JPH0471177A - コネクターの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、液晶表示装置（以下ＬＣＤパネルと略記）と
プリント回路基板（以下ＰＣＢと略記）とを電気的に接
続するためのインターコネクターに関し、より具体的に
は、その電極ピッチが０゜３■以下の高精細ＬＣＤパネ
ルの接続に有用な圧接挾持型インターコネクターの製造
方法に関する。

［従来の技術］ 当初、電卓や時計の表示機器として利用され始めたセグ
メント方式のＴＮ（ツィスティッドネマチック）モード
ＬＣＤは、要求される表示容量の増大につれて、ドツト
マトリックスのＴＮモード、さらにＴＮモードからスー
パーツィスティッドネマチック（以下ＳＴＮと略記）モ
ードに移行し、また表示画素数も、クロストークなどの
問題から、ＴＮモードでは１００Ｘ１００ドツト程度が
限界であったが、表示閾値が急峻であるＳＴＮモードを
用いることによって、６４０Ｘ４００ドツトと増加して
きた。これにともないＬＣＤとこれを駆動する駆動回路
との接続ピッチは、当初０．４■以上であったものが、
０．２８〜０．３５−のものが多く使用されるようにな
った。この５ＴＮ−ＬＣＤパネルとＰＣＢとの電気的接
続に使用されるインターコネクターは、その積層による
導電層と絶縁層の積層ピッチを小さくするとともに、導
電層を低抵抗化したもので、スーパーエフセレントコネ
クター（以下ＳＥコネクターと略記）と呼ばれ、シンエ
ラインターコネクター”ＳＥＣタイプ（信越ポリマー（
株）製部品名）がこのＳＥコネクターの主流をなしてい
る。

このＳＥコネクターを上記ＳＥＣコネクターを例にとっ
て説明すると、第３図に示すように１体積固有抵抗（以
下ρＶと略記）が０．９Ω・備の導電性シリコーンゴム
層１（厚さＴｃ＝３０±３１、幅Ｚ＝０．５ｍ）を中心
間ピッチＰ＝５０＋５−に保ち、電気絶縁性シリコーン
ゴム層２（幅Ｔｉ≧ＩｏｕＭ）を介して多重に積層した
多層導電体芯材の両サイドに、軟質の絶縁性シリコーン
ゴム側材層３を設けた。この側材層３は幅Ｗ＝３〜５．
５ｍ、高さＨ≦５．０１、長さし≦３７０■のものであ
り、このＳＥコネクターが接続するＬＣＤパネルのパタ
ーン電極には、表面抵抗が３０Ω／口程度のＩ　Ｔ　Ｏ
（Ｓｈｏｗ　５％含有Ｉｎ、Ｏａ）蒸着電極が使用され
ている。このようなＳＴＮモードによる６４０Ｘ４００
ドツトの大型ＬＣＤパネルにおいては、その画面寸法が
１０インチ（２０３Ｘ１５２ｍ）以上となるため、該Ｉ
ＴＯ電極の配線距離が長くなり、パネル周囲と中心部等
において配線距離が異なり該配線抵抗が大きく相異する
。この結果上下の電極により液晶に印加される電圧は、
該配線抵抗が小さい中心部では大きく、逆に該配線抵抗
の大きい周囲等の部分においては配線抵抗に伴う電圧の
低下により小さくなってしまう。この印加電圧の差が表
示濃度のバラツキとなって現れ、その表示品位が低下す
るという問題を生じるため、該配線抵抗を減少させると
同時に、該コネクターの接続抵抗も同様の理由により減
少させることが必要となった。しかし上記したように、
該ＬＣＤパネルの接続ピッチが０，２８〜０゜３５■と
低ピツチ化していることから、接続電極の面積も減少し
ているので、従来と同一の導電性ゴムを使用していては
、その接続抵抗が上昇してしまうため、この接続抵抗の
上昇を抑える必要があった。

そこで、上記のＳＥＣコネクターにおいては、従来の導
電性シリコーンゴムであるｆｆ８７Ｃ４０Ｐｊ　　（信
越ポリマー（株）製部品名；ρｖ＝５Ω・ｃｍ）に代え
て、ＳＥコネクター仕様の高導電性シリコーンゴＡＩ’
Ｘ−６５−２１６Ｕ」　（信越ポリマー（株）製部品名
；ρｖ＝０，９Ω・ａｍ）を使用し、上記第３図のＳＥ
ＣコネクターにおいてＨ＝５．０−とし、導電層１層あ
たりの抵抗Ｒを計算すると、８７Ｃ４０Ｐでは１６．７
にΩとなり、Ｘ−６５−２１６Ｕでは３．０にΩとなる
。実際の０．３５−ピッチのパターン電極を有するＬＣ
Ｄパネルでは、その接続電極幅は一般的に０．１８〜０
．２５腸に形成されるため、該導電層が３〜５層接触す
ることになり、８７Ｇ４０ＰおよびＸ−６５−２１６Ｕ
の接続抵抗を計算するとそれぞれ３．３〜５．６にΩ、
０．６〜１．０にΩとなる。このように低抵抗の導電ゴ
ムを使用することによりその接続抵抗を減少できるとと
もに、そのバラツキの絶対値を小さく抑えることができ
、表示品位の低下が防止される。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら近年ラップトツブ型ワープロやパソコンが
普及するに伴い、その薄型、軽量、低消費電力等の利点
から、上記の大型ＬＣＤパネルがこれらワープロやパソ
コンに使用され始めるとともに、現状のイエローモード
、ブルーモードや２層ＳＴＮおよび補償フィルムを使用
した白黒表示等の表示ではなく、ＣＲＴ　（Ｃａｔｈｏ
ｄｅ−Ｒａｙ−Ｔｕｂｅ）と同様のカラー表示が要求さ
れ、１〜２年以内にはこれら大型ＬＣＤパネルがマルチ
カラーモードまたはフルカラーモードに移行すると言わ
れている。このカラーＬＣＤパネルににおける画素数は
さらに増加して、水平画素１０００〜１５００、画素ピ
ッチは０．２１程度となるとされているが、このように
カラー化がなされた場合、その表示濃度にバラツキがあ
ると、表示色が異なったり、色ムラが出る等の問題を生
じるため、接続抵抗の低抵抗化と低ピツチ化および接続
抵抗をより一層均−化する必要がある。

