JPH02217306A - 酸化物超電導導体の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導導体の製造方法Info
- Publication number
- JPH02217306A JPH02217306A JP1038098A JP3809889A JPH02217306A JP H02217306 A JPH02217306 A JP H02217306A JP 1038098 A JP1038098 A JP 1038098A JP 3809889 A JP3809889 A JP 3809889A JP H02217306 A JPH02217306 A JP H02217306A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- oxide superconductor
- substrate
- oxides
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マグネット、磁気シールド、電子回路、電子
デバイス、センサー等に使用される超電導導体の製造方
法に関するものである。
デバイス、センサー等に使用される超電導導体の製造方
法に関するものである。
（従来の技術〕
近年、Ｌ ａ −Ｂ ａ −Ｃｕ −０系、Ｙ −Ｂ
ａ −Ｃｕ −０系、Ｂ ｉ −３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０
系、Ｔｌ−Ｂ ａ −Ｃａ −Ｃｕ −０系、Ｂａ−に
−Ｂｉ−０系等の層状ペロブスカイト構造の酸化物超電
導体が見出されている。
ａ −Ｃｕ −０系、Ｂ ｉ −３ｒ−Ｃａ−Ｃｕ−０
系、Ｔｌ−Ｂ ａ −Ｃａ −Ｃｕ −０系、Ｂａ−に
−Ｂｉ−０系等の層状ペロブスカイト構造の酸化物超電
導体が見出されている。
これらの酸化物超電導体は液体Ｎｇ温度以上で超電導状
態になる為、従来の液体Ｈｅ温度で超電導を示す金属超
電導体に比べて格段に経済的であり、各分野での利用が
検討されている。
態になる為、従来の液体Ｈｅ温度で超電導を示す金属超
電導体に比べて格段に経済的であり、各分野での利用が
検討されている。
ところで上記の酸化物超電導体は脆い為、金属材料の様
に塑性加工する事が出来なく、これらを線、条等に加工
するには、ＰＶＤ法やＣＶＤ法等の気相成長法によりＳ
ＵＳやハステロイ合金等の基体上に酸化物超電導体とな
し得る複合酸化物を薄膜状に直接析出させる方法等がと
られている。
に塑性加工する事が出来なく、これらを線、条等に加工
するには、ＰＶＤ法やＣＶＤ法等の気相成長法によりＳ
ＵＳやハステロイ合金等の基体上に酸化物超電導体とな
し得る複合酸化物を薄膜状に直接析出させる方法等がと
られている。
然しなから前記酸化物超電導体の多くは異方性を有して
いて、特定の結晶方位においてのみ実用的な大きさの臨
界電流密度（Ｊｃ）をもつものが得られるものであるが
、従来はこの様な結晶配向性をもつものを得る事が困難
であった。
いて、特定の結晶方位においてのみ実用的な大きさの臨
界電流密度（Ｊｃ）をもつものが得られるものであるが
、従来はこの様な結晶配向性をもつものを得る事が困難
であった。
又酸化物超電導体は酸化物特にアルカリ土類金属の酸化
物を含んでいる為、基材との反応性が強く、その為本来
の超電導特性をもつものが得られない場合が多かった。
物を含んでいる為、基材との反応性が強く、その為本来
の超電導特性をもつものが得られない場合が多かった。
この事は金属やＡ ｊ！ ｚ Ｏ３等の絶縁材料或いは
５ｉＳＧａＡｓ等の半導体材料を基体としてこの上に酸
化’ＩＩＦ＋超電導体膜を形成する事を著しく困難にし
ていた。
５ｉＳＧａＡｓ等の半導体材料を基体としてこの上に酸
化’ＩＩＦ＋超電導体膜を形成する事を著しく困難にし
ていた。
