JPH0472701A - 混成集積回路 - Google Patents
混成集積回路Info
- Publication number
- JPH0472701A JPH0472701A JP2186194A JP18619490A JPH0472701A JP H0472701 A JPH0472701 A JP H0472701A JP 2186194 A JP2186194 A JP 2186194A JP 18619490 A JP18619490 A JP 18619490A JP H0472701 A JPH0472701 A JP H0472701A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thick film
- trimming
- resistor
- resistance
- film resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、絶縁基板上に厚膜抵抗が形成され、該厚膜抵
抗は、半導体レーザ等の抵抗トリミング用スポット光が
照射されて抵抗ト、リミングされる混成集積回路に関す
る。
抗は、半導体レーザ等の抵抗トリミング用スポット光が
照射されて抵抗ト、リミングされる混成集積回路に関す
る。
（従来の技術）
第２図は従来例の混成集積回路における厚膜抵抗部分、
を示す要部平面図である。
を示す要部平面図である。
同図に示される混成集積回路においては、絶縁基板ｌ上
に各厚膜抵抗２．３．−・・と、それらの配線４ 、５
、、・・・が形成されている。これら厚膜抵抗２゜３
、・・は、半導体レーザ等の抵抗トリミング用スポット
光６が照射されることで抵抗トリミングされる。例えば
、図示のスポット光６による抵抗トリミングによって厚
膜抵抗２は、ハツチングの部分６ａで除去され、この除
去によって厚膜抵抗２の抵抗値が変化して抵抗値調整さ
れることとなる。
に各厚膜抵抗２．３．−・・と、それらの配線４ 、５
、、・・・が形成されている。これら厚膜抵抗２゜３
、・・は、半導体レーザ等の抵抗トリミング用スポット
光６が照射されることで抵抗トリミングされる。例えば
、図示のスポット光６による抵抗トリミングによって厚
膜抵抗２は、ハツチングの部分６ａで除去され、この除
去によって厚膜抵抗２の抵抗値が変化して抵抗値調整さ
れることとなる。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、この抵抗トリミングの開始点は、各厚膜抵抗
２．３．・・の端縁から行われるのであるが、混成集積
回路の絶縁基板ｌ上で、例えば、図で左側の厚膜抵抗２
の端縁２ａと図で右側の厚膜抵抗３の端縁３、ａとの間
隔が狭くなっている場合がある。
２．３．・・の端縁から行われるのであるが、混成集積
回路の絶縁基板ｌ上で、例えば、図で左側の厚膜抵抗２
の端縁２ａと図で右側の厚膜抵抗３の端縁３、ａとの間
隔が狭くなっている場合がある。
このような場合では、抵抗トリミング用スポット光６の
厚膜抵抗２の端縁２ａに対する照射位置は、図示のよう
に抵抗トリミング開始時から既に厚膜抵抗２の端縁２ａ
より該厚膜抵抗２の内方に面積的に大きく食い込んだ状
態となってしまっている。
厚膜抵抗２の端縁２ａに対する照射位置は、図示のよう
に抵抗トリミング開始時から既に厚膜抵抗２の端縁２ａ
より該厚膜抵抗２の内方に面積的に大きく食い込んだ状
態となってしまっている。
その結果、抵抗トリミング開始時に厚膜抵抗２ハツチン
グ部分６ａで大きく除去されてしまうことから、その抵
抗値は当初から大きく調整されてしまうことになり、し
たがって、抵抗トリミング開始時から抵抗値を徐々に微
調整変していくといったことができないという課題があ
った。
グ部分６ａで大きく除去されてしまうことから、その抵
抗値は当初から大きく調整されてしまうことになり、し
たがって、抵抗トリミング開始時から抵抗値を徐々に微
調整変していくといったことができないという課題があ
った。
本発明は、この課題に鑑み、例えば、絶縁基板上に厚膜
抵抗が間隔狭く形成されているような場合でも、該厚膜
抵抗の抵抗値をそのトリミング開始時から微調整してい
くことができるようにすることを目的としている。
抵抗が間隔狭く形成されているような場合でも、該厚膜
抵抗の抵抗値をそのトリミング開始時から微調整してい
くことができるようにすることを目的としている。
（課題を解決するための手段）
このような目的を達成するために、本発明の混成集積回
路においては、絶縁基板上に厚膜抵抗が形成され、該厚
膜抵抗は、半導体レーザ等の抵抗トリミング用スポット
光が照射されて抵抗トリミングされる混成集積回路であ
って、該厚膜抵抗は、前記スポット光による抵抗トリミ
ングの開始点となる端縁側が内方にへこまされているこ
とを特徴としている。
路においては、絶縁基板上に厚膜抵抗が形成され、該厚
膜抵抗は、半導体レーザ等の抵抗トリミング用スポット
光が照射されて抵抗トリミングされる混成集積回路であ
って、該厚膜抵抗は、前記スポット光による抵抗トリミ
ングの開始点となる端縁側が内方にへこまされているこ
とを特徴としている。
（作用）
厚膜抵抗に対する抵抗トリミングの開始時において抵抗
トリミング用スポット光の該厚膜抵抗に対する照射面積
は、該抵抗トリミング開始点となる端縁側が内方にへこ
まされていることから、そのへこまされた面積分だけ、
減少していることになる。その結果、厚膜抵抗相互間の
間隔が狭くても、抵抗トリミング開始時における抵抗ト
リミング面積を小さくすることができ、結果として、抵
抗トリミング開始時からの厚膜抵抗の抵抗値の微調整が
可能となる。
トリミング用スポット光の該厚膜抵抗に対する照射面積
