JPH0364869B2 - - Google Patents
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- JPH0364869B2 JPH0364869B2 JP57078857A JP7885782A JPH0364869B2 JP H0364869 B2 JPH0364869 B2 JP H0364869B2 JP 57078857 A JP57078857 A JP 57078857A JP 7885782 A JP7885782 A JP 7885782A JP H0364869 B2 JPH0364869 B2 JP H0364869B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- nickel
- transparent conductive
- conductive film
- film
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶パネル用電極基板の製造方法に関
するものである。
するものである。
液晶パネルには透明導電膜が用いられているが
パターンの微細化にともない抵抗が問題になり必
要とする画素以外は金属配線で抵抗の大きなとこ
ろを補つていこうとする動向がある。特に多重マ
トリクスパネルではパターンピツチ10μ程度が必
要とされるため画素以外は金属配線の必要性が生
ずる。そこで、従来このような金属配線を有する
電極構造は、例えばガラス基板上に透明導電膜を
全面形成する工程→これをパターニングする工程
（画素部とリード部を残して）→全面にCr−Auを
真空蒸着する工程→画素部とリード部以下のCr
−Auをエツチング除去する工程によつて得るか
全面に透明導電膜を全面に形成する工程→全面に
Cr−Auを形成する工程→リード部のCr−Au部を
残してCr−Auをエツチングする工程→リード部
及び画素部を残して透明導電膜をエツチングする
工程によつて得ていた。いずれの方法も透明導電
膜と金属リード部（Cr−Au）のパターンの位置
合わせが非常に困難であることや、透明導電膜・
Cr・Auとそれぞれ独立してエツチングするエツ
チング液の必要性（アンダーエツチングの問題）、
さらにはCr・Au被膜工程が真空蒸着法によるた
め高価である等の欠点を有していた。
パターンの微細化にともない抵抗が問題になり必
要とする画素以外は金属配線で抵抗の大きなとこ
ろを補つていこうとする動向がある。特に多重マ
トリクスパネルではパターンピツチ10μ程度が必
要とされるため画素以外は金属配線の必要性が生
ずる。そこで、従来このような金属配線を有する
電極構造は、例えばガラス基板上に透明導電膜を
全面形成する工程→これをパターニングする工程
（画素部とリード部を残して）→全面にCr−Auを
真空蒸着する工程→画素部とリード部以下のCr
−Auをエツチング除去する工程によつて得るか
全面に透明導電膜を全面に形成する工程→全面に
Cr−Auを形成する工程→リード部のCr−Au部を
残してCr−Auをエツチングする工程→リード部
及び画素部を残して透明導電膜をエツチングする
工程によつて得ていた。いずれの方法も透明導電
膜と金属リード部（Cr−Au）のパターンの位置
合わせが非常に困難であることや、透明導電膜・
Cr・Auとそれぞれ独立してエツチングするエツ
チング液の必要性（アンダーエツチングの問題）、
さらにはCr・Au被膜工程が真空蒸着法によるた
め高価である等の欠点を有していた。
そこで、本発明は上記欠点に鑑みなされたもの
であり、その目的とするところは安価で量産性が
よく、なおかつ透明導電膜の抵抗を下げることが
できる液晶パネル用電極基板の製造方法を提供す
ることにある。
であり、その目的とするところは安価で量産性が
よく、なおかつ透明導電膜の抵抗を下げることが
できる液晶パネル用電極基板の製造方法を提供す
ることにある。
本発明の液晶パネル用電極基板の製造方法は、
