JPH0473311B2 - - Google Patents
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- JPH0473311B2 JPH0473311B2 JP58112168A JP11216883A JPH0473311B2 JP H0473311 B2 JPH0473311 B2 JP H0473311B2 JP 58112168 A JP58112168 A JP 58112168A JP 11216883 A JP11216883 A JP 11216883A JP H0473311 B2 JPH0473311 B2 JP H0473311B2
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/20—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors
- H10F30/21—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H10F30/22—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes
- H10F30/227—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices having potential barriers, e.g. phototransistors the devices being sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation the devices having only one potential barrier, e.g. photodiodes the potential barrier being a Schottky barrier
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は光電変換部材に関し、詳しくはアモル
フアスシリコンを用いた光センサに利用すること
のできる光電変換部材の改良に係る。
フアスシリコンを用いた光センサに利用すること
のできる光電変換部材の改良に係る。
近年、複写機やフアクシミリ等の光電変換部の
小形化するために原稿と同寸法の読取幅をもつた
光センサの開発がなされている。従来、光センサ
に用いられる光電変換部材としてはCdS−CdSe，
Se−As−Te等が検討されているが光応答時間が
12msと遅いため、たとえば1ms／line程度の高速
読み出しが不可能である。
小形化するために原稿と同寸法の読取幅をもつた
光センサの開発がなされている。従来、光センサ
に用いられる光電変換部材としてはCdS−CdSe，
Se−As−Te等が検討されているが光応答時間が
12msと遅いため、たとえば1ms／line程度の高速
読み出しが不可能である。
そこで最近、光応答時間が1ms以下というアモ
ルフアスシリコン（以下ａ−Siと記す。）が光電
変換部材として注目をあびてきた。ａ−Siは、
SiH4，Si2H6等のSiを含むガスをグロー放電によ
つて分解して成膜される。そして、その暗抵抗比
は最良の膜質のもので1011Ω・cm，650nmの波長
で1015photons／cm2の光に対して107Ω・cmの光抵
抗を示す。
ルフアスシリコン（以下ａ−Siと記す。）が光電
変換部材として注目をあびてきた。ａ−Siは、
SiH4，Si2H6等のSiを含むガスをグロー放電によ
つて分解して成膜される。そして、その暗抵抗比
は最良の膜質のもので1011Ω・cm，650nmの波長
で1015photons／cm2の光に対して107Ω・cmの光抵
抗を示す。
ところが、暗抵抗が1011Ω・cmであるためａ−
Si膜の上下に直接、電極ではさんで、電圧を印加
する構成の光センサでは、電極からの電荷の注入
によつて暗電流が増大してSN比が低下してしま
つたり、また、光照射のくり返しによつてａ−Si
膜が劣化してしまい、暗抵抗がさらに小さくな
り、従つてさらに暗電流が増大するとという不具
合点がある。たとえば1.5Vの動作電圧のａ−Si
を用いた従来の光センサーでは暗電流が10-9A／
mm2程度と比較的大きく、また、光照射のくり返し
を行なうと10-8A／mm2，10-7A／mm2と増大して行
く。そしてG54の螢光灯で100Lux照射した時の
光抵抗が10-7A／mm2であるから、長時間の使用に
対してほとんど実用的なSN比がとれない。
Si膜の上下に直接、電極ではさんで、電圧を印加
する構成の光センサでは、電極からの電荷の注入
によつて暗電流が増大してSN比が低下してしま
つたり、また、光照射のくり返しによつてａ−Si
膜が劣化してしまい、暗抵抗がさらに小さくな
り、従つてさらに暗電流が増大するとという不具
合点がある。たとえば1.5Vの動作電圧のａ−Si
を用いた従来の光センサーでは暗電流が10-9A／
mm2程度と比較的大きく、また、光照射のくり返し
を行なうと10-8A／mm2，10-7A／mm2と増大して行
く。そしてG54の螢光灯で100Lux照射した時の
光抵抗が10-7A／mm2であるから、長時間の使用に
対してほとんど実用的なSN比がとれない。
そこで例えばセラミツク基板上にCr電極、ａ
−Si膜、ITO膜を順次積層した後、アニールを行
なう事によりａ−Si膜とITO膜との間にシヨツト
キーバリアを形成させ、ITO電極側からの電荷の
注入を防止するという提案がなされている。
−Si膜、ITO膜を順次積層した後、アニールを行
なう事によりａ−Si膜とITO膜との間にシヨツト
キーバリアを形成させ、ITO電極側からの電荷の
注入を防止するという提案がなされている。
このような構成であればITO電極側を負極とし
て1.5Vの電圧を印加した時の暗電流は10-11A／
mm2であり、充分なSN比がとれることがわかつた。
しかしながら、連続1000時間の通電試験を行なつ
たところ、徐々にシヨツトキーバリアの障壁が
Break−Down（破壊）され、全200ビツト中30ビ
ツトが不良になつてしまうという不具合点があつ
た。また、このような構成であつても印加する電
圧を徐々に増して行くと印加電圧が10V近くでや
はりシヨツトキーバリアが破壊され、耐圧が小さ
いという不具合点があつた。
て1.5Vの電圧を印加した時の暗電流は10-11A／
mm2であり、充分なSN比がとれることがわかつた。
しかしながら、連続1000時間の通電試験を行なつ
たところ、徐々にシヨツトキーバリアの障壁が
Break−Down（破壊）され、全200ビツト中30ビ
ツトが不良になつてしまうという不具合点があつ
た。また、このような構成であつても印加する電
圧を徐々に増して行くと印加電圧が10V近くでや
はりシヨツトキーバリアが破壊され、耐圧が小さ
いという不具合点があつた。
本発明は、上記事情にもとづきなされたもの
で、その目的とするところは、光電流と暗電流と
の比が大きくSN比を向上させかつ、耐圧にすぐ
れた光電変換部材を提供しようとするものであ
る。
で、その目的とするところは、光電流と暗電流と
の比が大きくSN比を向上させかつ、耐圧にすぐ
れた光電変換部材を提供しようとするものであ
る。
本発明はかかる目的を達成するために、基板上
に、第１の電極膜、Siを母体として水素又はハロ
ゲンの少なくとも一方を含むアモルフアスシリコ
ン膜、Siを母体としてＣ，Ｏ，Ｎのいずれか１つ
以上を含むアモルフアスシリコンからなり暗抵抗
比が1011Ω・cm以上の高抵抗膜、及び透光性を有
する第２の電極膜をこの順に成膜した後、150〜
300℃の温度でアニールを行うことにより構成し
たものである。
に、第１の電極膜、Siを母体として水素又はハロ
ゲンの少なくとも一方を含むアモルフアスシリコ
ン膜、Siを母体としてＣ，Ｏ，Ｎのいずれか１つ
以上を含むアモルフアスシリコンからなり暗抵抗
比が1011Ω・cm以上の高抵抗膜、及び透光性を有
する第２の電極膜をこの順に成膜した後、150〜
300℃の温度でアニールを行うことにより構成し
たものである。
以下、本発明の一実施例を図面を参照しながら
説明する。第１図は本発明の光電変換部材として
のａ−Siを用いた光センサの層構成を示すもの
で、酸化アルミニウム等のセラミツク基板１にグ
レーズ処理をした後、第１の電極としてのCr電
極２、ａ−Si：Ｈ膜３、ａ−SixC4-x：Ｈ膜４、
及び第２の電極としての透光性のITO電極５を順
次積層した構成となつている。この時、ａ−
SixC4-x：Ｈ膜４は、バンドキヤツプ1.8eV以上、
暗抵抗比1011Ω・cm以上の高抵抗のものを用い
る。この状態では、ａ−SixC4-x：Ｈ膜４が高抵
抗膜であるため、ITO透明電極５側に正の電圧を
印加しても負の電圧を印加しても、電荷はａ−
SixC4-x：Ｈ膜４で阻止されてしまい、ａ−Si：
Ｈ膜３へ注入される事はない。
説明する。第１図は本発明の光電変換部材として
のａ−Siを用いた光センサの層構成を示すもの
で、酸化アルミニウム等のセラミツク基板１にグ
レーズ処理をした後、第１の電極としてのCr電
極２、ａ−Si：Ｈ膜３、ａ−SixC4-x：Ｈ膜４、
