JPH0471353B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0471353B2 JPH0471353B2 JP60160728A JP16072885A JPH0471353B2 JP H0471353 B2 JPH0471353 B2 JP H0471353B2 JP 60160728 A JP60160728 A JP 60160728A JP 16072885 A JP16072885 A JP 16072885A JP H0471353 B2 JPH0471353 B2 JP H0471353B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- magnetoresistive element
- substrate
- magnetoresistive
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明はホール素子、磁気抵抗素子等の化合物
半導体装置に関し、特にこの磁気抵抗素子を使つ
た磁気抵抗装置に関するものである。
半導体装置に関し、特にこの磁気抵抗素子を使つ
た磁気抵抗装置に関するものである。
(ロ) 従来の技術
インジウムアンチモナイド（InSb）、インジウ
ムアーセナイド（InAs）の様にキヤリア移動度
の高い化合物半導体は、磁気を作用させると抵抗
値が変化するという性質を有しており、この種の
化合物半導体装置を用いた磁気検出器が実用化さ
れている。
ムアーセナイド（InAs）の様にキヤリア移動度
の高い化合物半導体は、磁気を作用させると抵抗
値が変化するという性質を有しており、この種の
化合物半導体装置を用いた磁気検出器が実用化さ
れている。
特願昭59−134788号公報に示す如く磁気抵抗素
子を用いた磁気検出器の一般的な構成を第４図・
第５図に示す。筐体はプラスチツク成形品であつ
て、上面に形成した開口部はベリリウム−銅製の
薄膜よりなる保護板４５にて閉鎖されている。保
護板４５は筐体に一体にモールドされており、そ
の外面には耐摩耗性向上のために必要に応じてク
ロムメツキが施される。
子を用いた磁気検出器の一般的な構成を第４図・
第５図に示す。筐体はプラスチツク成形品であつ
て、上面に形成した開口部はベリリウム−銅製の
薄膜よりなる保護板４５にて閉鎖されている。保
護板４５は筐体に一体にモールドされており、そ
の外面には耐摩耗性向上のために必要に応じてク
ロムメツキが施される。
筐体内にはこの保護板４５と適当な間隔を隔て
て磁気抵抗素子を用いた磁気検出器３１が配設さ
れている。この検出器本体３１はセンサユニツト
３２、マウント基板３３及び永久磁石３４等にて
構成されている。センサユニツト３２はフエライ
ト製の厚肉の磁性体基板３５上に相互に電気的に
接続したインジウムアンチモナイド等の化合物半
導体素子からなる磁気抵抗素子３６を接着用樹脂
３７を用いて並設したものか、また第５図の如く
絶縁膜３７′を介して並設されたものであり、こ
の磁性体基板３５はこれよりも薄肉のプラスチツ
ク製のマウント基板３３に穿設した穴４２に嵌合
させてある。この状態では磁性体基板３５の下面
はマウント基板３３下面のリン青銅製の底板４３
を隔てて、底板４３下面に一磁極端面を固定した
円柱状のバイアス用永久磁石３４に対向し、また
両側の両磁気抵抗素子３６はマウント基板３３の
上面よりも所要寸法上方に高く位置した状態とな
つている。「マウント基板３３上にはセンサユニ
ツト３２を囲繞し、且つ上面を磁気抵抗素子３６
表面よりも高くした環状スペーサが設けられてお
り、保護板４５の周縁に該スペーサの上面を当接
させて保護板４５と磁気抵抗素子３６との間隔が
所定値になるようにしてある。そして各磁気抵抗
素子３６の電極とマウント基板３３上のプリント
配線４４の一端部とは金線製の複数の導線４１
（図面には１本のみ表われている）を用いて接続
され、またプリント配線４４の他端部はマウント