は、該抵抗トリミング開始点となる端縁側が内方にへこ
まされていることから、そのへこまされた面積分だけ、
減少していることになる。その結果、厚膜抵抗相互間の
間隔が狭くても、抵抗トリミング開始時における抵抗ト
リミング面積を小さくすることができ、結果として、抵
抗トリミング開始時からの厚膜抵抗の抵抗値の微調整が
可能となる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。
。
第１図は本発明の実施例に係る混成集積回路の要部平面
図であって、第２図と対応する部分には同一の符号を付
し、その同一の符号に係る部分についてのここでの詳し
い説明は省略する。
図であって、第２図と対応する部分には同一の符号を付
し、その同一の符号に係る部分についてのここでの詳し
い説明は省略する。
この実施例の混成集積回路においては、抵抗トリミング
開始時に抵抗トリミング用スポット光が照射される厚膜
抵抗２の端縁２ａ側が内方にへこまされていることに特
徴を有している。
開始時に抵抗トリミング用スポット光が照射される厚膜
抵抗２の端縁２ａ側が内方にへこまされていることに特
徴を有している。
このへこまされたときの端縁２ａの形状は平面視で例え
ば図示のような７字状とか、図示はしていないがＵ字状
とかその他の適宜の形状がある。
ば図示のような７字状とか、図示はしていないがＵ字状
とかその他の適宜の形状がある。
また、第２図の従来例のハツチング部分６ａと、第１図
の実施例のハツチング部分６ａとを比較して明らかなよ
うに、厚膜抵抗２に対する抵抗トリミング開始時での抵
抗トリミング用スポット光の照射面積は、従来例よりも
実施例の方が小さくなっている。
の実施例のハツチング部分６ａとを比較して明らかなよ
うに、厚膜抵抗２に対する抵抗トリミング開始時での抵
抗トリミング用スポット光の照射面積は、従来例よりも
実施例の方が小さくなっている。
したがって、実施例においては抵抗トリミング開始時か
ら厚膜抵抗２の抵抗値を微調整していくことができる。
ら厚膜抵抗２の抵抗値を微調整していくことができる。
なお、実施例ではハツチング部分６ａの面積は抵抗トリ
ミング開始時における厚膜抵抗２の抵抗値調整に応じて
任意にすることができるから、第１図のハツチング部分
６ａの面積形状のみならず、必要に応じて形成される面
積形状も本発明に含まれるものであることは言うまでも
ない。
ミング開始時における厚膜抵抗２の抵抗値調整に応じて
任意にすることができるから、第１図のハツチング部分
６ａの面積形状のみならず、必要に応じて形成される面
積形状も本発明に含まれるものであることは言うまでも
ない。
（発明の効果）
以上説明したことから明らかなように本発明によれば、
絶縁基板上に例えば厚膜抵抗の端縁間の離間距離が狭く
形成されていても、該厚膜抵抗の端縁が内方にへこんで
いることから、抵抗トリミング用スポット光でもって該
厚膜抵抗の抵抗値をそのトリミング開始時から微調整し
ていくことが可能となる。
絶縁基板上に例えば厚膜抵抗の端縁間の離間距離が狭く
形成されていても、該厚膜抵抗の端縁が内方にへこんで
いることから、抵抗トリミング用スポット光でもって該
厚膜抵抗の抵抗値をそのトリミング開始時から微調整し
ていくことが可能となる。
第１図は本発明の実施例に係る混成集積回路の要部平面
図、第２図は従来例に係る混成集積回路の要部平面図で
ある。 １・・・絶縁基板、２，３・・・厚膜抵抗、２ａ 、３
ａ・・・端縁、４．５・・・配線、６・・・抵抗トリミ
ング用スポット光。 図中、同一符号は同一ないしは相当部分を示す。 第１図
図、第２図は従来例に係る混成集積回路の要部平面図で
ある。 １・・・絶縁基板、２，３・・・厚膜抵抗、２ａ 、３
ａ・・・端縁、４．５・・・配線、６・・・抵抗トリミ
ング用スポット光。 図中、同一符号は同一ないしは相当部分を示す。 第１図
Claims (1)
- （１）絶縁基板（１）上に厚膜抵抗（２）が形成され、
該厚膜抵抗（２）は、半導体レーザ等の抵抗トリミング
用スポット光（６）が照射されて抵抗トリミングされる
混成集積回路であって、 該厚膜抵抗（２）は、前記スポット光（６）による抵抗
トリミングの開始点となる端縁側（２ａ）が内方にへこ
まされている ことを特徴とする混成集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2186194A JPH0472701A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2186194A JPH0472701A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 混成集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0472701A true JPH0472701A (ja) | 1992-03-06 |
Family
ID=16184031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2186194A Pending JPH0472701A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 混成集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0472701A (ja) |
-
1990
- 1990-07-13 JP JP2186194A patent/JPH0472701A/ja active Pending
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