JPH0470749B2 - - Google Patents
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- JPH0470749B2 JPH0470749B2 JP6897888A JP6897888A JPH0470749B2 JP H0470749 B2 JPH0470749 B2 JP H0470749B2 JP 6897888 A JP6897888 A JP 6897888A JP 6897888 A JP6897888 A JP 6897888A JP H0470749 B2 JPH0470749 B2 JP H0470749B2
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- conductor
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- insulator
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Description
〔産業上の利用分野〕
この発明は、避雷器、架空地線等を接地するた
めに用いる低サージインピーダンス導体の接地側
端末部に関するものである。 〔従来の技術〕 従来、避雷器等の接地用導体としては、600V
ビニル絶縁電線が汎用されてきたが、近年、架空
送配電線路に対する雷害対策の一貫として接地用
導体の低サージインピーダンス化が検討され、
種々の低サージインピーダンス導体が提案されて
いる。 本願発明者等による実願昭62−77701の考案も
このような提案の一つであり、雷害対策に寄与し
ている。 上記実用新案登録願の考案の要旨は、金属板か
らなる内部導体の周りにほぼ矩形状に絶縁体を被
覆し、上記絶縁体の少なくとも片面上に金属板か
らなる外部導体を前記内部導体と平行に相対向し
て添設し、さらにその周りに外被を施したことを
特徴とする低サージインピーダンス導体である。 なお、この発明における主導体及び副導体は上
記実用新案登録願の考案における低サージインピ
ーダンス導体の内部導体、外部導体と同意義のも
のである。 ところで、上記考案の低サージインピーダンス
導体は種々の架空送配電線路や避雷針など雷害の
危険性のあるすべての施設に適用し得るものであ
り、架空地線や避雷器の接地側などに接続して用
いられる。従つて、これらの架空地線や避雷器側
の接続に適した低サージインピーダンス導体の端
末部の他、接地線接続側についても、沿面閃絡破
壊等を引き起こさずまた特性を損うことがないよ
う簡便に端末処理された端末部が求められてい
た。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、低サージインピーダンス導体自
体が新規な技術的概念であり、そのための接地側
の 端末処理方法や接地側端末部の構造は未だ開
発されていない。 一般に複数の導体または導体と遮蔽体を有する
電線、ケーブル等の接地側端末部は、複数の導体
の端末部間または導体の接地側端末部と遮蔽体の
接地側端末部との間を絶縁するために絶縁テープ
を巻くか熱融着テープを巻いた後加熱モールドし
て接地側端末部における絶縁体を形成している
が、中間部と違つて電界が不均一になることや絶
縁体の形成が手作業になることを考慮して絶縁体
層を中間部よりも厚くし、かつ電界分布をなるべ
く均一にするため導体の接地側端末部間または遮
蔽体−導体間に補強絶縁を施し、導体の接地側端
末部から中間部への絶縁体外径の減少傾向を滑ら
かにしており、そのため接地側端末部全体の長さ
が長くなる。 従つて、接地側端末部の形成に手間が掛かるだ
けでなく、接地側端末部の可撓性が悪くなるた
め、配線工事における作業性も低下するという問
題がある。このような手作業を簡略化するため、
熱収縮チユーブを用いて端末処理を行う方法も考
えられるが、この方法で形成された接地側端末部
はインパルス破壊電圧特性が不十分であるという
問題があつた。 この発明は、上記の現状に鑑み、低サージイン
ピーダンス導体の機能を低下させることなく、確