及び第２の電極としての透光性のITO電極５を順
次積層した構成となつている。この時、ａ−
SixC4-x：Ｈ膜４は、バンドキヤツプ1.8eV以上、
暗抵抗比1011Ω・cm以上の高抵抗のものを用い
る。この状態では、ａ−SixC4-x：Ｈ膜４が高抵
抗膜であるため、ITO透明電極５側に正の電圧を
印加しても負の電圧を印加しても、電荷はａ−
SixC4-x：Ｈ膜４で阻止されてしまい、ａ−Si：
Ｈ膜３へ注入される事はない。
ところが、ITO電極５にマイナス1.5Vの電圧
を印加し同時にG54の螢光灯100Luxを照射する
と、従来ａ−SixC4-x：Ｈ膜４のない時には
10-7A／mm2の光電流が得られるのに反し、ａ−
SixC4-x：Ｈ膜４をITO電極５とａ−Si：Ｈ膜３
の間に挾んだ第１図の構成では、ａ−Si：Ｈ膜３
中で発生したキヤリアの内正のキヤリアの、ITO
電極５への到達をも阻止されてしまい、光電流が
10-8A／mm2と１桁小さくなつてしまう。
を印加し同時にG54の螢光灯100Luxを照射する
と、従来ａ−SixC4-x：Ｈ膜４のない時には
10-7A／mm2の光電流が得られるのに反し、ａ−
SixC4-x：Ｈ膜４をITO電極５とａ−Si：Ｈ膜３
の間に挾んだ第１図の構成では、ａ−Si：Ｈ膜３
中で発生したキヤリアの内正のキヤリアの、ITO
電極５への到達をも阻止されてしまい、光電流が
10-8A／mm2と１桁小さくなつてしまう。
そこで本発明では第１図の構成でCr，ａ−
Si：Ｈ，ａ−SixC4-x：Ｈ，ITOの各層２，３，
４，５を成膜した後150〜300℃の温度でアニール
を行なう。この事によつてITO電極５とａ−
SixC4-x：Ｈ膜４及びａ−Si：Ｈ膜３の間にシヨ
ツトキーバリアが形成され、ａ−SixC4-x：Ｈ膜
４の高抵抗性とシヨツトキーバリアとの相乗効果
によつて、ITO電極５の側に負の電圧を印加した
時のみ、ａ−Si：Ｈ膜３への電荷の注入を阻止す
るというすぐれた整流性を示す事が本発明者の行
なつた実験で例証された。さらには、G54−螢光
灯100Lux照射時には、アニールすることによつ
て、光電流が10-8A／mm2から、10-7A／mm2に増大
するという事が、実験の結果わかつた。
Si：Ｈ，ａ−SixC4-x：Ｈ，ITOの各層２，３，
４，５を成膜した後150〜300℃の温度でアニール
を行なう。この事によつてITO電極５とａ−
SixC4-x：Ｈ膜４及びａ−Si：Ｈ膜３の間にシヨ
ツトキーバリアが形成され、ａ−SixC4-x：Ｈ膜
４の高抵抗性とシヨツトキーバリアとの相乗効果
によつて、ITO電極５の側に負の電圧を印加した
時のみ、ａ−Si：Ｈ膜３への電荷の注入を阻止す
るというすぐれた整流性を示す事が本発明者の行
なつた実験で例証された。さらには、G54−螢光
灯100Lux照射時には、アニールすることによつ
て、光電流が10-8A／mm2から、10-7A／mm2に増大
するという事が、実験の結果わかつた。
以下、具体例を説明する。すなわち、酸化アル
ミニウム等のセラミツク基板上に、グレーズ処理
をほどこした後Cr電極を蒸着によつて3000Å成
膜した。P.E.P.（フオト、エングリージングプロ
セス）によつて１×１mm2のCr電極、200ビツトの
パターニングを行なつた後、第２図に示す真空反
応容器１０内に、サンプル１２…をセツトした。
まず、真空反応容器１０内を図示しない拡散ポン
プ、ロータリーポンプによつて10-6torrの真空に
引くと同時にヒーター１１を動作させ、サンプル
１２であるCr電極２…のパターニングの終つた
セラミツク基板１を250℃の温度に昇温しておく。
ついで、バルブ１３を開にし、ガス導入管１７よ
り純シラン（SiH4）ガスを30SCCMの流量で真空反
応容器１０内へ導入すると同時に、排気系を図示
しない拡散ポンプ、ロータリーポンプ系からメカ
ニカルブースターポンプ、ロータリーポンプ系へ
切り替える。バルブ１４の開閉によつて真空反応
容器１０内のガス圧が0.3torrになる様調整した
後、サンプル１２と対向した電極１５へ高周波電
波１６を介して周波数13.56MHzの高周波出力
（R.F.Power）10Wを印加する。約１時間ａ−
Si：Ｈ膜３を1μm成膜を行なつた後、バルブ１４
を全開にしSiH4ガスを止めずに同一のガス導入
管１７よりCH4ガスを30SCCMの流量で真空反応容
器１０内へ導入する。再度バルブ１４の開閉を調
整し、真空反応容器１０内のSiH4とCH4の混合
ガスのガス圧を1.0torrにした。次いで再度高周
波電源１６を動作させて、50Wの電力を対向電極
１５に印加し、約２分間ａ−SixC4-x：Ｈ膜４を
1000Åを成膜した。高周波出力の印加を止め
