JPH0472648A - フラットパッケージの製造方法及びフラットパッケージ - Google Patents
フラットパッケージの製造方法及びフラットパッケージInfo
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- JPH0472648A JPH0472648A JP2185020A JP18502090A JPH0472648A JP H0472648 A JPH0472648 A JP H0472648A JP 2185020 A JP2185020 A JP 2185020A JP 18502090 A JP18502090 A JP 18502090A JP H0472648 A JPH0472648 A JP H0472648A
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- brazing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法、特に半導体装置用の
フラットパッケージにおける外部リードのろう付け方法
と、フラットパッケージの構造に関する。
フラットパッケージにおける外部リードのろう付け方法
と、フラットパッケージの構造に関する。
従来の半導体装置用のフラットパッケージについて、図
を用いて説明する。
を用いて説明する。
第３図は、従来のフラットパッケージにおける外部リー
ドのろう付け方法を説明するための平面図である。
ドのろう付け方法を説明するための平面図である。
第３図において、セラミック基板１上の電極２と外部リ
ード３とは、ろう付けによって接合されている。
ード３とは、ろう付けによって接合されている。
上記のろう付けは、下記のようにして行う。
先ず、セラミック基板１の面の周辺部に、ベースト状の
タングステンをスクリーン印刷などでパターニングし、
焼成して電極２を形成する。
タングステンをスクリーン印刷などでパターニングし、
焼成して電極２を形成する。
次に、この電極２の上に、銀−銅合金などからなる、ろ
う材としてのプリフォーム４を載せ、更にその上に鉄−
ニッケルーコバルト合金などからなる外部リード３を載
せる。
う材としてのプリフォーム４を載せ、更にその上に鉄−
ニッケルーコバルト合金などからなる外部リード３を載
せる。
この状態で、全体を８５０〜９００℃の還元雰囲気中で
加熱すると、プリフォーム４が溶融し、電極２と外部リ
ード３とが接合される。
加熱すると、プリフォーム４が溶融し、電極２と外部リ
ード３とが接合される。
上述のろう付け方法においては、プリフォーム４が溶融
する際に、セラミック基板１のコーナー部５の余剰なプ
リフォーム４から、このコーナー部５に最も近い電極２
ａ及び外部リード３ａに、ろう材が過剰に供給される。
する際に、セラミック基板１のコーナー部５の余剰なプ
リフォーム４から、このコーナー部５に最も近い電極２
ａ及び外部リード３ａに、ろう材が過剰に供給される。
以後、この、コーナー部５に最も近い電極及び外部リー
ドを、コーナー部最近接電極及びコーナー部最近接外部
リードと呼ぶこととする。
ドを、コーナー部最近接電極及びコーナー部最近接外部
リードと呼ぶこととする。
従来、上記の現象を防止するために、外部り−ド３と同
一材料、同一形状のダミーリード６を、コーナー部５と
コーナー部最近接外部リード３ａとの間に設け、コーナ
ー部５上のプリフォーム４からの過剰なろう材を吸収さ
せていた。
一材料、同一形状のダミーリード６を、コーナー部５と
コーナー部最近接外部リード３ａとの間に設け、コーナ
ー部５上のプリフォーム４からの過剰なろう材を吸収さ
せていた。
上記のダミーリード６は、その下部に電極が設けられて
いないので、セラミック基板１に固着されることはなく
、ろう付け工程後に取り除かれる。
いないので、セラミック基板１に固着されることはなく
、ろう付け工程後に取り除かれる。
上述した従来のフラットパッケージの外部り一ドろう付
け方法では、セラミック基板のコーナー部上のプリフォ
ームからの余剰なろう材が、コーナー部最近接外部リー
ドに付着しないように、ろう材吸収用のダミーリードを
用いている。
け方法では、セラミック基板のコーナー部上のプリフォ
ームからの余剰なろう材が、コーナー部最近接外部リー
ドに付着しないように、ろう材吸収用のダミーリードを
用いている。
しかし、ダミーリードが吸収できるろう材の量は、セラ
ミック基板上に形成された電極とは異なって少ないため
、結果的に、コーナー部に最も近い外部リードと電極の
組に供給されるろう材の量が増加してしまう。
ミック基板上に形成された電極とは異なって少ないため