実かつ容易に形成し得る低サージインピーダンス
導体の接地側端末部を提供することを目的とす
る。 〔課題を解決するための手段〕 上記の課題を解決するため、この発明は、平板
状の主導体の外周にほぼ矩形状に絶縁体を被覆
し、上記絶縁体の少なくとも片面上に主導体と平
行に平板状の副導体を添設し、その外周に外被を
被覆してなる低サージインピーダンス導体の接地
側端末部において、外被、副導体及び絶縁体を順
次段状に剥ぎ取り、副導体露出部、絶縁体露出部
及び主導体露出部に当接するように設けた半導電
性層と、上記の半導電性層を覆うようにその外周
に設けた絶縁体層と、上記外被部分に固定される
と共に、一端部が上記副胴体露出部に電気的に接
続された副導体接地用金具と、を具備した構成と
したものである。 〔作用〕 上記の構成を有するこの発明の低サージインピ
ーダンス導体の接地側端末部は、接続すべき低サ
ージインピーダンス導体の副導体露出部と主導体
接続部とに当接するように半導電性層を設けてあ
るので、雷サージの侵入によつて主導体と副導体
との間に瞬間的に大きな電位差が発生した場合で
もその電位差が半導電性層の抵抗によつて長さ方
向にほぼ均等に分圧され、従つて、主導体部直上
に大きな電位傾度を生ずることがなく、この半導
電性層がない場合に比べてインパルス電圧による
絶縁破壊値が高くなる。換言すれば、端末部を短
くすることができる。 しかも、薄い半導電性層を設けるだけであるか
ら、これによる外径増はごく僅かであり、可撓性
を損ねることもない。また、副導体露出部に電気
的に接続された副導体接地用金具が設けられてい
るため、これに接地線を接続するだけで副導体の
接地作業も簡単に行うことができる。 〔実施例〕 添付図面は、この発明の低サージインピーダン
ス導体の端末部の一実施例を示し、第1図は一部
縦断面図とした平面図、第2図は第1図のX−X
断面矢視図、第3図は同Y−Y断面矢視図であ
る。 図示実施例において、接地側端部を端末処理す
べき低サージインピーダンス導体は、第2図に示
すように、銅条からなる主導体1の外周にビニル
絶縁体2を被覆し、そのビニル絶縁体2の片面上
に銅テープからなる副導体3を主導体1と平行に
添設し、その外周にビニル外被4を被覆したもの
である。 この実施例の接地側端末部は以下に述べるよう
にして形成される。即ち、低サージインピーダン
ス導体の接地側端部のビニル絶縁体2、副導体3
及びビニル外被4を剥ぎ取つた主導体端末部11
にボルト穴12を形成して主導体露出部13と
し、主導体露出部13の内端より所定長ιに渡つ
て副導体3及びビニル外被4を剥ぎ取り、絶縁体
露出部21とする。この場合、副導体3はビニル
外被4を剥ぎ取り端41よりやや長めに残して副
導体露出部31とし、上記剥ぎ取り端41で折り
返す。このように折り返された副導体露出部31
を副導体接地用金具6の一端部の端子金具61で
上下から挟み、かしめることにより副導体露出部
31と副導体接地用金具6の導体62とを電気的
に接続し、ビニル被覆63を有する副導体接地用
金具6の中間部をナイロン製の緊締バンド7によ
り低サージインピーダンス導体に対し締付け、固
定する。 次に、絶縁体露出部21の外端部(主導体露出
部13との境界部)及び上記ビニル外被4の剥ぎ
取り端41のやや内側(上記副導体接地用金具6
の端子金具61の内側)にシーリングテープ5を
巻いた後、上記の折り返された副導体露出部31
及び端子金具61上、絶縁体露出部21上、主導
体露出部13の内端部上に半導電性自己融着テー
プを巻き付けて半導電性層22を形成する。その
後、半導電性層22を覆うようにその外周に粘着
性ポリエチレンテープ81を巻き、さらにその上
にエチレンプロピレンゴム製の熱収縮チユーブ8
2を被せ、絶縁体層8を形成する。次に、絶縁体
層8の両端部外方に、粘着性ポリエチレンテープ
9を巻き、その上にさらに粘着性ビニルテープ1
0を巻く。その後、副導体接地用金具6のもう一
方の端部の圧着端子63に接地線14を接続し、
この端部側の露出部上にシーリングテープ16を
巻き付け、さらにその上に粘着性ビニルテープ1
7を巻く。
