JPH0472614A - 周縁露光装置及び周縁露光方法 - Google Patents

周縁露光装置及び周縁露光方法

Info

Publication number
JPH0472614A
JPH0472614A JP2156686A JP15668690A JPH0472614A JP H0472614 A JPH0472614 A JP H0472614A JP 2156686 A JP2156686 A JP 2156686A JP 15668690 A JP15668690 A JP 15668690A JP H0472614 A JPH0472614 A JP H0472614A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
exposure
wafer
peripheral edge
information
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2156686A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2874292B2 (ja
Inventor
Takeshi Hattori
健 服部
Kesayoshi Amano
天野 今朝芳
Masao Nakajima
正夫 中島
Masaki Naito
内藤 雅喜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP2156686A priority Critical patent/JP2874292B2/ja
Priority to DE69129249T priority patent/DE69129249T2/de
Priority to EP19910305434 priority patent/EP0461932B1/en
Publication of JPH0472614A publication Critical patent/JPH0472614A/ja
Priority to US07/922,660 priority patent/US5229811A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2874292B2 publication Critical patent/JP2874292B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G03F7/2026Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction
    • G03F7/2028Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure for the removal of unwanted material, e.g. image or background correction of an edge bead on wafers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体素子製造用の半導体ウェハ等の円形基
板の周縁部を選択的に露光する周縁露光装置に関するも
のである。
〔従来の技術〕
所定形状の切欠き(オリエンテーション・フラット、ノ
ツチ等)を備えたウェハ等の円形基板に微細な回路パタ
ーンを形成するために塗布されるレジストは、ウェハの
周縁部で剥かれ易く、剥がれたレジストか異物としてウ
ェハ表面に付着し、その後の半導体素子製造のりソゲラ
フイエ程において悪影響を及ぼすということが問題とな
っている。そこで、ウェハの周縁部におけるレジストの
剥離を防止するため、従来から専用の露光装置において
露光光を周縁部に照射しながらウェハを回転させること
で、所定の露光幅(1〜7ffII11程度)で周縁部
を選択的に露光している。具体的には、例えば特開平2
−56924号公報に開示されているように、周縁部に
極近接して配置され、レジストに対して感応性が高い露
光光を射出する発光部(例えば、光ファイバー)と、ウ
ェハの周縁部を挟んで発光部と対向して配置される受光
部とを一体に、ウェハの半径方向に相対移動可能に構成
する。そして、周縁露光を行うにあたっては、発光部か
ら射出される露光光束のうち、所定の露光幅(ウェハの
半径方向の長さ)に対応する光束はウェハによって遮ら
れ、ウェハで遮光されない残りの光束を受光部で受光し
、この受光部で得られる信号をウェハの露光幅を一定に
保つためのサーボ動作に用いる。つまり、受光部からの
信号レベルの変化に応じて発光部及び受光部とウェハと
を回転の半径方向に相対移動させ、常に周縁部が一定の
露光幅で露光されるように制御している。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、上記の如き従来技術においては、受光部
で得られる信号をサーボ動作に用いるので、例えば光源
が劣化して露光光の強度が予想以上に低下したり、光源
を交換したりすることによって、同一の露光幅に対する
受光部での受光光量が所期のものに比べて大きく変化し
得る。このため、サーボ動作用の目標値との対応付けが
曖昧になって、周縁露光時の露光幅が安定しないという
問題点があった。また、露光光束の半径方向に関する強
度分布が均一でない場合、設定露光幅に対する受光部で
の信号の大きさの関係が線形にならず、ウェハ周縁部の
露光時に得られる受光信号のみで露光幅を制御すること
か困難であった。さらに、円周部と比較してオリエンテ
ーション・フラット(以下、OFと呼ぶ)でのサーボ条
件は厳しく、その露光幅か大きくばらつくという問題点
もあった。
これらの問題点の解決策としては、(1)露光用照明系
内に露光光束の強度分布均一化のための光学系を設ける
、(2)設定露光幅に対応した受光信号値を逐一メモリ
・テーブルとして持たせること等が考えられる。ところ
か(1)の場合、十分に均一化するためには非常に大き
な光学系が必要となる。また(2)の場合、周縁部の露
光幅の設定可能なステップを十分細かく取りたい時には