絶縁基板上にパターニングされた金属酸化物から
なる透明導電膜の一部の表面上にニツケル−リン
系又はニツケル−ホウ素系の無電解ニツケルメツ
キにより金属被膜を形成する工程と、該金属被膜
上に無電解貴金属メツキにより貴金属被膜を形成
する工程とを少なくとも具備することを特徴とす
る。
絶縁基板上にパターニングされた金属酸化物から
なる透明導電膜の一部の表面上にニツケル−リン
系又はニツケル−ホウ素系の無電解ニツケルメツ
キにより金属被膜を形成する工程と、該金属被膜
上に無電解貴金属メツキにより貴金属被膜を形成
する工程とを少なくとも具備することを特徴とす
る。
上記金属被膜のエツチングは、例えば非エツチ
ング部をレジスト後次のエツチング液（常温）に
30秒程度（被膜厚に応じて変動）浸漬して行な
う。
ング部をレジスト後次のエツチング液（常温）に
30秒程度（被膜厚に応じて変動）浸漬して行な
う。
エツチング液（容量比）
リン酸 35％
硝 酸 35％
酢 酸 ５％
硫 酸 ５％
水 20％
又、前記貴金属（特に金、銀）被膜のエツチン
グは、非エツチング部へレジストを塗布後、王水
に浸漬することにより行なう。この後レジストを
剥離する。本発明によれば前記方法にようなパタ
ーン位置合せ（透明導電膜と金属リード部）の問
題がほとんどなく（大きなパターンである画素部
の合わせだけであり多少ずれても実用上問題とな
らない）、安価に金属リード付き液晶パネル用電
極基板が得られる。
グは、非エツチング部へレジストを塗布後、王水
に浸漬することにより行なう。この後レジストを
剥離する。本発明によれば前記方法にようなパタ
ーン位置合せ（透明導電膜と金属リード部）の問
題がほとんどなく（大きなパターンである画素部
の合わせだけであり多少ずれても実用上問題とな
らない）、安価に金属リード付き液晶パネル用電
極基板が得られる。
本発明に用いられる透明な絶縁基板としてはソ
ーダガラス、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス等の
無機ガラス、ポリエステル、エポキシ、酢酸セル
ロース等のプラスチツクフイルムが考えられる。
液晶のモードによつては片側基板は不透明でも良
く、セラミツク上に透明導電膜を形成しても良
い。また、用いられる透明導電膜としては酸化ス
ズ系（酸化スズ又は酸化スズにアンチモン、ホウ
素、フツ素等をドーピングしたもの）でも良いし
酸化インジウム系（酸化インジウム又は酸化スズ
をドープしたもの等）でも良い。これらはCVD
法、真空蒸着法、スパツタ法、イオンプレイテイ
ング法、印刷焼成法、浸漬焼付け法、スプレー
法、パイロゾルCVD法等により得られる。
ーダガラス、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス等の
無機ガラス、ポリエステル、エポキシ、酢酸セル
ロース等のプラスチツクフイルムが考えられる。
液晶のモードによつては片側基板は不透明でも良
く、セラミツク上に透明導電膜を形成しても良
い。また、用いられる透明導電膜としては酸化ス
ズ系（酸化スズ又は酸化スズにアンチモン、ホウ
素、フツ素等をドーピングしたもの）でも良いし
酸化インジウム系（酸化インジウム又は酸化スズ
をドープしたもの等）でも良い。これらはCVD
法、真空蒸着法、スパツタ法、イオンプレイテイ
ング法、印刷焼成法、浸漬焼付け法、スプレー
法、パイロゾルCVD法等により得られる。
これらの透明導電膜は所定のフオト工程を経て
HCl、HCl.Zn、Cr2+／Cr3+レドツクス系等を用
いてエツチングパターニングされる。次に透明電
極上にのみニツケルメツキ又はその合金メツキす
る方法としては、通常のSnCl2→PdCl2→NiPメ
ツキ工程のPdCl2工程後に触媒毒であるPb、Sb
を含んだ溶液に浸漬する。又は一液タイプの時は
ニツケルメツキ又はその合金メツキ前に前記触媒
毒に浸漬することにより選択的なメツキが得られ
る。ニツケルメツキ又はニツケル合金メツキの膜