めに用いる低サージインピーダンス導体の接地側
端末部に関するものである。 〔従来の技術〕 従来、避雷器等の接地用導体としては、600V
ビニル絶縁電線が汎用されてきたが、近年、架空
送配電線路に対する雷害対策の一貫として接地用
導体の低サージインピーダンス化が検討され、
種々の低サージインピーダンス導体が提案されて
いる。 本願発明者等による実願昭62−77701の考案も
このような提案の一つであり、雷害対策に寄与し
ている。 上記実用新案登録願の考案の要旨は、金属板か
らなる内部導体の周りにほぼ矩形状に絶縁体を被
覆し、上記絶縁体の少なくとも片面上に金属板か
らなる外部導体を前記内部導体と平行に相対向し
て添設し、さらにその周りに外被を施したことを
特徴とする低サージインピーダンス導体である。 なお、この発明における主導体及び副導体は上
記実用新案登録願の考案における低サージインピ
ーダンス導体の内部導体、外部導体と同意義のも
のである。 ところで、上記考案の低サージインピーダンス
導体は種々の架空送配電線路や避雷針など雷害の
危険性のあるすべての施設に適用し得るものであ
り、架空地線や避雷器の接地側などに接続して用
いられる。従つて、これらの架空地線や避雷器側
の接続に適した低サージインピーダンス導体の端
末部の他、接地線接続側についても、沿面閃絡破
壊等を引き起こさずまた特性を損うことがないよ
う簡便に端末処理された端末部が求められてい
た。 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、低サージインピーダンス導体自
体が新規な技術的概念であり、そのための接地側
の 端末処理方法や接地側端末部の構造は未だ開
発されていない。 一般に複数の導体または導体と遮蔽体を有する
電線、ケーブル等の接地側端末部は、複数の導体
の端末部間または導体の接地側端末部と遮蔽体の
接地側端末部との間を絶縁するために絶縁テープ
を巻くか熱融着テープを巻いた後加熱モールドし
て接地側端末部における絶縁体を形成している
が、中間部と違つて電界が不均一になることや絶
縁体の形成が手作業になることを考慮して絶縁体
層を中間部よりも厚くし、かつ電界分布をなるべ
く均一にするため導体の接地側端末部間または遮
蔽体−導体間に補強絶縁を施し、導体の接地側端
末部から中間部への絶縁体外径の減少傾向を滑ら
かにしており、そのため接地側端末部全体の長さ
が長くなる。 従つて、接地側端末部の形成に手間が掛かるだ
けでなく、接地側端末部の可撓性が悪くなるた
め、配線工事における作業性も低下するという問
題がある。このような手作業を簡略化するため、
熱収縮チユーブを用いて端末処理を行う方法も考
えられるが、この方法で形成された接地側端末部
はインパルス破壊電圧特性が不十分であるという
問題があつた。 この発明は、上記の現状に鑑み、低サージイン
ピーダンス導体の機能を低下させることなく、確
実かつ容易に形成し得る低サージインピーダンス
導体の接地側端末部を提供することを目的とす
る。 〔課題を解決するための手段〕 上記の課題を解決するため、この発明は、平板
状の主導体の外周にほぼ矩形状に絶縁体を被覆
し、上記絶縁体の少なくとも片面上に主導体と平
行に平板状の副導体を添設し、その外周に外被を
被覆してなる低サージインピーダンス導体の接地
側端末部において、外被、副導体及び絶縁体を順
次段状に剥ぎ取り、副導体露出部、絶縁体露出部
及び主導体露出部に当接するように設けた半導電
性層と、上記の半導電性層を覆うようにその外周
に設けた絶縁体層と、上記外被部分に固定される
と共に、一端部が上記副胴体露出部に電気的に接
続された副導体接地用金具と、を具備した構成と
したものである。 〔作用〕 上記の構成を有するこの発明の低サージインピ
ーダンス導体の接地側端末部は、接続すべき低サ
ージインピーダンス導体の副導体露出部と主導体
接続部とに当接するように半導電性層を設けてあ
るので、雷サージの侵入によつて主導体と副導体
との間に瞬間的に大きな電位差が発生した場合で
もその電位差が半導電性層の抵抗によつて長さ方
向にほぼ均等に分圧され、従つて、主導体部直上