SiH4ガス、CH4ガスの導入を止めた後、ヒータ
１１の動作を停止してサンプル１２の温度が100
℃以下になるのを待つて大気中へ取り出した。サ
ンプル１２をトリクレンの超音波振動によつて洗
浄した後、図示しない真空スパツタ室にてITO電
極５を1500Å蒸着した。この状態でのＶ−Ｉ（電
圧−電流）特性は第３図で（▲）と（△）で示
す。この時はITO電極５への印加電圧の極性が正
であつても負であつても暗電流は10-12A／mm2と
小さいが、同時にITO電極５側からのG54−螢光
灯100Lux照射での光電流も10-8A／mm2と小さい。
ミニウム等のセラミツク基板上に、グレーズ処理
をほどこした後Cr電極を蒸着によつて3000Å成
膜した。P.E.P.（フオト、エングリージングプロ
セス）によつて１×１mm2のCr電極、200ビツトの
パターニングを行なつた後、第２図に示す真空反
応容器１０内に、サンプル１２…をセツトした。
まず、真空反応容器１０内を図示しない拡散ポン
プ、ロータリーポンプによつて10-6torrの真空に
引くと同時にヒーター１１を動作させ、サンプル
１２であるCr電極２…のパターニングの終つた
セラミツク基板１を250℃の温度に昇温しておく。
ついで、バルブ１３を開にし、ガス導入管１７よ
り純シラン（SiH4）ガスを30SCCMの流量で真空反
応容器１０内へ導入すると同時に、排気系を図示
しない拡散ポンプ、ロータリーポンプ系からメカ
ニカルブースターポンプ、ロータリーポンプ系へ
切り替える。バルブ１４の開閉によつて真空反応
容器１０内のガス圧が0.3torrになる様調整した
後、サンプル１２と対向した電極１５へ高周波電
波１６を介して周波数13.56MHzの高周波出力
（R.F.Power）10Wを印加する。約１時間ａ−
Si：Ｈ膜３を1μm成膜を行なつた後、バルブ１４
を全開にしSiH4ガスを止めずに同一のガス導入
管１７よりCH4ガスを30SCCMの流量で真空反応容
器１０内へ導入する。再度バルブ１４の開閉を調
整し、真空反応容器１０内のSiH4とCH4の混合
ガスのガス圧を1.0torrにした。次いで再度高周
波電源１６を動作させて、50Wの電力を対向電極
１５に印加し、約２分間ａ−SixC4-x：Ｈ膜４を
1000Åを成膜した。高周波出力の印加を止め
SiH4ガス、CH4ガスの導入を止めた後、ヒータ
１１の動作を停止してサンプル１２の温度が100
℃以下になるのを待つて大気中へ取り出した。サ
ンプル１２をトリクレンの超音波振動によつて洗
浄した後、図示しない真空スパツタ室にてITO電
極５を1500Å蒸着した。この状態でのＶ−Ｉ（電
圧−電流）特性は第３図で（▲）と（△）で示
す。この時はITO電極５への印加電圧の極性が正
であつても負であつても暗電流は10-12A／mm2と
小さいが、同時にITO電極５側からのG54−螢光
灯100Lux照射での光電流も10-8A／mm2と小さい。
そこで、サンプルにITO電極５を1500Å蒸着し
た後、230℃の温度で30分間アニールした後再度
Ｖ−Ｉ測定を行なつた。（第３図で暗電流を●、
光電流をΓで示す。）暗中でのＶ−Ｉ特性はITO
電極５側に負の電圧を印加すると電荷注入阻止、
正の電圧を印加すると注入されるという完全な整
流性を示す。一方ではITO電極５側からG54−螢
光灯100Lux照射時の光電流は10-7A／mm2と増加
している。
た後、230℃の温度で30分間アニールした後再度
Ｖ−Ｉ測定を行なつた。（第３図で暗電流を●、
光電流をΓで示す。）暗中でのＶ−Ｉ特性はITO
電極５側に負の電圧を印加すると電荷注入阻止、
正の電圧を印加すると注入されるという完全な整
流性を示す。一方ではITO電極５側からG54−螢
光灯100Lux照射時の光電流は10-7A／mm2と増加
している。
参考のために第３図に×印で従来のCr電極／
ａ−Si：Ｈ膜／ITO電極の構成のＶ−Ｉ特性を示
した。両者を比較するとわかる様に暗電流は本発
明の光電変換部材を用いた光センサでは１桁小さ
く、光電流はほとんど変らない。しかも、従来の
センサがマイナス10V程度からbreak down（破
壊）が起こり暗電流値が急激に増大して行くのに
反し、本発明のセンサは、マイナス50Vであつて
もまだbreak downしていない。さらには、以上
の様なＶ−Ｉ特性の好結果をもとに全200ビツト
数の−5Vでの連続通電試験を1000時間行なつた
ところ、不良ビツト数は０であつた。
ａ−Si：Ｈ膜／ITO電極の構成のＶ−Ｉ特性を示
した。両者を比較するとわかる様に暗電流は本発
明の光電変換部材を用いた光センサでは１桁小さ
く、光電流はほとんど変らない。しかも、従来の
センサがマイナス10V程度からbreak down（破
壊）が起こり暗電流値が急激に増大して行くのに
反し、本発明のセンサは、マイナス50Vであつて
もまだbreak downしていない。さらには、以上
の様なＶ−Ｉ特性の好結果をもとに全200ビツト
数の−5Vでの連続通電試験を1000時間行なつた
ところ、不良ビツト数は０であつた。
なお、本発明は上記実施例に限るものでない。
すなわち、本発明ではITO電極５とａ−Si：Ｈ膜
３との間に高抵抗膜としてａ−SixC4-x：Ｈ膜４
を用いたが、本発明ではこれに限定する事なく、
例えばａ−SixC4-x膜あるいはハロゲンを含むａ
−Si：ハロゲンも良く、また、Ｏ，又はＮを含む
ａ−SixO2-x膜、ａ−SixO2-x：Ｈ膜、ａ−
SixO2-x：ハロゲン膜、ａ−SixN1-x膜、ａ−
SixN1-x：Ｈ膜、ａ−SixN1-x：ハロゲン膜であ
つても、光学バンドギヤツプが1.8eV以上、暗抵
抗比ρD＝1011Ω・cm以上の高抵抗膜であればまつ
たく同様の効果が期待できる。
すなわち、本発明ではITO電極５とａ−Si：Ｈ膜
３との間に高抵抗膜としてａ−SixC4-x：Ｈ膜４
を用いたが、本発明ではこれに限定する事なく、
例えばａ−SixC4-x膜あるいはハロゲンを含むａ
−Si：ハロゲンも良く、また、Ｏ，又はＮを含む
ａ−SixO2-x膜、ａ−SixO2-x：Ｈ膜、ａ−
SixO2-x：ハロゲン膜、ａ−SixN1-x膜、ａ−
SixN1-x：Ｈ膜、ａ−SixN1-x：ハロゲン膜であ
つても、光学バンドギヤツプが1.8eV以上、暗抵
抗比ρD＝1011Ω・cm以上の高抵抗膜であればまつ
たく同様の効果が期待できる。
また、本発明のITO電極５とａ−Si：Ｈ膜３の
間に挾んだａ−SixC4-x：Ｈ膜４の膜厚は1000Å
であつたが、種々の実験から、ITO電極５のアニ
ールによるシヨツトキーバリア性能をそこねる事
なく、ａ−SixC4-x：Ｈ膜４の電荷注入阻止性を
充分効果的にするためには、その膜厚は30Å〜
5000Åが適正であると判明した。
間に挾んだａ−SixC4-x：Ｈ膜４の膜厚は1000Å
であつたが、種々の実験から、ITO電極５のアニ
ールによるシヨツトキーバリア性能をそこねる事
なく、ａ−SixC4-x：Ｈ膜４の電荷注入阻止性を
充分効果的にするためには、その膜厚は30Å〜
5000Åが適正であると判明した。
その他、本発明は本発明の要旨を変えない範囲
で種々変形実施可能なことは勿論である。
で種々変形実施可能なことは勿論である。
しかして、上記実施例のようにセラミツク基板
１上にCr電極、ａ−Si：Ｈ膜３、高抵抗膜４、
ITO電極５を順次積層した後150〜300℃のアニー
ルを行なう事によつて構成されたａ−Si光センサ
にあつては、従来の光電流信号をそこなう事な
く、ITO電極５側に負の電圧を印加した時耐圧に
すぐれ、連続1000時間の通電試験によつても不良
ビツト数のないすぐれた光電変換部材を提供する
事ができる。
１上にCr電極、ａ−Si：Ｈ膜３、高抵抗膜４、
ITO電極５を順次積層した後150〜300℃のアニー
ルを行なう事によつて構成されたａ−Si光センサ
にあつては、従来の光電流信号をそこなう事な
く、ITO電極５側に負の電圧を印加した時耐圧に
すぐれ、連続1000時間の通電試験によつても不良
ビツト数のないすぐれた光電変換部材を提供する
事ができる。
以上説明したように、本発明によれば、光電流
と暗電流との比が大きくSN比を向上させかつ、
耐圧に優れ優れ長期に亘つて安定した性能を維持
できる光電変換部材を提供できるといつた効果を
奏する。
と暗電流との比が大きくSN比を向上させかつ、
耐圧に優れ優れ長期に亘つて安定した性能を維持
できる光電変換部材を提供できるといつた効果を
奏する。
第１図は本発明の光電変換部材の一実施例を示
す構成説明図、第２図は成膜装置の概略的構成
図、第３図は本発明の層構成でのアニール前後で
の暗電流と光電流を比較したグラフである。 １…基板（セラミツク基板）、２…第１の電極
（Cr電極）、３…光導電性膜（ａ−Si：Ｈ膜）、４
…高抵抗膜（ａ−SiC：Ｈ膜）、５…第２の電極
（ITO電極）。
す構成説明図、第２図は成膜装置の概略的構成
図、第３図は本発明の層構成でのアニール前後で
の暗電流と光電流を比較したグラフである。 １…基板（セラミツク基板）、２…第１の電極
（Cr電極）、３…光導電性膜（ａ−Si：Ｈ膜）、４
…高抵抗膜（ａ−SiC：Ｈ膜）、５…第２の電極
（ITO電極）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に、第１の電極膜、Siを母体として水