膨大なメモリ量のテーブルが必要となり、しかも露光光
束の強度分布が変化するたびにそのテーブルを作り直さ
ねばならない。或いは近似式により信号値を求めるよう
にしても、近似式の誤差が露光幅の精度に悪影響を及ぼ
す等の問題点があった。
本発明は、上記の様な問題点に鑑みてなされたものであ
り、露光光束の強度変化や強度分布の不均一性に影響さ
れずに、常に切欠きを含めて周縁部をほぼ均一な幅で露
光できる基板の周縁露光装置を得ることを目的としてい
る。
〔課題を解決する為の手段〕
かかる問題点を解決する為本発明においては、レジスト
がほぼ均一に塗布されたウェハlのほぼ中央を中心とし
てウェハlを回転手段〔ターンテーブル2、モータ3〕
によって回転させながらウェハ1の周縁部を露光する装
置において、レジストに対して感応性が高い第1の光束
〔露光光束〕と、レジストに対して感応性が低い第2の
光束〔非露光光束〕とを同一の光学素子〔波長選択フィ
ルターlO等〕を介してウェハlの周縁部へ選択的に照
射する照射手段〔光源6から符号順に絞り15まで〕と
; ウェハlの周縁部を挟むように照射手段の光束射出部〔
照射部14)と対向して配電された受光手段〔受光部1
7)と: 照射手段からの光束16とウェハlとを回転の半径方向
に相対移動させる移動手段〔移動ブロック23から符号
順にモータ27までによって構成される駆動機構51〕
と: ウェハlが回転している時、照射手段から第2の光束を
射出させ、ウェハlの周縁部が第2の光束によって所定
幅して照射されるように、受光手段の出力信号に基づい
て移動手段を駆動制御する第1制御手段〔演算部30、
サーボ制御部32〕と: 第!制御手段の動作中で少なくともウェハ1か一回転す
る間、移動手段の相対移動位置の変化に関する情報を検
出すると共に、ウェハlの回転角度位置と対応させて記
憶する記憶手段〔エンコーダ4、エンコーダ38、及び
メモリ31〕と:ウエハ1が回転している時、照射手段
から第1の光束を射出させ、記憶手段に記憶された上記
情報に基づいて移動手段を駆動制御する第2制御手段〔
演算部30.サーボfl111a部32〕とを設ける。
〔作 泪〕
本発明では、周縁露光動作に先立って照射手段からレジ
ストに対して感応性が低い第2の光束を射出させ、基板
を回転させながら周縁部が第2の光束によって所定幅で
照射されるように、照射手段からの光束を受光する手段
の出力信号に基づいて、照射手段からの光束と基板とを
回転の半径方向に相対移動させる移動手段を駆動制御す
る(以下、上記動作を簡単にダミートラッキング動作と
呼ぶ)。そして、ダミートラッキング動作を行っている
時、少なくとも基板が一回転する間の移動手段の相対移
動位置の変化に関する情報と基板の回転角度位置とを対
応付けて記憶した後、照射手段からレジストに対して感
応性が高い第1の光束を射出させ、先に記憶した情報に
基づいて移動手段を駆動制御しながら基板の周縁部の露
光を行う構成とした。さらに、ダミートラッキング動作
に先立ち、遮光部材を用いてキャリブレーション動作を
行つてサーボ制御用基準信号(目標値)を求め、この基
準信号を眉いてダミートラッキング動作を行うこととし
た。このため、露光用光源の劣化・交換、露光光束の光
強度分布が不均一であっても、ウェハ周縁部への露光光
束の照射直前での強度及び強度分布を加味した正確なダ
ミートラッキング動作を行うことかでき、切欠き(OF
)を含む周縁部全域、さらには後述する爪部までもその
露光幅を正確に制御することが可能となる。
〔実 施 例〕
第1図は本発明の実施例による周縁露光装置の概略的な
構成を示す図である。第1図において、ベース5には無
限に回転可能なターンテーブル2が設けられ、不図示の
ウェハ搬送路に沿ってターンテーブル2の上方まで搬送
されてきたウェハ1は、その中心とターンテーブル2の
回転中心とかほぼ一致する位置(ここでは、必ずしも一
致している必要はなく、ある範囲内で偏心していても構
わない)にてターンテーブル2に受は渡され吸着保持さ
れる。ターンテーブル2は、ベース5の下部に固着され
たモータ3により所定の速度で回転される。また、モー
タ3にはターンテーブル2の回転量を検出するためのエ
ンコーダ4も設けられている。
さて、光源6(超高圧水銀灯等)は所定のスペクトル分
布(分光特性)をもった照明光を発生し、この照明光は
楕円鏡7、ミラー8、シャッター9(例えば、4枚羽根
のロータリーシャッター)、及び波長選択フィルターl
Oを介して、レンズ11により光ファイバー12の入射
側端面に集光され、光ファイバー12によってウェハl
の周縁部上方に配置された照射部14まで導かれる。尚
、シャッター9は照明光路の閉鎖、開放を行うものであ
り、光源としてレーザ装置を用いる場合にはシャッター
9を設けずに、光源のON、OFFを行っても構わない
波長選択フィルターlOは所定の波長域の照明光のみを
カットするものであって、駆動部13により照明光路中
に進退可能に構成されている。本実施例ではフィルター
10が光路中にある時、光源6からの照明光のうち、ウ
ェハ!の表面に形成、されるレジストに対して感応性が
高い波長域(短ものとする。従って、露光光を除く残り
の照明光、即ちレジストに対して感応性が低い波長域(
長波長域)の照明光(本発明における第2の光束であっ
て、以下単に非露光光と呼ぶ)は、フィルター10の有
無にかかわらず常時照射部14から射出されていること
になる。以上のことから、本実施例ではフィルター10
を光路中へ出し入れすることにより、フィルターlOか
ある時には非露光光のみを、フィルター10がない時に
は光源6からの全ての照明光(露光光を含む)を、照明
光束16として選択的にウェハ1の周縁部に照射するこ
とが可能となっている。尚、光源6から符号順にレンズ
11までは、照射部14の近傍でなくともスペースに余
裕のある位置に配置すれば良い。
照射部14には光ファイバー12により光源6から伝送
された照明光束16を所定の形状に規定するための絞り
15が備えられている。さらに、ポジションセンサ、シ
リコン・フォトダイオード等から成る受光部17は、ウ
ェハlの周縁部を挾んで照射部14とほぼ対向するよう
に配置されており、ウェハ1の外周エツジ、若しくは後
述の遮光板20が照明光束16の一部を遮った時、残り
の光束を受光する。また、受光部17からの光電信号に
基づいて、ウェハl、若しくは遮光板2゜のエツジ(基
準縁部20a)が検出される。照射部14と受光部17
とは一体に金物18に固定され、さらに金物18はスラ
イダ22を介して移動ブロック23に固着されている。
照射部14、受光部17及び金物18(以下、まとめて
露光ユニット50と呼ぶ)は、移動ブロック23、モー
タ27等から成る駆動機構51(詳細後述)によって、
リニアガイド21に沿って紙面左右方向、即ちウェハ1
の半径方向(ターンテーブル2の回転中心から放射方向
)に移動可能になっている。図示していないが、モータ
27は露光ユニット5゜の移動量を検出するための手段
(後述のエンコーダ38)も備えている。
さて、後述のキヤリプレーシタン動作で用いられる遮光
板(ダミーウェハ)20は、露光ユニット50がウェハ
1の周縁部より離れた位置に移動した際、照射部14か
らの照明光束16の一部を遮光するようにウェハ1と概
略同じ高さで露光ユニット50の可動範囲内に固設され
ている。さらに、遮光板20には照明光束I6を一部遮
光する基準縁部20aか形成されており、その基準縁部
20aはウェハlの周縁部とほぼ平行に配置されている
。また、露光ユニット5oの移動位置を検出するために
、エンコーダ、ポジションスケール、干渉計等から成る
位置検出器19かベース5上に配置されている。位置検
出器19は露光ユニット50の移動ストローク全域をカ
バーする測長範囲を持っているものでも、遮光板20を
照明光束■6が照射する位置近傍のみに制限された測長
範囲を持つものであっても良く、本実施例では後者のも
のを用いるものとする。
ここで、第2図を参照して受光部17の構成、及び照明
光束16と遮光板2oとの位置関係について説明する。
受光部17は、露光ユニット5゜の移動方向に細長く伸
びた2本のスリット状の受光面を有する受光素子17a
と、ピンホール状のエツジセンサ17bと、遮光板2o
から最も離れた位置に配置された受光素子17cとで構
成される。受光素子17aは、遮光板20若しくはウェ
ハlで遮光されずに受光部17に達した照明光束16の
光強度(光量)に応じた光電信号(ここでは、2本のス
リットセンサの各々から出力される2つの光電信号を不
図示のアンプにより加算した信号)Seを出力し、受光
素子17cは常に照明光束16の光強度に応じたレベル
の光電信号Cを出力する。一方、エツジセンサ17bは
遮光板20の基準縁部20a、若しくはウェハlのエツ
ジを定点検出するもので、エツジ20aが照明光束16
の先端側(ウェハ側)からlの範囲内の時は大きなレベ
ルになり、1以上の時はほぼ零となる光電信号Bを出力
する。
また、受光部17には照明光束16が図示のように照射
され、受光部17と照明光束16との相対位置は変化し
ない。即ち、照明光束■6の先端とエツジセンサ17b
との距離!は予め設定されており、遮光板20若しくは
ウェハlが照明光束中に進入してきてエツジセンサ17
bで受光される光束を遮光した位置で、遮光板20若し
くはウェハ!上での露光幅がlどなるようになっている
ここで、露光幅を任意の値りに設定する場合には、エツ
ジセンサ17bの位it(距離Iりを基準として(L−
f)の値に対応した量だけ位置検出器19で位置検出し
ながら露光ユニット50を移動する。この結果、照明光
束16が遮光板20上での露光幅が任意の値りとなるよ
うに照射され、この時受光部17にて得られた信号Se
をサーボ用基準信号としてメモリ3!(詳細後述)に記
憶する。
これは後で述べるキャリプレーシコン動作で必要とされ
る構成である。
次に、第3図を併用して露光ユニット50の駆動機構に
ついて説明する。jIl!1図に示すように、ローラ2
5とローラ26は回転アーム24の両端に固定され、回
転アーム24はローラ25とローラ26の回転軸間のほ
ぼ中点を回転軸としてモータ27により往復回転する。
移動ブロック23の移動方向の両端には、垂直に懸架さ
れた少な(とも2つの当接子23a、23bが形成され
、移動ブロック23(即ちスライダ22)は不図示のバ
ネ(例えば引張バネ)によりローラ25、或いはローラ
26に押し付けられなからリニアガイド21に沿って直
進する。尚、ローラ25とローラ26との間隔(回転軸
中心間の距離)と、当接子23a、23bの間隔(当接
面間の距離)とはほぼ等しくなっている。移動ブロック
23から符号順にモータ27までによって本発明の移動
手段が構成され、以下簡単に駆動機構51と呼ぶ。
さて、上記構成の装置では、第3図(alの状態でモー
タ27が駆動されてアーム24が時計方向に回転すると
、移動ブロック23はバネ力によって当接子23aがロ
ーラ25に押し付けられながら徐々に図中右方向に直進
移動し、第3図(blのような状態になる。そして、第
3図(b)の状態からアーム24が時計方向に約901
1回転すると、第3図(C)のようにローラ26が当接
子23bに当たり始め、それと同時にローラ25は当接
子23aから離れる。さらに回転アーム24が回転する
と、第3図(d)、 (e)のように移動ブロック23
はバネ力によって当接子23bがローラ26に押し付け
られなから、右方へ直進移動し続ける。以上のようなカ
ム機構を用いれば、比較的小さなスペースで移動量の大
きな駆動装置を得ることができる。
第4図は、本発明の実施例による周縁露光装置の制御系
の全体構成を示すブロック図である。第4図において、
第1信号処理部28はエツジセンサ17bで検出された
光電信号Bを入力し、遮光板20の基準縁部20a(又
はウェハエツジ)がエツジセンサ17bの上を横切る時
に論理値が反転する2値化されたエツジ検出信号Eを、
位置検出器19のカウンタ34と、露光ユニット50の
駆動機構51(モータ27)に設けられたエンコーダ3
8のカウンタ39とに出力する。カウンタ34は位置検
出器19からの位置信号(パルス)を計数し、第1信号
処理部28からのエツジ検出信号Eの論理値が反転する
時点で計数値を基準露光幅!に対応する値にプリセット
する。さらに、カウンタ34から出力される実際の露光