これらの問題の解決には、一般的には低抵抗化のために
導電ゴム層に代って金属箔を使用したもの、プラスチッ
クフィルム上に金属層を形成し、これをプラスチックフ
ィルムごと積層したもの、さらには導電層のみにメツキ
を施したものなどが提案されている。これらは、導電層
または絶縁層に金属箔やプラスチックフィルム等をその
積層繰り返し単位に含むため、これらの金属箔やプラス
チックフィルムに加工上単独で扱い得る程度の強度を有
することが必要なことから、したがって適宜な厚みを必
要とする。この結果得られる多層導電体芯材のピッチに
限界があり、該カラー化による０、２１程度のピッチへ
の対応が難しい。さらにはこれら金属箔やプラスチック
フィルムが硬い材料であるため、積層の繰り返し単位中
に含んでしまうと、これらを用いたコネクターにおいて
良好な接続を得るためには、非常に大きな荷重が必要と
なることから、大型パネルではその接続部の長さが長い
ため、圧接挾持に必要な荷重が膨大となり、その荷重を
得るための治具が大型化して重量が増加する等の問題が
あるだけでなく、その荷重により、接続されるＰＣＢや
ＬＣＤに反り等の変形を生じやすく、導電不良や接続抵
抗のバラツキが大きくなる等の問題がある。さらにこの
金属導電層のみを導電層とした場合には、長期間使用す
るとこの金属導電層と被接続電極との接触境界面に電気
絶縁性の酸化皮膜や硫化皮膜が形成され。

その接続抵抗が上昇するなどの経時変化を生じる。

また第４図（ａ）、（ｂ）に示すような、コネクターの
導通に関与しない側面（第４図の側面９）に金属をめっ
き等によって部分的に形成する方法を用いて得られるコ
ネクターでは、多層電極体芯材のピッチが微細化するこ
とにより、導電ゴム層７間の絶縁ゴム層８上にもめっき
が形成されやすくなり（ブリッジ現象）、隣接電極間の
絶縁抵抗が低下して、クロストークを発生しやすく、表
示品位が大幅に低下するとともに、導電ゴム層７とめっ
き金属との密着力が弱く、また圧接挾持による変形にめ
っき層が追随できずに該導電ゴム層７との接着面に大き
な応力が発生してめっきが剥離し接続抵抗が上昇するな
どの問題がある。またこのめっきを形成する面が仮りに
本発明と同様に多層導電体の繰返し単位側の面である場
合でも、該導電性薄膜層をめっきによって形成可能なゴ
ム材料は、その選択の幅が非常に狭くごく限られたもの
であると同時に、その密着性が弱いので、この密着性や
めっき加工性を向上させるためにパラジウムによる処理
などを施す必要があり、高価なパラジウムを使用するこ
とから得られるコネクターも高価となる点に問題がある
。さらにめっきプロセスはめっき液等を用いるウェット
プロセスであるために、該導電性および絶縁性樹脂層中
にこれらめっき液などが残存し、電気絶縁性を低下させ
たり接続側の電極を腐食したりすることがあるとともに
、該導電性および絶縁性樹脂の表面性が。

めっき液などの酸やアルカリに接触して変化し、これを
積層一体化する場合の接着性がいちじるしく低下するな
どの問題があり、上記カラー化に対応できるコネクター
はいまだに実現されていないのが現状である。

［１１題を解決するための手段］ 本発明者らは、かかる問題について種々な構成のコネク
ターとその製造方法について鋭意検討を重ねた結果、上
記した従来の問題点を解決し、ＳＥコネクターの接続抵
抗を数十Ωの領域まで低下させ、隣接電極間の接続抵抗
のバラツキを低い領域に抑えることにより、従来の大型
ＬＣＤパネルの表示品位を向上させ、さらに今後のカラ
ー化に伴う０．２閣程度の接続ピッチに対応できるコネ
クターとその製造方法を完成したのであって、これは少
なくとも導電性薄膜層、導電性樹脂層および絶縁性樹脂
層を繰り返し単位とし、これを積層一体化してなるコネ
クターの製造方法において、離型性を有する支持体上に
形成された金属薄膜または金属酸化物薄膜を前記導電性
樹脂層または絶縁性樹脂層に転写して前記導電性薄膜層
を形成することを特徴とするコネクターの製造方法であ
る。