本発明は上記の点に鑑み鋭意検討の結果なされたもので
あり、その目的とするところは、基体上に、酸化物超電
導体膜を形成するに際して、実用上望ましい結晶配向性
をもつものが得られ、又基体との反応が起こらなく、従
って実用に供し得る優れた超電導特性を有する酸化物超
電導体膜が得られる様な酸化物超電導導体の製造方法を
提供する事である。
あり、その目的とするところは、基体上に、酸化物超電
導体膜を形成するに際して、実用上望ましい結晶配向性
をもつものが得られ、又基体との反応が起こらなく、従
って実用に供し得る優れた超電導特性を有する酸化物超
電導体膜が得られる様な酸化物超電導導体の製造方法を
提供する事である。
本発明者等は上記問題点を解決する為鋭意検討を行なっ
た結果、基体として少なくとも表面層がＺｒ、Ｈｆ、Ｔ
ｉ、Ｔａ、Ｎｂの群から選ばれたいずれかの金属の１種
又は２種以上或いはその酸化物からなる基体を用い、こ
の基体上に中間層としてＢａ、Ｓｒ、Ｃａの群から選ば
れたいずれかのアルカリ土類金属の１種又は２種以上又
はその酸化物の内いずれか１種或いは２種以上を付着せ
しめ、これを加熱して前記中間層を基体の表面層と反応
せしめれば、基体表面に酸化物超電導体と結晶構造が類
似している即ちペロプスカイト構造の酸化物が形成され
るので、その上に酸化物超電導体となし得る複合酸化物
を所望厚さコーティングし、引続き所定の加熱処理を施
せば、容易に結晶配向性を有する超電導体膜が得られる
事、並びに前記ペロプスカイト構造の酸化物は安定であ
って酸化物超電導体と反応しないので、前記酸化物超電
導体膜の超電導特性を害しない事を見出して、本発明の
完成に至ったものである。
た結果、基体として少なくとも表面層がＺｒ、Ｈｆ、Ｔ
ｉ、Ｔａ、Ｎｂの群から選ばれたいずれかの金属の１種
又は２種以上或いはその酸化物からなる基体を用い、こ
の基体上に中間層としてＢａ、Ｓｒ、Ｃａの群から選ば
れたいずれかのアルカリ土類金属の１種又は２種以上又
はその酸化物の内いずれか１種或いは２種以上を付着せ
しめ、これを加熱して前記中間層を基体の表面層と反応
せしめれば、基体表面に酸化物超電導体と結晶構造が類
似している即ちペロプスカイト構造の酸化物が形成され
るので、その上に酸化物超電導体となし得る複合酸化物
を所望厚さコーティングし、引続き所定の加熱処理を施
せば、容易に結晶配向性を有する超電導体膜が得られる
事、並びに前記ペロプスカイト構造の酸化物は安定であ
って酸化物超電導体と反応しないので、前記酸化物超電
導体膜の超電導特性を害しない事を見出して、本発明の
完成に至ったものである。
即ち本発明は、少なくとも表面層がＺｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、
Ｔａ、Ｎｂの群から選ばれたいずれかの金属の１種又は
２種以上或いはその酸化物からなる基体上に、Ｂａ、Ｓ
ｒ、Ｃａの群から選ばれたいずれかのアルカリ土類金属
の１種又は２種以上又はその酸化物の内いずれか１種或
いは２種以上を付着せしめ、これを加熱して反応せしめ
た後、その上に気相法又は液相法により酸化物超電導体
となし得る複合酸化物を所望厚さコーティングし、引続
き所定の加熱処理を施す事を特徴とする酸化物超電導導
体の製造方法である。
Ｔａ、Ｎｂの群から選ばれたいずれかの金属の１種又は
２種以上或いはその酸化物からなる基体上に、Ｂａ、Ｓ
ｒ、Ｃａの群から選ばれたいずれかのアルカリ土類金属
の１種又は２種以上又はその酸化物の内いずれか１種或
いは２種以上を付着せしめ、これを加熱して反応せしめ
た後、その上に気相法又は液相法により酸化物超電導体
となし得る複合酸化物を所望厚さコーティングし、引続
き所定の加熱処理を施す事を特徴とする酸化物超電導導
体の製造方法である。
次に本発明の一実施態様を図面を用いて具体的に説明す
る。
る。
本発明方法の実施に供される基体１は第１図に示す様に