幅に関する計数値CI+は、任意の設定露光幅(周縁部
の必要露光幅)に関する情報りと共に減算器35に入力
し、ここで2つの情報り、Cf、の差Fを演算して比較
器36に出力する。比較器36はFが零か否かを判断し
、その差Fが零になった時にはメモリ31に対して、受
光部17からの検出信号Seを周縁露光時のサーボ制御
用基準信号として記憶させるための記憶制御信号Mを出
力する。
方、上記差Fが零になっていない時には差Fが小さくな
るような回転信号GをスイッチSWbを介してサーボ制
御部32へ出力する。
上述した如く受光部17において、受光素子17aは照
射部14から射出される照明光束16のうち、遮光板2
0、若しくはウェハ1によって遮光されずに透過した光
束を受光し、その光量に応じたレベルの検出信号Seを
アナログ除算器29に出力する。さらに、除算器29に
は受光素子17cからの光電信号Cも入力され、ここで
検出信号Seが光電信号Cで除算される。除算器29か
らの信号S e / Cは、後述のキャリブレーション
動作時においてはメモリ31へ、ウェハエツジのダミー
トラッキング動作(詳細後述)時においては演算部30
へ、ウェハ1のOF検出動作時においては第2信号処理
部42へ、スイッチSWaにより適宜切り替えられて出
力される。第2信号処理部42はウェハlのOF検出を
行うものであり、エンコーダ4からの回転角情報(後述
のカウンタ40の計数値C1z )も入力し、ターンテ
ーブル2の単位回転角(例えば、0.5°)毎にウェハ
エツジの位置変化を検出するものである。このため、第
2信号処理部42の内部には、エンコーダ4からのアッ
プダウンパルスに応答して除算器29からの信号波形を
デジタルサンプリングするA/Dコンバータやメモリが
設けられる。
さて、キャリブレーション動作において、メモリ31は
除算器29からの信号S e / Cを入力し、先に述
べた比較器36からの記憶制御信号Mを入力した時点で
信号S e / Cを記憶する。さらに、ダミートラッ
キング動作において、メモリ31は上記信号Se/Cを
サーボ基準信号として演算部30に出力する。そして、
演算部30は受光部17からアナログ除算器29.スイ
ッチSWaを介して得られる信号S e / Cを入力
して、その2つの信号の偏差信号Sdを演算し、スイッ
チSWbを介してサーボ制御部32に出力する。サーボ
制御部32は、基準信号として記憶した目標信号Se 
/ Cのレベル(電圧値)と、受光部17からの実際の
信号S e / Cのレベルとの偏差信号Sdを、スイ
ッチSWbを介して演算部30から入力し、モータ27
にサーボドライブ信号を出力する。モータ27は、ダミ
ートラッキング動作においてはサーボドライブ信号を、
またキャリブレーション動作においては比較器36から
の制御信号GをスイッチSWbを介して入力し、露光ユ
ニット50を移動する。タコジェネレータ37はモータ
27の回転速度に応じた信号をサーボ制御部32にフィ
ードバックし、常に制御された速度で露光ユニット50
を移動できるようになっている。この時、露光ユニット
50の位置はエンコーダ38とカウンタ39とによって
モータ27の回転量を測定することにより検出され、そ
の位置に対応した計数値Crtは演算部30とメモリ3
1との各々に出力される。ここで、カウンタ39はエン
コーダ38からの位置信号(パルス)を計数するもので
、先に述べたカウンタ34と同様に、第1信号処理部2
8からのエツジ検出信号Eの論理値が反転する時点で計
数値を基準露光幅lに対応する値にプリセットする。
また、演算部30はメモリ31に蓄積された使用レジス
トについての適正露光量に関するデータを入力し、照明
光束16(露光光束)の照射によるレジストの発泡が生
じないように露光条件(露光光強度等)やターンテーブ
ル2の回転速度を決定する。ウェハlを回転させる回転
制御部33は、演算部30から回転速度に関する信号S
tを入力し、モータ3を回転させてターンテーブルlを
所定速度で回転する。タコジェネレータ41はモータ3
の回転速度に応じた信号を回転制御部33にフィードバ
ックし、常に制御された速度でターンテーブル2を回転
できるようになっている。ターンテーブル2の回転角度
位置(回転量)は、エンコーダ4とカウンタ40とによ
って、例えば0.50程度の分解能で常時検出され、そ
の回転角度位置に対応した計数値Cf sは演算部30
と第2信号処理部42とに出力される。ここで、カウン
タ40はエンコーダ4からの位置信号(パルス)を計数
し、本実施例では第2信号処理部42にてOFが検出さ
れた時点で計数値をOF位置に対応する値にプリセット
する。
さらに、照明光束16によりウェハlの周縁部が任意の
設定露光幅して照射されるように、演算部30からの偏
差信号Sdに応じてサーボ制御部32が露光ユニット5
0を移動している、即ちダミートラッキング動作を行っ
ている際、メモリ31はカウンタ39,40からの計数
値C1*、CAs  (但し、Cpsは演算部30を介
して)を入力し、ターンテーブル2の単位回転量(例え
ば0゜5°)毎にカウンタ39の計数値C1,を番地順
(ウェハlの回転角度位置毎)に記憶する。そして、周
縁露光動作において演算部30は、カウンタ39の計数
値C1,と共にメモリ31からの上記情報を入力し、こ
の2つの情報の偏差に対応した信号Sfをサーボ制御部
32に与える。サーボ制御部32は上記信号Sfがほぼ
零となるように、モータ27により露光ユニット50を
移動させ、ウェハlの周縁部での照明光束!6による露
光幅を設定値しに制御する。また、演算部30はシャッ
ター駆動部(不図示)とフィルター駆動部13の各々に
所定の駆動指令を伝達し、シャッター9による照明光路
の閉鎖、開放、及びフィルター10の挿入、退避を制御
する。尚、第4図中の2つのスイッチSWa、SWbは
いずれもキャリプレーン3ン動作時の状態を示し、ダミ
ートラッキングや周縁露光動作時には両方とも切り替え
られる。
次に、本実施例による周縁露光装置の動作について第5
図を参照して説明する。ここで、不図示のウェハ搬送路
(ガイド)に沿って移動可能な搬送アームとターンテー
ブルとの間でウェハの受は渡しを行う際には、露光ユニ
ット50が所定の退避位置まで移動されるので、本実施
例ではこの退避位置にてキャリブレーション動作を行う
こととする。このため、ウェハの搬出入の間に適宜キャ
リブレーション動作を行うことか可能であり、しかもキ
ャリブレーション動作によるスルーブツトの低下を防止
できるようになっている。尚、ここでは1枚目のウェハ
をターンテーブル2に保持するため、既に露光ユニット
50は退避位置まで移動しているものとする。また、例
えばパターン露光後の工程で使用される処理装置(エツ
チング−置等)、さらに露光装置によっては、ウェハを
ウェハホルダに押さえつけるための複数の保持用の爪が
設けられており、この爪が接触する領域のレジストは露
光が行われないので、上記爪が接触する領域(以下、単
に爪部と呼ぶ)までも含めて周縁露光を行う必要がある
。この時、爪部の幅(ウェハの半径方向の長さ)に対応
した露光幅(第6図中に点線で示す)でウェハの周縁部
を露光すると、ウェハ上での露光領域の面積が小さぐな
って歩留りが低下し得るので、その爪部のみを周縁部と
合わせて露光することが望ましい。そこで、本実施例で
は上記爪部までも含めた周縁露光動作、例えば第6図に
斜線にて示す領域(設定露光幅りの周縁部と爪部45a
〜45c)の周縁露光動作について述べる。尚、第6図
に示すように爪部45a〜45cの位置は、OFの中心
点、若しくは任意の点(ここではOFの中心点Qとする
)を基準とした回転角度α、〜α3 (装置上の固定値
)にて定められる。
さて、ウェハlの周縁部の露光を開始する前に、露光ユ
ニット50の退避位置にてダミートラッキング動作にお
けるサーボ用基準信号を得るためのキャリブレーション
動作を行う。そこで、まず演算部30は所定の露光条件
(照明光強度、設定露光幅等)のもとてのキャリブレー
ションが終了しているか否かを判断しくステップ100
)、キャリブレーションが既に終了している時はステッ
プ110に進む。;こで、キャリブレーション動作は上
述した如くウェハ毎に行うことも可能であるが、上記条
件、即ち設定露光幅に変更がない限りは、例えば露光す
べきウェハの連続する同一処理のロフト(収納ウェハ2
5枚程度)毎、若しくは光源6の発光点のゆらぎをモニ
ターするセンサが変化を検知した時点等に行われる。一
方、キャリプレーシコンが終了していない時は次のステ
ップ101に進み、シャッター9を開いて照射部14か
ら照明光束16を射出させると共に、照明光路中から波
長選択フィルターlOを退避させる。これより、光源6
から発生する全ての波長域の照明光(露光光を含む)が
照射部14を介して遮光板20で遮られることなく受光
部17へ照射される。
しかる後、演算部30は受光部17で検出される露光量
(即ち、受光素子17cからの信号C)と、目標露光量
(使用レジストの適正露光量)とに基づいて、ウェハ1
の回転速度に関する情報Stを算出する(ステップ10
2)。
次に、駆動機構51により露光ユニット50を微動して
遮光板20の基準縁部(エツジ)20aへ移動する(ス
テップ103)。そして、遮光板20の基準縁部20a
が照明光束中に進入していき受光部17のエツジセンサ
17bに達した時点で、第1信号処理部28はエツジ検
出信号Eをカウンタ34,39に出力する(ステップ1
04)。
この結果、カウンタ34,39の計数値C1,。
Cl、は、基準露光幅!!(設計値)にプリセットされ
る(ステップ105)。しかる後、演算部30は駆動部
13を介してフィルター10を光路中に挿入する(ステ
ップ106)。
さて、装置起動時に設定された周縁部の露光幅りと基準
値lとが異なる場合は、さらにカウンタ34の計数値C
I Iが設定露光幅りになる位置まで、位置検出器19
でモニターしながら露光ユニット50を移動する(ステ
ップ107)。そして、減算器35で求めたカウンタ3
4の計数値C11と設定露光幅りどの差F1即ちL −
CI! +に基づき、比較器36は上記差Fが零になっ
たか否かを判断する(ステップ108)。この時、F=
0であればモータ27の回転を停止し、比較器36はメ
モリ31に対して記憶制御信号Mを出力する。
一方、F≠0であればステップ107.108を繰り返
し行い、比較器36からの信号Gに応じてサーボ制御部
32はF=Oとなるまで引き続き露光ユニット50を移
動する。メモリ31は、記憶制御信号Mが入力された時
点で除算器29からの信号Se/C,即ち受光素子17
aからの信号Seをフィルター挿入状態で照射部14か
ら射出される照明光束(非露光光束)の強度値(受光素
子17cからの信号Cで規格化したもの)を、基準信号
sbとして記憶する(ステップ109)。以上の動作に
よりキャリブレーションが終了する。
尚、上記動作中にウェハはローダカセットから搬出され
てターンテーブル2に保持されるが、この時何等位置決
めが行われないので、そのOFの向きは任意の方向を向
いている。
次に、演算部30は予め記憶されている遮光板20の基
準縁部20aとウェハ1の外周部(ウェハエツジ)との
概略的な距離(設計値)に基づき、エンコーダ38で位
置検出しながらサーボ制御部32により露光ユニット5
0を退避位置からウェハ!の周縁部まで移動する(ステ
ップ1!0)。
しかる後、OF(中心点Q)を基準とした爪部45a〜
45Cの位置(回転角度)を規定するために、ウェハ1
のOF被検出実行する。まずターンテーブル2を回転さ
せ、ウェハlで遮光されない照明光束16を受光部17
にて光電検出する。この時、除算器29からの信号Se
/CはスイッチSWaを介して第2信号処理部42に入
力し、第2信号処理部42はエンコーダ4からのアップ
ダウンパルスに応答して上記信号Se/Cをサンプリン
グし、各サンプリング値をデジタル値に変換してメモリ
(不図示)に番地順に記憶させる。この結果、第7図(
alに示すようなウェハエツジのプロフィールに対応し
た信号波形データが、第2信号処理部42のメモリ内に
得られる。第7図(alは光電信号のレベル(電圧)■
と回転角θとの関係、即ち回転に伴うウェハエツジのタ
ーンテーブル2の回転中心からの位置変化を表すもので
ある。第2信号処理部42はソフトウェア的な微分演算
