JPH0624222B2 - 薄膜コンデンサの製造方法 - Google Patents
薄膜コンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPH0624222B2 JPH0624222B2 JP1217918A JP21791889A JPH0624222B2 JP H0624222 B2 JPH0624222 B2 JP H0624222B2 JP 1217918 A JP1217918 A JP 1217918A JP 21791889 A JP21791889 A JP 21791889A JP H0624222 B2 JPH0624222 B2 JP H0624222B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- dielectric constant
- silicon
- heat treatment
- film capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 32
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 16
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 4
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- YDZQQRWRVYGNER-UHFFFAOYSA-N iron;titanium;trihydrate Chemical compound O.O.O.[Ti].[Fe] YDZQQRWRVYGNER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野） 本発明は、超小型電子回路に用いる薄膜コンデンサの製
造方法に関する。
造方法に関する。
(従来の技術) 集積回路技術の発達によって電子回路が、ますます小形
化しており、各種電子回路に必須の回路素子であるコン
デンサの小形化も一段と重要になっている。誘電体薄膜
を用いた薄膜コンデンサが、トランジスタ等の能動素子
と同一の基板上に形成されて利用されているが、能動素
子の小形化が急速に進む中で薄膜コンデンサの小形化は
遅れており、より一層の高集積化を阻む大きな要因とな
ってきている。これは、従来用いられている誘電体薄膜
材料がSiO2、Si3N4等のような誘電率がたかだか10以下
の材料に限られているためであり、薄膜コンデンサを小
形化するためには誘電率の大きな誘電体薄膜を開発する
ことが必要である。化学式ＡＢＯ3で表されるペロブス
カイト型酸化物であるBaTiO3、SrTiO3、PbTiO3、PbZrO3
およびイルメナイト型酸化物LlNbO3あるいはBi4Ti3O12
等の強誘電体に属する酸化物は、上記の単一組成ならび
に相互の固溶体組成で、単結晶あるいはセラミックにお
いて100以上10000にも及ぶ誘電率を有することが知られ
ており、セラミック・コンデンサに広く用いられてい
る。これら材料の薄膜化は上述の薄膜コンデンサの小形
化に極めて有効であり、かなり以前から研究が行われて
いる。それらの中で比較的良好な特性が得られている例
としては、プロシーディング・オブ・アイ・イー・イー
・イー(Proceedings of thw IEEE)第59巻10号1440-1447
頁に所載の論文があり、スパッタリングによる成膜およ
び熱処理を行ったBaTiO3薄膜で16(室温で作成)から1900
(1200℃熱処理)の誘電率が得られている。
化しており、各種電子回路に必須の回路素子であるコン
デンサの小形化も一段と重要になっている。誘電体薄膜
を用いた薄膜コンデンサが、トランジスタ等の能動素子
と同一の基板上に形成されて利用されているが、能動素
子の小形化が急速に進む中で薄膜コンデンサの小形化は
遅れており、より一層の高集積化を阻む大きな要因とな
ってきている。これは、従来用いられている誘電体薄膜
材料がSiO2、Si3N4等のような誘電率がたかだか10以下
の材料に限られているためであり、薄膜コンデンサを小
形化するためには誘電率の大きな誘電体薄膜を開発する
ことが必要である。化学式ＡＢＯ3で表されるペロブス
カイト型酸化物であるBaTiO3、SrTiO3、PbTiO3、PbZrO3
およびイルメナイト型酸化物LlNbO3あるいはBi4Ti3O12
等の強誘電体に属する酸化物は、上記の単一組成ならび
に相互の固溶体組成で、単結晶あるいはセラミックにお
いて100以上10000にも及ぶ誘電率を有することが知られ
ており、セラミック・コンデンサに広く用いられてい
る。これら材料の薄膜化は上述の薄膜コンデンサの小形
化に極めて有効であり、かなり以前から研究が行われて
いる。それらの中で比較的良好な特性が得られている例
としては、プロシーディング・オブ・アイ・イー・イー
・イー(Proceedings of thw IEEE)第59巻10号1440-1447
頁に所載の論文があり、スパッタリングによる成膜およ
び熱処理を行ったBaTiO3薄膜で16(室温で作成)から1900
(1200℃熱処理)の誘電率が得られている。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上記のような従来作製されているBaTiO3