厚は500Å〜10000Åが適当であり密着性からして
1000Å〜6000Åが適当である。ニツケル又はニツ
ケル合金としてはニツケル基をベースにNi−Ｐ、
Ni−Ｂ、Ni−Co−Ｐ、Ni−Cu−Ｐ、Ni−Co−
Cr−Ｐ等が用いられるが特にNi−Ｐ、Ni−Ｂは
密着性、メツキ液の安定度等が優れている。Ｐ、
Ｂの含有量は1wt％〜20wt％である。これらを無
電解メツキした後、密着性を向上させるため常温
に１週間以上放置するか、50℃〜500℃で熱処理
を行なつても良い。
HCl、HCl.Zn、Cr2+／Cr3+レドツクス系等を用
いてエツチングパターニングされる。次に透明電
極上にのみニツケルメツキ又はその合金メツキす
る方法としては、通常のSnCl2→PdCl2→NiPメ
ツキ工程のPdCl2工程後に触媒毒であるPb、Sb
を含んだ溶液に浸漬する。又は一液タイプの時は
ニツケルメツキ又はその合金メツキ前に前記触媒
毒に浸漬することにより選択的なメツキが得られ
る。ニツケルメツキ又はニツケル合金メツキの膜
厚は500Å〜10000Åが適当であり密着性からして
1000Å〜6000Åが適当である。ニツケル又はニツ
ケル合金としてはニツケル基をベースにNi−Ｐ、
Ni−Ｂ、Ni−Co−Ｐ、Ni−Cu−Ｐ、Ni−Co−
Cr−Ｐ等が用いられるが特にNi−Ｐ、Ni−Ｂは
密着性、メツキ液の安定度等が優れている。Ｐ、
Ｂの含有量は1wt％〜20wt％である。これらを無
電解メツキした後、密着性を向上させるため常温
に１週間以上放置するか、50℃〜500℃で熱処理
を行なつても良い。
前記ニツケル又はニツケル合金被膜を形成後熱
処理する場合は、下層との密着性等が向上するも
ののその表面に導通性がやや劣る酸化ニツケルが
形成されるが、この酸化ニツケルを除去するため
塩化第二鉄の浴中に浸漬させるようにしてもよ
い。貴金属メツキはニツケル又はその合金メツキ
の抵抗をさらに低下させる（ニツケル又はその合
金メツキを厚くして抵抗を下げると基板との密着
性の問題が生ずる）ためであり、安定性、メツキ
の容易さ、比抵抗からして金、銀、Pd、Pt、
Rh、Ru等が、これらの合金又はその他の卑金属
との合金が良い。使い方からして無電解メツキが
良い。又無電解メツキでも置換型メツキ液が使い
易い。これらの貴金属メツキの厚みは50Å〜4000
Åであり、さらに望ましくは500Å〜3000Åであ
る。あまり厚くするとコストが高くなり、又透明
導電膜との密着性も劣る。薄すぎると抵抗が十分
低下しないのでおのずから適当な膜厚は貴金属の
固有比抵抗によつて決まつてくる。この貴金属無
電解メツキを施してから下層金属層等との密着性
向上のため、常温に１週間以上放置するか、80℃
〜500℃で熱処理を行なつてもよいがこの熱処理
のみを行なう他、前記熱処理と併用してもよい。
処理する場合は、下層との密着性等が向上するも
ののその表面に導通性がやや劣る酸化ニツケルが
形成されるが、この酸化ニツケルを除去するため
塩化第二鉄の浴中に浸漬させるようにしてもよ
い。貴金属メツキはニツケル又はその合金メツキ
の抵抗をさらに低下させる（ニツケル又はその合
金メツキを厚くして抵抗を下げると基板との密着
性の問題が生ずる）ためであり、安定性、メツキ
の容易さ、比抵抗からして金、銀、Pd、Pt、
Rh、Ru等が、これらの合金又はその他の卑金属
との合金が良い。使い方からして無電解メツキが
良い。又無電解メツキでも置換型メツキ液が使い
易い。これらの貴金属メツキの厚みは50Å〜4000
Åであり、さらに望ましくは500Å〜3000Åであ
る。あまり厚くするとコストが高くなり、又透明
導電膜との密着性も劣る。薄すぎると抵抗が十分
低下しないのでおのずから適当な膜厚は貴金属の
固有比抵抗によつて決まつてくる。この貴金属無
電解メツキを施してから下層金属層等との密着性
向上のため、常温に１週間以上放置するか、80℃
〜500℃で熱処理を行なつてもよいがこの熱処理
のみを行なう他、前記熱処理と併用してもよい。
以下実施例によつて本発明を詳細に説明する。
