JPH02105463A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPH02105463A JPH02105463A JP63258709A JP25870988A JPH02105463A JP H02105463 A JPH02105463 A JP H02105463A JP 63258709 A JP63258709 A JP 63258709A JP 25870988 A JP25870988 A JP 25870988A JP H02105463 A JPH02105463 A JP H02105463A
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- JP
- Japan
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- photosensitive
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- register
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- Pending
Links
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 abstract description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 235000014653 Carica parviflora Nutrition 0.000 description 1
- 241000243321 Cnidaria Species 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像装置に関し、特に感光部の構造に関す
る。
る。
一般に電荷結合素子を用いた固体撮像装置は、入射光量
に応じて電荷を蓄積する感光部と、その感光部に蓄積さ
れた電荷を垂直方向に転送する垂直転送レジスタ及び水
平方向に転送する水平転送レジスタと、転送されて来た
電荷を検出する電荷検出部とから構成されている。
に応じて電荷を蓄積する感光部と、その感光部に蓄積さ
れた電荷を垂直方向に転送する垂直転送レジスタ及び水
平方向に転送する水平転送レジスタと、転送されて来た
電荷を検出する電荷検出部とから構成されている。
第３図は従来の縦型オーバーフロードレイン構造のＣＯ
Ｄ固体撮像装置を示す半導体チップの断面図である。
Ｄ固体撮像装置を示す半導体チップの断面図である。
感光部はＰウェル層７に設けられたＮ−型不純物拡散領
域１を感光素子領域として有している。
域１を感光素子領域として有している。
Ｎ−型不純物拡散領域１の不純物濃度分布は２次元的に
は均一になっていている。
は均一になっていている。
第４図（ａ）、（ｂ）はそれぞれこの従来例の動作を説
明するためのポテンシャル分布図である。
明するためのポテンシャル分布図である。
第５図は、垂直転送電極に印加する電圧を示す電圧波形
図である。
図である。
この固体撮像装置の動作は第４図（ａ）に示すように、
感光部で蓄積された電荷Ｑ（第５図のｔｌのタイミング
）が一定時間後（第５図ｔ２のタイミング）、垂直転送
レジスタへ転送され（第４図（ｂ））その後水平レジス
タ（図示しない）を通って電荷検出部（図示しない）に
転送され信号が取り出される。感光部から垂直転送レジ
スタへ転送する場合完全に転送されないとＴＶ画面に映
した時残像と言う現象が生じ画質を劣化させる。この残
像が生じない様に通常感光部のＰＮ接合は空乏化した状
態で使用される。構造上感光部を空乏化した状態を作る
には読み出し電圧で感光部が空乏化する様に感光部のＮ
−型不純物拡散領域１の不純物濃度を薄くしている。不
純物濃度を薄くすると感光部で蓄積される電荷量は小さ
くなる。
感光部で蓄積された電荷Ｑ（第５図のｔｌのタイミング
）が一定時間後（第５図ｔ２のタイミング）、垂直転送
レジスタへ転送され（第４図（ｂ））その後水平レジス
タ（図示しない）を通って電荷検出部（図示しない）に
転送され信号が取り出される。感光部から垂直転送レジ
スタへ転送する場合完全に転送されないとＴＶ画面に映
した時残像と言う現象が生じ画質を劣化させる。この残
像が生じない様に通常感光部のＰＮ接合は空乏化した状
態で使用される。構造上感光部を空乏化した状態を作る
には読み出し電圧で感光部が空乏化する様に感光部のＮ
−型不純物拡散領域１の不純物濃度を薄くしている。不
純物濃度を薄くすると感光部で蓄積される電荷量は小さ
くなる。
上述した従来の固体撮像装置は、感光部の不純物拡散領
域の不純物濃度を薄くして残像現象を押えるようにして
いるので、感光部で蓄積出来る電荷量及び信号が少なく
なるという欠点がある。
域の不純物濃度を薄くして残像現象を押えるようにして
いるので、感光部で蓄積出来る電荷量及び信号が少なく
なるという欠点がある。
本発明の目的は、残像現象を押えかつ信号も大きくとれ
る固体撮像装置を提供することにある。
る固体撮像装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の固体撮像装置は、半導体基板上に感光部と、こ
の感光部で蓄積された電荷を垂直方向に転送する垂直レ
ジスタ及び水平方向に転送する水平レジスタと、この転
送されて来た電荷を検出する電荷検出部とを集積してな
る固体撮像装置において、前記感光部の不純物拡散領域
の不純物濃度が前記垂直転送レジスタに隣接する側で濃
くなっているというものでおる。
の感光部で蓄積された電荷を垂直方向に転送する垂直レ
ジスタ及び水平方向に転送する水平レジスタと、この転
送されて来た電荷を検出する電荷検出部とを集積してな
る固体撮像装置において、前記感光部の不純物拡散領域
の不純物濃度が前記垂直転送レジスタに隣接する側で濃
くなっているというものでおる。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体チップの断面図
である。
である。
感光部がＮ−型不純物領域１とＮ型不純物領域２とを含
み垂直レジスタ側に隣接する部分（２）の不純物濃度が
濃くなっているが、感光部（１゜２）から垂直レジスタ
（６）への転送領域であるＰ＋型読み出しゲート９との
間の拡散電位が１Ｖ程度以上にならない様に濃くしてい
る。
み垂直レジスタ側に隣接する部分（２）の不純物濃度が
濃くなっているが、感光部（１゜２）から垂直レジスタ
（６）への転送領域であるＰ＋型読み出しゲート９との
間の拡散電位が１Ｖ程度以上にならない様に濃くしてい
る。
この感光部から垂直レジスタへの動作は次の様になる。
垂直転送電極３に第５図のタイミングｔ２での読み出し
パルスが印加されると感光部に蓄積されていた電荷は垂
直転送レジスタへと移動する。その様子を第２図（ａ）
、（ｂ）に示す。
パルスが印加されると感光部に蓄積されていた電荷は垂
直転送レジスタへと移動する。その様子を第２図（ａ）
、（ｂ）に示す。
第２図（ａ）に示す様に感光部での電位は垂直レジスタ
側で深くなり階段状になっている。従来は第４図（ａ）
の様になっており、この実施例においては第２図（ａ）
に格子状の陰影で示した部分に蓄積出来る電荷量が多く
なることが判る。又残像の原因となる感光部での取り残
しも、感光部から垂直レジスタへはポテンシャル分布が
階段状に変化しており、蓄積された信号電荷はスムース
に垂直レジスタへ転送される様になっているので問題は
ない。
側で深くなり階段状になっている。従来は第４図（ａ）
の様になっており、この実施例においては第２図（ａ）
に格子状の陰影で示した部分に蓄積出来る電荷量が多く
なることが判る。又残像の原因となる感光部での取り残
しも、感光部から垂直レジスタへはポテンシャル分布が
階段状に変化しており、蓄積された信号電荷はスムース
に垂直レジスタへ転送される様になっているので問題は
ない。
以上説明した様に本発明は感光部の不純物拡散領域の不
純物濃度が垂直レジスタに隣接する側で濃くなっている
ので、蓄積電荷の読み出しが十分に行える結果画質の劣
化になる残像を生じさせないで感光部での蓄積電荷を増
大させる事が出来る。従って、固体撮像装置としての特
性を上げる事が出来る事になり画質の向上及び歩留りの
向上がもたらされる。
純物濃度が垂直レジスタに隣接する側で濃くなっている
ので、蓄積電荷の読み出しが十分に行える結果画質の劣
化になる残像を生じさせないで感光部での蓄積電荷を増
大させる事が出来る。従って、固体撮像装置としての特
性を上げる事が出来る事になり画質の向上及び歩留りの
向上がもたらされる。
第１図は本発明の一実施例の感光部付近を示す半導体チ
ップの断面図、第２図（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ本発
明の感光部と垂直レジスタ付近の読み出し直前及び読み
出し時のポテンシャル分布図、第３図は従来例の感光部
付近を示す半導体チップの断面図、第４図（ａ）及び（
ｂ）はそれぞれ従来例の感光部と垂直レジスタ付近の読
み出し直前及び読み出し時のポテンシャル分布図、第５
図は垂直転送電極に印加される電圧の波形図である。 １・・・Ｎ−型不純物拡散領域、２・・・Ｎ型不純物拡
散領域、３・・・垂直転送電極、４・・・絶縁膜、５・
・・Ｐ＋層、６・・・Ｎ−型転送チャネル、７・・・Ｐ
ウェル層、８・・・Ｎ型半導体基板。 代私弁理土内厚 晋 １Ｎ−型Ｔ：蔑物芯實び１或 ｉ！±２−＋ｊｆ−６÷ ２珊 図 ！ 図 刀 又
ップの断面図、第２図（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ本発
明の感光部と垂直レジスタ付近の読み出し直前及び読み
出し時のポテンシャル分布図、第３図は従来例の感光部
付近を示す半導体チップの断面図、第４図（ａ）及び（
ｂ）はそれぞれ従来例の感光部と垂直レジスタ付近の読
み出し直前及び読み出し時のポテンシャル分布図、第５
図は垂直転送電極に印加される電圧の波形図である。 １・・・Ｎ−型不純物拡散領域、２・・・Ｎ型不純物拡
散領域、３・・・垂直転送電極、４・・・絶縁膜、５・
・・Ｐ＋層、６・・・Ｎ−型転送チャネル、７・・・Ｐ
ウェル層、８・・・Ｎ型半導体基板。 代私弁理土内厚 晋 １Ｎ−型Ｔ：蔑物芯實び１或 ｉ！±２−＋ｊｆ−６÷ ２珊 図 ！ 図 刀 又
Claims (1)
- 半導体基板上に感光部と、この感光部で蓄積された電荷
を垂直方向に転送する垂直レジスタ及び水平方向に転送
する水平レジスタと、この転送されて来た電荷を検出す
る電荷検出部とを集積してなる固体撮像装置において、
前記感光部の不純物拡散領域の不純物濃度が前記垂直転
送レジスタに隣接する側で濃くなっている事を特徴とす
る固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63258709A JPH02105463A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63258709A JPH02105463A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02105463A true JPH02105463A (ja) | 1990-04-18 |
Family
ID=17324006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63258709A Pending JPH02105463A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02105463A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0471272A (ja) * | 1990-07-11 | 1992-03-05 | Nec Yamagata Ltd | Ｃｃｄ固体撮像装置 |
| JPH0479830U (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-13 | ||
| US6346722B1 (en) | 1998-06-26 | 2002-02-12 | Nec Corporation | Solid state imaging device and method for manufacturing the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60244064A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
| JPS61225865A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-07 | Toshiba Corp | 固体イメ−ジセンサ |
| JPS6376370A (ja) * | 1986-09-18 | 1988-04-06 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP63258709A patent/JPH02105463A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60244064A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
| JPS61225865A (ja) * | 1985-03-30 | 1986-10-07 | Toshiba Corp | 固体イメ−ジセンサ |
| JPS6376370A (ja) * | 1986-09-18 | 1988-04-06 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0471272A (ja) * | 1990-07-11 | 1992-03-05 | Nec Yamagata Ltd | Ｃｃｄ固体撮像装置 |
| JPH0479830U (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-13 | ||
| US6346722B1 (en) | 1998-06-26 | 2002-02-12 | Nec Corporation | Solid state imaging device and method for manufacturing the same |
| US6627476B2 (en) | 1998-06-26 | 2003-09-30 | Nec Corporation | Solid state imaging device and method for manufacturing the same |
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