JPH0472777A - 超電導デバイス用基板 - Google Patents
超電導デバイス用基板Info
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- JPH0472777A JPH0472777A JP2185573A JP18557390A JPH0472777A JP H0472777 A JPH0472777 A JP H0472777A JP 2185573 A JP2185573 A JP 2185573A JP 18557390 A JP18557390 A JP 18557390A JP H0472777 A JPH0472777 A JP H0472777A
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- Japan
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- superconducting
- oxide layer
- layer
- wafer
- device substrate
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
- H10W20/40—Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes
- H10W20/41—Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes characterised by their conductive parts
- H10W20/44—Conductive materials thereof
- H10W20/4484—Superconducting materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0576—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers characterised by the substrate
- H10N60/0632—Intermediate layers, e.g. for growth control
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/12—Josephson-effect devices
- H10N60/124—Josephson-effect devices comprising high-Tc ceramic materials
-
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- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
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- H10N60/855—Ceramic superconductors
- H10N60/857—Ceramic superconductors comprising copper oxide
- H10N60/858—Ceramic superconductors comprising copper oxide having multilayered structures, e.g. superlattices
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、超電導デバイス用基板に関する。より詳細に
は、本発明は、複合酸化物超電導薄膜を含み、各種の超
電導デバイスの作製基材として広範に使用し得る新規な
基板の構造に関する。
は、本発明は、複合酸化物超電導薄膜を含み、各種の超
電導デバイスの作製基材として広範に使用し得る新規な
基板の構造に関する。
従来の技術
電子の相転移であるといわれる超電導現象は、長い間、
液体ヘリウムによる冷却を必要とする極低温下において
のみ観測される現象であるとされていた。しかしながら
、１９８６年にベドノーツ、ミューラー等によって、３
０にで超電導状態を示す（Ｌａ、 Ｂａ）２ＣｕＯｓが
発見され、更に、１９８７年は、チュー等によって、９
０に台の超電導臨界温度Ｔｃを有するＹＢａｚＣｕ＋
Ｏｙ発見され、続いて、１９８８年には前出等によって
１００に以上の臨界温度を示す所謂Ｂｌ系の複合酸化物
系超電導材料が発見された。
液体ヘリウムによる冷却を必要とする極低温下において
のみ観測される現象であるとされていた。しかしながら
、１９８６年にベドノーツ、ミューラー等によって、３
０にで超電導状態を示す（Ｌａ、 Ｂａ）２ＣｕＯｓが
発見され、更に、１９８７年は、チュー等によって、９
０に台の超電導臨界温度Ｔｃを有するＹＢａｚＣｕ＋
Ｏｙ発見され、続いて、１９８８年には前出等によって
１００に以上の臨界温度を示す所謂Ｂｌ系の複合酸化物