実施例 １
第１図のように、上パネル基板の走査電極（鎖
線）に対し下パネル基板に四重マトリクスパネル
用に信号電極である透明導電膜（５％の酸化スズ
をドープした酸化インジウム）をエツチング形成
した。リード部１のピツチは10μ画素部２のサイ
ズは70μである。次に無電解メツキプロセスとし
て１液性の増感剤である日立化成社製HS101Bで
５分間処理し、触媒毒を含んだ日立化成社製
HS201で10分間処理し、水洗後、カニゼン社製
S680無電解ニツケルリンメツキ液を用いて60℃
で３分間処理し、透明導電膜上のみに（第２図斜
線部）ニツケルリンメツキを2000Å施した。次に
フオト工程を経て画素上のニツケルリンメツキを
第３図のように前述の方法によりエツチング除去
した。Ａ−Ｂ間の抵抗測定をしたところ第１図で
は10KΩ、第３図では500Ωであつた。次に日本エ
ンゲルハルト社製置換無電解金メツキ液で60℃、
30分間置換型メツキした。Ａ−Ｂ間の抵抗は10Ω
であつた。第１図で走査電極と組み合わせ16行×
80桁（５×７ドツト）1/32dutyで四重マトリク
スの液晶パネルを作成したところ端子から遠い所
はON状態でもハーフトーンになり表示むらが生
じた。しかし同様のパネルを第３図の構成で作成
したところ表示むらを生じなかつた。又前述の従
来方法で作成したパネルは電極の切れ、シヨー
ト、ズレ等の不良が90％あつたが、本実施例によ
つて得たものは30％の不良（全て10μ部の透明導
電膜のエツチング切れ）のみであつた。本発明に
よつて得られた金属リード部は前述の無電解ニツ
ケルリンメツキより、又は前記無電解金メツキ後
に80℃〜500℃で熱処理して、基板への密着性の
向上耐摩耗性の向上をはかつても良い。
線）に対し下パネル基板に四重マトリクスパネル
用に信号電極である透明導電膜（５％の酸化スズ
をドープした酸化インジウム）をエツチング形成
した。リード部１のピツチは10μ画素部２のサイ
ズは70μである。次に無電解メツキプロセスとし
て１液性の増感剤である日立化成社製HS101Bで
５分間処理し、触媒毒を含んだ日立化成社製
HS201で10分間処理し、水洗後、カニゼン社製
S680無電解ニツケルリンメツキ液を用いて60℃
で３分間処理し、透明導電膜上のみに（第２図斜
線部）ニツケルリンメツキを2000Å施した。次に
フオト工程を経て画素上のニツケルリンメツキを
第３図のように前述の方法によりエツチング除去
した。Ａ−Ｂ間の抵抗測定をしたところ第１図で
は10KΩ、第３図では500Ωであつた。次に日本エ
ンゲルハルト社製置換無電解金メツキ液で60℃、
30分間置換型メツキした。Ａ−Ｂ間の抵抗は10Ω
であつた。第１図で走査電極と組み合わせ16行×
80桁（５×７ドツト）1/32dutyで四重マトリク
スの液晶パネルを作成したところ端子から遠い所
はON状態でもハーフトーンになり表示むらが生
じた。しかし同様のパネルを第３図の構成で作成
したところ表示むらを生じなかつた。又前述の従
来方法で作成したパネルは電極の切れ、シヨー
ト、ズレ等の不良が90％あつたが、本実施例によ
つて得たものは30％の不良（全て10μ部の透明導
電膜のエツチング切れ）のみであつた。本発明に
よつて得られた金属リード部は前述の無電解ニツ
ケルリンメツキより、又は前記無電解金メツキ後
に80℃〜500℃で熱処理して、基板への密着性の
向上耐摩耗性の向上をはかつても良い。
実施例 ２
実施例１において無電解ニツケルリンメツキ後
に置換型無電解銀メツキ液である高純度化学社製
Ｓ−900を用い80℃で30分間施した。次に画素部
を残して、銀及びニツケルリン被膜を前述のエツ
チング方法を用いて次々にエツチングして第３図
のような信号電極基板を作成した。Ａ−Ｂ間の抵
抗は40Ωであつた。効果は実施例１と同様であつ
た。
に置換型無電解銀メツキ液である高純度化学社製
Ｓ−900を用い80℃で30分間施した。次に画素部
を残して、銀及びニツケルリン被膜を前述のエツ
チング方法を用いて次々にエツチングして第３図
のような信号電極基板を作成した。Ａ−Ｂ間の抵
抗は40Ωであつた。効果は実施例１と同様であつ
た。
実施例 ３
実施例１で無電解ニツケルリンメツキの代わり
に上村工業製（ベルニツケル）の無電解ニツケル
ボロンメツキ液を用い3500Åメツキした。後は同
様の処理でパネルとしたところ効果は同じであつ
た。
に上村工業製（ベルニツケル）の無電解ニツケル
ボロンメツキ液を用い3500Åメツキした。後は同
様の処理でパネルとしたところ効果は同じであつ
た。
実施例 ４
実施例１で酸化インジウム系透明導電膜の代わ
りに5wt％の酸化アンチモンをドープした酸化ス
ズを用いた。Ａ−Ｂ間の抵抗は100KΩであつた。
次に無電解ニツケルリンメツキ、無電解金メツキ
後のＡ−Ｂ間の抵抗は実施例１と同様であつた。
パネルとしての効果は同様であつた。
りに5wt％の酸化アンチモンをドープした酸化ス
ズを用いた。Ａ−Ｂ間の抵抗は100KΩであつた。
次に無電解ニツケルリンメツキ、無電解金メツキ
後のＡ−Ｂ間の抵抗は実施例１と同様であつた。
パネルとしての効果は同様であつた。
実施例 ５
実施例１のプロセスで金メツキの代わりに無電
解Pdメツキ（高純度化学社Pd−５）を1500Å施
した。Ａ−Ｂ間の抵抗は80Ωであつた。パネルと
しての特性は実施例１と同様であつた。
解Pdメツキ（高純度化学社Pd−５）を1500Å施
した。Ａ−Ｂ間の抵抗は80Ωであつた。パネルと
しての特性は実施例１と同様であつた。
上述の如く、本発明によれば、特にニツケル−
リン系又はニツケル−ホウ素系の無電解ニツケル
メツキにより金属被膜を形成したので、透明導電
膜との密着性が良好となる。さらに、透明導電膜
上に直接貴金属被膜を形成したのでは良好な密着
性が得られないが、無電解ニツケルメツキによる
金属被膜を介在させることにより充分な密着力を
確保できる。また、この金属被膜上に貴金属被膜
を形成したので、金属被膜の抵抗値をより低下さ
せることができる、したがつて透明導電膜からな
る電極の抵抗値を下げることになる。また、金属
被膜、貴金属被膜ともに無電解メツキにより形成
したので、(イ)絶縁基板の被メツキ面の全てにおい
て均一な膜厚の被膜が得られる。(ロ)かなり細密化
された透明導電膜パターンであつても容易に均一
な膜厚の被膜が得られる。したがつて、液晶パネ
ルにとつて極めて重要な電極基板内のセル厚を均
一なものとすることができる。
リン系又はニツケル−ホウ素系の無電解ニツケル
メツキにより金属被膜を形成したので、透明導電
膜との密着性が良好となる。さらに、透明導電膜
上に直接貴金属被膜を形成したのでは良好な密着
性が得られないが、無電解ニツケルメツキによる
金属被膜を介在させることにより充分な密着力を
確保できる。また、この金属被膜上に貴金属被膜
を形成したので、金属被膜の抵抗値をより低下さ
せることができる、したがつて透明導電膜からな
る電極の抵抗値を下げることになる。また、金属
被膜、貴金属被膜ともに無電解メツキにより形成
したので、(イ)絶縁基板の被メツキ面の全てにおい
て均一な膜厚の被膜が得られる。(ロ)かなり細密化
された透明導電膜パターンであつても容易に均一
な膜厚の被膜が得られる。したがつて、液晶パネ
ルにとつて極めて重要な電極基板内のセル厚を均
一なものとすることができる。
第１図は従来の四重マトリクスパネルの透明導
電膜の構造を示す図。第２図は本発明の一実施例
において透明導電膜上の全面にニツケル−リンメ
ツキした電極基板を示す図。第３図は本発明の一
実施例による電極基板を示す図。
電膜の構造を示す図。第２図は本発明の一実施例
において透明導電膜上の全面にニツケル−リンメ
ツキした電極基板を示す図。第３図は本発明の一
実施例による電極基板を示す図。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁基板上にパターニングされた金属酸化物
からなる透明導電膜の一部の表面上にニツケル−
リン系又はニツケル−ホウ素系の無電解ニツケル