に大きな電位傾度を生ずることがなく、この半導
電性層がない場合に比べてインパルス電圧による
絶縁破壊値が高くなる。換言すれば、端末部を短
くすることができる。 しかも、薄い半導電性層を設けるだけであるか
ら、これによる外径増はごく僅かであり、可撓性
を損ねることもない。また、副導体露出部に電気
的に接続された副導体接地用金具が設けられてい
るため、これに接地線を接続するだけで副導体の
接地作業も簡単に行うことができる。 〔実施例〕 添付図面は、この発明の低サージインピーダン
ス導体の端末部の一実施例を示し、第1図は一部
縦断面図とした平面図、第2図は第1図のX−X
断面矢視図、第3図は同Y−Y断面矢視図であ
る。 図示実施例において、接地側端部を端末処理す
べき低サージインピーダンス導体は、第2図に示
すように、銅条からなる主導体1の外周にビニル
絶縁体2を被覆し、そのビニル絶縁体2の片面上
に銅テープからなる副導体3を主導体1と平行に
添設し、その外周にビニル外被4を被覆したもの
である。 この実施例の接地側端末部は以下に述べるよう
にして形成される。即ち、低サージインピーダン
ス導体の接地側端部のビニル絶縁体2、副導体3
及びビニル外被4を剥ぎ取つた主導体端末部11
にボルト穴12を形成して主導体露出部13と
し、主導体露出部13の内端より所定長ιに渡つ
て副導体3及びビニル外被4を剥ぎ取り、絶縁体
露出部21とする。この場合、副導体3はビニル
外被4を剥ぎ取り端41よりやや長めに残して副
導体露出部31とし、上記剥ぎ取り端41で折り
返す。このように折り返された副導体露出部31
を副導体接地用金具6の一端部の端子金具61で
上下から挟み、かしめることにより副導体露出部
31と副導体接地用金具6の導体62とを電気的
に接続し、ビニル被覆63を有する副導体接地用
金具6の中間部をナイロン製の緊締バンド7によ
り低サージインピーダンス導体に対し締付け、固
定する。 次に、絶縁体露出部21の外端部(主導体露出
部13との境界部)及び上記ビニル外被4の剥ぎ
取り端41のやや内側(上記副導体接地用金具6
の端子金具61の内側)にシーリングテープ5を
巻いた後、上記の折り返された副導体露出部31
及び端子金具61上、絶縁体露出部21上、主導
体露出部13の内端部上に半導電性自己融着テー
プを巻き付けて半導電性層22を形成する。その
後、半導電性層22を覆うようにその外周に粘着
性ポリエチレンテープ81を巻き、さらにその上
にエチレンプロピレンゴム製の熱収縮チユーブ8
2を被せ、絶縁体層8を形成する。次に、絶縁体
層8の両端部外方に、粘着性ポリエチレンテープ
9を巻き、その上にさらに粘着性ビニルテープ1
0を巻く。その後、副導体接地用金具6のもう一
方の端部の圧着端子63に接地線14を接続し、
この端部側の露出部上にシーリングテープ16を
巻き付け、さらにその上に粘着性ビニルテープ1
7を巻く。
以上説明したように、この発明による低サージ
インピーダンス導体の接地側端末部は、端末処理
すべき低サージインピーダンス導体の副導体露出
部、絶縁体露出部及び主導体接続部に当接させて
薄い半導電性層を設けたため、主導体と副導体と
の間にインパルス電圧が加わつても、その電位差
が半導電性層の抵抗によつて長さ方向にほぼ均等
に分圧される結果、インパルス電圧に対して高い
絶縁破壊強度を確保することができ、従つて、端
末部を短くすることができる。しかも外径増はご
く僅かであり、可撓性が損われることもない。即
ちこの発明による低サージインピーダンス導体の
接地側端末部は、低サージインピーダンス導体の
機能を低下させることなく確実かつ容易に形成す
ることができる。また、副導体接地用金具を設け
たため、副導体の接地作業も簡単かつ確実に行う
ことができる。
インピーダンス導体の接地側端末部は、端末処理
すべき低サージインピーダンス導体の副導体露出
部、絶縁体露出部及び主導体接続部に当接させて
薄い半導電性層を設けたため、主導体と副導体と
の間にインパルス電圧が加わつても、その電位差
が半導電性層の抵抗によつて長さ方向にほぼ均等
に分圧される結果、インパルス電圧に対して高い
