JPH0472778A - 強誘電体記憶装置 - Google Patents
強誘電体記憶装置Info
- Publication number
- JPH0472778A JPH0472778A JP2186518A JP18651890A JPH0472778A JP H0472778 A JPH0472778 A JP H0472778A JP 2186518 A JP2186518 A JP 2186518A JP 18651890 A JP18651890 A JP 18651890A JP H0472778 A JPH0472778 A JP H0472778A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ferroelectric film
- memory device
- ferroelectric
- semiconductor device
- ferroelectric memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置上に強誘電体膜を形成した記憶装置
の強誘電体膜材料に関する。
の強誘電体膜材料に関する。
従来、半導体装置上に強誘電体膜を形成した、記憶装置
の強誘電体膜材料としては、古（は硝酸カリウムが用い
られ、最近は鉛、ジルコニア・チタン酸化物（ＰＺＴ）
や鉛、ゲルマニウム酸（１あるいはビスマス・チタン酸
化物が用いられている。
の強誘電体膜材料としては、古（は硝酸カリウムが用い
られ、最近は鉛、ジルコニア・チタン酸化物（ＰＺＴ）
や鉛、ゲルマニウム酸（１あるいはビスマス・チタン酸
化物が用いられている。
しかし、上記従来技術によると、とりわけＰＺＴを例に
とると、該強誘電体膜にはリーク電流が発生し、該リー
ク電流を防止する為にＰＺＴにランタンを添加したＰＬ
ＺＴもあるが、スイッチング回数が１０８回を越すと蓄
積電荷量が急激に減少したり、比較的高い電圧での書き
込みを要したり、スイッチング時の機械的変形が太き（
劣化し易く、信頼度的に実用域に達していないと云う課
題がある。
とると、該強誘電体膜にはリーク電流が発生し、該リー
ク電流を防止する為にＰＺＴにランタンを添加したＰＬ
ＺＴもあるが、スイッチング回数が１０８回を越すと蓄
積電荷量が急激に減少したり、比較的高い電圧での書き
込みを要したり、スイッチング時の機械的変形が太き（
劣化し易く、信頼度的に実用域に達していないと云う課
題がある。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、スイッチン
グ時の機械的変形による劣化が少な（、且つ書き込み電
圧も低い新しい強誘電体膜材料を提供する事を目的とす
る。
グ時の機械的変形による劣化が少な（、且つ書き込み電
圧も低い新しい強誘電体膜材料を提供する事を目的とす
る。
上記目的を達成する為に本発明は強誘電体記憶装置に関
し、マグネシウム・ニオブ・鉛酸化物にチタンを添加し
た強誘電体膜を半導体装置上に形成する手段を取る事を
基本とする。
し、マグネシウム・ニオブ・鉛酸化物にチタンを添加し
た強誘電体膜を半導体装置上に形成する手段を取る事を
基本とする。
本発明により高信頼度の強誘電体記憶装置を提供する事
ができる効果がある。
ができる効果がある。
以下、実施例により本発明を詳述する。
いま、半導体装置の表面電極上に、チタンを少量添加し
たマグネシウム・ニオブ・鉛酸化物膜をスパッタ法、化
学蒸着法あるいは塗布法等により５０００Ｘ厚程度形成
し、焼成後、該膜上に上部電極を形成して、強誘電体記
憶装置を形成すると、該強誘電体膜への書き込み電圧は
５ｖ以下の低電圧にて充分な蓄積電荷量が得られると共
に、該強誘電体膜の機械的変形も少なく、スイッチング
作用により自己崩壊する事も無（、高信頼度の強誘電体
記憶装置となすことができる。
たマグネシウム・ニオブ・鉛酸化物膜をスパッタ法、化
学蒸着法あるいは塗布法等により５０００Ｘ厚程度形成
し、焼成後、該膜上に上部電極を形成して、強誘電体記
憶装置を形成すると、該強誘電体膜への書き込み電圧は
５ｖ以下の低電圧にて充分な蓄積電荷量が得られると共
に、該強誘電体膜の機械的変形も少なく、スイッチング
作用により自己崩壊する事も無（、高信頼度の強誘電体
記憶装置となすことができる。
本発明はマグネシウム・ニオブ・鉛酸化物にチタンを添
加した材料を用いる事を基本とするが。
加した材料を用いる事を基本とするが。
その他の添加物を加えても良い事は云うまでもない。
以上
Claims (1)
- マグネシウム・ニオブ・鉛酸化物にチタンを添加した
強誘電体膜を半導体装置上に形成した事を特徴とする強
誘電体記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2186518A JPH0472778A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 強誘電体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2186518A JPH0472778A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 強誘電体記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0472778A true JPH0472778A (ja) | 1992-03-06 |
Family
ID=16189903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2186518A Pending JPH0472778A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 強誘電体記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0472778A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5661319A (en) * | 1992-06-18 | 1997-08-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device having capacitor |
-
1990
- 1990-07-13 JP JP2186518A patent/JPH0472778A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5661319A (en) * | 1992-06-18 | 1997-08-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device having capacitor |
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