JPH04357692A - 薄膜ヒータ及びその製造方法 - Google Patents
薄膜ヒータ及びその製造方法Info
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- JPH04357692A JPH04357692A JP16948691A JP16948691A JPH04357692A JP H04357692 A JPH04357692 A JP H04357692A JP 16948691 A JP16948691 A JP 16948691A JP 16948691 A JP16948691 A JP 16948691A JP H04357692 A JPH04357692 A JP H04357692A
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- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、導電性薄膜層を備えた
薄膜ヒータに関するもので、詳しくは冷凍ショーケース
や自動車の窓ガラス等に利用される薄膜ヒータの電極端
子に関する。
薄膜ヒータに関するもので、詳しくは冷凍ショーケース
や自動車の窓ガラス等に利用される薄膜ヒータの電極端
子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来薄膜ヒータは、冷凍ショーケースや
自動車の窓ガラス等に利用されてきたが、近年スピード
メータやナビゲーションシステム等の車載用情報ディス
プレイの液晶表示デバイスとして利用されることが多く
なった。
自動車の窓ガラス等に利用されてきたが、近年スピード
メータやナビゲーションシステム等の車載用情報ディス
プレイの液晶表示デバイスとして利用されることが多く
なった。
【０００３】このような薄膜ヒータは、基板上に透明導
電性薄膜層を備え、同薄膜層に電圧を供給するための電
極端子を備えているものが多い。同薄膜ヒータ１０ａは
、図４に示すように基板１ａの上に真空成膜法によりＩ
ＴＯ膜等の透明導電性薄膜層２ａが形成され、続いて真
空槽内から取り出され図５に示すように大気中でスクリ
ーン印刷法等により銀ペースト層５ａが電極端子の所定
のパターンに塗布され、同時にリード線６ａが接続され
、更に熱処理が行われ、絶縁インク７ａが塗布され図６
のように形成されている。
電性薄膜層を備え、同薄膜層に電圧を供給するための電
極端子を備えているものが多い。同薄膜ヒータ１０ａは
、図４に示すように基板１ａの上に真空成膜法によりＩ
ＴＯ膜等の透明導電性薄膜層２ａが形成され、続いて真
空槽内から取り出され図５に示すように大気中でスクリ
ーン印刷法等により銀ペースト層５ａが電極端子の所定
のパターンに塗布され、同時にリード線６ａが接続され
、更に熱処理が行われ、絶縁インク７ａが塗布され図６
のように形成されている。
【０００４】前記薄膜ヒータの等価回路は、図７、図８
に示すように電極部Ａと発熱部Ｂとからなり、それぞれ
の抵抗値をＲａ、Ｒｂとすると理想的にはＲａ《Ｒｂが
望ましい。即ち、薄膜ヒータが車載用液晶ディスプレイ
等に使用される場合は、液晶自体に温度低下に伴う動作
速度の低下という欠点もあり、耐環境性が要求され昇温
特性の良いものが望まれている。低温始動性を良くし、
昇温特性を改善するために発熱部Ｂの抵抗値Ｒｂを小さ
くすると、相対的に電極部Ａの抵抗値Ｒａにかかる電圧
が増加し電極部Ａが過熱されることになる。以上のこと
から、導電性薄膜層２ａに直接銀ペースト層５ａ等を接
触させ電極を形成した薄膜ヒータでは、電極部Ａの焼損
が発生しやすく断線するという問題があった。
に示すように電極部Ａと発熱部Ｂとからなり、それぞれ
の抵抗値をＲａ、Ｒｂとすると理想的にはＲａ《Ｒｂが
望ましい。即ち、薄膜ヒータが車載用液晶ディスプレイ
等に使用される場合は、液晶自体に温度低下に伴う動作
速度の低下という欠点もあり、耐環境性が要求され昇温
特性の良いものが望まれている。低温始動性を良くし、
昇温特性を改善するために発熱部Ｂの抵抗値Ｒｂを小さ
くすると、相対的に電極部Ａの抵抗値Ｒａにかかる電圧