系超電導材料が発見された。
これらの複合酸化物系超電導材料は、廉価な液体窒素に
よる冷却でも超電導現象を実現することができるので、
超電導技術の実用的な応用の可能性が取り沙汰されるよ
うになった。
よる冷却でも超電導現象を実現することができるので、
超電導技術の実用的な応用の可能性が取り沙汰されるよ
うになった。
上述のような高い臨界温度を示す複合酸化物系超電導材
料は、当初粉末冶金法により焼結体として得られていた
が、焼結体材料では特に臨界電流密度等の特性について
好ましい特性が得られず、最近では薄膜として作製する
方法が広く研究されるようになっている。
料は、当初粉末冶金法により焼結体として得られていた
が、焼結体材料では特に臨界電流密度等の特性について
好ましい特性が得られず、最近では薄膜として作製する
方法が広く研究されるようになっている。
従来から知られている各種の蒸着法によって作製された
複合酸化物薄膜は一般にはそのままでは十分な超電導特
性を示さず、有用な超電導薄膜を得るためには形成され
た複合酸化物薄膜に対してボストアニール処理を行う必
要がある。即ち、複合酸化物超電導材料は、一般に大き
な酸素不定比性を示すことが知られており、また、一般
に非化学量論性が低い程高い超電導特性を発揮すること
が知られている。そこで、この酸素不定比性による酸素
の不足を補う目的でボストアニール処理を行い、有効な
超電導特性を発揮する超電導薄膜を作製していた。
複合酸化物薄膜は一般にはそのままでは十分な超電導特
性を示さず、有用な超電導薄膜を得るためには形成され
た複合酸化物薄膜に対してボストアニール処理を行う必
要がある。即ち、複合酸化物超電導材料は、一般に大き
な酸素不定比性を示すことが知られており、また、一般
に非化学量論性が低い程高い超電導特性を発揮すること
が知られている。そこで、この酸素不定比性による酸素
の不足を補う目的でボストアニール処理を行い、有効な
超電導特性を発揮する超電導薄膜を作製していた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、基板上に形成された薄膜にアニール処理
を実施すると、アニール処理時の高熱下で基板材料が薄
膜中に拡散するために、基板近傍の領域では超電導薄膜
の品質が大幅に低下することが知られている。従って、
このような処理を受けた薄膜は、その表面付近を実験的
に使用することはできても、これを加工して各種デバイ
スを作製する等の実用的な用途には使用することができ
ない。
を実施すると、アニール処理時の高熱下で基板材料が薄
膜中に拡散するために、基板近傍の領域では超電導薄膜
の品質が大幅に低下することが知られている。従って、
このような処理を受けた薄膜は、その表面付近を実験的
に使用することはできても、これを加工して各種デバイ
スを作製する等の実用的な用途には使用することができ
ない。
また、十分に厚い超電導薄膜を作製することができたと
しても、作製した超電導薄膜によって各種のデバイスを
構成する場合、超電導薄膜を単純にパターニングしただ
けで完成するデバイスは殆どない。例えば、超電導技術
の応用分野として有力なマイクロ波デバイスでは、単な
る配線として使用する場合でも、導体線路と接地導体層
とを誘電体を介して配置する必要があり、このような構
造を１層の超電導薄膜上のパターニングだけで形成する
ことは、回路設計上非常に不利である。
しても、作製した超電導薄膜によって各種のデバイスを
構成する場合、超電導薄膜を単純にパターニングしただ
けで完成するデバイスは殆どない。例えば、超電導技術
の応用分野として有力なマイクロ波デバイスでは、単な
る配線として使用する場合でも、導体線路と接地導体層
とを誘電体を介して配置する必要があり、このような構
造を１層の超電導薄膜上のパターニングだけで形成する
ことは、回路設計上非常に不利である。
更に、現在、酸化物超電導薄膜を作製する場合、ＭｇＯ
単結晶基板や５ｒＴｉ０３単結晶基板等の極めて高価な
材料を下地基板として使用しているので、超電導基板の
コストが非常に高く、この点でも酸化物超電導薄膜の実
用性は低い。
単結晶基板や５ｒＴｉ０３単結晶基板等の極めて高価な
材料を下地基板として使用しているので、超電導基板の
コストが非常に高く、この点でも酸化物超電導薄膜の実
用性は低い。
そこで、本発明は、上記従来技術の問題点を解決し、種
々の超電導デバイスを作製する際に広範に適用でき且つ
廉価な基材としての超電導デバイス用基板を提供するこ
とをその目的としている。
々の超電導デバイスを作製する際に広範に適用でき且つ
廉価な基材としての超電導デバイス用基板を提供するこ
とをその目的としている。
課題を解決するための手段
即ち、本発明に従うと、Ｓｉウェハと、該Ｓｉウェハ上
に形成されたグランドプレーンとなる第１の超電導酸化
物層と、該第１超電導酸化物層上に誘電体層を介して形
成された第２の超電導酸化物層と、該第２超電導酸化物
層上に誘電体層を介して形成された第３の超電導酸化物