素又はハロゲンの少なくとも一方を含むアモルフ
アスシリコン膜、Siを母体としてＣ，Ｏ，Ｎのい
ずれか１つ以上を含むアモルフアスシリコンから
なる暗抵抗比が1011Ω・cm以上の高抵抗膜、及び
透光性を有する第２の電極膜をこの順に成膜した
後、150〜300℃の温度でアニールを行うことによ
り構成したことを特徴とする光電変換部材。 ２ 高抵抗膜が水素またはハロゲンの少なくとも
一方を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の光電変換部材。 ３ 高抵抗膜の光学バンドギヤツプが1.8eV以上
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光電変換部材。 ４ 高抵抗膜の膜厚が30Å〜5000Åであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光電変換
部材。 ５ 透光性の電極がITOであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の光電変換部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58112168A JPS604273A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 光電変換部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58112168A JPS604273A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 光電変換部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS604273A JPS604273A (ja) | 1985-01-10 |
| JPH0473311B2 true JPH0473311B2 (ja) | 1992-11-20 |
Family
ID=14579943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58112168A Granted JPS604273A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 光電変換部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604273A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61236159A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | Ricoh Co Ltd | 非晶質シリコン光センサ |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1078078A (en) * | 1976-03-22 | 1980-05-20 | David E. Carlson | Schottky barrier semiconductor device and method of making same |
| JPS558092A (en) * | 1978-07-04 | 1980-01-21 | Nec Corp | Fine film solar cell and its production method |
| JPS5640284A (en) * | 1979-09-10 | 1981-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Preparation of semiconductor heterojunction element |
| JPS55151329A (en) * | 1979-05-14 | 1980-11-25 | Shunpei Yamazaki | Fabricating method of semiconductor device |
-
1983
- 1983-06-22 JP JP58112168A patent/JPS604273A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS604273A (ja) | 1985-01-10 |
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