以下図面を用いて本発明の詳細な説明する。

本発明のコネクターは、上記したように導電性樹脂層と
絶縁性樹脂層のいずれかに導電性薄膜を転写して形成し
た後、これを多重に積層一体化することにより得られる
。該導電性薄膜を転写により形成する転写体としては、
第１図（ａ）および（ｂ）に示されるように、離型性を
有する支持体上に導電性の金属薄膜または金属酸化物薄
膜を形成したものであって、容易に該導電性薄膜を転写
することが可能であればよい。

上記転写媒体に使用される支持体４は、これに離型剤層
６と導電性薄膜５を形成するに十分な強度をもつことを
要し、該離型剤層６および導電性薄膜５を形成する方法
が塗工または蒸着などの方法であることから、これらの
加工における乾燥や加工時の熱に十分に耐え得る耐熱性
を有することが必要である。よって、該支持体に使用さ
れるプラスチックフィルムとしては、ポリエチレンフィ
ルム、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィル
ム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポリビニルアルコー
ルフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネート
フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム（以下
ＰＥＴフィルムと略記）、セルローストリアセテートフ
ィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、ポ
リアミドイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム
、ポリスルホンフィルム、ポリフェニレンサルファイド
フィルム、ポリエーテルエーテルケトンフィルム、ポリ
−４−メチルペンテンフィルム、ポリパラバン酸フィル
ム等が例示されるが、コストおよび耐熱性などの面から
ＰＥＴフィルムを用いることが好ましい。

さらに、該支持体はプラスチックフィルム以外の金属箔
を使用してもよく、この場合支持体上に導電性薄膜を形
成する方法として以下に示す蒸着等の方法以外にめっき
などの方法を使用することが考えられ、該薄膜が容易に
転写されることが必要である。このような金属箔として
は、ニッケル、ステンレス等の単体箔や、銅、すす、真
ちゅう、鉄等の一般の金属箔上にニッケル、クロムなど
のめっきを施した複合箔が例示される。これら支持体の
厚みとしては、この上に離型剤層や導電性薄膜を形成す
ることから、これらの加工に必要な十分な強度をもつこ
とが必要で、厚みが薄いと強度不足となり安定した加工
ができなくなり、逆に厚すぎると連続した巻物状として
扱うことが難しくコスト高となるので、厚みは４〜５０
０ｍの範囲、好ましくは６〜１００ＩＵの範囲とするの
がよい。

これらの支持体上に形成する離型剤層は、プラスチック
フィルムを支持体とする場合、一般的にアクリル樹脂、
ウレタン樹脂などのほか、ワックスおよびポリオルガノ
シロキサンを含むシリコーン樹脂などが使用される。本
発明の場合においては、転写が完全になされ、かつこの
離型剤層は導電層とともに転写されないことを要求され
るため、離型剤層としてはシリコーン樹脂が好ましい。

該離型剤層を形成する方法は、該樹脂を溶剤等に溶解し
てワニス状とし、これを公知の塗工方法であるダイレク
トグラビアコーター、オフセットグラビアコーター、３
本リバースコーター等を用いて塗工、乾燥して形成する
。この離型剤層の塗工厚みは、薄すぎるとピンホールな
どによって均一な転写ができず、厚すぎるとコスト高と
なり、さらに塗工厚みのバラツキにより転写が安定しな
くなるなどの問題を生じるので、０．１〜５ＩＩＭの範
囲、好ましくは０．３〜２庫の範囲とすればよい。また
、該支持体が金属箔である場合は、形成される導電性薄
膜の転写性を向上させるために、離型処理を行なうこと
が好ましい。この処理としては、該金属箔支持体を電解
脱脂液またはカセイソーダ溶液中で短時間の陽極酸化処
理を行なったり、クロム酸ナトリウムや硫化ナトリウム
溶液に短時間浸漬すればよい。

このようにして該支持体上に導電性薄膜を形成して該転
写媒体を得ることができるが、該導電性薄膜は前記した
接続抵抗を減少する観点から、従来のカーボン等を用い
た導電性ゴムより十分に高い導電性を有することが必要
である。これら導電性薄膜の材料としては、金属や金属
酸化物などが好ましく、具体的には、アルミニウム（Ａ
ｌ）、鋼（Ｃｕ）　、ニッケル（Ｎｉ）　、クロム（Ｃ
ｒ）　。

スズ（Ｓｎ）　、亜鉛（Ｚｎ）、鉄（Ｆｅ）　、マンガ
ン（Ｍｎ）、モリブデン（Ｍｏ）　、チタン（Ｔｉ）、
タングステン（Ｗ）、銀（Ａｇ）　、金（Ａｕ）　、白
金（Ｐｔ）　、酸化スズ（ＳｎＯ，）、酸化インジウム
（Ｉｎｋ、）等が例示される。膜厚は薄すぎると十分な
導電性が得られず、接続抵抗を減少することができなく
なり、逆に厚すぎると、金属および金属酸化物の多層導
電体中に占める割合が増加して、金属箔を導電層に使用
した場合と同様に圧接挾持に必要な荷重が著しく大きく
なることから、その膜厚は０．０１〜５．ＯｕＭの範囲
、好ましくは０．０３〜２．０．ｎの範囲とする。

これら導電性薄膜を形成する方法には、電気めっき法、
無電解めっき法、真空蒸着法、カソードスパッタリング
法などが例示されるが、本発明においては、皮膜の処理
速度が早く、膜質や表面抵抗が安定し、ドライプロセス
であることなどに加えて、金銀糸、電解コンデンサー、
スタンピングホイルなどの加工に使用されていることか
ら、比較的コストの安価な真空蒸着法の利用が好ましい
。

さらに、上記の方法で形成された導電性薄膜を導電性ま
たは絶縁性樹脂に転写しやすくし、最終的な一体化の際
の該樹脂層との接着力を向上させるために、該導電性薄
膜上にチタネートカップリング剤やシランカップリング
剤およびプライマーなどのほか、該樹脂層によく接着す
るような同種または異種の樹脂層等を形成することは任
意とされる。

このようにして得られた転写媒体を用い、この導電性薄
膜を導電性樹脂層または絶縁性樹脂層に転写し、これを
積層一体化するのであるが、該導電性樹脂層および絶縁
性樹脂層が硬い樹脂であると圧接挾持に必要な荷重が大
きくなって本発明の効果が得られなくなることから、ゴ
ム弾性を有するエラストマーであることが必要である。

これらエラストマーとしては、架橋ゴムまたは熱可塑性
エラストマーが挙げられ、より具体的には、架橋ゴムと
してはインプレンゴム（ＩＲ）、ブタジェンゴム（ＢＲ
）、スチレン−ブタジェンゴム（ＳＢＲ）、クロロプレ
ンゴム（ＣＲ）、ブチルゴム（ＩＩＲ）、アクリルゴム
（ＡＲ）、ウレタンゴム（Ｕ）、シリコーンゴム（ＳＲ
）、フッ素ゴム（ＦＫＭ）、エチレン−プロピレンゴム
（ＥＰＭ。

ＥＰＤＭ）、クロルスルホン化ポリエチレンゴム（Ｃ８
Ｍ）、ｘチレンー酢酸ビニルゴＡ　（ＥＶＡ）が例示さ
れ、熱可塑性エラストマーとしては、スチレン−ブタジ
ェン−スチレン共重合体、ポリエステル系熱可塑性エラ
ストマー、ポリウレタン系熱可塑性エラストマーなとの
単体もしくは２種以上の混合物が例示される。

これらに導電性を付与する方法としては、カーボンブラ
ック、黒鉛、カーボンファイバーなどの炭素系導電材料
の中から少なくとも１種以上を上記のエラストマーに、
従来より公知の方法、例えばオープン２本ロール、バン
バリーミキサ−１加圧式ニーダー等を用い、所望の体積
抵抗およびゴム硬度のバランスを考慮して適宜に部数を
配合して混練すればよいが、上記に例示したエラストマ
ー中において、従来より実績があり、圧縮永久歪み（コ
ンプレッションセット）が小さく、比較的容易に高導電
性を得ることができる等の利点からシリコーンゴムの使
用が好ましい。また、これらのエラストマー中に、該導
電性薄膜との接着力を向上させる目的で、チタネートカ
ップリング剤やシランカップリング剤などの各種カップ
リング剤、プライマーなどの接着助剤等を配合すること
は任意とされる。

これらの導電性樹脂層および絶縁性樹脂層の形成方法と
しては、上記のプラスチックフィルムなどの支持体上に
カレンダートッピング法や押し出し法により形成するか
、使用する樹脂が熱可塑性の場合などは、溶融押し出し
法（エクストルージョン法）やホットメルトコーティン
グなどの塗工法を用いて形成するか、上記に例示された
該導電性樹脂層および絶縁性樹脂層を形成する樹脂を、
溶解するような適宜な溶剤、例えば芳香族炭化水素系の
低沸点溶剤であるトルエン、キシレンやメチルエチルケ
トン、酢酸エチルなどのエステル系、ケトン系の低沸点
溶剤に溶解してワニス化し、該ワニスを前記したような
離型剤層の形成に用いた公知の塗工方法を用いて塗工、
乾燥して形成してもよい。

上記した方法により形成される導電性樹脂層および絶縁
性樹脂層の厚みは、厚すぎると得られる多層導電体芯材
の繰り返し単位のピッチが大きくなり５本発明が目的と
する０、２■ピッチ程度の電極を接続することが難しく
、逆にこの厚みが薄すぎると電極と接続する導電性樹脂
層の面積が減少して接続が不安定になり、また絶縁性樹
脂層の厚みが少ないと、該樹脂層中にピンホールが発生
しやすくなり、十分な絶縁性を得ることができないこと
から、その厚みは２〜３０−の範囲とし、該導電性樹脂
層と絶縁性樹脂層との厚みの比率は、１；１５〜１５：
１の範囲、好ましくは１２５〜５；１の範囲とすればよ
い。

本発明のコネクターは上記のようにして形成された導電
性樹脂層または絶縁性樹脂層に該転写媒体の導電性薄膜
を当接し、必要に応じて適宜な加圧、加熱を実施して該
樹脂層と導電性薄膜を密着または接着させた後、該転写
媒体の支持体を剥離して転写を実施すればよい、また、
上記した該導電性および絶縁性樹脂層の形成は転写媒体
と異なる支持体上に形成しているが、この場合支持体が
複数必要となり、コスト高となることなどが考えられる
ので、該導電性樹脂層および絶縁性樹脂層を転写媒体の
導電性薄膜上に形成し、これを積層する段階にて支持体
から剥離して転写を行なうことが好ましい。

本発明のコネクターはこのようにして得られた導電性薄
膜、導電性樹脂層および絶縁性樹脂層からなる繰り返し
単位を多層所定の厚みになるように積層した後に、これ
を適宜な圧力と温度に加圧、加熱することにより硬化お
よび／または一体化してブロック状とし、これを所望の
厚みを有する多層導電体芯材とするために、積層方向と
直角をなす方向にスライスし、得られた多層導電体芯材
シートの両側面に、得られるコネクターが所望の幅Ｗに
なるよう調整された電気絶縁性の軟質エラストマー層を
接着一体化した後、これを導電層の配列方向と直角をな
す方向に、得ようとするコネクターの高さＨの幅でカッ
ティングし、さらにこれを得ようとするコネクターの長
さＬに切り揃えて、第１図に示したようなＳＥコネクタ
ーを得ることができる。

［実施例］ 実施例−１ 片面にコロナ処理を施した厚さ２５ｕのポリエチレンテ
レフタレートフィルムに、厚さ約１−のシリコーン樹脂
離型剤層を形成し、該離型剤層上に導電性薄膜としてア
ルミニウムを蒸着法により厚さ約６００人、表面抵抗１
．２Ω／口になるように形成したスタンピングホイル用
原反「サンライトホイルＮｏ、２３０３８用原反」　（
尾池工業（株）製試作品）を使用し、メチルビニルポリ
シロキサン生ゴム／乾式シリカ／白金触媒系硬化剤／シ
ランカップリング剤等からなる、架橋時の体積固有抵抗
ρＶ≧１０１４Ω・備、硬さ（Ｊ　Ｉ　５−Ａ）７０’
　Ｈｓの絶縁性シリコーンゴム、［ｌ’ＫＥ−９７１Ｈ
」を、Ｌ型４本カレンダーロールを用いて厚さ１５即に
分だしを行い、上記アルミニウム薄膜上にトッピングに
より絶縁性樹脂層を形成し、該絶縁性樹脂層を熱空気加
硫装置Ｉ　（ＨＡＶ炉）を通過させ、２５０℃で１５秒
間加硫を実施した。その後、メチルビニルポリシロキサ
ン生ゴム／過酸化物架橋剤／アセチレンブラック／ケッ
チエンブラック等からなる、架橋時の体積固有抵抗、ｏ
ｖ＝Ｑ、９Ω・国、硬さ（ＪＩＳ−Ａ）６５”Ｈｓの導
電性シリコーンゴム、ＦＸ−６５−２１６」　（信越ポ
リマー（株）製部品名）を、Ｌ型４本カレンダーロール
を用いて厚さＩＳμｓに分だしを行い、該電気絶縁性シ
リコーンゴム層上にトッピングにより導電性樹脂層を形
成した。この導電性シリコーンゴムを未加硫の状態で３
００−口にカッティングし、これをＰＥＴフィルム支持
体を剥離して導電性薄膜を転写しながら合計１０００層
積層することにより、高さ約３００閣、縦。

横がそれぞれ３００■の未加硫のブロックとし、これを
所定の金型に投入して１７５℃ｘｏ、　ｓＩｃｇｆ／ｃ
ｓｌＸ２４時間の条件でプレスキュアおよび一体化を行
い、積層ブロックを作製した。ついで。

該積層ブロックをコネクタースライサー（信越ポリマー
（株）製、インターコネクター製造装置）に搭載して、
積層方向と直角の方向に０．５−の厚さにスライスし、
導電層ピッチ約３０ｕ、厚さ０．５■×３００−口の多
層導電体芯材シートを得た。該多層導電体芯材シートの
表裏面に、厚さ２．２５閣に分だしした架橋時の体積固
有抵抗ρＶがＩ　Ｘ　１０１１Ω・１、硬さ（ＪＩＳ−
Ａ）１５〜２０＠Ｈｓの絶縁性シリコーンゴムｆｆ’Ｗ
−２０，０（信越ポリマー（株）製部品名）を重ね合わ
せ、これを１７５℃ｘｏ、８ｋｇｆ／ｃｆｆｌＸｌｏ分
の条件でプレスキュアーおよび一体化を実施し、さらに
Ｈカッター（信越ポリマー（株）製、インターコネクタ
ー製造装置）を用い、芯材の導電層配列方向と直角に幅
５■でカッティングし、Ｗ＝５■。

Ｈ＝５閣、Ｌ＝３００−のＳＥコネクターを作製した。

このＳＥコネクターを電極ピッチが０．２ｍ（電極幅０
．１１）の金めつき電極基板間に圧縮率２０％で挾持し
たところ、このときの荷重は２゜８　ｋｇ　ｆ　／　ｃ
ｍで、四端子法で１５００本の接続抵抗を測定したとこ
ろ、その平均値は５５Ωで、最大値が８３Ω、最小値が
３９Ωであり、導通不良や隣接電極間のリークのない良
好な接続が得られるとともに、従来のＳＥコネクターの
０．３■ピツチ電極の接続における接続抵抗が１にΩ以
下であったことから、０．２■ピッチ程度の電極接続に
十分使用できることが判明した。さらに、このコネクタ
ーを６５℃Ｘ９５％ＲＨ雰囲気中に上記電極間に圧接し
た状態で投入し、５００時間後の接続抵抗の変化を測定
したところ、その平均値は６２Ωで、最小値が４４Ω、
最大値が９３Ωであり、使用上なんら問題のないことが
確認された。

実施例−２ 片面にコロナ処理を施した厚さ２５μｓのポリエチレン
テレフタレートフィルムに、厚さ約１ｐのシリコーン樹
脂離型剤層を形成し、該離型剤層上に導電性薄膜として
クロムを蒸着法により厚さ約５００人、表面抵抗２５Ω
／口になるように形成したスタンピングホイル用原反「
サンライトホイルＮｏ、６３０２４用原反」　（尾池工
業（株）製試作品）を使用したほかは、実施例−１と同
様にしてＳＥコネクターを作製した。　このＳＥコネク
ターを電極ピッチが０．２■（電極幅０．１ｍ）の金め
つき電極基板間に圧縮率２０％で挾持すると、このとき
の荷重は２．８ｋｇｆ／ｃｎで、四端子法で１５００本
の接続抵抗を測定したところ、その平均値は１４０Ωで
、最大値が２０３Ω、最小値が１１７Ωであり、導通不
良のない良好な接続が得られれるとともに、従来のＳＥ
コネクターの０．３１ピツチ電極の接続における接続抵
抗である１にΩ以下の接続抵抗を得ることができたこと
から、０．２■ピツチへの接続に十分使用できることが
判明した。さらに、このコネクターを、上記電極間に圧
接した状態で６５℃×９５％ＲＨ雰囲気中に投入し、５
００時間後の接続抵抗の変化を測定したところ、その平
均値は１４６Ω、最小値が１３１Ω、最大値が２０９Ω
であり、使用上なんら問題のないことが確認された。

実施例−３ 厚さ５０．ｎのＰＥＴフィルム「ルミラー　Ｓタイプ」
を使用し、この上にメチルビニルポリシロキサン生ゴム
／乾式シリカ／白金触媒系硬化剤／シランカップリング
剤等からなる。架橋時の体積固有抵抗ｐｖ≧１０１４Ω
・１、硬さ（ＪＩＳ−Ａ）７０°Ｈｓの絶縁性シリコー
ンゴムｆｆＫＥ−９７ＩＨＪＩを、Ｌ型４本カレンダー
ロールを用いて厚さ１５．に分だしを行い、上記ＰＥＴ
フィルム上にトッピングにより絶縁性樹脂層を形成した
。ついで、片面にコロナ処理を施した厚さ２５．のポリ
エチレンテレフタレートフィルムに、厚さ約１−のシリ
コーン樹脂離型剤層を形成し、該離型剤層上に導電性薄
膜としてアルミニウムを、蒸着法により厚さ約６００人
、表面抵抗１．２Ω／口になるように形成したスタンピ
ングホイル用原反「サンライトホイルＮｏ、２３０３８
用原反」（尾池工業（株）製試作品）のアルミニウム面
を、該未加硫の絶縁性シリコーンゴム表面に当接させ、
線圧１　ｋｇ　／　ａｍ、ロール温度５０℃、ロール硬
度（ＪＩＳ−Ａ）７５°Ｈｓのゴムロールによりラミネ
ートを行なった後、これを熱空気加硫装置（ＨＡＶ炉）
を通過させ、２５０℃で１５秒間加硫を実施した。その
後、上記サンライトホイルのＰＥＴフィルム基材を剥離
して、アルミニウム薄膜を転写し、ついでジメチルビニ
ルポリシロキサン生ゴム／過酸化物架橋剤／アセチレン
ブラック／ケッチエンブラック等からなる。架橋時の体
積固有抵抗ρｖ：ｏ、９Ω・１、硬さ（Ｊ　Ｉ　５−Ａ
）６５＠Ｈｓの導電性シリコーンゴム、［ｉ’Ｘ−６５
−２１６ｊ　　（信越ポリマー（株）製産品名）を、Ｌ
型４本カレンダーロールを用いて厚さ１５ｐに分だしを
行い、該転写されたアルミニウム薄膜上にトッピングに
より導電性樹脂層を形成した。この未加硫の導電性シリ
コーンゴムを未加硫のまま、−面が３０ＣＪｍ口の六面
体ドラムに、適宜な張力をかけながらゴム表面を該ドラ
ム表面に密着させ、ついでＰＥＴフィルム支持体を剥離
して巻き付け、これを合計７００層（厚さ約２１■）ま
で積層して、これ以降は実施例−１と同様に実施してＳ
Ｅコネクターを作製した。

このものを実施例−１と同様にして、その接続抵抗を測
定したところ、その平均値は５３Ωで、最大値が８０Ω
、最小値が３７Ωで、はぼ実施例−１と同等の特性であ
った。

実施例−４ 片面にコロナ処理を施した厚さ２５Ｍのポリエチレンテ
レフタレートフィルムに、厚さ約１１のシリコーン樹脂
離型剤層を形成し、該離型剤層上に導電性薄膜として蒸
着法によりアルミニウムを厚さ約６００人１表面抵抗１
．２Ω／口になるように形成したスタンピングホイル用
原反「サンライトホイルＮｏ、２３０３８用原反」　（
尾池工業（株）製試作品）を使用し、架橋時の体積固有
抵抗ρｖ≧１０′９Ω・ｌ、硬さ（ＪＩＳ−Ａ）５０’
Ｈｓで、硬化前の粘度が３０ボイズの絶縁性２液型液状
ＲＴＶシリコーンゴムｌｉ’ＫＥ−１２１２ｊ　　（信
越化学工業（株）製産品名）を、該アルミニウム薄膜上
に「マルチテストコーター（上野山機工（株）製産品名
）のナイフコーターを用いて厚さ１５ＩＩＭに塗工を行
って、上記アルミニウム薄膜上に絶縁性樹脂層を形成し
、該絶縁性樹脂層を熱空気加硫袋＠　（ＨＡＶ炉）を通
過させ、２５０℃で３０秒間加硫を実施した。その後、
メチルビニルポリシロキサン生ゴム／過酸化物架橋剤／
アセチレンブラック／ケッチエンブラック等からなる、
架橋時の体積固有抵抗ρｖ＝ｏ、９Ω・１、硬さ（Ｊ　
Ｉ　５−Ａ）６５＠Ｈｓの導電性シリコーンゴム［ｍＸ
−６５−２１６ｆｆｌ　　（信越ポリマー（株）製産品
名）を、Ｌ型４本カレンダーロールを用いて厚さ１５即
に分だしを行い、該電気絶縁性シリコーンゴム層上にト
ッピングにより導電性樹脂層を形成した。これ以降は実
施例−１と同様に積層およびスライス等の加工を実施し
てＳＥコネクターを作製した。このＳＥコネクターを、
電極ピッチが０．２＋ｍ（電極幅０．１ｍ）の金めつき
電極基板間に圧縮率２０％で挾持したところ、このとき
の荷重は２．２ｋｇｆ／ａｍで、四端子法で１５００本
の接続抵抗を測定したところ、その平均値は５１Ωで、
最大値が７９Ω、最小値が３５Ωであり、導通不良やリ
ークのない良好な接続が得られた。

実施例−５ 片面にコロナ処理を施した厚さ２５ｐのポリエチレンテ
レフタレートフィルムに、厚さ約１ｐのシリコーン樹脂
離型剤層を形成し、該離型剤層上に導電性薄膜としてア
ルミニウムを蒸着法により厚さ約６００人、表面抵抗１
．２Ω／口になるように形成したスタンピングホイル用
涼反ｒサンライトホイルＮｏ、２３０３８用原反ｊ　（
尾池工業（株）製試作品）を使用し、メチルビニルポリ
シロキサン生ゴム／白金触媒後硬化剤／アセチレンブラ
ック／トルエン溶剤等からなる、架橋時の体積固有抵抗
ρｖ＝５Ω・】、硬さ（ＪＩＳ−Ａ）６０°Ｈｓで硬化
前の粘度が約１５００ボイズの導電性液状シリコーンゴ
ムワニス［ｉ’ＭＯ−０２ｆｆｌ（信越ポリマー（株）
製産品名）を、該アルミニウム薄膜上に「マルチテスト
コーター」　（上野山機工（株）製産品名）のナイフコ
ーターを用いて乾燥膜厚さが１５ｇになるよう塗工を行
って、上記アルミニウム薄膜上に導電性樹脂層を形成し
、該導電性樹脂層を熱空気加硫袋［（ＨＡＶ炉）を通過
させ、２５０℃で３０秒間加硫を実施した。

その後、メチルビニルポリシロキサン生ゴム／湿式シリ
カ／過酸化物系硬化剤からなる、架橋時の体積固有抵抗
ρＶ≧１０１４Ω・備、硬さ（ＪＩＳ−Ａ）７０°Ｈｓ
の絶縁性シリコーンゴム、「にＥ−９７１Ｓｊ　　（信
越ポリマー（株）製部品名）を、Ｌ型４本カレンダーロ
ールを用いて厚さ１５ｐ＼に分だしを行い、上記導電性
シリコーンゴム層上にトッピングにより絶縁性樹脂層を
形成し、これ以降の積層およびスライス等の加工は実施
例−１と同様としてＳＥコネクターを作製した。このＳ
Ｅコネクターを電極ピッチが０．２■（電極幅０．１ｍ
）の金めつき電極基板間に圧縮率２０％で挾持したとこ
ろ、このときの荷重は２．２ｋｇｆ／１であり、四端子
法で１５００本の接続抵抗を測定したところ、その平均
値は７３Ωで、最大値が１０２Ω、最小値が５２Ωであ
り、導通不良やリークのない良好な接続が得られた。

実施例−６ 上記ＴサンライトホイルＮｏ、２３０３８用原反」　（
尾池工業（株）製試作品）を使用し、これにウレタン、
ポリオール／ポリイソシアネート／トルエン／酢酸エチ
ル／アセチレンブラック／ケッチエンブラック等からな
る、乾燥、硬化時のρＶが０．３〜０．４Ω・】の導電
性カーボンインクｆｆ５Ｔ−７７−５１（信越ポリマー
（株）製部品名）を、版条件として線数１２０線、深度
７０ｐの格子グラビア版を用いてグラビアコーティング
し、１００℃Ｘ１４ｍの加熱炉を５０ｍ／＊ｉｎの速度
で通過させて、乾燥を実施して膜厚５即の塗膜とした後
に、その巻物状の原反を６０℃の雰囲気中に７２時間放
置してウレタン反応を完結させた。ついで、メチルビニ
ルポリシロキサン生ゴム／白金系架橋剤／アセチレンブ
ラック／ケッチエンブラック等からなる導電性シリコー
ンゴムｆｆ’Ｘ−６５−２１６Ｈｊを、Ｌ型４本カレン
ダーロールを用いて厚さ１０．ｍに分だしを行い、上記
の５Ｔ−７７−５１の皮膜上にトッピングにより導電性
樹脂層を形成し、該導電性樹脂層を熱空気加硫装置（Ｈ
ＡＶ炉）を通過させ、２５０℃で１５秒間加硫を実施し
た。ついで、前記絶縁性シリコーンゴム［ｍＫＥ−９７
１Ｓ」を、Ｌ型４本カレンダーロールを用いて厚さ１５
ｕＭに分だしを行い、該導電性シリコーンゴム層上にト
ッピングにより絶縁性樹脂層を形成した。これ以降は、
実施例−１と同様に積層およびスライス等の加工を実施
し、ＳＥコネクターを作製した。このＳＥコネクターを
電極ピッチが０．２■（電極幅０．１■）の金めつき電
極基板間に圧縮率２０％で挾持したところ、このときの
荷重は２．９ｋｇｆ／ａｓで、四端子法で１５００本の
接続抵抗を測定したところ、その平均値は３５Ωで、最
大値が５１Ω、最小値が２２Ωであり、導通不良やリー
クのない良好な接続が得られれた。

比較例 比較例として、実施例−３における、サンライトホイル
を使用せず、よって導電性薄膜層を形成していないが、
その積層ピッチがほぼ等しい導電性シリコーンゴムと絶
縁性シリコーンゴムのみによるＳＥコネクターを作製し
た。このＳＥコネクターを電極ピッチが０．２ｍ（電極
幅０．１■）の金めつき電極基板間に圧縮率２０％で挾
持したところ、このときの荷重は２．６ｋｇｆ／ｍで、
四端子法で１５００本の接続抵抗を測定℃たところ、そ
の平均値は１．８にΩで、最大値が２．７にΩ、最小値
が１．５にΩであり、その接続抵抗が１にΩ以上であっ
て、これら０．２園ピツチの電極接続には対応できない
ことが判明した。

【発明の効果］ 本発明のコネクターに形成される導電性薄膜層は、従来
の導電ゴムに比較して導電性が高いことから１、その接
続抵抗を大幅に減少できるとともに、その接続抵抗のバ
ラツキの絶対値を低いレベルに抑えるという作用を有し
、厚みは従来の金属箔等に比較して十分に薄いことから
、得られるＳＥコネクターの接続に必要とする圧接挾持
の荷重を低く抑えることが可能である。同時に、接続の
導通径路が第２図に示すように、駆動回路端子→導電性
樹脂層→導電性薄膜→導電性樹脂層→ＬＣＤパネル電極
であり、この導電性樹脂層は化学的に安定な炭素系の導
電剤を使用しているために、一般の金属等における酸化
等による導電性の低下や接触抵抗の上昇がなく、従来の
導電層に金属箔を使用したような従来のものに比べて、
接続抵抗が上昇する等の経時変化が少ないという効果が
得られる。また従来の金属箔やプラスチックフィルムを
使用したものが、該金属箔やプラスチックフィルムに適
宜な厚みを必要としたことから、得られる多層導電体の
積層ピッチの微細化に限度があり、本発明が目的として
いる０、２ｍピッチ程度の電極の接続に対応できないの
に対し、本発明の方法−によるＳＥコネクターは該金属
箔やプラスチックフィルムを含まないことから上記の０
．２ｍ程度の電極ピッチにも対応が可能であるという効
果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、（ｂ）は本発明に使用される転写媒体の
断面図、第２図は本発明の方法により得られるＳＥコネ
クターに導電径路を示した斜視図、第３図は従来のＳＥ
コネクターの斜視図、第４図（ａ）はコネクターの導通
に関与しない側面に金属めっきを施した従来のコネクタ
ーの外側絶縁性側材ゴム層を取り除いた斜視図、（ｂ）
は・（ａ）を芯材としてこれに絶縁性側材ゴム層を取り
付けためっき法による従来のコネクターの斜視図である
。 １・・・導電性シリコーンゴム層、 ２・・・絶縁性シリコーンゴム層、 ３・・・絶縁性シリコーンゴム側材層、４・・・支持体
、　５・・・導電性薄膜。 ６・・・離型用剤層、　　７・・・導電ゴム層、８・・
・絶縁ゴム層、 ９・・・コネクターの導通に関与しない側層、１０・・
・絶縁性側材ゴム層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　少なくとも導電性薄膜層、導電性樹脂層および絶縁性
   樹脂層を繰り返し単位とし、これを積層一体化してなる
   コネクターの製造方法において、離型性を有する支持体
   上に形成された金属薄膜または金属酸化物薄膜を前記導
   電性樹脂層または絶縁性樹脂層に転写して前記導電性薄
   膜層を形成することを特徴とするコネクターの製造方法
   。