層とを備えることを特徴とする超電導デバイス用基板が
提供される。
に形成されたグランドプレーンとなる第１の超電導酸化
物層と、該第１超電導酸化物層上に誘電体層を介して形
成された第２の超電導酸化物層と、該第２超電導酸化物
層上に誘電体層を介して形成された第３の超電導酸化物
層とを備えることを特徴とする超電導デバイス用基板が
提供される。
作用
本発明に係る超電導デバイス用基板は、Ｓ１ウエハ上に
、グラウンドとなる超電導酸化物層と、更に、超電導酸
化物薄膜によるＳＩＳ構造の層構成とを具備しているこ
とをその主要な特徴としている。
、グラウンドとなる超電導酸化物層と、更に、超電導酸
化物薄膜によるＳＩＳ構造の層構成とを具備しているこ
とをその主要な特徴としている。
本発明に係る超電導基板は、誘電体層を介して形成され
た２層の超電導酸化物層を備えており、それ自体がＳＩ
Ｓ構造を形成しているので、簡単なパターニングを施す
ことにより、ジョセフソンコンピュータ回路や５ＱＵＩ
Ｄセンサ素子等を容易に作製することができる。更に、
マイクロ波デバイス等のＳＩＳ構造を必要としない素子
にも容易に利用することができる。即ち、マイクロ波デ
バイスは、一般に、マイクロ波線路の線路長や線路幅ま
たは線路パターンを適切に設定することによりフィルタ
、共振器、遅延線等を構成することができるので、上述
のような本発明に係る超電導デバイス用基板を使用すれ
ばただ単にパターニングするだけで超電導マイクロ波デ
バイスを作製することができる。
た２層の超電導酸化物層を備えており、それ自体がＳＩ
Ｓ構造を形成しているので、簡単なパターニングを施す
ことにより、ジョセフソンコンピュータ回路や５ＱＵＩ
Ｄセンサ素子等を容易に作製することができる。更に、
マイクロ波デバイス等のＳＩＳ構造を必要としない素子
にも容易に利用することができる。即ち、マイクロ波デ
バイスは、一般に、マイクロ波線路の線路長や線路幅ま
たは線路パターンを適切に設定することによりフィルタ
、共振器、遅延線等を構成することができるので、上述
のような本発明に係る超電導デバイス用基板を使用すれ
ばただ単にパターニングするだけで超電導マイクロ波デ
バイスを作製することができる。
尚、一般にマイクロ波デバイスでは、誘電体層を介して
形成された信号線路としての導体層と接地導体とから構
成されていることが基本となっている。ここで、各種の
パターニングを施されてデバイスを形成するのは信号線
路としての導体層である。従って、接地導体層は、要求
される品質の均−性等が信号導体層よりも緩いので、Ｓ
ｉウェノ１上に形成される第１の超電導酸化物層をこれ
に充てることにより、全体として導体層の品質を高く保
つことができる。
形成された信号線路としての導体層と接地導体とから構
成されていることが基本となっている。ここで、各種の
パターニングを施されてデバイスを形成するのは信号線
路としての導体層である。従って、接地導体層は、要求
される品質の均−性等が信号導体層よりも緩いので、Ｓ
ｉウェノ１上に形成される第１の超電導酸化物層をこれ
に充てることにより、全体として導体層の品質を高く保
つことができる。
以上のような本発明に係る超電導デバイス用基板におい
て超電導酸化物層を形成する材料としては、ＹＢａ２Ｃ
＋ｇ Ｏ？−Ｘに代表されるＹ系複合酸化物の他、Ｂｉ
系やＴｌ系の複合酸化物を例示することができる。また
、超電導酸化物層の間に形成する誘電体層としては、Ｍ
ｇＯ１Ｙ２０８、ＺｒＣｈ、ＬａＧａＯｓ等の、酸化物
超電導体との反応性が低く、且つ、格子整合している材
料を例示することができる。
て超電導酸化物層を形成する材料としては、ＹＢａ２Ｃ
＋ｇ Ｏ？−Ｘに代表されるＹ系複合酸化物の他、Ｂｉ
系やＴｌ系の複合酸化物を例示することができる。また
、超電導酸化物層の間に形成する誘電体層としては、Ｍ
ｇＯ１Ｙ２０８、ＺｒＣｈ、ＬａＧａＯｓ等の、酸化物
超電導体との反応性が低く、且つ、格子整合している材
料を例示することができる。
尚、Ｓｉウェハ上に酸化物層を直接形成した場合酸化物
層が超電導体とならない場合が多いので、下層の超電導
酸化物層の形成に先立って、Ｓｉウェハ上にバッファ層
を設けておくことが必要である。
層が超電導体とならない場合が多いので、下層の超電導
酸化物層の形成に先立って、Ｓｉウェハ上にバッファ層
を設けておくことが必要である。
ここで使用されるバッファ層としては、ＺｒＯ２、Ｙ２
Ｏ３等が例示できる。また、超電導酸化物層としてＢｉ
系やＴｌ系の複合酸化物を使用する場合は、ＹＢａ２Ｃ
ｕ、Ｏ，なる組成を有するいわゆるＹ系複合酸化物をバ
ッファ層として使用することができる。
Ｏ３等が例示できる。また、超電導酸化物層としてＢｉ
系やＴｌ系の複合酸化物を使用する場合は、ＹＢａ２Ｃ
ｕ、Ｏ，なる組成を有するいわゆるＹ系複合酸化物をバ
ッファ層として使用することができる。
この酸化物は、特定の結晶構造をとった場合にはそれ自
体が高い臨界温度を有する超電導酸化物であることが知
られているが、Ｓｉウェハ上に直接形成した場合は、有
効な超電導特性を示すとは限らない。しかしながら、Ｂ
ｉ系超超電導酸化物形成するためのバッファ層としては
有効に作用することが確認されている。
体が高い臨界温度を有する超電導酸化物であることが知
られているが、Ｓｉウェハ上に直接形成した場合は、有
効な超電導特性を示すとは限らない。しかしながら、Ｂ
ｉ系超超電導酸化物形成するためのバッファ層としては
有効に作用することが確認されている。
尚、発明に係る超電導デバイス用基板は、Ｓｉウェハを
下地基板として構成されており、その材料コストが低い
ことも特徴のひとつである。
下地基板として構成されており、その材料コストが低い
ことも特徴のひとつである。
即ち、従来の酸化物超電導薄膜は、一般に、ＭｇＯ単結
晶基板や５ｒＴｉＯｓ単結晶基板等を下地基板として作
製されていたが、これらの基板材料は非常に高価であり
、結果的に製品としての酸化物超電導薄膜を高価なもの
にしていた。これに対して、Ｓｉウェハは高品質で面積
の大きなものが廉価に市販されているので、本発明に係
る超電導デバイス用基板を廉価に提供することが可能で
ある。
晶基板や５ｒＴｉＯｓ単結晶基板等を下地基板として作
製されていたが、これらの基板材料は非常に高価であり
、結果的に製品としての酸化物超電導薄膜を高価なもの
にしていた。これに対して、Ｓｉウェハは高品質で面積
の大きなものが廉価に市販されているので、本発明に係
る超電導デバイス用基板を廉価に提供することが可能で
ある。
以下に実施例を挙げて、本発明をより具体的に説明する
が、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎず、本発明の
技術的範囲を何ら限定するものではない。
が、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎず、本発明の
技術的範囲を何ら限定するものではない。
実施例
第１図は、本発明に係る超電導デバイス用基板の基本的
な構成例を示す断面図である。
な構成例を示す断面図である。
同図に示すように、この基板は、下地となるＳｉウェハ
１と、Ｓｌウェハ１上にバッファ層２を介して形成され
たグランドプレーンとなる第１の超電導酸化物層３と、
更に、第１の超電導酸化物層３上に交互に形成された誘
電体層４．６および第２、第３の超電導酸化物層５．７
とから構成されている。
１と、Ｓｌウェハ１上にバッファ層２を介して形成され
たグランドプレーンとなる第１の超電導酸化物層３と、
更に、第１の超電導酸化物層３上に交互に形成された誘
電体層４．６および第２、第３の超電導酸化物層５．７
とから構成されている。
ここでは、実施例として、バッファ層２をＺｒＯ２薄膜
により、誘電体層４．６をＹ２Ｏ，薄膜により、第１、
第２および第３の超電導酸化物層３．５．７をＢｉｚＳ
ｒｚＣａ、Ｃｕ、 Ｏ，薄膜により形成した超電導デバ
イス用基板を作製した。各層の成膜はスパッタリング法
により、成膜条件は、以下の第１表に示す通りである。
により、誘電体層４．６をＹ２Ｏ，薄膜により、第１、
第２および第３の超電導酸化物層３．５．７をＢｉｚＳ
ｒｚＣａ、Ｃｕ、 Ｏ，薄膜により形成した超電導デバ
イス用基板を作製した。各層の成膜はスパッタリング法
により、成膜条件は、以下の第１表に示す通りである。
また、下地となるＳ１ウエハは、５Ｑｍｍφのものを使
用した。
用した。
第１表（１）
第１表（２）
以上のようにして作製した超電導デバイス用基板をパタ
ーンニングして、幅１μｍ１長さ２Ｑｍｍのマイクロス
トリップラインを作製し、７７Ｋに冷却して１０ Ｇ
Ｈｚのマイクロ波信号の減衰を測定したところ５．８Ｘ
１０〜２６Ｂ／ｃｍと極めて低かった。
ーンニングして、幅１μｍ１長さ２Ｑｍｍのマイクロス
トリップラインを作製し、７７Ｋに冷却して１０ Ｇ
Ｈｚのマイクロ波信号の減衰を測定したところ５．８Ｘ
１０〜２６Ｂ／ｃｍと極めて低かった。
発明の詳細
な説明したように、本発明に係る超電導デバイス用基板
は、誘電体層を介して形成された２層の超電導酸化物層
を備えており、それ自体が３１８構造を形成しているの
で、これを適切にパターニングするだけで容易に各種超
電導デバイスを作製することができる。
は、誘電体層を介して形成された２層の超電導酸化物層
を備えており、それ自体が３１８構造を形成しているの
で、これを適切にパターニングするだけで容易に各種超
電導デバイスを作製することができる。
また、発明に係る超電導デバイス用基板は、Ｓｉウェハ
を下地基板として構成されており、その材料コストが低
く、また、大面積基板を作製することも可能である。
を下地基板として構成されており、その材料コストが低
く、また、大面積基板を作製することも可能である。
従って、この超電導デバイス用基板を使用することによ
って、容易且つ廉価に各種の超電導マイクロ波デバイス
を提供することが可能になる。
って、容易且つ廉価に各種の超電導マイクロ波デバイス
を提供することが可能になる。
第１図は、本発明に係る超電導デバイス用基板の基本的
な構成例を示す図である。 〔主な参照番号〕 ■・・・Ｓｉウェハ、 ２°°°バッファ層、 ３・・・超電導酸化物層（Ｂｉ系酸化物層）、４・・・
誘電体層、
な構成例を示す図である。 〔主な参照番号〕 ■・・・Ｓｉウェハ、 ２°°°バッファ層、 ３・・・超電導酸化物層（Ｂｉ系酸化物層）、４・・・
誘電体層、
Claims (1)
- Ｓｉウェハと、該Ｓｉウェハ上に形成されたグランド
プレーンとなる第１の超電導酸化物層と、該第１超電導
酸化物層上に誘電体層を介して形成された第２の超電導
酸化物層と、該第２超電導酸化物層上に誘電体層を介し
て形成された第３の超電導酸化物層とを備えることを特
徴とする超電導デバイス用基板。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2185573A JPH0472777A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 超電導デバイス用基板 |
| EP91401967A EP0466611A1 (en) | 1990-07-13 | 1991-07-15 | Composite comprising a silicon substrate and layered superconducting thin films |
| CA002047020A CA2047020C (en) | 1990-07-13 | 1991-07-15 | Substrate for superconducting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2185573A JPH0472777A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 超電導デバイス用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0472777A true JPH0472777A (ja) | 1992-03-06 |
Family
ID=16173176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2185573A Pending JPH0472777A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 超電導デバイス用基板 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0466611A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0472777A (ja) |
| CA (1) | CA2047020C (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5538941A (en) * | 1994-02-28 | 1996-07-23 | University Of Maryland | Superconductor/insulator metal oxide hetero structure for electric field tunable microwave device |
| US5543386A (en) * | 1994-02-28 | 1996-08-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Joint device including superconductive probe-heads for capacitive microwave coupling |
| US5604375A (en) * | 1994-02-28 | 1997-02-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Superconducting active lumped component for microwave device application |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101286544B (zh) * | 2007-04-10 | 2013-01-30 | 中国科学院物理研究所 | 一种用于超导器件的超导多层膜及其制备方法 |
| US9768371B2 (en) | 2012-03-08 | 2017-09-19 | D-Wave Systems Inc. | Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits |
| EP4443484A3 (en) | 2017-02-01 | 2025-01-08 | D-Wave Systems Inc. | Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits |
| US20200152851A1 (en) | 2018-11-13 | 2020-05-14 | D-Wave Systems Inc. | Systems and methods for fabricating superconducting integrated circuits |
| WO2020168097A1 (en) | 2019-02-15 | 2020-08-20 | D-Wave Systems Inc. | Kinetic inductance for couplers and compact qubits |
| US12367412B2 (en) | 2019-12-05 | 2025-07-22 | 1372934 B.C. Ltd. | Systems and methods for fabricating flux trap mitigating superconducting integrated circuits |
| US12376501B2 (en) | 2020-05-11 | 2025-07-29 | 1372934 B.C. Ltd. | Kinetic inductance devices, methods for fabricating kinetic inductance devices, and articles employing the same |
| US12392823B2 (en) | 2021-11-05 | 2025-08-19 | D-Wave Systems Inc. | Systems and methods for on-chip noise measurements |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3810494C2 (de) * | 1987-03-27 | 1998-08-20 | Hitachi Ltd | Integrierte Halbleiterschaltungseinrichtung mit supraleitender Schicht |
| JPH0634418B2 (ja) * | 1987-09-07 | 1994-05-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 超電導素子の作製方法 |
| KR880013253A (ko) * | 1987-04-17 | 1988-11-30 | 미다 가쓰시게 | 반도체 장치 |
| NL8701779A (nl) * | 1987-07-28 | 1989-02-16 | Philips Nv | Supergeleidende dunne laag. |
-
1990
- 1990-07-13 JP JP2185573A patent/JPH0472777A/ja active Pending
-
1991
- 1991-07-15 CA CA002047020A patent/CA2047020C/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-07-15 EP EP91401967A patent/EP0466611A1/en not_active Ceased
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5538941A (en) * | 1994-02-28 | 1996-07-23 | University Of Maryland | Superconductor/insulator metal oxide hetero structure for electric field tunable microwave device |
| US5543386A (en) * | 1994-02-28 | 1996-08-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Joint device including superconductive probe-heads for capacitive microwave coupling |
| US5604375A (en) * | 1994-02-28 | 1997-02-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Superconducting active lumped component for microwave device application |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0466611A1 (en) | 1992-01-15 |
| CA2047020A1 (en) | 1992-01-14 |
| CA2047020C (en) | 1997-05-06 |
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