基板３３の周縁部においてリード線４１の一端に
接続されている。これらリード線４１の他端はプ
ラスチツク製の蓋部材に貫設したリード板４１に
接続されていた。
て磁気抵抗素子を用いた磁気検出器３１が配設さ
れている。この検出器本体３１はセンサユニツト
３２、マウント基板３３及び永久磁石３４等にて
構成されている。センサユニツト３２はフエライ
ト製の厚肉の磁性体基板３５上に相互に電気的に
接続したインジウムアンチモナイド等の化合物半
導体素子からなる磁気抵抗素子３６を接着用樹脂
３７を用いて並設したものか、また第５図の如く
絶縁膜３７′を介して並設されたものであり、こ
の磁性体基板３５はこれよりも薄肉のプラスチツ
ク製のマウント基板３３に穿設した穴４２に嵌合
させてある。この状態では磁性体基板３５の下面
はマウント基板３３下面のリン青銅製の底板４３
を隔てて、底板４３下面に一磁極端面を固定した
円柱状のバイアス用永久磁石３４に対向し、また
両側の両磁気抵抗素子３６はマウント基板３３の
上面よりも所要寸法上方に高く位置した状態とな
つている。「マウント基板３３上にはセンサユニ
ツト３２を囲繞し、且つ上面を磁気抵抗素子３６
表面よりも高くした環状スペーサが設けられてお
り、保護板４５の周縁に該スペーサの上面を当接
させて保護板４５と磁気抵抗素子３６との間隔が
所定値になるようにしてある。そして各磁気抵抗
素子３６の電極とマウント基板３３上のプリント
配線４４の一端部とは金線製の複数の導線４１
（図面には１本のみ表われている）を用いて接続
され、またプリント配線４４の他端部はマウント
基板３３の周縁部においてリード線４１の一端に
接続されている。これらリード線４１の他端はプ
ラスチツク製の蓋部材に貫設したリード板４１に
接続されていた。
ところで、従来各種トランジスタ、IC製品に
おけるペレツト、即ち素子側の電極と、ステム、
即ち基板側のリード板との接続には金線を用いて
ペレツト側に対しては金属の端末を溶融して玉状
とし、これを電極に押圧して釘頭形状に接着す
る、所謂ネイルヘツドボンドをし、また基板側の
リード板に対しては金線の端末を加熱しつつ圧着
する、所謂ステイツチボンドをするのが一般的で
あり、磁気検出器においてもリード線はペレツト
側である磁気抵抗素子の電極または磁気抵抗素子
に直接ネイルヘツドボンドし、また基板側である
プリント配線に対してはステイツチボンドをする
ことが行なわれている。
おけるペレツト、即ち素子側の電極と、ステム、
即ち基板側のリード板との接続には金線を用いて
ペレツト側に対しては金属の端末を溶融して玉状
とし、これを電極に押圧して釘頭形状に接着す
る、所謂ネイルヘツドボンドをし、また基板側の
リード板に対しては金線の端末を加熱しつつ圧着
する、所謂ステイツチボンドをするのが一般的で
あり、磁気検出器においてもリード線はペレツト
側である磁気抵抗素子の電極または磁気抵抗素子
に直接ネイルヘツドボンドし、また基板側である
プリント配線に対してはステイツチボンドをする
ことが行なわれている。
(ハ) 発明が解決しようとする問題点
前述の如く磁気抵抗素子上に形成された電極ま
たは直接磁気抵抗素子にワイヤボンドする方式で
は、磁気抵抗素子３６がもろい化合物半導体で形
成されているという性質上、磁気抵抗素子３６内
部に亀裂が生じ易く、断線による不良やノイズ発
生等の問題が生じていた。
たは直接磁気抵抗素子にワイヤボンドする方式で
は、磁気抵抗素子３６がもろい化合物半導体で形
成されているという性質上、磁気抵抗素子３６内
部に亀裂が生じ易く、断線による不良やノイズ発
生等の問題が生じていた。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本発明は斯上の問題点に鑑みてなされ、前記第
１電極８上に形成され前記化合物半導体装置６上
面に露出している第２電極１０と、該第２電極１
０と電気的に接続される金属線１１とにより構成
することで解決するものである。
１電極８上に形成され前記化合物半導体装置６上
面に露出している第２電極１０と、該第２電極１
０と電気的に接続される金属線１１とにより構成
することで解決するものである。
(ホ) 作用
前記金属線１１は前記第１電極８上に形成され
前記磁気抵抗素子６上面に露出している第２電極
１０にワイヤボンドされるため、直接前記化合物
半導体装置６に直接ストレスが加わらないため亀
裂が生じにくくなる。また第２電極１０と金属線
１１が直接接合されるため強固に行うことができ
る。
前記磁気抵抗素子６上面に露出している第２電極
１０にワイヤボンドされるため、直接前記化合物
半導体装置６に直接ストレスが加わらないため亀
裂が生じにくくなる。また第２電極１０と金属線
１１が直接接合されるため強固に行うことができ
る。
(ヘ) 実施例
以下、本発明をその実施例を示す図面に基いて
説明する。
説明する。
第１図は本発明による磁気抵抗素子を用いた磁
気抵抗装置の検出器本体部分の拡大断面図であ
る。検出器本体１は化合物半導体装置からなるセ
ンサユニツト２、マウント基板３、永久磁石４等
にて構成されている。センサユニツト２はフエラ
イト製の厚肉の磁性体基板５上に相互に電気的に
接続されたインジウムアンチモナイドなどの化合
物半導体素子からなる磁気抵抗素子６を接続用樹
脂７を用いて並設される。または第２図の如く絶
縁膜７′を介して磁気抵抗素子６を接着樹脂７を
用いて並設されても良い。一方磁気抵抗素子６の
下面にはラスタ９と同時に形成される第１電極８
が形成されている。本発明は前記第１電極８上に
形成され前記磁気抵抗素子６上面に露出している
第２電極ここでは銅１０が形成され、そして第２
電極１０と電気的に接続されている金属線１１が
形成されている。
気抵抗装置の検出器本体部分の拡大断面図であ
る。検出器本体１は化合物半導体装置からなるセ
ンサユニツト２、マウント基板３、永久磁石４等
にて構成されている。センサユニツト２はフエラ
イト製の厚肉の磁性体基板５上に相互に電気的に
接続されたインジウムアンチモナイドなどの化合
物半導体素子からなる磁気抵抗素子６を接続用樹
脂７を用いて並設される。または第２図の如く絶
縁膜７′を介して磁気抵抗素子６を接着樹脂７を
用いて並設されても良い。一方磁気抵抗素子６の
下面にはラスタ９と同時に形成される第１電極８
が形成されている。本発明は前記第１電極８上に
形成され前記磁気抵抗素子６上面に露出している
第２電極ここでは銅１０が形成され、そして第２
電極１０と電気的に接続されている金属線１１が
形成されている。
このように構成したセンサユニツト２の磁性体
基板５をこれよりも薄肉のプラスチツク製のマウ
ント基板３に穿設した穴１２に嵌合して固定す
る。この状態では磁性体基板５の下面はマウント
基板３下面のリン青銅製の底板１３を介して、バ
イアス用の永久磁石４に対向し、また上面の磁気
抵抗素子６はマウント基板３上面より所要寸法高
く位置している。マウント基板３上には穴１２の
周りにプリント配線１４が設けられ、また周縁部
にはセンサユニツト２を囲繞し、且つ周縁部上面
を磁気抵抗素子６よりも高くした環状スペーサが
設けられており、保護板１５の周縁に該スペーサ
の上面を当接させることにより保護板１５と磁気
抵抗素子６との間隔が所定値になるようにしてあ
る。
基板５をこれよりも薄肉のプラスチツク製のマウ
ント基板３に穿設した穴１２に嵌合して固定す
る。この状態では磁性体基板５の下面はマウント
基板３下面のリン青銅製の底板１３を介して、バ
イアス用の永久磁石４に対向し、また上面の磁気
抵抗素子６はマウント基板３上面より所要寸法高
く位置している。マウント基板３上には穴１２の
周りにプリント配線１４が設けられ、また周縁部
にはセンサユニツト２を囲繞し、且つ周縁部上面
を磁気抵抗素子６よりも高くした環状スペーサが
設けられており、保護板１５の周縁に該スペーサ
の上面を当接させることにより保護板１５と磁気
抵抗素子６との間隔が所定値になるようにしてあ
る。
そして各磁気抵抗素子６、の第２電極１０とマ
