JPH0471224A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH0471224A JPH0471224A JP2183220A JP18322090A JPH0471224A JP H0471224 A JPH0471224 A JP H0471224A JP 2183220 A JP2183220 A JP 2183220A JP 18322090 A JP18322090 A JP 18322090A JP H0471224 A JPH0471224 A JP H0471224A
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- Japan
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- light
- wafer
- optical cable
- exposure
- cable
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Links
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 10
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 27
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基板であるウェーハに塗布されたレジ
ストに光を投射する露光装置に関する。
ストに光を投射する露光装置に関する。
従来、半導体装置の製造におけるフォトリソグラフィー
工程は、フォトレジストをウェーハ上へ塗布し、次に、
フォトマスクを通して紫外線を含む光で露光し、さらに
、現像液に浸すことにより所望のパターンを形成すると
いった一連のフローになっていた。近年、パターンが微
細化されるにつれ、フォトレジストの穐類は、従来のネ
ガ型からポジ型へと移行され、ポジ型が大量に使用され
るに至った。しかしながら、ポジ型レジストの場合硬度
が比較的大きいため、機械的な衡機等でかけが生じやす
いといった欠点を有していた。このため、ウェーハの最
外周において、ウェーハキャリアとのこすれ、ビンセッ
トでのハンドリング等の機械的に接触することによりレ
ジストにかけを起し、そのかけによる発塵が生じていた
。そこで、その対策の一つとして、例えば、ウェーハ最
外周部を数ｍｍ程度に割ってフォトレジストを感光させ
、あらかじめ現像の際に取り除く技術が開発された。
工程は、フォトレジストをウェーハ上へ塗布し、次に、
フォトマスクを通して紫外線を含む光で露光し、さらに
、現像液に浸すことにより所望のパターンを形成すると
いった一連のフローになっていた。近年、パターンが微
細化されるにつれ、フォトレジストの穐類は、従来のネ
ガ型からポジ型へと移行され、ポジ型が大量に使用され
るに至った。しかしながら、ポジ型レジストの場合硬度
が比較的大きいため、機械的な衡機等でかけが生じやす
いといった欠点を有していた。このため、ウェーハの最
外周において、ウェーハキャリアとのこすれ、ビンセッ
トでのハンドリング等の機械的に接触することによりレ
ジストにかけを起し、そのかけによる発塵が生じていた
。そこで、その対策の一つとして、例えば、ウェーハ最
外周部を数ｍｍ程度に割ってフォトレジストを感光させ
、あらかじめ現像の際に取り除く技術が開発された。
第２図は従来の露光装置を使用するフォトリソグラフィ
ー工程の一例を説明するためのフローチャートである。
ー工程の一例を説明するためのフローチャートである。
従来、このフォトリソグラフィー工程では、図面には示
さないが、ウェーハにレジストを塗布する塗布装置と、
塗布されたレジストに紫外光を含む光を投射する露光装
置と、レジストが焼付けされた部分を除去する現像装置
とが使用されていた。また、このフォトリソグラフィー
工程は、第２図に示すように、まず、〔レジスト塗布〕
で、塗布装置でウェーハ面にレジストを一様に塗布する
０次に、〔目合せ露光〕で、第１の露光装置によりパタ
ーン露光を行う０次に、〔周辺露光〕で、第２の露光装
置でウェーハの周辺部に光を投光する０次に、〔現像〕
で、現像装置によりレジストの露光された部分がエツチ
ング除去され、周辺部のレジストが除去されるとともに
ポジ型のレジストパターンが形成される。
さないが、ウェーハにレジストを塗布する塗布装置と、
塗布されたレジストに紫外光を含む光を投射する露光装
置と、レジストが焼付けされた部分を除去する現像装置
とが使用されていた。また、このフォトリソグラフィー
工程は、第２図に示すように、まず、〔レジスト塗布〕
で、塗布装置でウェーハ面にレジストを一様に塗布する
０次に、〔目合せ露光〕で、第１の露光装置によりパタ
ーン露光を行う０次に、〔周辺露光〕で、第２の露光装
置でウェーハの周辺部に光を投光する０次に、〔現像〕
で、現像装置によりレジストの露光された部分がエツチ
ング除去され、周辺部のレジストが除去されるとともに
ポジ型のレジストパターンが形成される。
しかしながら、上述した従来のリソグラフィー工程で使
用される露光装置は、目合せ露光用の露光装置と、周辺
部露光用の露光装置とが別々に独立して配置されている
ため、フロアスペースを大きく必要とするばかりか、露
光装置間の受は渡し時間が余部にかかるという欠点があ
る。また、受は渡しによるウェーハの損傷を起すという
欠点がある。さらに、設備投資コストが多額であるとい
う欠点がある。
用される露光装置は、目合せ露光用の露光装置と、周辺
部露光用の露光装置とが別々に独立して配置されている
ため、フロアスペースを大きく必要とするばかりか、露
光装置間の受は渡し時間が余部にかかるという欠点があ
る。また、受は渡しによるウェーハの損傷を起すという
欠点がある。さらに、設備投資コストが多額であるとい
う欠点がある。
本発明の目的は、かかる問題を解消し、フロアスペース
が狭くて済むとともに受は渡し作業を必要としない安価
な露光装置を提供することにある。
が狭くて済むとともに受は渡し作業を必要としない安価
な露光装置を提供することにある。
本発明の露光装置は、紫外線を含む光を発生する一つの
光源と、前記光を二つの光路に分岐するハーフミラ−と
、分岐された光の一つを導く光ケーブルと、この光ケー
ブルの一端を保持するとともに前記光ケーブルから導出
される光のスポット位置を移動させる機構とを有してい
る。
光源と、前記光を二つの光路に分岐するハーフミラ−と
、分岐された光の一つを導く光ケーブルと、この光ケー
ブルの一端を保持するとともに前記光ケーブルから導出
される光のスポット位置を移動させる機構とを有してい
る。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す露光装置の模式断面図
である。この露光装置は、同図に示すように、目合せ露
光するための目合せ露光部２と、この目合せ露光部２の
光源である水銀ランプ５より発生する光がハーフミラ−
５により分岐される光の一つを導入する光ケーブル３を
有する周辺露光部１とを設けたことである。また、この
光ケーブル３の一端を保持するとともに移動するための
駆動部１０が周辺露光部１と下部に設けられている。さ
らに、光ケーブル３より導出される光がウェーハ９の周
辺に照射されるようにウェーハ９を保持し、回転させる
スピンチャック８が駆動部１０に対向するよう備えられ
ている。
である。この露光装置は、同図に示すように、目合せ露
光するための目合せ露光部２と、この目合せ露光部２の
光源である水銀ランプ５より発生する光がハーフミラ−
５により分岐される光の一つを導入する光ケーブル３を
有する周辺露光部１とを設けたことである。また、この
光ケーブル３の一端を保持するとともに移動するための
駆動部１０が周辺露光部１と下部に設けられている。さ
らに、光ケーブル３より導出される光がウェーハ９の周
辺に照射されるようにウェーハ９を保持し、回転させる
スピンチャック８が駆動部１０に対向するよう備えられ
ている。
一方、目合せ露光部２は、従来の構造と同じで、その、
光路中に、光源拡大用のレンズ６Ｃ２６ｄと、反射用の
ミラー６と、レチクル１４に光を投下させるレンズ６ａ
と、レチクルの像を縮小してウェーハ９に投光する縮小
レンズ６ｂとを有している。また、駆動部１０には、ウ
ェーハ９の周辺部を投光する機構になっている。
光路中に、光源拡大用のレンズ６Ｃ２６ｄと、反射用の
ミラー６と、レチクル１４に光を投下させるレンズ６ａ
と、レチクルの像を縮小してウェーハ９に投光する縮小
レンズ６ｂとを有している。また、駆動部１０には、ウ
ェーハ９の周辺部を投光する機構になっている。
次に、この露光装置の動作について説明する。
まず、スピンチャック８に保持されているウェーハ９は
、光ケーブル３より導出する光で、その周辺部が露光さ
れる。この動作と同時に、目合せ露光部２側にあるステ
ージ７に搭載されているとともに既に周辺部が露光済み
のウェーハ９にレティクル１４より透過した光が投光さ
れる０次に、ステージに搭載され、露光が完了したウェ
ーハ９は、ハンドリング装置（図示せず）により装置外
に搬送されスピンチャック８に保持されたウェーハ９は
、ハンドリング装置により矢印の方向に移動され、ステ
ージ７に移載される。この動作と同時に別のローダ装Ｗ
（図示せず）により、未露光のウェーハがスピンチャッ
ク８に移載される。このような動作を繰返して順次ウェ
ーハを露光する。このように、一つの光源を利用して二
つの光に分岐し、一つの光でウェーハの周辺部を、他の
光をウェーハの主要部分に投光することによって、同時
にウェーハ全体を露光するのと同じ効果が得られるので
露光処理時間を半分に減らすという利点がある。
、光ケーブル３より導出する光で、その周辺部が露光さ
れる。この動作と同時に、目合せ露光部２側にあるステ
ージ７に搭載されているとともに既に周辺部が露光済み
のウェーハ９にレティクル１４より透過した光が投光さ
れる０次に、ステージに搭載され、露光が完了したウェ
ーハ９は、ハンドリング装置（図示せず）により装置外
に搬送されスピンチャック８に保持されたウェーハ９は
、ハンドリング装置により矢印の方向に移動され、ステ
ージ７に移載される。この動作と同時に別のローダ装Ｗ
（図示せず）により、未露光のウェーハがスピンチャッ
ク８に移載される。このような動作を繰返して順次ウェ
ーハを露光する。このように、一つの光源を利用して二
つの光に分岐し、一つの光でウェーハの周辺部を、他の
光をウェーハの主要部分に投光することによって、同時
にウェーハ全体を露光するのと同じ効果が得られるので
露光処理時間を半分に減らすという利点がある。
以上説明したように本発明は一つの光源により発生する
光を二つに分岐し、これら分岐された光を導入する目合
せ露光部と、周辺露光部とを分離して設けることによっ
て、目合せ露光および周辺露光の２つの工程を同時に処
理することが出来るし、また、この２つの露光部の光源
、ウェーハ収納室が共用出来る。さらに、二つの露光工
程間でウェーハ装置外で搬送する搬送機構が不要になる
。従って、ウェーハを損傷することなく、占有面積が小
さくて済む安価な露光装置が得られるという効果がある
。
光を二つに分岐し、これら分岐された光を導入する目合
せ露光部と、周辺露光部とを分離して設けることによっ
て、目合せ露光および周辺露光の２つの工程を同時に処
理することが出来るし、また、この２つの露光部の光源
、ウェーハ収納室が共用出来る。さらに、二つの露光工
程間でウェーハ装置外で搬送する搬送機構が不要になる
。従って、ウェーハを損傷することなく、占有面積が小
さくて済む安価な露光装置が得られるという効果がある
。
小レンズ、７・・・ステージ、８・・・スピンチャック
、９・・・ウェーハ、１０・・・駆動部、１１・・・発
光素子、１２・・・受光素子、１３・・・サーボモータ
、１４・・・レチクル。
、９・・・ウェーハ、１０・・・駆動部、１１・・・発
光素子、１２・・・受光素子、１３・・・サーボモータ
、１４・・・レチクル。
Claims (1)
- 紫外線を含む光を発生する一つの光源と、前記光を二
つの光路に分岐するハーフミラーと、分岐された光の一
つを導く光ケーブルと、この光ケーブルの一端を保持す
るとともに前記光ケーブルから導出される光のスポット
位置を移動させる機構とを有することを特徴とする露光
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2183220A JPH0471224A (ja) | 1990-07-11 | 1990-07-11 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2183220A JPH0471224A (ja) | 1990-07-11 | 1990-07-11 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0471224A true JPH0471224A (ja) | 1992-03-05 |
Family
ID=16131891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2183220A Pending JPH0471224A (ja) | 1990-07-11 | 1990-07-11 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0471224A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001082001A1 (en) * | 2000-04-26 | 2001-11-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Lithography system with device for exposing the periphery of a wafer |
| US6614507B2 (en) * | 2001-02-01 | 2003-09-02 | Lsi Logic Corporation | Apparatus for removing photoresist edge beads from thin film substrates |
| US6618118B2 (en) | 2001-05-08 | 2003-09-09 | Asml Netherlands B.V. | Optical exposure method, device manufacturing method and lithographic projection apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6060724A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-08 | Toshiba Corp | 半導体露光装置 |
| JPS63258019A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Nec Kyushu Ltd | 目合露光装置 |
-
1990
- 1990-07-11 JP JP2183220A patent/JPH0471224A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6060724A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-08 | Toshiba Corp | 半導体露光装置 |
| JPS63258019A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Nec Kyushu Ltd | 目合露光装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001082001A1 (en) * | 2000-04-26 | 2001-11-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Lithography system with device for exposing the periphery of a wafer |
| US6614507B2 (en) * | 2001-02-01 | 2003-09-02 | Lsi Logic Corporation | Apparatus for removing photoresist edge beads from thin film substrates |
| US6618118B2 (en) | 2001-05-08 | 2003-09-09 | Asml Netherlands B.V. | Optical exposure method, device manufacturing method and lithographic projection apparatus |
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