等の高誘電率薄膜は、高誘電率薄膜作成時に高温を必要
とするためにいずれも白金、パラジウム、金などの貴金
属材料からなる下部電極の上に作製されたものである。
このような貴金属材料の電極は、現在そのほとんどがシ
リコン基板を用いて作製されている各種の集積回路には
適合せず、したがって上記の従来技術による高誘電率薄
膜を集積回路に適用することは不可能である。上記貴金
属材料が集積回路に適合しない理由としては、それらが
不純物となってシリコン・トランジスタの動作不良を引
起こすこと、ならびにそれら貴金属の微細加工技術が確
立されていないこと等があげられる。
等の高誘電率薄膜は、高誘電率薄膜作成時に高温を必要
とするためにいずれも白金、パラジウム、金などの貴金
属材料からなる下部電極の上に作製されたものである。
このような貴金属材料の電極は、現在そのほとんどがシ
リコン基板を用いて作製されている各種の集積回路には
適合せず、したがって上記の従来技術による高誘電率薄
膜を集積回路に適用することは不可能である。上記貴金
属材料が集積回路に適合しない理由としては、それらが
不純物となってシリコン・トランジスタの動作不良を引
起こすこと、ならびにそれら貴金属の微細加工技術が確
立されていないこと等があげられる。
シリコン集積回路に広く用いられている電極材料は多結
晶シリコンあるいはシリコン基板自体の一部に不純物を
高濃度にドーピングした低抵抗シリコン層である。以下
これらを総してシリコン電極と呼ぶ。シリコン電極は微
細加工技術が確立されており、すでに広く用いられてい
るため、シリコン電極上に良好な高誘導率薄膜が形成で
きれば、集積回路用コンデンサへの利用が可能となる。
しかしながら、従来技術では、例えばIBM・ジャーナル・
オブ・リサーチ・アンド・ディベロップメント(IBM Journa
l of Research and Development)1969年11月号686-695
頁に所載のSrTiO3膜に関する論文において、その687-68
8頁の記載に、シリコン上に高誘電率材料の薄膜を形成
する場合には約100Åの二酸化シリコン(SiO2)に等価な
層が界面に形成されてしまうと報告されている。この界
面層は誘電率が低い層であるため、結果としてシリコン
上に形成した高誘電率薄膜の実効的な誘電率は大きく低
下してしまい、高誘電率材料が用いる利点がほとんど損
なわれていた。同様の報告の他の例としては、ジャーナ
ル・オブ・バキュームサイエンス・アンド・テクノロジー(J
ournal of Vacuum Science and Technology)第16巻2 号
315-318頁に所載のBaTiO3に関する論文において、316頁
の記載にみることができる。
晶シリコンあるいはシリコン基板自体の一部に不純物を
高濃度にドーピングした低抵抗シリコン層である。以下
これらを総してシリコン電極と呼ぶ。シリコン電極は微
細加工技術が確立されており、すでに広く用いられてい
るため、シリコン電極上に良好な高誘導率薄膜が形成で
きれば、集積回路用コンデンサへの利用が可能となる。
しかしながら、従来技術では、例えばIBM・ジャーナル・
オブ・リサーチ・アンド・ディベロップメント(IBM Journa
l of Research and Development)1969年11月号686-695
頁に所載のSrTiO3膜に関する論文において、その687-68
8頁の記載に、シリコン上に高誘電率材料の薄膜を形成
する場合には約100Åの二酸化シリコン(SiO2)に等価な
層が界面に形成されてしまうと報告されている。この界
面層は誘電率が低い層であるため、結果としてシリコン
上に形成した高誘電率薄膜の実効的な誘電率は大きく低
下してしまい、高誘電率材料が用いる利点がほとんど損
なわれていた。同様の報告の他の例としては、ジャーナ
ル・オブ・バキュームサイエンス・アンド・テクノロジー(J
ournal of Vacuum Science and Technology)第16巻2 号
315-318頁に所載のBaTiO3に関する論文において、316頁
の記載にみることができる。
本発明はBaTiO3、SrTiO3に代表される強誘電体に属する
高誘電率材料の薄膜をシリコン電極上に形成する場合に
おいて、界面に生成する低誘電率の層の影響を極めて小
さくすることを可能とし、これをもって集積回路に適用
可能な小形の薄膜コンデンサを実現さることを目的とし
ている。
高誘電率材料の薄膜をシリコン電極上に形成する場合に
おいて、界面に生成する低誘電率の層の影響を極めて小
さくすることを可能とし、これをもって集積回路に適用
可能な小形の薄膜コンデンサを実現さることを目的とし
ている。
(課題を解決するための手段) 上記問題点を解決するために本発明の薄膜コンデンサの
製造方法は、シリコンからなる下部電極上にＢａＴｉＯ
3、ＳｒＴｉＯ3、ＰｂＴｉＯ3、ＰｂＺｒＯ3、ＬｉＮｂ
Ｏ3、Ｂｉ4Ｔｉ3Ｏ12から選ばれた一つの組成、あるい
は固溶体からなる高誘電率誘電体薄膜300℃以上500℃以
下の基板温度で作製し、その後550℃以上650℃以下の温
度で熱処理を施し、しかる後に上部電極を形成すること
によって作成することを特徴として構成される。
製造方法は、シリコンからなる下部電極上にＢａＴｉＯ
3、ＳｒＴｉＯ3、ＰｂＴｉＯ3、ＰｂＺｒＯ3、ＬｉＮｂ
Ｏ3、Ｂｉ4Ｔｉ3Ｏ12から選ばれた一つの組成、あるい
は固溶体からなる高誘電率誘電体薄膜300℃以上500℃以
下の基板温度で作製し、その後550℃以上650℃以下の温
度で熱処理を施し、しかる後に上部電極を形成すること
によって作成することを特徴として構成される。
以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明する。
(実施例) 不純物としてリン(P)を高濃度にドーピングして形成し
た低抵抗層を表面に有するシリコン基板上に、ＲＦマグ
ネトロン・スパッタ法によって50〜500nmのSrTiO3薄膜を
作製した。作製する際の基板温度を変化させると共に、
種々の温度で熱処理を行った。上部電極としてアルミニ
ウム(Al)を形成して実効誘電率とリーク電流の評価を行
った。
た低抵抗層を表面に有するシリコン基板上に、ＲＦマグ
ネトロン・スパッタ法によって50〜500nmのSrTiO3薄膜を
作製した。作製する際の基板温度を変化させると共に、
種々の温度で熱処理を行った。上部電極としてアルミニ
ウム(Al)を形成して実効誘電率とリーク電流の評価を行
った。
第1図は種々の基板温度で作製したSrTiO3薄膜の、熱処
理を施さない状態で評価した実効誘電率と膜厚の関係を
示す。曲線1は基板温度400℃で作成した膜について、曲
線2は同600℃で作製した膜について、曲線3は同700℃で
作成した膜についてのデータを示す。いずれの膜におい
ても実効誘電率の膜厚依存性が顕著であり、すでに説明
した従来技術と同様に界面に低い誘電率の層が依存する
ことが明らかである。特に膜厚の小さい領域で界面低誘
電率層の影響が大きい。また、基板温度700℃では全体
的に実効誘電率の低下が著しく、高温における界面の著
しい反応を示唆している。
理を施さない状態で評価した実効誘電率と膜厚の関係を
示す。曲線1は基板温度400℃で作成した膜について、曲
線2は同600℃で作製した膜について、曲線3は同700℃で
作成した膜についてのデータを示す。いずれの膜におい
ても実効誘電率の膜厚依存性が顕著であり、すでに説明
した従来技術と同様に界面に低い誘電率の層が依存する
ことが明らかである。特に膜厚の小さい領域で界面低誘
電率層の影響が大きい。また、基板温度700℃では全体
的に実効誘電率の低下が著しく、高温における界面の著
しい反応を示唆している。
第2図は300℃〜600℃の基板温度で作製したSrTiO3薄膜
を熱処理した後の、実効誘電率と膜厚の関係を示す。曲
線1は熱処理温度550℃〜650℃の場合について、曲線2は
同700℃〜800℃の場合についてのデータを示す。第1図
と比較すると明らかなように550℃〜650℃での熱処理に
よって特に膜厚の小さい領域での実効誘電率が増大す
る。曲線2のデータからわかるように、さらに高い熱処
理温度では再び実効誘電率が低下する。以上の結果は、
550〜650℃の熱処理で界面の低誘電率層の結晶化が生じ
て実効誘電率の増大をもたらすが、700℃以上の熱処理
では界面の反応が顕著となるために実効誘電率が低下す
るものと解釈される。なお、550℃以下の熱処理温度で
は曲線2と同等以下の実施誘電率であった。
を熱処理した後の、実効誘電率と膜厚の関係を示す。曲
線1は熱処理温度550℃〜650℃の場合について、曲線2は
同700℃〜800℃の場合についてのデータを示す。第1図
と比較すると明らかなように550℃〜650℃での熱処理に
よって特に膜厚の小さい領域での実効誘電率が増大す
る。曲線2のデータからわかるように、さらに高い熱処
理温度では再び実効誘電率が低下する。以上の結果は、
550〜650℃の熱処理で界面の低誘電率層の結晶化が生じ
て実効誘電率の増大をもたらすが、700℃以上の熱処理
では界面の反応が顕著となるために実効誘電率が低下す
るものと解釈される。なお、550℃以下の熱処理温度で
は曲線2と同等以下の実施誘電率であった。
第3図は550〜650℃で熱処理した膜厚100nmの膜につい
て、10Ｖの電圧を印加した時のリーク電流と作製時の基
板温度との関係を示したものである。300℃以下の基板
温度で作製した膜では熱処理時に大きな歪みが発生し、
ひどい場合にはクラックを生じるためにリーク電流が大
きくなる。一方、500℃以上の基板温度で作製した膜で
は作製時におけるシリコンとの反応によりリーク電流が
大きいものと解釈される。第3図から、300〜500℃の基
板温度で作製した膜においてのみ、実用レベルのリーク
電流(10-9A/cm2以下)に抑えることができることがわか
る。
て、10Ｖの電圧を印加した時のリーク電流と作製時の基
板温度との関係を示したものである。300℃以下の基板
温度で作製した膜では熱処理時に大きな歪みが発生し、
ひどい場合にはクラックを生じるためにリーク電流が大
きくなる。一方、500℃以上の基板温度で作製した膜で
は作製時におけるシリコンとの反応によりリーク電流が
大きいものと解釈される。第3図から、300〜500℃の基
板温度で作製した膜においてのみ、実用レベルのリーク
電流(10-9A/cm2以下)に抑えることができることがわか
る。
以上のデータを総合的に見ることにより、実用的に意味
ある薄厚である100nm付近において実用的に価値ある値
として100以上の高い実効誘電率と同時に低いリーク電
流を達成する作製方法として、300℃以上500℃以下の基
板温度で成膜した後に550℃以上650℃以下の温度で熱処
理を施すという本発明がなされたものである。
ある薄厚である100nm付近において実用的に価値ある値
として100以上の高い実効誘電率と同時に低いリーク電
流を達成する作製方法として、300℃以上500℃以下の基
板温度で成膜した後に550℃以上650℃以下の温度で熱処
理を施すという本発明がなされたものである。
以上はSrTiO3薄膜について説明したが、この他にBaTi
O3、PbTiO3、PbZrO3、LiNbO3、Bi4Ti3O12および固溶体
(Ba、Sr)TiO3、(Ba、Pb)TiO3、Pb(Zr、Ti)O3について同
様の作製、評価を行った結果、SrTiO3の場合と同様の作
製方法において最も高い実効誘電率と低いリーク電流が
得られることが確認された。すなわち本発明による薄膜
コンデンサの製造方法は、上記のような強誘電体に属す
る高誘電率酸化物の広い範囲の材料について有効であ
る。なお、本実施例では薄膜の作製方法としてRFマグネ
トロン・スパッタ法を用いたが、本発明はスパッタ法、
イオンビームスパッタ法、蒸着法などの物理的気相成長
法のすべての手法が適用できることは言うまでもない。
O3、PbTiO3、PbZrO3、LiNbO3、Bi4Ti3O12および固溶体
(Ba、Sr)TiO3、(Ba、Pb)TiO3、Pb(Zr、Ti)O3について同
様の作製、評価を行った結果、SrTiO3の場合と同様の作
製方法において最も高い実効誘電率と低いリーク電流が
得られることが確認された。すなわち本発明による薄膜
コンデンサの製造方法は、上記のような強誘電体に属す
る高誘電率酸化物の広い範囲の材料について有効であ
る。なお、本実施例では薄膜の作製方法としてRFマグネ
トロン・スパッタ法を用いたが、本発明はスパッタ法、
イオンビームスパッタ法、蒸着法などの物理的気相成長
法のすべての手法が適用できることは言うまでもない。
(発明の効果) 以上説明したように本発明によれば、シリコンからなる
下部電極の上に実効誘電率が高くリーク電流の小さい高
誘電率電体薄膜か作製でき、したがって集積回路に適し
た小形の薄膜コンデンサの製造が可能となり、一層の高
集積化に貢献することができる。
下部電極の上に実効誘電率が高くリーク電流の小さい高
誘電率電体薄膜か作製でき、したがって集積回路に適し
た小形の薄膜コンデンサの製造が可能となり、一層の高
集積化に貢献することができる。
第1図は熱処理を施す前のSrTiO3膜の実効誘電率と膜厚
の関係を示す図、第2図は300〜600℃の基板温度で作製
したSrTiO3膜の熱処理後の実効誘電率と膜厚の関係を示
す図、第3図は550〜650℃で熱処理を施したSrTiO3膜に
ついて、作製時の基板温度とリーク電流の関係を示す
図。
の関係を示す図、第2図は300〜600℃の基板温度で作製
したSrTiO3膜の熱処理後の実効誘電率と膜厚の関係を示
す図、第3図は550〜650℃で熱処理を施したSrTiO3膜に
ついて、作製時の基板温度とリーク電流の関係を示す
図。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上にシリコンからなる下部電極、高誘
電率誘電体薄膜、上部電極を積層形成する工程を有する
薄膜コンデンサの製造方法において、該高誘電率誘電体
薄膜は、ＢａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＰｂＴｉＯ3、Ｐ
ｂＺｒＯ3、ＬｉＮｂＯ3、Ｂｉ4Ｔｉ3Ｏ12から選ばれた
一つの組成、あるいは固溶体からなり、該下部電極の上
に３００℃以上５００℃以下の基板温度で作成した後５
５０℃以上６５０℃以下の温度で熱処理を施し、しかる
後に上部電極を形成することを特徴とする薄膜コンデン
サの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1217918A JPH0624222B2 (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 薄膜コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1217918A JPH0624222B2 (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 薄膜コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0380562A JPH0380562A (ja) | 1991-04-05 |
| JPH0624222B2 true JPH0624222B2 (ja) | 1994-03-30 |
Family
ID=16711778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1217918A Expired - Lifetime JPH0624222B2 (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 薄膜コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0624222B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0424958A (ja) * | 1990-05-15 | 1992-01-28 | Mitsubishi Materials Corp | 容量素子の構造 |
| DE69205063T2 (de) * | 1991-05-16 | 1996-02-29 | Nippon Electric Co | Dünnschichtkondensator. |
| JPH06349218A (ja) * | 1993-04-12 | 1994-12-22 | Sony Corp | 光磁気ディスク装置 |
| JPH0855449A (ja) * | 1994-08-11 | 1996-02-27 | Sony Corp | ディスクドライブ装置 |
| US6352889B1 (en) | 1998-01-08 | 2002-03-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating capacitor and method for fabricating semiconductor device |
| CN115763445B (zh) * | 2022-11-16 | 2025-11-21 | 上海新微半导体有限公司 | 一种集成电容器及其制备方法 |
-
1989
- 1989-08-23 JP JP1217918A patent/JPH0624222B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0380562A (ja) | 1991-04-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5122923A (en) | Thin-film capacitors and process for manufacturing the same | |
| US20030184952A1 (en) | Thin film capacitor and method of manufacturing the same | |
| JPH0563205A (ja) | 半導体装置 | |
| US7545625B2 (en) | Electrode for thin film capacitor devices | |
| JPH0624222B2 (ja) | 薄膜コンデンサの製造方法 | |
| JP2874512B2 (ja) | 薄膜キャパシタ及びその製造方法 | |
| JPH0687491B2 (ja) | 薄膜コンデンサ | |
| JP3123448B2 (ja) | 薄膜キャパシタ | |
| JPH09129827A (ja) | 強誘電体キャパシタ | |
| JPH0644601B2 (ja) | 薄膜コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2500611B2 (ja) | 高誘電率薄膜 | |
| JPH0687490B2 (ja) | 薄膜コンデンサおよびその製造方法 | |
| JP3363091B2 (ja) | 誘電体メモリの製造方法 | |
| JP2000504882A (ja) | 集積回路に応用される高誘電率バリウム・ストロンチウム・ニオブ酸化物 | |
| JPH03253065A (ja) | 薄膜コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP3120568B2 (ja) | 薄膜キャパシタ | |
| JPH04287968A (ja) | 集積回路装置およびその製造方法 | |
| JP2001189422A (ja) | 薄膜キャパシタの製造方法 | |
| JP3127086B2 (ja) | 半導体メモリ素子 | |
| JPH0587166B2 (ja) | ||
| JPH03257857A (ja) | 薄膜コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP3210007B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0748448B2 (ja) | 薄膜キャパシタとその製造方法 | |
| JP2850903B2 (ja) | 薄膜キャパシタ及びその製造方法 | |
| JPH09312381A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080330 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090330 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090330 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100330 Year of fee payment: 16 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100330 Year of fee payment: 16 |