げる等の目的でNi基合金のトツプコー
トとして貴金属メツキを施すこともできる。貴金
属とはAu，Ag，Pt，Rh，Pd等であり、置換型
無電解メツキが可能でしかもメツキ中にNi基合
金を溶解してしまわないアルカリ浴が優れてい
る。例えば、日本エンゲルハルト社製Auメツキ
であるアトメツクスは有用である。貴金属の厚み
は目的からして50Å〜2000Åであり、望ましくは
200Å〜1000Åである。
以下実施例により本発明を説明する。
実施例 １
パシベイシヨンを施したソーダガラス上に透明
導電膜であるITOを500ÅEB蒸着し、フオトリソ
グラフイーによりITOを100μ端子ビツチをもつ
ようにエツチングパターニングした。レジスト剥
離洗浄後、日立化成社製アクテイベイターHS−
101Bに１分間浸漬後、乾燥を行なつた。次に配
向剤としてのポリイミドワニスをオフセツト印刷
で端子部を除いて印刷した。300℃で30分間焼成
し、イミド環を形成させるように合金を行ない約
300Åのポリイミド被膜を得た。次にメツキ促進
剤であるINNaOH中に２分間浸漬し、水洗後、
無電隔Ni−Ｐメツキ液であるカニゼン社製Ｓ−
680中で50℃，５分間メツキして約4000ÅのNi−
Ｐ被膜を得た。Ni−Ｐ被膜はメツキ前後処理工
程によりITO上のみに触媒が選択的に塗布されて
いるため、及び端子部以外は配向剤兼メツキレジ
ストとしてのポリイミドにより保護されいるた
め、端子部のITO上のみに選択的に被覆された。
次にNi−Ｐ被膜の密着性を向上させるため250℃
で15分間該基板を熱処理した。次に、綿布により
一定方向にラビングを行ない水平配向処理を施し
た。このような基板を２枚用い、上下基板として
液晶パネルを組立て液晶封入、封止を行ない完成
パネルとした。次に、低温ハンダバスに端子部の
みをフローさせて予備ハンダを行なつた。次に、
ポリイミドフレキシブルケーブルを用いて該予備
ハンダされた端子とハンダ付けを行なつた。端子
部のピール強度は120ｇ／mmで実用上何ら問題の
ないピール強度を示した。本プロセスにより必要
な部分、すなわち端子部分のみに、何のフオト工
程も用いずにメタライズすることが可能となつ
た。これは今後増々増加する液晶高密度実装に対
して大幅なコストダウンと信頼性をもたらすこと
により工業的価値は非常に高い。
導電膜であるITOを500ÅEB蒸着し、フオトリソ
グラフイーによりITOを100μ端子ビツチをもつ
ようにエツチングパターニングした。レジスト剥
離洗浄後、日立化成社製アクテイベイターHS−
101Bに１分間浸漬後、乾燥を行なつた。次に配
向剤としてのポリイミドワニスをオフセツト印刷
で端子部を除いて印刷した。300℃で30分間焼成
し、イミド環を形成させるように合金を行ない約
300Åのポリイミド被膜を得た。次にメツキ促進
剤であるINNaOH中に２分間浸漬し、水洗後、
無電隔Ni−Ｐメツキ液であるカニゼン社製Ｓ−
680中で50℃，５分間メツキして約4000ÅのNi−
Ｐ被膜を得た。Ni−Ｐ被膜はメツキ前後処理工
程によりITO上のみに触媒が選択的に塗布されて
いるため、及び端子部以外は配向剤兼メツキレジ
ストとしてのポリイミドにより保護されいるた
め、端子部のITO上のみに選択的に被覆された。
次にNi−Ｐ被膜の密着性を向上させるため250℃
で15分間該基板を熱処理した。次に、綿布により
一定方向にラビングを行ない水平配向処理を施し
た。このような基板を２枚用い、上下基板として
液晶パネルを組立て液晶封入、封止を行ない完成
パネルとした。次に、低温ハンダバスに端子部の
みをフローさせて予備ハンダを行なつた。次に、
ポリイミドフレキシブルケーブルを用いて該予備
ハンダされた端子とハンダ付けを行なつた。端子
部のピール強度は120ｇ／mmで実用上何ら問題の
ないピール強度を示した。本プロセスにより必要
な部分、すなわち端子部分のみに、何のフオト工
程も用いずにメタライズすることが可能となつ
た。これは今後増々増加する液晶高密度実装に対
して大幅なコストダウンと信頼性をもたらすこと
により工業的価値は非常に高い。
実施例 ２
実施例１において、液晶パネル完成後、液晶パ
ネルを日本エンゲルハルト社製アトメツクス無電
解Auメツキ液に浸漬して端子部のNi−Ｐ被膜上
にのみ約300ÅのAuメツキを施した。実施例１に
比して、フラツタスなしでもハンダフローによる
予備ハンダが可能であつた。
ネルを日本エンゲルハルト社製アトメツクス無電
解Auメツキ液に浸漬して端子部のNi−Ｐ被膜上
にのみ約300ÅのAuメツキを施した。実施例１に
比して、フラツタスなしでもハンダフローによる
予備ハンダが可能であつた。
実施例 ３
実施例１においてNi−Ｐメツキに続いて実施
例２のAuメツキを施した。同様に予備ハンダ時
のフラツクスは必要としなかつた。
例２のAuメツキを施した。同様に予備ハンダ時
のフラツクスは必要としなかつた。
実施例 ４
実施例１において、配向剤として垂直配向剤で
あるトリイソプロピルオキシモノステアリルチタ
ンを同様に端子部を除いて凸板印刷した。他は同
様にしてGHタイプ液晶パネルを作り、実装を行
なつた。100μピツチも何の問題もなく実装可能
であつた。
あるトリイソプロピルオキシモノステアリルチタ
ンを同様に端子部を除いて凸板印刷した。他は同
様にしてGHタイプ液晶パネルを作り、実装を行
なつた。100μピツチも何の問題もなく実装可能
であつた。
以上実施例により本発明を説明したが、本発明
により高密度パネルの実装コストが大幅にダウン
され又信頼性も高いことから工業的価値は大なる
ものがある。本発明により得られた液晶パネルは
時計、電卓、テレビ、α−Ｎデイスプレイ等に用
いられる。
により高密度パネルの実装コストが大幅にダウン
され又信頼性も高いことから工業的価値は大なる
ものがある。本発明により得られた液晶パネルは
時計、電卓、テレビ、α−Ｎデイスプレイ等に用
いられる。
なお、本発明は液晶パネルへの適用の他、透明
導電膜の端子を有するもの（例えば電気駆動表示
パネル、EL表示パネル等）にも適用できる。
