JPH01110754A - 樹脂封止型半導体集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止型半導体集積回路装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の樹脂封止型半導体集積回路装置は、半導
体集積回路を形成した後、半導体集積回路を保護するな
めに、第３図に示すように、外部端子２を外部に導出さ
せて外装樹脂体１にて封止されていた。

外部端子２はプリント基板等に実装するときに、はんだ
付は性を良くするなめ、リード３の表面にはんだ層とし
て錫−鉛合金層２４が被覆されていた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した従来の外部端子の表層のはんだ層は低融点のた
め、このはんだ層の融点以上の作業が行なわれると、は
んだ層が溶けて、本来、−様に被覆されているはんだ合
金層が不均一になり、外部端子の太さが太くなったりし
、作業工程上、製品品質上好ましくないという欠点があ
った。

そのため、リードにはんだ層を被覆する作業工程は、融
点以上の高温にさらされる作業の後にもってくるという
制限が課せられ、製造工程の手順を自由に変更すること
が不可能であり作業の効率化が図られないという欠点も
あった。

又、融点の高い鉛又は錫のみの金属層を形成するという
考え方もあるが、外部端子のプリント基板への実装時に
高品質のはんだ付は性が得られないという欠点もあった
。

本発明の目的は、作業工程中にはんだが溶けてはんだ合
金層が不均一になることがなく、製造工程の手順を自由
に変更でき、作業の効率化が図られるとともに、プリン
ト基板への実装時に高品質のはんだ付は性が得られる半
導体集積回路装置を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の樹脂封止型半導体集積回路装置は、半導体集積
回路と、該半導体集積回路を封止する外装樹脂体と、前
記半導体集積回路に接続し、かつ、前記外装樹脂体を貫
通して外部へ導出される外部端子とを有する樹脂封止型
半導体集積回路装置において、前記外部端子が錫と鉛の
合金層と錫の金属層のうちのいずれか一方の中間層と鉛
の金属層の最外層によって構成されている。

〔実施例〕

次に、本発明の実施例について図面を参照して゛説明す
る。

第１図は本発明の第１の実施例の部分断面図である。

第１の実施例は、第１図に示すように、外装樹脂体１か
ら導出した外部端子２は、リード３とその上に被覆され
た錫−鉛合金層（はんだ層）４と、更に、その上に形成
された鉛金属層５によって構成されている。

この錫−鉛合金層４と、鉛金属層５は、電気めっきによ
り形成することが出来る。

第２図は本発明の第２の実施例の部分断面図である。

第２の実施例は、第２図に示すように、外部端子２は、
リード３と、その上に被覆された錫金属層１４と、更に
、その上に形成された鉛金属層５によって構成されてい
る。

この錫金属層１４と、鉛金属Ｍ５は、第１の実施例と同
様、電気めっきにより形成することができる。

このように、半導体集積回路装置用外部端子の最外層の
鉛金属層を形成すると、組立作業中の作業温度が鉛の融
点よりも十分低いので、中間層の錫−鉛合金層又は、錫
金属層が溶融するのを防止できる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、外部端子の最外層に中間
層よりも融点の高い鉛の金属層を形成することにより、
作業中に鉛が溶けて表面が不均一になることがなく１作
業工程の手順を自由に変更できるので、作業の効率化が
図られるとともに、鉛金属層の下地が錫−鉛合金層のは
んだ層であることから、プリント基板実装時に高品質の
はんだ付は性が得られるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例の部分断面図、第２図は
本発明の第２の実施例の部分断面図、第３図は従来の樹
脂封止型半導体集積回路装置の一例の部分断面図である
。 １・・・外装樹脂体、２・・・外部端子、３・・・リー
ド、４・・・錫−鉛合金層、５・・・鉛金属層、１４・
・・錫金属層、２４・・・銭−鉛合金層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体集積回路と、該半導体集積回路を封止する外装
   樹脂体と、前記半導体集積回路に接続し、かつ、前記外
   装樹脂体を貫通して外部へ導出される外部端子とを有す
   る樹脂封止型半導体集積回路装置において、前記外部端
   子が錫と鉛の合金層と錫の金属層のうちのいずれか一方
   の中間層と鉛の金属層の最外層によって構成されている
   ことを特徴とする樹脂封止型半導体集積回路装置。