JPS63258019A - 目合露光装置 - Google Patents

目合露光装置

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Publication number
JPS63258019A
JPS63258019A JP62093897A JP9389787A JPS63258019A JP S63258019 A JPS63258019 A JP S63258019A JP 62093897 A JP62093897 A JP 62093897A JP 9389787 A JP9389787 A JP 9389787A JP S63258019 A JPS63258019 A JP S63258019A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposing
semiconductor substrate
substrate
semiconductor
optical system
Prior art date
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Pending
Application number
JP62093897A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazutaka Ikeda
和隆 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS63258019A publication Critical patent/JPS63258019A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、目合露光装置に関し、半導体基板表面の一部
を露光する光学系および半導体基板表面を選択的に分割
露光する半導体支持ステージに関するものである。
〔従来の技術〕
従来、この種の目合露光装置は、フォトレジストを表面
に塗布された半導体基板に半導体素子パターンを焼き付
け露光する光学系を有していた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の目合露光装置は、半導体基板上に半導体
素子を形成する領域のみフォトレジストを露光する機構
となっている為、露光されない半導体基板周辺部がフォ
トレジストによυ保護されエツチングされず、下地と密
着性の悪い膜がはがれ、半導体基板上に形成された半導
体素子上に付着し、歩留を低下させるという欠点がある
。
〔問題点を解決するだめの手段〕
本発明の目合勝光装置は、フォトレジストを表面に塗布
された半導体基板上に半導体素子パターンを焼き付け露
光する光学系に加え、半導体基板表面の一部をｇ元する
光学系と、半導体基板表面を選択的に分割露光する半導
体基板支持ステージを有している。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、半導体基板表面の一部を
露光する光学系と半導体基板表面を選択的に分割露光す
る半導体基板支持ステージによシ特に、半導体基板周辺
部の７オトレジストを露光し、半導体素子を形成しない
領域の下地と密着性の悪い膜をエツチングする事で、そ
の膜のはがれによる歩留低下を防ぐことができる。
〔実施例〕
本発明について図面を参照して説明する。第１図は、本
発明の一実施例の縦断面図である。この実施例の７オト
レジストを塗布された半導体基板周辺部を露光する機構
は、レンズ１で集められた紫外線を光ファイバー２で転
送し、ブラインド３にて正形された紫外線をレンズ４を
通し、半導体支持ステージ６によシ半導体基板周辺部を
選択的に露光する。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例を説明するための目合露光
装置の断面図である。 尚、図において、７・・・Ｈｇランプ、９・・・インテ
グレータ、１０・・・コンデンサレンズ、１１・・・レ
ティクル、１２・・・縮小レンズは、従来の目合露光装
置の光学系であり、１・・・紫外線集束用レンズ、２・
・・光ファイバー、３・・・ブラインド、４・・・縮小
レンズ（１／１倍）、５・・・半導体支枝ステージは、
本発明の半導体基板周辺部を露光する光学系を示してい
る。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　フォトレジストを表面に塗布された基板に、所定のパ
    ターンを焼き付け露光する目合露光装置において、半導
    体素子パターンを焼き付け露光する光学系に加え、半導
    体基板表面の一部を全面露光する光学系を有し、半導体
    基板表面を選択的に分割露光する半導体基板支持ステー
    ジを有する事を特徴とする目合せ露光装置。
JP62093897A 1987-04-15 1987-04-15 目合露光装置 Pending JPS63258019A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0471224A (ja) * 1990-07-11 1992-03-05 Nec Yamagata Ltd 露光装置
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