、少なくともその表面層２がＺ「、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｔａ、
Ｎｂの群から選ばれたいずれかの金属の１種又は２種以
上或いはその酸化物からなる基体ｌで、例えばＦｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｕ、Ｃｏ等の金属や、例えばＳＵＳ、ハステロイ
（Ｎｉ−Ｃｒ −Ｆ ｅ） 、Ｃｕ−Ｎ ｉ、 Ｆ ｅ
−Ｎ ｔ、 Ｆ ｅ−Ｎ ｉ −Ｃｏ等の合金や例え
ばＡｚｚｏｓ、Ｓ ｉ Ｏｚ等のセラミックス絶縁物或
いは例えばＳｉ、Ｃ：ａＡｓ、ＩｎＰ等の半導体材料ｌ
°の上に、Ｚｒ、Ｈｆ。
、少なくともその表面層２がＺ「、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｔａ、
Ｎｂの群から選ばれたいずれかの金属の１種又は２種以
上或いはその酸化物からなる基体ｌで、例えばＦｅ、Ｎ
ｉ、Ｃｕ、Ｃｏ等の金属や、例えばＳＵＳ、ハステロイ
（Ｎｉ−Ｃｒ −Ｆ ｅ） 、Ｃｕ−Ｎ ｉ、 Ｆ ｅ
−Ｎ ｔ、 Ｆ ｅ−Ｎ ｉ −Ｃｏ等の合金や例え
ばＡｚｚｏｓ、Ｓ ｉ Ｏｚ等のセラミックス絶縁物或
いは例えばＳｉ、Ｃ：ａＡｓ、ＩｎＰ等の半導体材料ｌ
°の上に、Ｚｒ、Ｈｆ。
Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂの群から選ばれたいずれかの金属の１
種又は２種以上或いはその酸化物（例えばＺｒＯ，Ｈｆ
Ｏ！、Ｔ ｉ Ｏ！等）かラナル表面層２を設けたもの
である。尚自明の事ではあるが、基体１全体がＺｒ、Ｈ
ｆ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂの群から選ばれたいずれかの金属
の１種又は２種以上或いはその酸化物であっても差し支
えなく、例えばＺｒ０ｔ等のセラミックステープを基体
１として使用する事も出来る。
種又は２種以上或いはその酸化物（例えばＺｒＯ，Ｈｆ
Ｏ！、Ｔ ｉ Ｏ！等）かラナル表面層２を設けたもの
である。尚自明の事ではあるが、基体１全体がＺｒ、Ｈ
ｆ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂの群から選ばれたいずれかの金属
の１種又は２種以上或いはその酸化物であっても差し支
えなく、例えばＺｒ０ｔ等のセラミックステープを基体
１として使用する事も出来る。
本発明方法においては、前記基体ｌ上に第２図に示す様
に、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａの群から選ばれたいずれかのアル
カリ土類金属の１種又は２種以上又はその酸化物３をＰ
ＶＤ法、ＣＶＤ法等の気相法や噴霧熱分解法、スピンコ
ード等の液相法により付着せしめ、これを加熱して前記
中間被覆層３を基体ｌの表面層２と反応せしめる。この
反応によって基体１の表面に例えばＢａＺｒ０．、Ｓｒ
Ｚ「０１、ＣａＺｒ０．、ＢａＨｆ０．．５ｒＨｆＯ１
、ＢａＴｉＯｓ、Ｓ ｒ Ｔ ｉ Ｏｚ等のペロプスカ
イト構造の反応層４が形成される。尚該反応Ｆｉ４はこ
れらの化合物の混合層であっても差し支えない事はいう
までもない。
に、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａの群から選ばれたいずれかのアル
カリ土類金属の１種又は２種以上又はその酸化物３をＰ
ＶＤ法、ＣＶＤ法等の気相法や噴霧熱分解法、スピンコ
ード等の液相法により付着せしめ、これを加熱して前記
中間被覆層３を基体ｌの表面層２と反応せしめる。この
反応によって基体１の表面に例えばＢａＺｒ０．、Ｓｒ
Ｚ「０１、ＣａＺｒ０．、ＢａＨｆ０．．５ｒＨｆＯ１
、ＢａＴｉＯｓ、Ｓ ｒ Ｔ ｉ Ｏｚ等のペロプスカ
イト構造の反応層４が形成される。尚該反応Ｆｉ４はこ
れらの化合物の混合層であっても差し支えない事はいう
までもない。
しかる後、その表面にスパッタリング、蒸着法等のＰＶ
Ｄ法、熱やプラズマを併用したＣＶＤ法等の気相法や、
噴霧熱分解法、スピンコード、ホットデイツプ、液相エ
ピタキシャル（ＬＰＥ）等の液相法により酸化物超電導
体となし得る複合酸化物５を所望厚さコーティングし、
引続き所定の加熱処理を施した後、必要に応じて更に保
護のための金属や絶縁物等の被覆を施して酸化物超電導
導体を得るものである。
Ｄ法、熱やプラズマを併用したＣＶＤ法等の気相法や、
噴霧熱分解法、スピンコード、ホットデイツプ、液相エ
ピタキシャル（ＬＰＥ）等の液相法により酸化物超電導
体となし得る複合酸化物５を所望厚さコーティングし、
引続き所定の加熱処理を施した後、必要に応じて更に保
護のための金属や絶縁物等の被覆を施して酸化物超電導
導体を得るものである。
本発明方法においては、少なくとも表面層がＺｒ％Ｈｆ
％Ｔｉ％Ｔａ１Ｎｂの群から選ばれたいずれかの金属の
１種又は２種以上或いはその酸化物からなる基体上にＢ
ａ ％ Ｓ ｒ ％ Ｃａの群から選ばれたいずれか
のアルカリ土類金属の１種又は２種以上又はその酸化物
を付着せしめ、これを加熱して反応せしめる事により、
基体表面に安定であって、且つ酸化物超電導体と結晶構
造が類領している即ちペロブスカイト構造の酸化物層を
予め形成してから、その上に酸化物超電導体膜を成膜し
ているので、結晶配向性を存する超電導体膜が容易に得
られると共に、酸化物超電導物質と基体との反応による
酸化物超電導体膜の特性劣化もなくなり、優れた超電導
特性を有する酸化物超電導導体が得られる。
％Ｔｉ％Ｔａ１Ｎｂの群から選ばれたいずれかの金属の
１種又は２種以上或いはその酸化物からなる基体上にＢ
ａ ％ Ｓ ｒ ％ Ｃａの群から選ばれたいずれか
のアルカリ土類金属の１種又は２種以上又はその酸化物
を付着せしめ、これを加熱して反応せしめる事により、
基体表面に安定であって、且つ酸化物超電導体と結晶構
造が類領している即ちペロブスカイト構造の酸化物層を
予め形成してから、その上に酸化物超電導体膜を成膜し
ているので、結晶配向性を存する超電導体膜が容易に得
られると共に、酸化物超電導物質と基体との反応による
酸化物超電導体膜の特性劣化もなくなり、優れた超電導
特性を有する酸化物超電導導体が得られる。
尚基体表面と酸化物超電導体膜との間に上記酸化物超電
導体と結晶構造が類似しているペロブスカイト構造の酸
化物中間層を介在させても、超電導導体の使用に際して
、有害な又は不都合な特性（例えば強い磁性等）は付与
されない事はいうまでもない。
導体と結晶構造が類似しているペロブスカイト構造の酸
化物中間層を介在させても、超電導導体の使用に際して
、有害な又は不都合な特性（例えば強い磁性等）は付与
されない事はいうまでもない。
次に本発明を実施例により更に具体的に説明する。
実施例１
耐熱Ｎｉ合金（ハステロイＣ合金）テープ上に、ＺｒＯ
ｘを１．５μｍの厚さにスパッタしてから、ＢａＯを０
．６μｍ８ｍスパッタ、これを９００℃Ｘ２ｈｒ大気中
で加熱してから、その表面にＨ。
ｘを１．５μｍの厚さにスパッタしてから、ＢａＯを０
．６μｍ８ｍスパッタ、これを９００℃Ｘ２ｈｒ大気中
で加熱してから、その表面にＨ。
Ｂａ□Ｃｕ ８．Ｏｚなる配合のターゲットを用い、下
記の条件で、マグネトロンスパッタ法により、厚さＩＩ
Ｉｍの酸化物超電導体となし得る複合酸化物膜を形成し
た０次にこれを０２気流中で８００’ＣＸ３０ｍ１ｎ熱
処理してから、２℃／ｍｉｎの冷却速度で徐冷して酸化
物超電導導体を得た。
記の条件で、マグネトロンスパッタ法により、厚さＩＩ
Ｉｍの酸化物超電導体となし得る複合酸化物膜を形成し
た０次にこれを０２気流中で８００’ＣＸ３０ｍ１ｎ熱
処理してから、２℃／ｍｉｎの冷却速度で徐冷して酸化
物超電導導体を得た。
高周波（ＲＦ）パワー：１ｏＯＷ
雰囲気：Ａｒ＋Ｏｚ＝１００ｍＴｏｒｒＯ，／（Ａｒ＋
Ｏよ）＝０．２ 基板温度二６７０℃ 実施例２ ＺｒＯ，の代わりにＴ ｉ Ｏ，をスパツクした以外は
実施例１と同様な方法でＨｏ系の酸化物超電導導体を得
た。
Ｏよ）＝０．２ 基板温度二６７０℃ 実施例２ ＺｒＯ，の代わりにＴ ｉ Ｏ，をスパツクした以外は
実施例１と同様な方法でＨｏ系の酸化物超電導導体を得
た。
実施例３
ＺｒＯよの代わりにＴ ａ 、ＯＳをスパッタした以外
は実施例１と同様な方法でＨｏ系の酸化物超電導導体を
得た。
は実施例１と同様な方法でＨｏ系の酸化物超電導導体を
得た。
実施例４
ＺｒＯ，セラミックステープ（厚さ０．２ ｍ ｍ ）
上に、ＳｒＯ，を１．ｃｒｍスパッタし、これを９００
℃×５ｈ「大気中で加熱してから、以後実施例１と同様
な方法でＨｏ系の酸化物超電導導体を得た。
上に、ＳｒＯ，を１．ｃｒｍスパッタし、これを９００
℃×５ｈ「大気中で加熱してから、以後実施例１と同様
な方法でＨｏ系の酸化物超電導導体を得た。
実施例５
ＳｒＯ，の代わりにＢａＯ：０．５μｍ５Ｃａ ：０、
５ ｐ ｍを順次スパッタした以外は実施例４と同様な
方法でＨｏ系の酸化物超電導導体を得た。
５ ｐ ｍを順次スパッタした以外は実施例４と同様な
方法でＨｏ系の酸化物超電導導体を得た。
比較例１
耐熱Ｎｉ合金（ハステロイＣ合金）テープ上に、Ｚｒ０
ｔのみを１．５ ｔｔ ｍの厚さにスパッタしてから、
その表面にＨｏ系の酸化物超電導体膜を実施例１と同様
な方法で形成した。
ｔのみを１．５ ｔｔ ｍの厚さにスパッタしてから、
その表面にＨｏ系の酸化物超電導体膜を実施例１と同様
な方法で形成した。
比較例２
耐熱Ｎｉ合金（ハステロイＣ合金）テープ上に、ＢａＯ
のみを０．６μｍの厚さにスパッタしてから、その表面
にＨｏ系の酸化物超電導体膜を実施例１と同様な方法で
形成した。
のみを０．６μｍの厚さにスパッタしてから、その表面
にＨｏ系の酸化物超電導体膜を実施例１と同様な方法で
形成した。
比較例３
耐熱Ｎｉ合金（ハステロイＣ合金）テープ上に、直接Ｈ
ａ系の酸化物超電導体膜を実施例１と同様な方法で形成
した。
ａ系の酸化物超電導体膜を実施例１と同様な方法で形成
した。
比較例４
Ｚｒ０ｇセラミックステープ（厚さ０．２ｍｍ）上に、
直接Ｈｏ系の酸化物超電導体膜を実施例１と同様な方法
で形成した。
直接Ｈｏ系の酸化物超電導体膜を実施例１と同様な方法
で形成した。
上記実施例１〜５及び比較例１〜４で得られた酸化物超
電導導体について、臨界温度（ＴＣ）及び液体窒素中（
７７°Ｋ）での臨界電流密度（ＪＣ）を測定し、その結
果をまとめて第１表に示した。
電導導体について、臨界温度（ＴＣ）及び液体窒素中（
７７°Ｋ）での臨界電流密度（ＪＣ）を測定し、その結
果をまとめて第１表に示した。
第
表
（※）超電導体の構造検出されず
第１表から明らかな様に、本発明の方法により製造した
酸化物超電導導体（実施例１〜５品）は、いずれもＣ軸
が基板に垂直な方向に配向した結晶構造を有しており、
Ｔｃ、Ｊｃ共に大きな値を示しているのに対して、比較
例１〜４品は著しく劣った結果しか得られていない、特
に比較例２品及び３品では酸化物超電導体となし得る複
合酸化物が基材と反応して超電導相が消失し、液体Ｈｅ
温度迄冷却しても超電導特性を示さなかった。又比較例
１品及び４品は前記超電導相の消失はまぬがれたが、Ｔ
ｃ、Ｊｃ共に極めて不充分な値しか得られなかった。比
較例１品では、Ｃ軸配向は得られたが酸化物超電導体と
基材（Ｎｉ）との反応を完全に防止出来なく、更にＺｒ
Ｏ□自体が一部前記酸化物超電導体と反応する為、上記
の特性しか得られなかった。比較例４品では、基材テー
プ表面が粗（てポアーが存在する等、その表面構造が不
充分で配向性が得られなく、液体窒素温度以下のＴｃＬ
か得られなかった。
酸化物超電導導体（実施例１〜５品）は、いずれもＣ軸
が基板に垂直な方向に配向した結晶構造を有しており、
Ｔｃ、Ｊｃ共に大きな値を示しているのに対して、比較
例１〜４品は著しく劣った結果しか得られていない、特
に比較例２品及び３品では酸化物超電導体となし得る複
合酸化物が基材と反応して超電導相が消失し、液体Ｈｅ
温度迄冷却しても超電導特性を示さなかった。又比較例
１品及び４品は前記超電導相の消失はまぬがれたが、Ｔ
ｃ、Ｊｃ共に極めて不充分な値しか得られなかった。比
較例１品では、Ｃ軸配向は得られたが酸化物超電導体と
基材（Ｎｉ）との反応を完全に防止出来なく、更にＺｒ
Ｏ□自体が一部前記酸化物超電導体と反応する為、上記
の特性しか得られなかった。比較例４品では、基材テー
プ表面が粗（てポアーが存在する等、その表面構造が不
充分で配向性が得られなく、液体窒素温度以下のＴｃＬ
か得られなかった。
実施例６
耐熱Ｎｉ合金（ハステロイＣ合金）テープ上に、Ｚｒ０
ｚを１．５ｐｍの厚さにスパッタしてから、ＢａＯを０
．６ ｔｔ ｍスパツクした。これを９００°Ｃ×２ｈ
ｒ大気中で加熱してから、その表面にＹＢａ ｔ、。Ｃ
ｕｘ、ｓｏｗなる配合のターゲットを用い、下記の条件
で、マグネトロンスパッタ法により、厚さｌｌ１ｍの酸
化物超電導体となし得る複合酸化物膜を形成した０次に
これを０２気流中で８５０°ＣＸ１５ｍ１ｎ熱処理して
から、２℃／ ｍ ｉ ｎの冷却速度で徐冷して酸化物
超電導導体を得た。
ｚを１．５ｐｍの厚さにスパッタしてから、ＢａＯを０
．６ ｔｔ ｍスパツクした。これを９００°Ｃ×２ｈ
ｒ大気中で加熱してから、その表面にＹＢａ ｔ、。Ｃ
ｕｘ、ｓｏｗなる配合のターゲットを用い、下記の条件
で、マグネトロンスパッタ法により、厚さｌｌ１ｍの酸
化物超電導体となし得る複合酸化物膜を形成した０次に
これを０２気流中で８５０°ＣＸ１５ｍ１ｎ熱処理して
から、２℃／ ｍ ｉ ｎの冷却速度で徐冷して酸化物
超電導導体を得た。
高周波（ＲＦ）パワー：１００Ｗ
雰囲気：Ａｒ＋Ｏｚ＝１００ｍＴｏｒｒＯＫ／ （Ａ
ｒ ＋ Ｏｘ） ＝ ０．２基板温度：６７０°Ｃ 実施例７ ＺｒＯ□セラミックステープ（厚さ０．２ｍｍ）上に、
５ｒＯ１を１μｍスパスパッタこれを９００’ＣＸ５ｈ
ｒ大気中で加熱してから、以後実施例６と同様な方法で
Ｙ系の酸化物超電導導体を得た。
ｒ ＋ Ｏｘ） ＝ ０．２基板温度：６７０°Ｃ 実施例７ ＺｒＯ□セラミックステープ（厚さ０．２ｍｍ）上に、
５ｒＯ１を１μｍスパスパッタこれを９００’ＣＸ５ｈ
ｒ大気中で加熱してから、以後実施例６と同様な方法で
Ｙ系の酸化物超電導導体を得た。
上記実施例６．７で得られた酸化物超電導導体について
、臨界温度（Ｔ ｃ ）及び液体窒素中（７７°Ｋ）で
の臨界電流密度（ＪＣ）を測定し、その結果をまとめて
第２表に示した。
、臨界温度（Ｔ ｃ ）及び液体窒素中（７７°Ｋ）で
の臨界電流密度（ＪＣ）を測定し、その結果をまとめて
第２表に示した。
第２表
強度や可撓性、電磁気的特性等の点で大きな制約を受け
ていたが、本発明の方法によれば、金属やセラミックス
の他、ＳｔやＧａＡｓ等の半導体基板上にも成膜する事
が可能であって、広範な応用に応える事が出来、工業上
顕著な効果を奏するものである。
ていたが、本発明の方法によれば、金属やセラミックス
の他、ＳｔやＧａＡｓ等の半導体基板上にも成膜する事
が可能であって、広範な応用に応える事が出来、工業上
顕著な効果を奏するものである。
第１図〜第４図は本発明の実施態様を例示する断面図で
ある。 １−・−基体、２−・表面層、３−・中間層、４−・・
反応層、５・−・酸化物超電導体となし得る複合酸化物
。 〔発明の効果〕 本発明の方法によれば、結晶配向性を有していて、実用
に供し得る優れた超電導特性を有する酸化物超電導体膜
を任意の基材上に形成する事が出来る。 即ち従来はもっばらＭｇＯやＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏｓ等の
一部の単結晶基板上にのみ成膜されており、機械的特許
出願人 古河電気工業株式会社 第１図 第２図 第３図 第４図
ある。 １−・−基体、２−・表面層、３−・中間層、４−・・
反応層、５・−・酸化物超電導体となし得る複合酸化物
。 〔発明の効果〕 本発明の方法によれば、結晶配向性を有していて、実用
に供し得る優れた超電導特性を有する酸化物超電導体膜
を任意の基材上に形成する事が出来る。 即ち従来はもっばらＭｇＯやＳ ｒ Ｔ ｉ Ｏｓ等の
一部の単結晶基板上にのみ成膜されており、機械的特許
出願人 古河電気工業株式会社 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 少なくとも表面層がＺｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂの群
から選ばれたいずれかの金属の１種又は２種以上或いは
その酸化物からなる基体上に、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａの群か
ら選ばれたいずれかのアルカリ土類金属の１種又は２種
以上又はその酸化物の内いずれか１種或いは２種以上を
付着せしめ、これを加熱して反応せしめた後、その上に
気相法又は液相法により酸化物超電導体となし得る複合
酸化物を所望厚さコーティングし、引続き所定の加熱処
理を施す事を特徴とする酸化物超電導導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1038098A JPH02217306A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 酸化物超電導導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1038098A JPH02217306A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 酸化物超電導導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02217306A true JPH02217306A (ja) | 1990-08-30 |
Family
ID=12516002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1038098A Pending JPH02217306A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 酸化物超電導導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02217306A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0417217A (ja) * | 1990-05-10 | 1992-01-22 | Chodendo Hatsuden Kanren Kiki Zairyo Gijutsu Kenkyu Kumiai | 酸化物系超電導膜及びその製造方法 |
| JPH04160004A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-06-03 | Chodendo Hatsuden Kanren Kiki Zairyo Gijutsu Kenkyu Kumiai | 酸化物超電導体及びその製造方法 |
| US6743533B1 (en) | 1999-04-15 | 2004-06-01 | Fujikura Ltd. | Oxide superconductor, manufacturing method thereof, and base substrate therefor |