メツキにより金属被膜を形成する工程と、該金属
被膜上に無電解貴金属メツキにより貴金属被膜を
形成する工程とを少なくとも具備することを特徴
とする液晶パネル用電極基板の製造方法。 ２ 少なくとも１方が透明な絶縁基板上に形成さ
れた透明導電膜をパターニングする工程、パター
ニングされた透明導電膜上にのみ選択的に無電解
ニツケル又はその合金メツキする工程、必要な画
素上のニツケル又はその合金メツキ被膜をエツチ
ングする工程、残された該ニツケル又はその合金
メツキ被膜上に貴金属メツキを施す工程を含むこ
とを特徴とする表示パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7885782A JPS58194084A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | 表示パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7885782A JPS58194084A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | 表示パネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58194084A JPS58194084A (ja) | 1983-11-11 |
| JPH0364869B2 true JPH0364869B2 (ja) | 1991-10-08 |
Family
ID=13673492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7885782A Granted JPS58194084A (ja) | 1982-05-10 | 1982-05-10 | 表示パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58194084A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017057484A (ja) * | 2015-09-18 | 2017-03-23 | 石原ケミカル株式会社 | 透明導電膜上への導電性皮膜形成方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5463770A (en) * | 1977-10-14 | 1979-05-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Electrochromic display plate |
| JPS556346A (en) * | 1978-06-27 | 1980-01-17 | Sharp Kk | Electrode pattern and method of forming same |
| JPS6019608B2 (ja) * | 1978-10-03 | 1985-05-17 | シャープ株式会社 | 電極パタ−ン形成方法 |
| JPS5938068Y2 (ja) * | 1980-03-27 | 1984-10-22 | 株式会社日立製作所 | 基板上のパタ−ン構造 |
-
1982
- 1982-05-10 JP JP7885782A patent/JPS58194084A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017057484A (ja) * | 2015-09-18 | 2017-03-23 | 石原ケミカル株式会社 | 透明導電膜上への導電性皮膜形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58194084A (ja) | 1983-11-11 |
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