が増加し電極部Ａが過熱されることになる。以上のこと
から、導電性薄膜層２ａに直接銀ペースト層５ａ等を接
触させ電極を形成した薄膜ヒータでは、電極部Ａの焼損
が発生しやすく断線するという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記薄膜ヒータの電極
部Ａの抵抗値Ｒａの値は、導電性薄膜層２ａと銀ペース
ト層５ａとの間の接触抵抗値に大きく左右されていると
考えられ、本発明は薄膜ヒータの電極部の抵抗値が発熱
部の抵抗値に比べて充分に小さいもの、即ち導電性薄膜
層２ａと銀ペースト層５ａとの間の接触抵抗値を充分に
小さくした薄膜ヒータを提供すると共に、同薄膜ヒータ
を製造する方法を提供することを目的とする。
部Ａの抵抗値Ｒａの値は、導電性薄膜層２ａと銀ペース
ト層５ａとの間の接触抵抗値に大きく左右されていると
考えられ、本発明は薄膜ヒータの電極部の抵抗値が発熱
部の抵抗値に比べて充分に小さいもの、即ち導電性薄膜
層２ａと銀ペースト層５ａとの間の接触抵抗値を充分に
小さくした薄膜ヒータを提供すると共に、同薄膜ヒータ
を製造する方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本願請求項１の発明は、
前記課題を解決するために基板上に導電性薄膜層を備え
た薄膜ヒータであって、ヒータに設けられる電極端子は
、真空成膜法により基板上に導電性薄膜層、金属薄膜層
が順次積層され、金属薄膜層の上に導電ペースト層が塗
布され、導電ペースト層にリード線が取り付けられる構
成を備えることを特徴とする。
前記課題を解決するために基板上に導電性薄膜層を備え
た薄膜ヒータであって、ヒータに設けられる電極端子は
、真空成膜法により基板上に導電性薄膜層、金属薄膜層
が順次積層され、金属薄膜層の上に導電ペースト層が塗
布され、導電ペースト層にリード線が取り付けられる構
成を備えることを特徴とする。
【０００７】請求項２の発明は、同薄膜ヒータの製造方
法であって、基板上に真空成膜法により少なくとも１層
の導電性薄膜層を形成し、その上に電極端子のパターン
で真空成膜法により金属薄膜層を形成し、金属薄膜層の
上に導電ペースト層を塗布し、導電ペースト層にリード
線を取り付けることを特徴とするものである。
法であって、基板上に真空成膜法により少なくとも１層
の導電性薄膜層を形成し、その上に電極端子のパターン
で真空成膜法により金属薄膜層を形成し、金属薄膜層の
上に導電ペースト層を塗布し、導電ペースト層にリード
線を取り付けることを特徴とするものである。
【０００８】本発明における基板は、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリエチレンサルフアイド等の合成樹脂フ
ィルムや、ガラス、シート等絶縁性の平板であれば良い
が、薄膜ヒータがディスプレイ装置等に用いられる際は
、透明フィルムであることを要求されることが多い。
フタレート、ポリエチレンサルフアイド等の合成樹脂フ
ィルムや、ガラス、シート等絶縁性の平板であれば良い
が、薄膜ヒータがディスプレイ装置等に用いられる際は
、透明フィルムであることを要求されることが多い。
【０００９】導電性薄膜層としては、酸化インジウム（
Ｉｎ２Ｏ３）、酸化インジウムにドーパントとして錫（
Ｓｎ）または弗素（Ｆ）が用いられた酸化インジウム−
錫固溶体（ＩＴＯ）、酸化インジウム−弗素固溶体、二
酸化錫（ＳｎＯ２）、二酸化錫にドーパントとして弗素
（Ｆ）、リン（Ｐ）、またはアンチモン（Ｓｂ）を用い
た二酸化錫−弗素固溶体、二酸化錫−リン固溶体、二酸
化錫−アンチモン固溶体を用いることができ、更には金
（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、
パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）またはこれらの
合金からなる（合金）薄膜を用いることができる。更に
、前記酸化導電膜と金属薄膜との積層薄膜を用いること
も可能である。
Ｉｎ２Ｏ３）、酸化インジウムにドーパントとして錫（
Ｓｎ）または弗素（Ｆ）が用いられた酸化インジウム−