ウント基板３上面のプリント配線１４の一端部と
を接続する金属線１１はボールボンドやステイツ
チボンド又は半田付け等で接続されている。
ウント基板３上面のプリント配線１４の一端部と
を接続する金属線１１はボールボンドやステイツ
チボンド又は半田付け等で接続されている。
このように前記第１電極８上に形成された前記
磁気抵抗素子６の上面に露出している第２電極１
０が形成され、この第２電極１０に金属線１１を
接続するため、直接磁気抵抗素子６にストレスを
加えることがないため亀裂等が生じるおそれがな
い。また第２電極１０は銅等で形成されるためボ
ンデイング時に強固に接合する。
磁気抵抗素子６の上面に露出している第２電極１
０が形成され、この第２電極１０に金属線１１を
接続するため、直接磁気抵抗素子６にストレスを
加えることがないため亀裂等が生じるおそれがな
い。また第２電極１０は銅等で形成されるためボ
ンデイング時に強固に接合する。
次に、本発明による磁気抵抗素子６の製造方法
の一列を第３図イ乃至第３図トを参照しながら説
明する。
の一列を第３図イ乃至第３図トを参照しながら説
明する。
InSbのインゴツトをダイヤモンドソー等を用
いて約300μmの厚さのウエハーにスライスした後
前記ウエハの歪みを取除くためにミラーポリツシ
ユを行う。次に前記ウエハに第３図イに示す如く
第２電極１０となる銅を積層する領域を溝１７に
形成するため蝕刻を行う。ここではフオトレジス
ト１８を所望のパターンに形成し蝕刻する。
いて約300μmの厚さのウエハーにスライスした後
前記ウエハの歪みを取除くためにミラーポリツシ
ユを行う。次に前記ウエハに第３図イに示す如く
第２電極１０となる銅を積層する領域を溝１７に
形成するため蝕刻を行う。ここではフオトレジス
ト１８を所望のパターンに形成し蝕刻する。
次に第３図ロに示す如く前記ウエハ内の溝１７
内に第２電極１０となる銅を積層する。ここでは
硫酸銅を用いて電界メツキを行い所定の厚さに形
成する。
内に第２電極１０となる銅を積層する。ここでは
硫酸銅を用いて電界メツキを行い所定の厚さに形
成する。
次に第３図ハに示す如く、フオトレジストを除
去し、更に前記ラスタとなる銅を積層する領域と
前記第１電極８となる銅を積層する領域とを溝形
成するために蝕刻を行う。
去し、更に前記ラスタとなる銅を積層する領域と
前記第１電極８となる銅を積層する領域とを溝形
成するために蝕刻を行う。
続いて第３図ニに示す如く、硫酸銅を用いて電
界メツキを行い、前記第２電極１０上の第１電極
８と前記ラスタ部９に銅を積層する。
界メツキを行い、前記第２電極１０上の第１電極
８と前記ラスタ部９に銅を積層する。
続いて第３図ホに示す如くフオトレジストを除
去し、磁気抵抗素子の形状に抜くために、前記溝
より深く蝕刻をする。そして基板上に第１電極８
が下方に形成されるように、接着剤等を使用して
固着する。
去し、磁気抵抗素子の形状に抜くために、前記溝
より深く蝕刻をする。そして基板上に第１電極８
が下方に形成されるように、接着剤等を使用して
固着する。
更に第３図ヘに示す如く、前記磁気抵抗素子６
の第２電極１０が露出するまで研磨する。
の第２電極１０が露出するまで研磨する。
最後に第３図トに示す如く、前記第２電極１０
の表面に金属線１１を電気的に接合する。
の表面に金属線１１を電気的に接合する。
(ト) 発明の効果
以上説明した如く、本発明は、前記第１電極８
上に形成され前記磁気抵抗素子６上面に露出して
いる第２電極１０が形成され、該第２電極１０に
金属線１１を接続するため、直接磁気抵抗素子６
にストレスを加えることがないため亀裂等が生じ
るおそれがない。また第２電極１０は銅等の金属
で形成されているため化合物半導体と違いボンデ
イングが強固となる。そのため不良やノイズの発
生等が無くなつた。
上に形成され前記磁気抵抗素子６上面に露出して
いる第２電極１０が形成され、該第２電極１０に
金属線１１を接続するため、直接磁気抵抗素子６
にストレスを加えることがないため亀裂等が生じ