絶縁破壊強度を確保することができ、従つて、端
末部を短くすることができる。しかも外径増はご
く僅かであり、可撓性が損われることもない。即
ちこの発明による低サージインピーダンス導体の
接地側端末部は、低サージインピーダンス導体の
機能を低下させることなく確実かつ容易に形成す
ることができる。また、副導体接地用金具を設け
たため、副導体の接地作業も簡単かつ確実に行う
ことができる。
添付図面はこの発明による低サージインピーダ
ンス導体の接地側端末部の一実施例を示し、第1
図は一部縦断面図とした平面図、第2図は第1図
のX−X断面矢視図、第3図は第1図のY−Y断
面矢視図である。 1……主導体、2……絶縁体、3……副導体、
4……ビニル外被、6……副導体接地用金具、8
……絶縁体層、11……主導体端末部、13……
主導体露出部、21……絶縁体露出部、22……
半導電性層、31……副導体露出部、61……端
子金具。
ンス導体の接地側端末部の一実施例を示し、第1
図は一部縦断面図とした平面図、第2図は第1図
のX−X断面矢視図、第3図は第1図のY−Y断
面矢視図である。 1……主導体、2……絶縁体、3……副導体、
4……ビニル外被、6……副導体接地用金具、8
……絶縁体層、11……主導体端末部、13……
主導体露出部、21……絶縁体露出部、22……
半導電性層、31……副導体露出部、61……端
子金具。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 平板状の主導体の外周にほぼ矩形状に絶縁体
を被覆し、上記絶縁体の少なくとも片面上に主導
体と平行に平板状の副導体を添設し、その外周に
外被を被覆してなる低サージインピーダンス導体
の接地側端末部において: 外被、副導体及び絶縁体を順次段状に剥ぎ取
り、副導体露出部、絶縁体露出部及び主導体露出
部に当接するように設けた半導電性層と; 上記の半導電性層を覆うようにその外周に設け
た絶縁体層と; 上記外被部分に固定されると共に、一端部が上
記副胴体露出部に電気的に接続された副導体接地
用金具と; を具備したことを特徴とする低サージインピーダ
ンス導体の接地側端末部。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6897888A JPH01241773A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 低サージインピーダンス導体の接地側端末部 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6897888A JPH01241773A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 低サージインピーダンス導体の接地側端末部 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01241773A JPH01241773A (ja) | 1989-09-26 |
| JPH0470749B2 true JPH0470749B2 (ja) | 1992-11-11 |
Family
ID=13389266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6897888A Granted JPH01241773A (ja) | 1988-03-22 | 1988-03-22 | 低サージインピーダンス導体の接地側端末部 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01241773A (ja) |
-
1988
- 1988-03-22 JP JP6897888A patent/JPH01241773A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01241773A (ja) | 1989-09-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |