JPH0471272A - Ｃｃｄ固体撮像装置 - Google Patents
Ｃｃｄ固体撮像装置Info
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- JPH0471272A JPH0471272A JP2183224A JP18322490A JPH0471272A JP H0471272 A JPH0471272 A JP H0471272A JP 2183224 A JP2183224 A JP 2183224A JP 18322490 A JP18322490 A JP 18322490A JP H0471272 A JPH0471272 A JP H0471272A
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- oxide film
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Links
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Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は受光素子部と電荷転送部等を有するＣＣＤ固体
撮像素子に関し、特に受光素子部の構造に関する。
撮像素子に関し、特に受光素子部の構造に関する。
従来のＣＣＤ固体撮像素子の受光素子部の構造としては
、第３図の如くＰ型ウェル１とＮ型拡散層２で構成され
るＰＮ接合ダイオードにおいて、ＰＮ接合面の内の底面
の部分がシリコン基板表面とほぼ平行な構造になってい
て、Ｎ型拡散層２の表面の不純物濃度はほぼ均一になっ
ている。
、第３図の如くＰ型ウェル１とＮ型拡散層２で構成され
るＰＮ接合ダイオードにおいて、ＰＮ接合面の内の底面
の部分がシリコン基板表面とほぼ平行な構造になってい
て、Ｎ型拡散層２の表面の不純物濃度はほぼ均一になっ
ている。
上述した従来の受光素子部のＮ型拡散層の表面の不純物
濃度が均一なので、この領域のポテンシャルプロフィー
ルは一定の値を有している。このためＮ型拡散層表面に
蓄積された光電子がゲート電極下の領域を通してＮ型電
荷転送層に移動する場合、光電子の移動が完了するまで
比較的長い時間を要するという欠点がある。
濃度が均一なので、この領域のポテンシャルプロフィー
ルは一定の値を有している。このためＮ型拡散層表面に
蓄積された光電子がゲート電極下の領域を通してＮ型電
荷転送層に移動する場合、光電子の移動が完了するまで
比較的長い時間を要するという欠点がある。
また、光電子の移動が完了する以前に移動を打ち切った
場合には余分な光電子がＮ型拡散層に残るため次回以降
の光電子の移動周期に重なって吐き出されて来る現象が
起こりＣＣＤ固体撮像装置の残像特性が悪化するという
欠点がある。
場合には余分な光電子がＮ型拡散層に残るため次回以降
の光電子の移動周期に重なって吐き出されて来る現象が
起こりＣＣＤ固体撮像装置の残像特性が悪化するという
欠点がある。
本発明は、半導体基板表面部の第１導電型ウェルに選択
的に形成された第２導電型拡散層を有する受光素子部と
、前記受光素子部に隣接して設けられた電荷転送部とを
含むＣＣＤ固体撮像装置において、前記第２導電型拡散
層の表面の不純物濃度に勾配をつけ前記電荷転送部へ向
けて濃くなっているというものである。
的に形成された第２導電型拡散層を有する受光素子部と
、前記受光素子部に隣接して設けられた電荷転送部とを
含むＣＣＤ固体撮像装置において、前記第２導電型拡散
層の表面の不純物濃度に勾配をつけ前記電荷転送部へ向
けて濃くなっているというものである。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
この実施例は、受光素子のＮ型拡散層２Ａの表面の不純
物濃度がゲート電極５へ向けて濃くなっているというも
のである。
物濃度がゲート電極５へ向けて濃くなっているというも
のである。
第２図＜ａ）〜（ｄ）はこの実施例の製造方法の工程順
断面図である。
断面図である。
まず、第２図（ａ）に示すように、常圧ＣＶＤ法により
酸化シリコン膜７を堆積し、ＨＦとＮＨ，Ｆを１＝１５
の比で混合したバッフアート弗酸により、酸化シリコン
膜７を選択的にエツチングする。サイドエツチングによ
り酸化シリコン膜７の側面になだらかなスロープがつく
。
酸化シリコン膜７を堆積し、ＨＦとＮＨ，Ｆを１＝１５
の比で混合したバッフアート弗酸により、酸化シリコン
膜７を選択的にエツチングする。サイドエツチングによ
り酸化シリコン膜７の側面になだらかなスロープがつく
。
次に、第２図（ｂ）に示すように、ＳＯＧ膜９をつける
。ＳＯＧ膜９の厚さは酸化シリコン膜９よりやや薄くす
るとよい。平坦化されてスロープの勾配が緩やかになる
。
。ＳＯＧ膜９の厚さは酸化シリコン膜９よりやや薄くす
るとよい。平坦化されてスロープの勾配が緩やかになる
。
次に、第２図（ｃ）に示すようにウェットエッチを行な
うと、第２図（ａ）の状態より長いスロープができる。
うと、第２図（ａ）の状態より長いスロープができる。
このようにして、何回かＳＯＧ膜堆積による平坦化、サ
イドエッチを繰り返すことにより、第２図（ｄ）に示す
ように、厚さになだらかな勾配のついたイオン注入用バ
ッファ膜（厚い所で２００ｎｍ程度、薄い所で５０ｎｍ
程度の厚さを有している）を形成することができる。次
に、リンのイオン注入を行なう。フォトレジスト膜で区
画された領域右端において、リンイオンの飛程Ｒがイオ
ン注入用バッファ膜１２とＰウェル１との境界にくるよ
う加速電圧を定める。すなわち、加速電圧はおよそ８０
ｋｅＶ、ドーズ量は３ Ｘ １０１２ｃｍ−２である。
イドエッチを繰り返すことにより、第２図（ｄ）に示す
ように、厚さになだらかな勾配のついたイオン注入用バ
ッファ膜（厚い所で２００ｎｍ程度、薄い所で５０ｎｍ
程度の厚さを有している）を形成することができる。次
に、リンのイオン注入を行なう。フォトレジスト膜で区
画された領域右端において、リンイオンの飛程Ｒがイオ
ン注入用バッファ膜１２とＰウェル１との境界にくるよ
う加速電圧を定める。すなわち、加速電圧はおよそ８０
ｋｅＶ、ドーズ量は３ Ｘ １０１２ｃｍ−２である。
そうすると、右端から左端へ向けてリンイオンの濃度の
低くなったリンイオン注入層１３が形成される。次にア
ニールを行ない、Ｎ型拡散層２Ａを形成する。
低くなったリンイオン注入層１３が形成される。次にア
ニールを行ない、Ｎ型拡散層２Ａを形成する。
Ｎ型拡散層２Ａの表面に蓄積された電子は、不純物濃度
勾配に基づく電界の作用によりゲート電極５の方向へ移
動するので、信号電荷の読み出しの不完全さによる残像
が少なくなる。
勾配に基づく電界の作用によりゲート電極５の方向へ移
動するので、信号電荷の読み出しの不完全さによる残像
が少なくなる。
以上説明したように本発明は固体撮像素子の受光素子部
における不純物濃度に勾配をつけてゲート電極の方向へ
キャリアを移動させるボテンシャル分布を実現すること
により、受光素子部表面に蓄積された光電子が電荷転送
層に移動する時間を７０〜６０％短かくすることができ
、画体撮像素子の動作速度を悪化させることなしに残像
特性を向上できる効果がある。
における不純物濃度に勾配をつけてゲート電極の方向へ
キャリアを移動させるボテンシャル分布を実現すること
により、受光素子部表面に蓄積された光電子が電荷転送
層に移動する時間を７０〜６０％短かくすることができ
、画体撮像素子の動作速度を悪化させることなしに残像
特性を向上できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図（ａ）
〜（ｄ）は一実施例の製造方法の工程順縦断面図、第３
図は従来例を示す断面図である。
〜（ｄ）は一実施例の製造方法の工程順縦断面図、第３
図は従来例を示す断面図である。
１・・・Ｐウェル層、２，２Ａ・・・Ｎ型不純物層、３
・・・Ｎ型電荷転送層、４・・・酸化シリコン膜、５・
・・ゲート電極、６・・・電荷転送電極、７・・・酸化
シリコン膜、８・・・フォトレジスト膜、９・・・ＳＯ
Ｇ膜、１０１１・・・フォトレジスト膜、１２・・・イ
オン注入用バッファ層、１３・・・リンイオン注入層。
・・・Ｎ型電荷転送層、４・・・酸化シリコン膜、５・
・・ゲート電極、６・・・電荷転送電極、７・・・酸化
シリコン膜、８・・・フォトレジスト膜、９・・・ＳＯ
Ｇ膜、１０１１・・・フォトレジスト膜、１２・・・イ
オン注入用バッファ層、１３・・・リンイオン注入層。
Claims (1)
- 半導体基板表面部の第１導電型ウェルに選択的に形成
された第２導電型拡散層を有する受光素子部と、前記受
光素子部に隣接して設けられた電荷転送部とを含むＣＣ
Ｄ固体撮像装置において、前記第２導電型拡散層の表面
の不純物濃度に勾配をつけ前記電荷転送部へ向けて濃く
なっていることを特徴とするＣＣＤ固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2183224A JPH0471272A (ja) | 1990-07-11 | 1990-07-11 | Ｃｃｄ固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2183224A JPH0471272A (ja) | 1990-07-11 | 1990-07-11 | Ｃｃｄ固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0471272A true JPH0471272A (ja) | 1992-03-05 |
Family
ID=16131964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2183224A Pending JPH0471272A (ja) | 1990-07-11 | 1990-07-11 | Ｃｃｄ固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0471272A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61248554A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
| JPH02105463A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-18 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
-
1990
- 1990-07-11 JP JP2183224A patent/JPH0471272A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61248554A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
| JPH02105463A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-18 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
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