るおそれがない。また第２電極１０は銅等の金属
で形成されているため化合物半導体と違いボンデ
イングが強固となる。そのため不良やノイズの発
生等が無くなつた。
第１図、第２図は、本発明の磁気抵抗素子を用
いた磁気抵抗装置の要部拡大断面図、第３図イ乃
至第３図トは、本発明の磁気抵抗装置の製造方法
の一例を示す工程図、第４図、第５図は、従来の
磁気抵抗素子を用いた磁気抵抗装置の要部拡大断
面図である。 主な図番の説明 １は磁気検出器、２はセンサ
ユニツト、３はマウント基板、４は永久磁石、５
は磁性体基板、６は磁気抵抗素子、７は樹脂、８
は第１電極、９はラスタ、１０は第２電極、１１
は金属線、１２は穴、１３は底板、１４はプリン
ト配線、１５は保護板である。
いた磁気抵抗装置の要部拡大断面図、第３図イ乃
至第３図トは、本発明の磁気抵抗装置の製造方法
の一例を示す工程図、第４図、第５図は、従来の
磁気抵抗素子を用いた磁気抵抗装置の要部拡大断
面図である。 主な図番の説明 １は磁気検出器、２はセンサ
ユニツト、３はマウント基板、４は永久磁石、５
は磁性体基板、６は磁気抵抗素子、７は樹脂、８
は第１電極、９はラスタ、１０は第２電極、１１
は金属線、１２は穴、１３は底板、１４はプリン
ト配線、１５は保護板である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板に嵌合された磁性体基板上に、この基板
の上面よりも高く成るように接着されたウエハか
ら加工した磁気抵抗素子と、 この磁気抵抗素子の周囲に対応する前記基板に
設けられた基板電極と、 前記磁気抵抗素子領域上でこの磁気抵抗素子と
電気的に接続された素子電極と、 前記基板電極と前記素子電極の間を電気的に接
続した金属細線とを少なくとも有する磁気抵抗装
置に於て、 前記素子電極の下層には、前記磁気抵抗素子裏
面まで電極が設けられていることを特徴とした磁
気抵抗装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60160728A JPS6221235A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 磁気抵抗装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60160728A JPS6221235A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 磁気抵抗装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6221235A JPS6221235A (ja) | 1987-01-29 |
| JPH0471353B2 true JPH0471353B2 (ja) | 1992-11-13 |
Family
ID=15721176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60160728A Granted JPS6221235A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 磁気抵抗装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6221235A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS517987B2 (ja) * | 1972-10-12 | 1976-03-12 |
-
1985
- 1985-07-19 JP JP60160728A patent/JPS6221235A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6221235A (ja) | 1987-01-29 |
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