処理により、第7図(a)の波形データを第7図(b)
に示すような波形データに変換する。第7図ル)におい
て零クロス点(微分値)がOFの中心点Qに対応した回
転角である。そこで、第2信号処理部42はメモリ内に
格納された波形データから、その波彫工の最大値(ピー
ク値)と最小値(ボトム値)との間にある零クロス点の
回転角度値θ、を求める(ステップ111)。そして、
演算部30は上記回転角度値θ、に対応したカウンタ4
0の計数値を所定値にプリセットする(ステップ112
)。
これは、照明光束16を通過したOFが再度照明光束中
に進入し、カウンタ40から上記回転角度値θ1に対応
した計数値が得られた時点で計数値をプリセットすれば
良い。これより、カウンタ40の計数値と中心点Qを基
準とした爪部45a〜45cの位置とが対応付けられた
ことになる。
次に、上記のキャリブレーションに基づいてウェハエツ
ジのダミートラッキングを実行する。尚、ダミートラッ
キング動作はカウンタ40の計数値をプリセットした時
点で、ステップ112に続けて直ちに開始すれば良い。
まず、フィルター挿入状態で照射部14から射出される
照明光束16のうち、ウェハlで遮光されない光束を受
光部17で光電検出し、演算部30は除算器29で作ら
れる信号Se/CをスイッチSWaを介して入力する(
ステップ113)。さらに、演算部30はステップ10
9で求めた基準信号sbと除算器29からの信号S e
 / Cとを比較して偏差を求め(ステップ114)、
この偏差に対応した信号SdをスイッチSWbを介して
サーボ制御部32に送る。
サーボ制御部32は、演算部30からの偏差信号Sdが
零になるようにモータ27にサーボ信号を与え、露光ユ
ニット50をサーボ制御する(ステップ115)。これ
より、ウェハ1のエツジから半径方向へ所定の距離の領
域が、照明光束16によってほぼ一定の輻(設定値し)
で均一に照射されることになる。この際、特に爪部45
a〜45Cにおいては、ステップ112でプリセットさ
れたカウンタ40の計数値を基に、その幅(半径方向の
長さ)と位置(角度α1〜α、)とに応じて露光ユニッ
ト50がサーボ制御され、ステップ115では周縁部と
共に爪部までも含めたダミートラッキングが行われるこ
とになる。尚、設定露光幅りと同様に爪部の幅に関して
もキャリブレーションを行っておくことが望ましく、爪
部45a〜45Cにおいてはそのキャリブレーション結
果(基準信号sbに対応)に応した偏差信号か零となる
ように露光ユニット50をサーボ制御すれば良い。
さて、メモリ31はダミートラッキング動作中に、少な
くともウェハlが一回転する間のカウンタ39の計数値
を、ウェハ1の回転角度位置に対応付けて記憶する。つ
まり、ターンテーブル2の単位回転量毎にエンコーダ4
から発生するアップダウンパルスに同期して、カウンタ
39の計数値を番地順に記憶する(ステップ116)。
しかる後、演算部30はステップ102で求めたウェハ
lの速度情報Stを回転制御部33に送り、回転制御部
33は上記情報Stに応じてモータ3を制御し、ターン
テーブル2を所定の速度で回転させる。これと同時に駆
動部32を介してフィルターlOを光路中から退避させ
、照射部14から非露光光束と共に露光光束をウェハ周
縁部に照射する(ステップ117)。ここで、モータ3
にはタコジェネレータ41が接続されており、回転速度
を回転制御部33にフィードバックして常に一定の速度
でターンテーブル2を回転させている。
次に、演算部30はカウンタ40からの計数値C1,に
基づき、ステップ116で記憶した情報を、ターンテー
ブル2の回転角度位置毎にメモリ31から読み込み、上
記情報(カウンタ39の計数値)と実際にカウンタ39
から出力されている計数値との偏差に対応した信号Sf
をサーボ制御部32に送る。サーボ制御部32は上記信
号Sfがほぼ零となるようにモータ27にサーボ信号を
与え、露光ユニット50をサーボ制御する(ステップ1
18)。この結果、照明光束16とウェハ1とが半径方
向に相対移動され、爪部までも含めた周縁部での照明光
束16による露光幅が常に所望の設定値に制御され、高
精度な周縁露光が行われる。そして、ウェハlが所定回
転(少なくとも一回転以上)した後、フィルターlOが
光路中に挿入されると共に、シャッター9により照明光
路が閉鎖され、1枚のウェハに対する周縁露光が終了す
る(ステップ119)。しかる後、露光ユニット50は
退避位置まで移動され、ターンテーブル2による真空吸
着が解除されたウェハlは、搬送アームによって搬出さ
れる(ステップ120)。
以上の通り本発明の一実施例において、フィルターlO
が光路中に挿入されている状態では、露光ユニット50
の移動中にも照射部14から照明光束16を射出し続け
ていたが、ギヤリプレージョン、OF検出、ダミートラ
ッキング、及び周縁露光の各動作の前後でシャッター9
の開閉を行い、動作中のみ照射部14から照明光束16
を射出するようにしても良い。また、本実施例ではフィ
ルターIOを光路中から退避させた時点で、周縁露光(
ステップ118)を開始していたが、シャッター9の開
閉動作により周縁露光の開始のタイミングを調節するよ
うにしても構わない。
さらに、ウェハ1の回転速度は腐縁露光動作時(ステッ
プ118)のみ、ステップ102で求めた速度に設定す
れば良く、これ以外の動作、例えばOF検出(ステップ
111)やダミートラッキング(ステップ115)では
スループット等を考慮して回転速度を上げても構わない
。また、本実施例では照射部I4とウェハIとの間に絞
りI5を配置していたが、例えば光ファイバー12の射
出端を矩形状に形成し、その射出端をウェハ1の表面に
極近接して配置しても良い。尚、上記構成の装置をステ
ッパーの内部、例えばウェハ搬送部に配置する場合は、
ステッパーの光源から発生する照明光の一部を光ファイ
バー等により上記装置まで導いても良く、光源6を設け
ずに済むといった利点がある。
また、ステップ116にて記憶した少なくともウェハ1
の一回転分のカウンタ39の計数値は、ウェハエツジの
位置変化(即ちウェハの外形)に関する情報を表すもの
である。従って、ウェハlの外形データ(計数値)、特
にOF部と円周部との境界や爪部でのデータに何等かの
不整等が生じている場合には、上記データに対してスム
ージング処理等の補正を行っても良く、この補正データ
を用いて周縁露光を行えば、露光幅の制御精度の向上が
期待できる。さらに、ダミートラッキング時の露光ユニ
ット50のサーボ制御において、2本のスリットセンサ
ー(受光素子17a)からの出力(電圧値)を別々に検
出し、2つの出力若しくはその出力差が常に一定になる
ように露光ユニット50をサーボ制御すれば、ダミート
ラッキング精度が向上してより正確な設定露光幅りの制
御が可能となる。さらに、ステップ111でもターンテ
ーブル2の回転速度に十分追従した高精度なOF検出を
行うことができる。
さらに、本実施例ではステップ115において爪部も含
めてウェハエツジのダミートラッキングを行っていたが
、爪部がない場合にはOF検出及びカウンタ40のプリ
セット(ステップ111.112)を行う必要がないこ
とは明らかであり、ステップ110終了握、直ちにステ
ップ113を実行すれば良い。この時、第2信号処理部
42も不要となることは言うまでもない。また、ウェハ
上に爪部がある場合でも、上記実施例のようにステップ
115で爪部まで含めたダミートラッキングを行わなけ
れば、敢えてダミートラッキング動作に先立ってOF検
出(ステップ111)を行う必要はない。このような場
合には、ステップ115において爪部を無視して周縁部
(設定値し)のみのダミートラッキングを行い、ステッ
プ116でカウンタ39の計数値を記憶すると共に、さ
らにこの計数値(ウェハの外形情報)からOF位置を検
出する。そして、ステップ118ではここで求めたOF
位置を基準として、上記実施例と同様の動作で爪部も含
めて周縁露光を行えば良い。このため、第2信号処理部
42を設ける必要かなくなり、さらにステップ111,
112を実行しないので処理時間を短縮できるといった
利点がある。
また、本実施例ではギヤリプレージョン動作時のみ位置
検出器19(リニアスケール)を用いていたが、位置検
出器19が露光ユニット50の移動ストローク全域をカ
バーする測長範囲を持てば、特にエンコーダ38を用い
る必要がなくなり、上記実施例の全ての動作をカウンタ
34の計数値C11を用いて行うことができる。さらに
、本実施例ではキャリブレーションのための遮光板20
を設けていたが、特に遮光板を設けずとも周縁露光すべ
きウェハを代用しても良い。但し、上述した通りOFは
任意の方向に向いているので、キャリブレーション動作
に先立ってOF検出(ステップ111)を行う必要かあ
る。また、キャリブレーション動作では露光ユニット5
0の位置を精度良く測定する必要があるので、エンコー
ダ38の代わりに、先に述べた測長範囲の広い位置検出
器19を用いることか望ましい。
尚、サーボ制御部32に遮光板20の基準縁部20aと
ウェハ1の設計上の外周部(エツジ)との距離に関する
情報が記憶されていない場合は、照射部14から照明光
束16を射出しながら露光ユニット50をウェハ1の周
縁部の方向へ移動する。この際、演算部30は検出信号
Seの強度の変化に基づいてウェハlのエツジを検出し
、その後のダミートラッキング動作では前述の実施例と
同様に演算部30からの偏差信号Sdに基づいて、モー
タ27を回転し露光ユニット50をサーボ開開すれば良
い。また、本実施例におけるOF検出は露光ユニット5
0を用いて行うようにしたが、OF検出を別に行う装置
を設けても良い。
以上、本発明の実施例においてはOFを備えたウェハ等
の円形基板の周縁部を露光するものとしていたか、ノツ
チ(7字状の切欠き)を備えた円形基板や多角形基板の
周縁部を露光する場合も勿論同様に実施できる。
〔発明の効果〕
以上のように本発明によれば、周縁露光に先立ってダミ
ートラッキングを行い、照明光束と基板とを回転の半径
方向に相対移動させる移動手段の相対移動位置の変化に
関する情報と基板の回転角度位置とを対応付けて記憶し
、周縁露光にあたっては先に記憶した情報に基づいて移
動手段を駆動制御する構成とした。さらにダミートラッ
キング動作に先立ち、遮光部材を用いてキャリブレーシ
ョン動作を行い、ここで求めたサーボ制御用の基準信号
を用いてダミートラッキングを行うこととした。このた
め、露光用光源の劣化・交換を行ったり、露光光束の光
強度分布が不均一であっても、ウェハ周縁部への照明光
束の照射直前での強度及び強度分布を加味した正確なダ
ミートラッキング動作を行うことかでき、切欠き(OF
)を含む周縁部全域、さらには爪部までもその露光幅を
正確に制御することが可能となる。さらに、ダミートラ
ッキング時のトラッキング位置情報を一回転分にわたっ
て記憶することから、トラッキングサーボに異常が生じ
た場合等には、記憶データを修正して本露光を行ったり
、修正不能の時は本露光を中止したりすることができる
。このため、始めから露光光束でトラッキングを行うよ
りもトータルには歩留りが向上することになる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例による周縁露光装置の概略的
な構成を示す図、第2図は本発明の一実施例による周縁
露光装置の受光部の概略的な構成を示す図、第3図は本
発明の一実施例による周縁露光装置の駆動機構の説明に
供する図、第4図は本発明の一実施例による周縁露光装
置の制御系の全体構成を示すブロック図、第5図は本発
明の一実施例による周縁露光装置の動作の一例を示すフ
ローチャート図、第6図は爪部まで含めて周縁露光が行
われた基板の様・子を説明する図、第7図(al、(b
)は本発明の一実施例による周縁露光装置のOF検出動
作の説明に供する図である。 〔主要部分の符号の説明〕 1・・・ウェハ、2・・・ターンテーブル、3.27・
・・モータ、4,38・・・エンコーダ、9・・・シャ
ッター1吐・・波長選択フィルター 13・・・フィル
ター駆動部、14・・・照射部、17・・受光部、20
・・・遮光板(ダミーウェハ)、28・・・第1信号処
理部、30・・・演算部、31・・・メモリ、32・・
・サーボ制御部、33・・・回転制御部、34,39.