導電膜の端子を有するもの（例えば電気駆動表示
パネル、EL表示パネル等）にも適用できる。
上述の如く、本発明によれば、端子部以外を配
向膜によりメツキレジストとして機能させて無電
解メツキするので、端子部に容易に無電解メツキ
被膜を形成することができる。さらに、この配向
膜はメツキレジストのみならず、配向膜としても
作用するため剥離する必要もない、したがつて、
製造工程が増加することなく、安定した量産製造
が実現できる。
向膜によりメツキレジストとして機能させて無電
解メツキするので、端子部に容易に無電解メツキ
被膜を形成することができる。さらに、この配向
膜はメツキレジストのみならず、配向膜としても
作用するため剥離する必要もない、したがつて、
製造工程が増加することなく、安定した量産製造
が実現できる。
Claims (1)
- １ 基板上に端子部および電極部がパターニング
形成された透明導電膜上にのみメツキ触媒を塗布
する工程と、該メツキ触媒が塗布された前記基板
の前記端子部を除く該基板上に配向膜を形成する
工程と、該配向膜が形成された基板をメツキ促進
剤に浸漬する工程と、次いで該基板を無電解Ni
基合金メツキ液に浸漬し前記端子部のみに無電解
メツキする工程とを少なくとも具備することを特
徴とする液晶パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2416083A JPS59149325A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 液晶パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2416083A JPS59149325A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 液晶パネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59149325A JPS59149325A (ja) | 1984-08-27 |
| JPH0470612B2 true JPH0470612B2 (ja) | 1992-11-11 |
Family
ID=12130580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2416083A Granted JPS59149325A (ja) | 1983-02-16 | 1983-02-16 | 液晶パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59149325A (ja) |
-
1983
- 1983-02-16 JP JP2416083A patent/JPS59149325A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59149325A (ja) | 1984-08-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6627544B2 (en) | Method of making a metal film pattern | |
| US6127052A (en) | Substrate and method for producing it | |
| US6156413A (en) | Glass circuit substrate and fabrication method thereof | |
| JP2001094238A (ja) | 金属配線の製造方法およびその金属配線を備えた配線基板 | |
| US4666078A (en) | Electroless plated terminals of display panel | |
| US5384154A (en) | Method of selectively providing a pattern of a material other than glass on a glass substrate by electroless metallization | |
| JP3480697B2 (ja) | Ｃｏｇ型液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH0470613B2 (ja) | ||
| EP0083458A1 (en) | Method of partially metallising electrically conductive non-metallic patterns | |
| US4824693A (en) | Method for depositing a solderable metal layer by an electroless method | |
| JP2001135168A (ja) | 金属配線の製造方法 | |
| JP2003051463A (ja) | 金属配線の製造方法およびその方法を用いた金属配線基板 | |
| JPH0283533A (ja) | 液晶表示装置及びそれに用いる電極基板 | |
| JPH0470612B2 (ja) | ||
| JPS60245781A (ja) | 透明導電膜パタ−ン上へのめつき方法 | |
| JPS60245782A (ja) | 透明導電膜パタ−ン上へのめつき方法 | |
| JP3299167B2 (ja) | 埋設電極付き基板の製造方法 | |
| JPH0158489B2 (ja) | ||
| JPH01169811A (ja) | 電極構造 | |
| JPH0585637B2 (ja) | ||
| JPS59113169A (ja) | 液晶パネルの部分メツキ方法 | |
| JPH0364869B2 (ja) | ||
| JP2000259095A (ja) | 画像表示デバイス用基板 | |
| JPH0437967B2 (ja) | ||
| JPH05125552A (ja) | 透明導電膜上への金メツキ方法 |