、結果的に、コーナー部に最も近い外部リードと電極の
組に供給されるろう材の量が増加してしまう。
ところが、一般に、ろう付けにおいては、ろう材の量が
適量を越えて過剰であると、ろう材による応力が大きく
なるため、ろう付け部の接合強度が低下してしまう。
適量を越えて過剰であると、ろう材による応力が大きく
なるため、ろう付け部の接合強度が低下してしまう。
すなわち、従来のフラットパッケージの外部リードろう
付け方法は、コーナー部最近接外部リードの取り付け強
度だけが、他の外部リードの取り付け強度よりも著しく
低くなってしまうという欠点を持っている。
付け方法は、コーナー部最近接外部リードの取り付け強
度だけが、他の外部リードの取り付け強度よりも著しく
低くなってしまうという欠点を持っている。
本発明のフラットパッケージの製造方法は、セラミック
基板面の周辺部に設けられた電極上にろう材を搭載し、
このろう材上の前記電極に相対する位置に外部リードを
配置し、全体を加熱して前記電極と外部リードとをろう
付けして接合する工程を含むフラットパッケージの製造
方法において、 前記ろう付け工程が、前記セラミック基板のコーナー部
と、このコーナー部に最も近い電極との間に設けられた
メタライズパターンを用いてろう付けを行うことを特徴
とする。
基板面の周辺部に設けられた電極上にろう材を搭載し、
このろう材上の前記電極に相対する位置に外部リードを
配置し、全体を加熱して前記電極と外部リードとをろう
付けして接合する工程を含むフラットパッケージの製造
方法において、 前記ろう付け工程が、前記セラミック基板のコーナー部
と、このコーナー部に最も近い電極との間に設けられた
メタライズパターンを用いてろう付けを行うことを特徴
とする。
次に、本発明について、図面を用いて説明する。
第１図は、本発明の第１の実施例を説明するための平面
図である。
図である。
第１図に示した第１の実施例は、第３図に示す従来のフ
ラットパッケージにおいて、ダミーリード６を取り除き
、セラミック基板上１にメタライズパターン７ａを設け
たものである。
ラットパッケージにおいて、ダミーリード６を取り除き
、セラミック基板上１にメタライズパターン７ａを設け
たものである。
メタライズパターン７ａを設ける位置は、第３図におい
てダミーリードが設けられていた位置に対応する位置と
する。
てダミーリードが設けられていた位置に対応する位置と
する。
二こで、メタライズパターン７ａの形状は、他の電極２
の形状と同一とし、又、メタライズパターン７ａとコー
ナー部最近接電極２ａとの間の間隔ｄ１と、他の隣接す
る電極同志の間の間隔ｄ２とは等しいように設計する。
の形状と同一とし、又、メタライズパターン７ａとコー
ナー部最近接電極２ａとの間の間隔ｄ１と、他の隣接す
る電極同志の間の間隔ｄ２とは等しいように設計する。
なお、このメタライズパターン７ａの形成方法は、電極
２の形成方法と全く同じであり、セラミック基板１上に
電極２を形成する際に、同時に形成する。
２の形成方法と全く同じであり、セラミック基板１上に
電極２を形成する際に、同時に形成する。
上記のような構造のセラミック基板１上の電極２と外部
リード３とをろう付けするには、従来のフラットパッケ
ージにおけるろう付けの手順と同じ手順でろう付けする
。
リード３とをろう付けするには、従来のフラットパッケ
ージにおけるろう付けの手順と同じ手順でろう付けする
。
この場合、隣接する電極同志の間の間隔ｄ２と、コーナ
ー部最近接電極２ａとメタライズパターン７ａとの間の
間隔ｄ１とが等しいので、コーナー部５に最も近い電極
２ａ及び外部リード３ａに供給されるろう材の量と、他
の電極２及び外部リード３に供給されるろう材の量とは
等しくなる。
ー部最近接電極２ａとメタライズパターン７ａとの間の
間隔ｄ１とが等しいので、コーナー部５に最も近い電極
２ａ及び外部リード３ａに供給されるろう材の量と、他
の電極２及び外部リード３に供給されるろう材の量とは
等しくなる。
従って、本実施例では、ろう付け工程後の外部リードの
取り付け強度は、外部リードがコーナー部に近いか否か
に係わらす、同じ強度になり、コーナー部最近接外部リ
ードの取り付け強度を、従来のフラットパッケージにお
けるよりも向上させることができる。
取り付け強度は、外部リードがコーナー部に近いか否か
に係わらす、同じ強度になり、コーナー部最近接外部リ
ードの取り付け強度を、従来のフラットパッケージにお
けるよりも向上させることができる。
次に、以上のようにして得られるフラットパッケージ２
０個について、コーナー部最近接外部リードの、ろう付
け工程後の取り付け強度を測定した。
０個について、コーナー部最近接外部リードの、ろう付