40・・・カウンタ、42・・・第2信号処理部。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)レジストがほぼ均一に塗布された基板のほぼ中央
    を中心として該基板を回転手段によって回転させながら
    該基板の周縁部を露光する装置において、 前記レジストに対して感応性が高い第1の光束と、前記
    レジストに対して感応性が低い第2の光束とを同一の光
    学素子を介して前記基板の周縁部へ選択的に照射する照
    射手段と;前記基板の周縁部を挟むように前記照射手段
    の光束射出部と対向して配置された受光手段と;前記照
    射手段からの光束と前記基板とを回転の半径方向に相対
    移動させる移動手段と; 前記基板が回転している時、前記照射手段から前記第2
    の光束を射出させ、前記基板の周縁部が前記第2の光束
    によって所定幅で照射されるように前記受光手段の出力
    信号に基づいて前記移動手段を駆動制御する第1制御手
    段と; 該第1制御手段の動作中で少なくとも前記基板が一回転
    する間、前記移動手段の相対移動位置の変化に関する情
    報を検出すると共に、前記基板の回転角度位置と対応さ
    せて記憶する記憶手段と;前記基板が回転している時、
    前記照射手段から前記第1の光束を射出させ、前記記憶
    手段に記憶された前記情報に基づいて前記移動手段を駆
    動制御する第2制御手段と;を備えたことを特徴とする
    基板の周縁露光装置。
  2. (2)前記記憶手段は、前記回転手段の回転角度位置に
    応じて変化する第1情報を出力する角度検出器と; 前記移動手段の移動位置に応じて変化する第2情報を出
    力する位置検出器と; 前記第1情報に対応させて前記第2情報を記憶するメモ
    リ回路と;を備えたことを特徴とする請求項第1項に記
    載の基板の周縁露光装置。
  3. (3)前記第2制御手段は、前記角度検出器から出力さ
    れる前記第1情報に応答して前記メモリ回路から対応し
    た前記第2情報を読み出すと共に、該読み出された第2
    情報と前記位置検出器から出力されている第2情報との
    偏差を算出する演算器と; 該算出された偏差が所定値に収束するように前記移動手
    段をサーボ駆動するサーボ回路と;を備えたことを特徴
    とする請求項第2項に記載の基板の周縁露光装置。
  4. (4)前記第2制御手段は、前記メモリ回路に記憶され
    た前記第2情報の値を前記基板の周縁部の露光条件に応
    じて修正する修正演算部を含むことを特徴とする請求項
    第2項又は第3項に記載の基板の周縁露光装置。
JP2156686A 1990-06-15 1990-06-15 周縁露光装置及び周縁露光方法 Expired - Lifetime JP2874292B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2156686A JP2874292B2 (ja) 1990-06-15 1990-06-15 周縁露光装置及び周縁露光方法
DE69129249T DE69129249T2 (de) 1990-06-15 1991-06-14 Belichtungsvorrichtung für dem peripherischen Teil eines Trägers
EP19910305434 EP0461932B1 (en) 1990-06-15 1991-06-14 Apparatus for exposing peripheral portion of substrate
US07/922,660 US5229811A (en) 1990-06-15 1992-07-31 Apparatus for exposing peripheral portion of substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2156686A JP2874292B2 (ja) 1990-06-15 1990-06-15 周縁露光装置及び周縁露光方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0472614A true JPH0472614A (ja) 1992-03-06
JP2874292B2 JP2874292B2 (ja) 1999-03-24

Family

ID=15633113

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2156686A Expired - Lifetime JP2874292B2 (ja) 1990-06-15 1990-06-15 周縁露光装置及び周縁露光方法

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0461932B1 (ja)
JP (1) JP2874292B2 (ja)
DE (1) DE69129249T2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015231019A (ja) * 2014-06-06 2015-12-21 株式会社Screenホールディングス 周縁露光装置および周縁露光方法
KR20230065279A (ko) 2020-09-08 2023-05-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 주연 처리 장치, 주연 처리 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5420663A (en) * 1993-03-19 1995-05-30 Nikon Corporation Apparatus for exposing peripheral portion of substrate
US6509577B1 (en) * 2000-11-10 2003-01-21 Asml Us, Inc. Systems and methods for exposing substrate periphery

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960016175B1 (en) * 1987-08-28 1996-12-04 Tokyo Electron Ltd Exposing method and apparatus thereof
US4899195A (en) * 1988-01-29 1990-02-06 Ushio Denki Method of exposing a peripheral part of wafer

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015231019A (ja) * 2014-06-06 2015-12-21 株式会社Screenホールディングス 周縁露光装置および周縁露光方法
KR20230065279A (ko) 2020-09-08 2023-05-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 주연 처리 장치, 주연 처리 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
KR20240096875A (ko) 2020-09-08 2024-06-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 주연 처리 장치 및 주연 처리 방법
US12379200B2 (en) 2020-09-08 2025-08-05 Tokyo Electron Limited Peripheral edge processing apparatus, peripheral edge processing method, and computer-readable recording medium

Also Published As

Publication number Publication date
DE69129249T2 (de) 1998-08-06
DE69129249D1 (de) 1998-05-20
JP2874292B2 (ja) 1999-03-24
EP0461932B1 (en) 1998-04-15
EP0461932A3 (en) 1992-10-14
EP0461932A2 (en) 1991-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2874280B2 (ja) 周縁露光装置及び周縁露光方法
US5229811A (en) Apparatus for exposing peripheral portion of substrate
CN107210188B (zh) 用于沉积的监控系统与操作该系统的方法
US5851102A (en) Device and method for positioning a notched wafer
JP2560371B2 (ja) 基板処理システム
JPH03253917A (ja) 間隔設定方法及び間隔設定装置
JPH0472614A (ja) 周縁露光装置及び周縁露光方法
JP2817728B2 (ja) 塗布装置
KR100719367B1 (ko) 반도체 제조 장치 및 웨이퍼 가공 방법
JPH11162833A (ja) 基板周縁露光方法
US4648708A (en) Pattern transfer apparatus
JPH08236419A (ja) 位置決め方法
KR101478898B1 (ko) 하전 입자빔 묘화 장치 및 하전 입자빔 묘화 방법
JP2997360B2 (ja) 位置合わせ装置
JP2886675B2 (ja) フィルム露光装置およびフィルム露光方法
JP3275430B2 (ja) 周縁露光装置、素子製造方法および素子
JPH06169007A (ja) 半導体製造装置
JPH085546Y2 (ja) ウエハ周辺露光装置
JPH0256924A (ja) パターン露光装置および周縁露光方法
JP3017762B2 (ja) レジスト塗布方法およびその装置
CN221102014U (zh) 一种传送腔室及半导体关键尺寸量测设备
JPH06275517A (ja) 基板の周縁露光装置
JPH06275518A (ja) 基板の周縁露光装置
JPH01295421A (ja) 周辺露光装置
JPH0465116A (ja) 周縁露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080114

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110114

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110114

Year of fee payment: 12