-
1989
- 1989-02-17 JP JP1038098A patent/JPH02217306A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0417217A (ja) * | 1990-05-10 | 1992-01-22 | Chodendo Hatsuden Kanren Kiki Zairyo Gijutsu Kenkyu Kumiai | 酸化物系超電導膜及びその製造方法 |
| JPH04160004A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-06-03 | Chodendo Hatsuden Kanren Kiki Zairyo Gijutsu Kenkyu Kumiai | 酸化物超電導体及びその製造方法 |
| US6743533B1 (en) | 1999-04-15 | 2004-06-01 | Fujikura Ltd. | Oxide superconductor, manufacturing method thereof, and base substrate therefor |
| EP1178494A4 (en) * | 1999-04-15 | 2007-02-28 | Fujikura Ltd | OXID SUPERCIALITER, ITS MANUFACTURING METHOD AND BASE MATERIAL FOR OXID SUPERCONDUCTORS |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1326976C (en) | Superconducting member | |
| CN1022654C (zh) | 隧道型约瑟夫森器件及其制造方法 | |
| JP2711253B2 (ja) | 超伝導膜及びその形成方法 | |
| JPH02217306A (ja) | 酸化物超電導導体の製造方法 | |
| JPH01167221A (ja) | 超電導薄膜の作製方法 | |
| JP2544759B2 (ja) | 超電導薄膜の作成方法 | |
| JPS63301424A (ja) | 酸化物超伝導体薄膜の製造方法 | |
| JPH01166419A (ja) | 超電導薄膜の作製方法 | |
| JP2545423B2 (ja) | 複合酸化物超電導薄膜とその作製方法 | |
| JPH01167218A (ja) | 超電導薄膜の作製方法 | |
| JP2544760B2 (ja) | 超電導薄膜の作製方法 | |
| JPH04179004A (ja) | 酸化物超電導テープ導体 | |
| JP2544761B2 (ja) | 超電導薄膜の作製方法 | |
| JPH07315809A (ja) | 酸化物高温超電導膜 | |
| JPH01246371A (ja) | 酸化物超伝導膜の作製方法 | |
| JPH01188661A (ja) | 複合酸化物超電導薄膜とその作製方法 | |
| JPS63279519A (ja) | 超電導体装置 | |
| JPH02152110A (ja) | 酸化物超電導成形体及びその製造方法 | |
| JPH0244782A (ja) | 超伝導素子およびその製造方法 | |
| JPH01220872A (ja) | 酸化物系超電導材 | |
| JPH02239116A (ja) | 超電導物品の製造方法 | |
| JPH03112810A (ja) | 酸化物超伝導膜の作製方法 | |
| JPH02212307A (ja) | 酸化物超伝導薄膜 | |
| JPH0244781A (ja) | 超伝導素子およびその製造方法 | |
| JPH02216712A (ja) | 酸化物高温超伝導体の製造方法 |