け工程後の取り付け強度を測定した。
その結果、取り付け強度の平均値及び標準偏差は以下の
ようであった。
ようであった。
取り付け強度＝５７０ｇ
標準偏差＝４８．３ｇ
一方、従来のフラットパッケージについて、同様に取り
付け強度を測定した結果は以下のようであった。
付け強度を測定した結果は以下のようであった。
取り付け強度＝５３５ｇ
標準偏差＝１４７．５ｇ
すなわち、コーナー部最近接外部リードの取り付け強度
は、本実施例における方が、従来のフラットパッケージ
におけるよりも、絶対値が大きくしかもばらつきが小さ
いという良好な結果か得られた。
は、本実施例における方が、従来のフラットパッケージ
におけるよりも、絶対値が大きくしかもばらつきが小さ
いという良好な結果か得られた。
なお、メタライズパターンの形状に関して、本実施例で
は、第１図に示すように、電極と同じ孤立した形状とし
たが、第２図に示す第２の実施例のように、一つのコー
ナー部５を挟む二つのメタライズパターンを連続させて
一つの連続体としたような形状のメタライズパターン７
ｂであっても、前述したと同様の効果が得られる。
は、第１図に示すように、電極と同じ孤立した形状とし
たが、第２図に示す第２の実施例のように、一つのコー
ナー部５を挟む二つのメタライズパターンを連続させて
一つの連続体としたような形状のメタライズパターン７
ｂであっても、前述したと同様の効果が得られる。
この場合にも、メタライズパターン７ｂとコーナー部最
近接電極２ａとの間の間隔ｄｌは、他の電極同志の間の
間隔ｄ２と等しいように設計する。
近接電極２ａとの間の間隔ｄｌは、他の電極同志の間の
間隔ｄ２と等しいように設計する。
上記のメタライズパターン７ｂとしては、吊りビン８を
ろう付けするためのメタライズパターンを流用する。
ろう付けするためのメタライズパターンを流用する。
吊りビン８は、半導体装置の製造プロセス中などにおい
て、半導体装置をハンドリングする際に、この吊りピン
８を用いてハンドリングすることによって、外部リード
を保護するためのものである。
て、半導体装置をハンドリングする際に、この吊りピン
８を用いてハンドリングすることによって、外部リード
を保護するためのものである。
従って、吊りピン８においては、メタライズパターンの
面積を十分大きくとり、外部リードの取り付け強度より
も十分大きな取り付け強度を確保している。
面積を十分大きくとり、外部リードの取り付け強度より
も十分大きな取り付け強度を確保している。
このため、ろう材の増減が吊りピン８の取り付け強度に
与える影響は、外部リード３に対する影響よりも軽微で
ある。
与える影響は、外部リード３に対する影響よりも軽微で
ある。
よって、吊りピン８用のメタライズパターンを、コーナ
ー部最近接外部リードへ過剰なろう材が供給されるのを
防ぐためのメタライズパターンとして流用しても、フラ
ットパッケージの特性上なんら問題とはならない。
ー部最近接外部リードへ過剰なろう材が供給されるのを
防ぐためのメタライズパターンとして流用しても、フラ
ットパッケージの特性上なんら問題とはならない。
上述の第２の実施例は、第１の実施例の効果を含み、更
に、吊りビン８をろう付けするためのメタライズパター
ンをそのまま流用できるという簡便さも併せ持っている
。
に、吊りビン８をろう付けするためのメタライズパター
ンをそのまま流用できるという簡便さも併せ持っている
。
以上説明したように、本発明によれば、セラミック基板
のコーナー部とコーナー部最近接電極との間にメタライ
ズパターンを設けることによって、コーナー部にある余
剰なろう材がコーナー部最近接外部リードに付着するの
を防ぐことができる。
のコーナー部とコーナー部最近接電極との間にメタライ
ズパターンを設けることによって、コーナー部にある余
剰なろう材がコーナー部最近接外部リードに付着するの
を防ぐことができる。
従って、本発明は、コーナー部最近接外部リードの取り
付け強度を、従来のフラットパッケージにおけるよりも
大きくすることができ、且つ、そのばらつきも小さく抑
えることができるという効果を有する。
付け強度を、従来のフラットパッケージにおけるよりも
大きくすることができ、且つ、そのばらつきも小さく抑
えることができるという効果を有する。
ナ一部最近接外部リード、４・・・プリフォーム、５・
・・コーナー部、６・・・ダミーリード、７ａ、７ｂ・
・・メタライズパターン、８・・・吊りビン。
・・コーナー部、６・・・ダミーリード、７ａ、７ｂ・
・・メタライズパターン、８・・・吊りビン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、セラミック基板面の周辺部に設けられた電極上にろ