錫固溶体（ＩＴＯ）、酸化インジウム−弗素固溶体、二
酸化錫（ＳｎＯ２）、二酸化錫にドーパントとして弗素
（Ｆ）、リン（Ｐ）、またはアンチモン（Ｓｂ）を用い
た二酸化錫−弗素固溶体、二酸化錫−リン固溶体、二酸
化錫−アンチモン固溶体を用いることができ、更には金
（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、
パラジウム（Ｐｄ）、ロジウム（Ｒｈ）またはこれらの
合金からなる（合金）薄膜を用いることができる。更に
、前記酸化導電膜と金属薄膜との積層薄膜を用いること
も可能である。
【００１０】これら導電性薄膜層は、真空蒸着法、スパ
ッタリング、イオンプレーティング等の真空成膜法によ
り基板上に形成される。
ッタリング、イオンプレーティング等の真空成膜法によ
り基板上に形成される。
【００１１】更に、導電性薄膜層の上に電極端子のパタ
ーンで積層される金属薄膜層としては、銅（Ｃｕ）、ア
ルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、
クロム（Ｃｒ）等の低抵抗の材料を用いることができ、
同じく前記真空成膜法により形成される。
ーンで積層される金属薄膜層としては、銅（Ｃｕ）、ア
ルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、
クロム（Ｃｒ）等の低抵抗の材料を用いることができ、
同じく前記真空成膜法により形成される。
【００１２】
【作用】本発明における薄膜ヒータは、その電極端子が
基板上に導電性薄膜層、その上に金属薄膜層、導電ペー
スト層を順次積層され導電ペースト層にリード線を取り
付ける構成を有するので、電極部における電気抵抗値を
充分に小さくすることが可能となる。
基板上に導電性薄膜層、その上に金属薄膜層、導電ペー
スト層を順次積層され導電ペースト層にリード線を取り
付ける構成を有するので、電極部における電気抵抗値を
充分に小さくすることが可能となる。
【００１３】また、基板の上に導電性薄膜層、金属薄膜
層を順次積層するのに真空成膜法を利用し、その上に導
電ペースト層をスクリーン印刷法等により塗布するので
、導電性薄膜層と導電ペースト層との間の接触抵抗値を
充分に小さくすることが可能となる。
層を順次積層するのに真空成膜法を利用し、その上に導
電ペースト層をスクリーン印刷法等により塗布するので
、導電性薄膜層と導電ペースト層との間の接触抵抗値を
充分に小さくすることが可能となる。
【００１４】
【実施例】以下、実施例について図面に基づき説明する
。
。
【００１５】図１に本発明よりなる薄膜ヒータ１０を示
す。薄膜ヒータ１０は、基板１の一方の面の全面に銀薄
膜２とＩＴＯ薄膜３とが積層された導電性薄膜層を形成
し、その電極部Ａには銅薄膜４を形成し、更に銀ペース
ト５を積層するとともにリード線６を取りつけた後、絶
縁インク７を塗布した構成を有する。
す。薄膜ヒータ１０は、基板１の一方の面の全面に銀薄
膜２とＩＴＯ薄膜３とが積層された導電性薄膜層を形成
し、その電極部Ａには銅薄膜４を形成し、更に銀ペース
ト５を積層するとともにリード線６を取りつけた後、絶
縁インク７を塗布した構成を有する。
【００１６】同薄膜ヒータ１０は、車載用液晶ディスプ
レイに使用されるもので昇温特性を良くするため、発熱
部Ｂの抵抗値が小さくなるように導電性薄膜層に銀薄膜
２を使用し、ＩＴＯ薄膜３を保護層に使用している。導
電性薄膜層の厚さには特に制限ないが、ここでは銀薄膜
２は５０ÅでＩＴＯ薄膜３は３００Åである。
レイに使用されるもので昇温特性を良くするため、発熱
部Ｂの抵抗値が小さくなるように導電性薄膜層に銀薄膜
２を使用し、ＩＴＯ薄膜３を保護層に使用している。導
電性薄膜層の厚さには特に制限ないが、ここでは銀薄膜
２は５０ÅでＩＴＯ薄膜３は３００Åである。
【００１７】電極部Ａは、電極のパターンでＩＴＯ薄膜
３の上に銅薄膜４が形成され、銅薄膜４の上には銀ペー
スト５が塗布されると共に、リード線６が取りつけられ
る。銀ペースト５の上には、絶縁インク７が塗布されて
いる。
３の上に銅薄膜４が形成され、銅薄膜４の上には銀ペー
スト５が塗布されると共に、リード線６が取りつけられ
る。銀ペースト５の上には、絶縁インク７が塗布されて
いる。
【００１８】次に薄膜ヒータ１０の製造手順を説明する
。先ず透明フィルム基板１としてポリエチレンテレフタ
レートフィルムを準備し、スパッタリング真空槽内の陽
極側に設置し、真空槽内を約１×１０−５Ｔｏｒｒ程度
まで排気した後、２×１０−３Ｔｏｒｒまでアルゴンガ
スを導入する。この状態で、まず銀薄膜２を約５０Åの
厚さに形成し、さらにその上側全面にＩＴＯ薄膜３を約
３００Åの厚さに形成した。この結果図２に示す透明導
電性フィルムが得られた。
。先ず透明フィルム基板１としてポリエチレンテレフタ
レートフィルムを準備し、スパッタリング真空槽内の陽
極側に設置し、真空槽内を約１×１０−５Ｔｏｒｒ程度
まで排気した後、２×１０−３Ｔｏｒｒまでアルゴンガ
スを導入する。この状態で、まず銀薄膜２を約５０Åの
厚さに形成し、さらにその上側全面にＩＴＯ薄膜３を約
３００Åの厚さに形成した。この結果図２に示す透明導
電性フィルムが得られた。
【００１９】次に、大気中でマスキング材として粘着性
テープ８を電極部Ａ以外の位置に張り合わせた。その状
態で再度スパッタ真空槽内に設置し、約３０００Åの銅
薄膜４をスパッタリング成膜法で形成した。この結果図
３に示す状態となった。
テープ８を電極部Ａ以外の位置に張り合わせた。その状
態で再度スパッタ真空槽内に設置し、約３０００Åの銅
薄膜４をスパッタリング成膜法で形成した。この結果図
３に示す状態となった。
【００２０】その後、粘着テープを剥離し、リード線６
の取付けのために銅薄膜４の上に銀ペースト５をスクリ
ーン印刷し、熱処理を行い、さらに絶縁インク７を塗布
し図１に示す透明薄膜ヒータ１０を完成した。
の取付けのために銅薄膜４の上に銀ペースト５をスクリ
ーン印刷し、熱処理を行い、さらに絶縁インク７を塗布
し図１に示す透明薄膜ヒータ１０を完成した。
【００２１】本実施例では、リード線６の取付けに銀ペ
ースト５を用いたが、銀ペーストの替わりに電気メッキ
や化学メッキにより電極部を厚くし、ハンダ付けにより
リード線６を取り付けても良い。
ースト５を用いたが、銀ペーストの替わりに電気メッキ
や化学メッキにより電極部を厚くし、ハンダ付けにより
リード線６を取り付けても良い。
【００２２】また、透明導電膜の成膜法としてスパッタ
リング法を用いたが、他の真空状着法やイオンプレーテ
ィング法であっても良い。
リング法を用いたが、他の真空状着法やイオンプレーテ
ィング法であっても良い。
【００２３】
【発明の効果】以上の構成よりなる本願発明方法により
製造した薄膜ヒータは、電極部の電気抵抗値を充分に小
さくすることが可能となるので、車載用液晶ディスプレ
イ等に使用する際に要求される低温始動性の良い、昇温
特性が改善され電極部の断線が発生しない表示デバイス
を提供するという効果を奏する。
製造した薄膜ヒータは、電極部の電気抵抗値を充分に小
さくすることが可能となるので、車載用液晶ディスプレ
イ等に使用する際に要求される低温始動性の良い、昇温
特性が改善され電極部の断線が発生しない表示デバイス
を提供するという効果を奏する。
【００２４】更に、電極部の抵抗値が減少するため発熱
部の電流が均一に流れ、温度分布の一定な薄膜ヒータが
得られるという効果もある。
部の電流が均一に流れ、温度分布の一定な薄膜ヒータが
得られるという効果もある。
【００２５】
【図１】本願発明による薄膜ヒータの要部断面拡大図で
ある。
ある。
【図２】本願発明による薄膜ヒータの透明導電性フィル
ムの断面拡大図である。
ムの断面拡大図である。
【図３】本願発明による薄膜ヒータの透明導電性フィル
ムの上に銅薄膜を形成した状態の断面拡大図である。
ムの上に銅薄膜を形成した状態の断面拡大図である。
【図４】従来の薄膜ヒータの透明導電性フィルムの断面
拡大図である。
拡大図である。
【図５】従来の薄膜ヒータの透明導電性フィルムの上に
銀ペースト層が塗布されリード線が接続された断面拡大
図である。
銀ペースト層が塗布されリード線が接続された断面拡大
図である。
【図６】従来の薄膜ヒータの要部断面拡大図である。
【図７】薄膜ヒータの説明用全体斜視図である。
【図８】薄膜ヒータの説明用等価回路図である。
１ 基板
２ 銀薄膜
４ 銅薄膜
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に導電性薄膜層を備えた薄膜ヒ
ータであって、ヒータに設けられる電極端子は、真空成
膜法により基板上に導電性薄膜層、金属薄膜層が順次積
層され、金属薄膜層の上に導電ペースト層が塗布され、
導電ペースト層にリード線が取り付けられる構成を備え
ることを特徴とする薄膜ヒータ。 - 【請求項２】 基板上に導電性薄膜層を備えた薄膜ヒ
ータの製造方法であって、基板上に真空成膜法により少
なくとも１層の導電性薄膜層を形成し、その上に電極端
子のパターンで真空成膜法により金属薄膜層を形成し、
金属薄膜層の上に導電ペースト層を塗布し、導電ペース
ト層にリード線を取り付けることを特徴とする薄膜ヒー
タの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16948691A JPH04357692A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 薄膜ヒータ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16948691A JPH04357692A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 薄膜ヒータ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04357692A true JPH04357692A (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=15887427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16948691A Pending JPH04357692A (ja) | 1991-03-27 | 1991-03-27 | 薄膜ヒータ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04357692A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06283261A (ja) * | 1993-01-27 | 1994-10-07 | Mitsui Toatsu Chem Inc | パネルヒーター及びその製造方法 |
| JPH0850967A (ja) * | 1993-12-09 | 1996-02-20 | Methode Electronics Inc | 印刷プラスチツク回路および接触子とその製法 |
| JP2002056953A (ja) * | 2000-06-01 | 2002-02-22 | Misuzu Kogyo:Kk | リード部材接続方法及びリード部材付き発熱体素子 |
| KR20020088908A (ko) * | 2001-05-22 | 2002-11-29 | 주식회사 제이디텍 | 전도성 물질을 이용한 면상 발열체 |
| JP2004093841A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Optrex Corp | 液晶表示素子用パネルヒータおよび液晶表示装置 |
| US9493906B2 (en) | 2003-11-20 | 2016-11-15 | Koninklijke Philips N.V. | Thin-film heating element |
| JPWO2019189767A1 (ja) * | 2018-03-29 | 2020-04-30 | 三菱電機ビルテクノサービス株式会社 | 加熱装置、加熱方法、及び冷媒回収方法 |
-
1991
- 1991-03-27 JP JP16948691A patent/JPH04357692A/ja active Pending
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