う材を搭載し、このろう材上の前記電極に相対する位置
に外部リードを配置し、全体を加熱して前記電極と外部
リードとをろう付けして接合する工程を含むフラットパ
ッケージの製造方法において、 前記ろう付け工程が、前記セラミック基板のコーナー部
と、このコーナー部に最も近い電極との間に設けられた
メタライズパターンを用いてろう付けを行うことを特徴
とするフラットパッケージの製造方法。 ２、周辺部に外部リードろう付け用の電極を設けたセラ
ミック基板を含むフラットパッケージにおいて、 前記セラミック基板のコーナー部と、このコーナー部に
最も近い電極との間にメタライズパターンを設けたこと
を特徴とするフラットパッケージ。 ３、請求項２記載のフラットパッケージにおいて、 前記メタライズパターンと前記コーナー部に最も近い電
極との間の間隔を、前記コーナー部に最も近い電極とこ
れに隣接する電極との間の間隔に等しくしたことを特徴
とするフラットパッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2185020A JP2569913B2 (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | フラットパッケージの製造方法及びフラットパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2185020A JP2569913B2 (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | フラットパッケージの製造方法及びフラットパッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0472648A true JPH0472648A (ja) | 1992-03-06 |
| JP2569913B2 JP2569913B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=16163372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2185020A Expired - Fee Related JP2569913B2 (ja) | 1990-07-12 | 1990-07-12 | フラットパッケージの製造方法及びフラットパッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2569913B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6627834B1 (en) | 1998-02-05 | 2003-09-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Wire electrical discharge apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58188142A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-02 | Hitachi Ltd | セラミック基板のリードろう接方法 |
| JPH01121945U (ja) * | 1988-02-12 | 1989-08-18 |
-
1990
- 1990-07-12 JP JP2185020A patent/JP2569913B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58188142A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-02 | Hitachi Ltd | セラミック基板のリードろう接方法 |
| JPH01121945U (ja) * | 1988-02-12 | 1989-08-18 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6627834B1 (en) | 1998-02-05 | 2003-09-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Wire electrical discharge apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2569913B2 (ja) | 1997-01-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |