JPS6074672A - 光電変換部材 - Google Patents
光電変換部材Info
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- JPS6074672A JPS6074672A JP58182629A JP18262983A JPS6074672A JP S6074672 A JPS6074672 A JP S6074672A JP 58182629 A JP58182629 A JP 58182629A JP 18262983 A JP18262983 A JP 18262983A JP S6074672 A JPS6074672 A JP S6074672A
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- Japan
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- film
- electrode
- photoelectric conversion
- conversion member
- substrate
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/10—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material
- H10F71/103—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material including only Group IV materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は光電変換部材に関し、詳しくはイメージセンナ
等に用いられる光電変換部材に係る。
等に用いられる光電変換部材に係る。
従来よりファクシミリなどの原稿読み取りにはＣＣＤラ
インセンサが用いられてきたが、これは球面レンズを用
いて原稿画像をセンサ面に縮小投影させるため、光学系
にある程度の光路長を必要とし、装置全体の小型化に難
点があった。
インセンサが用いられてきたが、これは球面レンズを用
いて原稿画像をセンサ面に縮小投影させるため、光学系
にある程度の光路長を必要とし、装置全体の小型化に難
点があった。
こうしたことから、原稿と同じ幅を持たせた光センサが
開発されている。この光センサはシリンダレンズアレイ
等を用いて原稿とセンサ面とを１：１に対応させるもの
である。かかる光センサの材料としてＣｄＳ −ＣｄＳ
ｅや５ｅ−Ｔｅ−Ａｓが用いられているが、ＣｄＳ −
ＣｄＳｅや光応答時間が１２ｍ（６）と遅いこと、５ｅ
−Ｔｅ−Ａｓは熱的安定性の面で劣るという問題があっ
た。
開発されている。この光センサはシリンダレンズアレイ
等を用いて原稿とセンサ面とを１：１に対応させるもの
である。かかる光センサの材料としてＣｄＳ −ＣｄＳ
ｅや５ｅ−Ｔｅ−Ａｓが用いられているが、ＣｄＳ −
ＣｄＳｅや光応答時間が１２ｍ（６）と遅いこと、５ｅ
−Ｔｅ−Ａｓは熱的安定性の面で劣るという問題があっ
た。
このよう表ことから、最近、アモルファスシリコン（以
下、ａ−８ｔと称す）を光電変換部材として用いた光セ
ンサが注目されている。この光センサは第１図及び第２
図に示す如くセラミック等からなる基板１上に多数ビッ
トのＣｒ電極２を設け、このＣｒ電極２上にグロー放電
によって成膜された水素化アモルファスシリコン膜（以
下、ａ −Ｓｓ ｇＨ膜と称す）３を設け、更にその上
にインジウム・チタン・オキサイド（ＩＴＯ）からなる
透明電極４を設けた構造になっている。
下、ａ−８ｔと称す）を光電変換部材として用いた光セ
ンサが注目されている。この光センサは第１図及び第２
図に示す如くセラミック等からなる基板１上に多数ビッ
トのＣｒ電極２を設け、このＣｒ電極２上にグロー放電
によって成膜された水素化アモルファスシリコン膜（以
下、ａ −Ｓｓ ｇＨ膜と称す）３を設け、更にその上
にインジウム・チタン・オキサイド（ＩＴＯ）からなる
透明電極４を設けた構造になっている。
かかる光センサにあってはａ−８ｉ；Ｈの光応答時間が
１ｍ５ｅｃ以下という良好な特性を有するため、１ｍ０
４．ｎ、の高速読み出しが可能となる。しかしながら、
ａ−８ｉ；Ｈ膜は吸湿性を有し、多湿環境下で著しく抵
抗が低下するだめ、８への信号比が小さくなるという欠
点があった。
１ｍ５ｅｃ以下という良好な特性を有するため、１ｍ０
４．ｎ、の高速読み出しが可能となる。しかしながら、
ａ−８ｉ；Ｈ膜は吸湿性を有し、多湿環境下で著しく抵
抗が低下するだめ、８への信号比が小さくなるという欠
点があった。
そこで、ａ−８ｉ：Ｈ膜の上下に絶縁性の薄膜、ｐ型又
はｎ型の半導体膜を形成して多湿環境下であってもシ公
比が小さくならない工夫や、センサ部全体をシリコーン
樹脂等で覆って多湿環境下でも水分がセンサ部へ到達し
ない工夫がなされている。しかしながら、高温多湿の環
境下で長時間の連続通電試験を行なうと、樹脂のシーリ
ングの不完全性等の原因から、水分がセンサ部に到達し
てしまう。まだ、層構成によってＳ／Ｎ比の低下を防い
でも、水分がａ−８ｔ；Ｈ膜を透過して更にその下の多
数ビットのＣｒ電極に達すると、Ｃｒ電極が正極である
場合、容易に電解腐食現象が生じ、Ｃｒ電極が溶解する
という問題があった。
はｎ型の半導体膜を形成して多湿環境下であってもシ公
比が小さくならない工夫や、センサ部全体をシリコーン
樹脂等で覆って多湿環境下でも水分がセンサ部へ到達し
ない工夫がなされている。しかしながら、高温多湿の環
境下で長時間の連続通電試験を行なうと、樹脂のシーリ
ングの不完全性等の原因から、水分がセンサ部に到達し
てしまう。まだ、層構成によってＳ／Ｎ比の低下を防い
でも、水分がａ−８ｔ；Ｈ膜を透過して更にその下の多
数ビットのＣｒ電極に達すると、Ｃｒ電極が正極である
場合、容易に電解腐食現象が生じ、Ｃｒ電極が溶解する
という問題があった。
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、多湿環境下の
連続通電試験でもＳ／Ｎ比の低下がなく、かつＣｒ電極
の電解腐食による溶解のない光電変換部材を提供しよう
とするものである。
連続通電試験でもＳ／Ｎ比の低下がなく、かつＣｒ電極
の電解腐食による溶解のない光電変換部材を提供しよう
とするものである。
本発明は第１電極及び透光性を有する第２電極を備え、
これら第１．第２電極間に該第１電極側から順にＣがＳ
ｉに対して部分的にネットワークを組んだ組織のアモル
ファス炭化膜、Ｓｌを母材として水素又はハロゲンの少
なくとも一方を含むアモルファス光導電性膜、及びＳｉ
を母材とした一導電型の半導体結晶膜を設けたことを特
徴とするものである。
これら第１．第２電極間に該第１電極側から順にＣがＳ
ｉに対して部分的にネットワークを組んだ組織のアモル
ファス炭化膜、Ｓｌを母材として水素又はハロゲンの少
なくとも一方を含むアモルファス光導電性膜、及びＳｉ
を母材とした一導電型の半導体結晶膜を設けたことを特
徴とするものである。
上記第１電極としては、例えば口電極等が用いられる。
この第１電極はアルミナ、スピネル、ガラスなどのセラ
ミックからガる基板に設けられる。
ミックからガる基板に設けられる。
上記アモルファス炭化膜（以下、ａ−８ｉｅ−：：Ｈ膜
と称す）はアモルファス光導電性膜から水分が侵入され
た場合、その水分が第１電極（Ｃｒ電りを有する組織を
有し、赤外吸収測定でＳＩＣの吸収が支配的で、５ｉ−
ＣＨｓや８ｌ−ＣＨｓの吸収が存在しないものである。
と称す）はアモルファス光導電性膜から水分が侵入され
た場合、その水分が第１電極（Ｃｒ電りを有する組織を
有し、赤外吸収測定でＳＩＣの吸収が支配的で、５ｉ−
ＣＨｓや８ｌ−ＣＨｓの吸収が存在しないものである。
ａ−８ｉＣ；Ｈ膜中に５ｔ−ＣＨｔやＳｔ−品の結合手
が存在すると、水分の透過阻止作用が低下し、ひいては
口電極の電解腐食を招く。
が存在すると、水分の透過阻止作用が低下し、ひいては
口電極の電解腐食を招く。
５−
かかるａ−８ｉＣ；Ｈ膜はＳｉＨ４等のＳｔを含むガス
と山などのＣを含むガスの混合ガスに大きな電力を投入
することによって０電極上に成膜される。なお、投入電
力が小さいと、ＣＨ４が十分に分解されず、ＣＨ３米ラ
ジラジカルＨ−ラジカルが生成される。
と山などのＣを含むガスの混合ガスに大きな電力を投入
することによって０電極上に成膜される。なお、投入電
力が小さいと、ＣＨ４が十分に分解されず、ＣＨ３米ラ
ジラジカルＨ−ラジカルが生成される。
上記アモルファス光導電性膜は入射した光を光電変換し
て光キャリアを発生する機能を有する。こうした光導電
性膜は５ｉＨ４−Ｓｋ冨Ｈｓ等の通常のグロー放電法に
よってａ−８ｉＣ：Ｈ膜上に成膜される。
て光キャリアを発生する機能を有する。こうした光導電
性膜は５ｉＨ４−Ｓｋ冨Ｈｓ等の通常のグロー放電法に
よってａ−８ｉＣ：Ｈ膜上に成膜される。
上記−導電性の半導体結晶膜は単結晶、多結膜中でも水
分を通さないため、吸湿性のアモルファス光導電性膜を
保護する役目を有する。一般に結晶性シリコン膜は光学
バンドギャップが１、ＯｅＶ程度と狭く、比抵抗が１σ
〜１０６皮、ｃｍと小さいために、単にアモルファス光
導電性膜上に結晶性シリコン膜を成膜したのでは、第１
．第６− ２電極間の３層全体の比抵抗を下げてしまい、前記電極
間に電圧を印加した場合、暗電流が増大する恐れがある
。このため、ポロンなどの第１１１Ａ族元素、又はリン
などの第ＶＡ族元素をドープしたｐ型又はｎ型の半導体
結晶膜とし、アモルファス光導電性膜との界面でｐ−を
接合又はｎ−ｉ接合を形成している。例えばｐ型半導体
結晶膜をアモルファス光導電性膜上に形成した場合、第
１電極が正極、第２電極が負電極である印加する方式の
光電変換部材では、ｐ−を接合の逆方向に電圧が印加さ
れることによって暗電流を減少できる。
分を通さないため、吸湿性のアモルファス光導電性膜を
保護する役目を有する。一般に結晶性シリコン膜は光学
バンドギャップが１、ＯｅＶ程度と狭く、比抵抗が１σ
〜１０６皮、ｃｍと小さいために、単にアモルファス光
導電性膜上に結晶性シリコン膜を成膜したのでは、第１
．第６− ２電極間の３層全体の比抵抗を下げてしまい、前記電極
間に電圧を印加した場合、暗電流が増大する恐れがある
。このため、ポロンなどの第１１１Ａ族元素、又はリン
などの第ＶＡ族元素をドープしたｐ型又はｎ型の半導体
結晶膜とし、アモルファス光導電性膜との界面でｐ−を
接合又はｎ−ｉ接合を形成している。例えばｐ型半導体
結晶膜をアモルファス光導電性膜上に形成した場合、第
１電極が正極、第２電極が負電極である印加する方式の
光電変換部材では、ｐ−を接合の逆方向に電圧が印加さ
れることによって暗電流を減少できる。
しかして、本発明の光電変換部材はアモルファス光導電
性膜の第１電極（Ｃｒ電極）側にａ−８ｉＣ；Ｈ膜を、
同光導電性膜の第２電極（ＩＴＯ電極）側に一導電性の
半導体結晶膜を配置した構造にすることによって、■Ｔ
Ｏ電極から侵入した水分を半導体結晶膜により吸湿性の
アモルファス光導電性膜へ侵入するのをブロックでき、
しかも仮に同光導電性膜に微量の水分が侵入しても、そ
こからＣｒ電極へ水分が侵入するのをａ−８ｉＣ：Ｈ膜
によりブロックできる。その結果、長時間の連続通電試
験においても光導電性膜の抵抗低下によるＵ比の減少を
防止できると共に、Ｃｒ電極の電解腐食による溶解も阻
止できる。また、−導電性の半導体結晶膜を用いること
により暗電流の増大も阻止できる。
性膜の第１電極（Ｃｒ電極）側にａ−８ｉＣ；Ｈ膜を、
同光導電性膜の第２電極（ＩＴＯ電極）側に一導電性の
半導体結晶膜を配置した構造にすることによって、■Ｔ
Ｏ電極から侵入した水分を半導体結晶膜により吸湿性の
アモルファス光導電性膜へ侵入するのをブロックでき、
しかも仮に同光導電性膜に微量の水分が侵入しても、そ
こからＣｒ電極へ水分が侵入するのをａ−８ｉＣ：Ｈ膜
によりブロックできる。その結果、長時間の連続通電試
験においても光導電性膜の抵抗低下によるＵ比の減少を
防止できると共に、Ｃｒ電極の電解腐食による溶解も阻
止できる。また、−導電性の半導体結晶膜を用いること
により暗電流の増大も阻止できる。
次に、本発明の実施例を図示しだ製造方法を併記して説
明する。
明する。
実施例１
まず、ガラス基板（コーニング社製商品名；コーニング
７０５９ ） Ｉ Ｉ上に厚さ２０００Ａのクロム（Ｃ
ｒ ）膜を蒸着法吟に↓φ成膜した後、とのＣｒ膜をフ
ォトエツチングプロセスによりバターニングして２００
ビツトのＣｒ電極１２を形成した（第３図（ａ）図示）
。
７０５９ ） Ｉ Ｉ上に厚さ２０００Ａのクロム（Ｃ
ｒ ）膜を蒸着法吟に↓φ成膜した後、とのＣｒ膜をフ
ォトエツチングプロセスによりバターニングして２００
ビツトのＣｒ電極１２を形成した（第３図（ａ）図示）
。
（１１）次いで、Ｃｒｉ！極１２全１２るガラス基板１
１を第４図に示す（至）装置の真空反応容器２１内の支
持台２２に設置し、パルプ２３が介装された第１排気管
２４に取付けられた拡散ポンプ、回転ポンプ（いずれも
図示せず）によって１ｏ”６ｔｏｒｒに真空引きすると
同時に、前記支持台２２に内蔵したヒータ２５によって
、ガラス基板１１を２００〜２５０′ｃｔで昇温した。
１を第４図に示す（至）装置の真空反応容器２１内の支
持台２２に設置し、パルプ２３が介装された第１排気管
２４に取付けられた拡散ポンプ、回転ポンプ（いずれも
図示せず）によって１ｏ”６ｔｏｒｒに真空引きすると
同時に、前記支持台２２に内蔵したヒータ２５によって
、ガラス基板１１を２００〜２５０′ｃｔで昇温した。
つづいて、前記第１排気管２４のパルプ２３を閉じ、ガ
ス導入管２６に介装されたパルプ２７を開にし、ガス導
入管２６より１００チＳｉＨ４ガス及び１００％ＣＨ４
ガスを真空反応容器２１へ導入すると同時に、第２排気
管２８に介装されたパルプ２９を開にし、該排出管２８
に連結したメカニカルブースターポンプ、回転ポンプ（
いずれも図示せず）によって導入ガスを排出した。こう
した操作において、ガス導入管２６からのＳｉＨ４流量
を５０スタンダ一ドｃｃ／ｍｉｎ＋以下ＳＣＣＭと略す
）、ＣＨ４流量を１００ ＳＣＣＭに設定し、パルプ２
９の開閉によって真空反応容器２１の圧力を１．Ｏｔｏ
ｒｒに調整し高周波電源３０からセラミック基板１１と
対向した対向電極３１に１３．５６ ＭＦｆｚの高周波
電力（Ｒ，Ｆパワー） ２００ Ｗを印加して真空容器
２１内９− に５ｉＨ４−ＣＨ４のラジカルによるプラズマを生起し
、第３図（ｂ）に示す如くガラス基板１１上のＣｒ電極
１２を含む全面に厚さ１００ＯＡのａ−８ｉＣ；Ｈ膜１
３を成膜した。このａ−８ｉＣ；Ｈ膜１３は同一条件で
成膜されたａ−８ｉＣ：Ｈ膜の赤外吸収（ＩＲ）の測定
結果から膜中にＣＨｓ −ＣＨｓの吸収がなく、ＳｉＣ
の吸収が支配的であることが確認された。
ス導入管２６に介装されたパルプ２７を開にし、ガス導
入管２６より１００チＳｉＨ４ガス及び１００％ＣＨ４
ガスを真空反応容器２１へ導入すると同時に、第２排気
管２８に介装されたパルプ２９を開にし、該排出管２８
に連結したメカニカルブースターポンプ、回転ポンプ（
いずれも図示せず）によって導入ガスを排出した。こう
した操作において、ガス導入管２６からのＳｉＨ４流量
を５０スタンダ一ドｃｃ／ｍｉｎ＋以下ＳＣＣＭと略す
）、ＣＨ４流量を１００ ＳＣＣＭに設定し、パルプ２
９の開閉によって真空反応容器２１の圧力を１．Ｏｔｏ
ｒｒに調整し高周波電源３０からセラミック基板１１と
対向した対向電極３１に１３．５６ ＭＦｆｚの高周波
電力（Ｒ，Ｆパワー） ２００ Ｗを印加して真空容器
２１内９− に５ｉＨ４−ＣＨ４のラジカルによるプラズマを生起し
、第３図（ｂ）に示す如くガラス基板１１上のＣｒ電極
１２を含む全面に厚さ１００ＯＡのａ−８ｉＣ；Ｈ膜１
３を成膜した。このａ−８ｉＣ；Ｈ膜１３は同一条件で
成膜されたａ−８ｉＣ：Ｈ膜の赤外吸収（ＩＲ）の測定
結果から膜中にＣＨｓ −ＣＨｓの吸収がなく、ＳｉＣ
の吸収が支配的であることが確認された。
０１１）次いで、高周波電源３０からのＲ，Ｆパワーの
印加を停止し、更にＣＨ４ガスの導入を止めた後、パル
プ２３の開閉を調整して反応容器２１内の５ＩＨ４のガ
ス圧を０．５ ｔｏｒｒに設定した。つづいて、対向電
極３１へ２５ＷのＲ，Ｆパワーを投入して第３図（Ｃ）
に示す如く厚さ１．０μｍのａ−８ｉ：ＨＩＩＪ４をａ
−８ｉＣ；Ｈ膜１３上に成膜した。
印加を停止し、更にＣＨ４ガスの導入を止めた後、パル
プ２３の開閉を調整して反応容器２１内の５ＩＨ４のガ
ス圧を０．５ ｔｏｒｒに設定した。つづいて、対向電
極３１へ２５ＷのＲ，Ｆパワーを投入して第３図（Ｃ）
に示す如く厚さ１．０μｍのａ−８ｉ：ＨＩＩＪ４をａ
−８ｉＣ；Ｈ膜１３上に成膜した。
（Ｖ） 次いで、Ｒ，Ｆパワーの印加を停止し、導入管
２６よ＃）Ｈ２で２０００ｐｐｍに希釈したＢ２Ｈｓ／
Ｈ２ガスをＢｇＨｇ ＠ Ｓ ｔＨ４の流量比で１：１
０００の割合となるように反応容器２１内に導入した後
、パルプ２３の開閉を調整して反応容器２１内のガス圧
を０．５ｔｏｒｒに設定した。つづいて、対向電極３１
１０− へ２５ＷのＲ，Ｆパワーを再度投入して厚さ１０００Ａ
のｐ型のａ−８ｉ ： Ｈ＊ Ｂ膜をａ−８１；Ｈ膜１
４上に成膜した。ひきつづき、全てのガスの導入を停止
し、ヒータ２５をＯＦＦ Ｌ、反応容器２ノを１０−’
ｔｏｒｒの真空に引きなおした。この後、同真空状態
の反応容器２１内で１０ｍＷのレーザ光線を最上層のｐ
型のａ −ｊ９ ｔ ： Ｈｐ Ｂ膜に照射してレーザ
アニールを行なうことによって第３図（ｄ）に示す如く
ｐ型の結晶Ｓｉ膜１５をａ−８ｔ；Ｈ膜１３上に形成し
た。
２６よ＃）Ｈ２で２０００ｐｐｍに希釈したＢ２Ｈｓ／
Ｈ２ガスをＢｇＨｇ ＠ Ｓ ｔＨ４の流量比で１：１
０００の割合となるように反応容器２１内に導入した後
、パルプ２３の開閉を調整して反応容器２１内のガス圧
を０．５ｔｏｒｒに設定した。つづいて、対向電極３１
１０− へ２５ＷのＲ，Ｆパワーを再度投入して厚さ１０００Ａ
のｐ型のａ−８ｉ ： Ｈ＊ Ｂ膜をａ−８１；Ｈ膜１
４上に成膜した。ひきつづき、全てのガスの導入を停止
し、ヒータ２５をＯＦＦ Ｌ、反応容器２ノを１０−’
ｔｏｒｒの真空に引きなおした。この後、同真空状態
の反応容器２１内で１０ｍＷのレーザ光線を最上層のｐ
型のａ −ｊ９ ｔ ： Ｈｐ Ｂ膜に照射してレーザ
アニールを行なうことによって第３図（ｄ）に示す如く
ｐ型の結晶Ｓｉ膜１５をａ−８ｔ；Ｈ膜１３上に形成し
た。
Ｍ 次いで、結晶Ｓ１膜１５等が成膜されたガラス基板
Ｖ１の温度が１００℃以下になるのを待って、大気中に
取出した後、図示しないスパッタ装置を用いてｐ型の結
晶Ｓｉ膜１５上に厚さ１５００ＡのＩＴＯ透明電極１６
を成膜して光電変換部材を製造した（第３図（、）図示
）。
Ｖ１の温度が１００℃以下になるのを待って、大気中に
取出した後、図示しないスパッタ装置を用いてｐ型の結
晶Ｓｉ膜１５上に厚さ１５００ＡのＩＴＯ透明電極１６
を成膜して光電変換部材を製造した（第３図（、）図示
）。
しかして、本実施例１によシ造、られた口電極１２ ／
ａ−８ｉＣ；Ｈ膜１３ ／ ａ−８ｉＨ膜１４／ｐ型
結晶Ｓｉ膜１５／ＩＴＯ透明電極１６の構成のセンサ部
にＩＣを礼装し、恒温槽に入れ、高温多湿の環境下でＩ
ＴＯ透明電極１６側に−５，０■の電圧を印加し、長時
間の連続通電試験を行なった結果、Ｓ／Ｎ比が変化がな
く、シかも多数ビットのＣｒ電極の電解腐食による溶解
も生じなかった。
ａ−８ｉＣ；Ｈ膜１３ ／ ａ−８ｉＨ膜１４／ｐ型
結晶Ｓｉ膜１５／ＩＴＯ透明電極１６の構成のセンサ部
にＩＣを礼装し、恒温槽に入れ、高温多湿の環境下でＩ
ＴＯ透明電極１６側に−５，０■の電圧を印加し、長時
間の連続通電試験を行なった結果、Ｓ／Ｎ比が変化がな
く、シかも多数ビットのＣｒ電極の電解腐食による溶解
も生じなかった。
実施例２
前記実施例１と同様な方法によりガラス基板上に２００
ビツクの０電極を形成し、この電極を含むガラス基板上
に厚さ１００ＯＡのａ−８ｉＣ：Ｈ膜、及び厚さ１．０
μｍのｉ型のａ−８ｉ；Ｈ膜を順次成膜した。
ビツクの０電極を形成し、この電極を含むガラス基板上
に厚さ１００ＯＡのａ−８ｉＣ：Ｈ膜、及び厚さ１．０
μｍのｉ型のａ−８ｉ；Ｈ膜を順次成膜した。
次いで、ＳｉＨ４ガス５０ＳＣＣＭ、 ＣＨ４ガス１１
００５ＣＣ％ルで２０００ｐｐｍまで希釈したＢ２山山
ガスをＢｚＨｓ： Ｓｉ’Ｈ４流量比で１＝１０００の
割合にて反応容器２１内し、反応ガス圧１．０ｔｏｒｒ
ＳＲｅ Ｆパワー１００Ｗの条件にてａ−８１：Ｈ膜上
に厚さ１００ＯＡのｐ Ｗ ａ−８ｉＣ；Ｈ，Ｂ膜を成
膜した後、実施例１と同様にレーザ光線をａ −Ｓ ｉ
Ｃ： Ｈｅ Ｂ膜に照射してｐ型結晶ＳｉＣ膜に変換
した。この後、ｐ型結晶ＳｉＣ膜上に厚さ１５００Ａの
ＩＴＯ透明電極を成膜して光電変換部材を製造した。
００５ＣＣ％ルで２０００ｐｐｍまで希釈したＢ２山山
ガスをＢｚＨｓ： Ｓｉ’Ｈ４流量比で１＝１０００の
割合にて反応容器２１内し、反応ガス圧１．０ｔｏｒｒ
ＳＲｅ Ｆパワー１００Ｗの条件にてａ−８１：Ｈ膜上
に厚さ１００ＯＡのｐ Ｗ ａ−８ｉＣ；Ｈ，Ｂ膜を成
膜した後、実施例１と同様にレーザ光線をａ −Ｓ ｉ
Ｃ： Ｈｅ Ｂ膜に照射してｐ型結晶ＳｉＣ膜に変換
した。この後、ｐ型結晶ＳｉＣ膜上に厚さ１５００Ａの
ＩＴＯ透明電極を成膜して光電変換部材を製造した。
しかして、本実施例２により造られたＯｒ電極／ ａ−
８ｉＣ：Ｈ膜／ａ−８ｔ；Ｈ膜／ｐ型結晶ｓｉｃ膜／Ｉ
ＴＯ透明電極の構成のセンサ部にＩＣを実装した稜、実
施例１と同様、長時間の連続通電試験を行なった結果、
ｐ型結晶８ｉＣ膜の光学バンドギャップが大きいことに
よる透明電極からの入射光のうちのａ−８ｔ：Ｈ膜への
到達量が増大したことによってＳ／Ｎ比が更に向上し、
しかも多数ビットのＣｒ電極の電解腐食による溶解も生
じなかった。
８ｉＣ：Ｈ膜／ａ−８ｔ；Ｈ膜／ｐ型結晶ｓｉｃ膜／Ｉ
ＴＯ透明電極の構成のセンサ部にＩＣを実装した稜、実
施例１と同様、長時間の連続通電試験を行なった結果、
ｐ型結晶８ｉＣ膜の光学バンドギャップが大きいことに
よる透明電極からの入射光のうちのａ−８ｔ：Ｈ膜への
到達量が増大したことによってＳ／Ｎ比が更に向上し、
しかも多数ビットのＣｒ電極の電解腐食による溶解も生
じなかった。
以上詳述した如く本発明によれば多湿環境下の連続通電
試験でもシ公比の低下がなく、かつ０電極の電解腐食に
よる溶解を防止でき、ひいては光センサとして好適な高
信頼性、高寿命の光電変換部材を提供できる。
試験でもシ公比の低下がなく、かつ０電極の電解腐食に
よる溶解を防止でき、ひいては光センサとして好適な高
信頼性、高寿命の光電変換部材を提供できる。
第１図は従来のａ−８１；Ｈ膜を用いた光センサの断面
図、第２図は第１図の要部拡大断面図、第３図（ａ）〜
（ｅ）は本発明の実施例１における光電１３− 変換部材の製造工程を示す断面図、第４図は本発明の実
施例１で用いた（至）装置の概略間である。 １１・・・ガラス基板、１２・・・Ｃｒ電極、１３・・
・ａ−８ｉＣ：Ｈ膜、１４ ＝ ａ−８ｔ：Ｈ膜、１５
・ｐ型結晶Ｓ１膜、１６・・・ＩＴＯ透明電極、２ノ
・・・反応容器、２２・・・支持台、２３．２７ ｅ２
９・・・パルプ、２４・・・第１排気管、２５・・・ヒ
ータ、２６・・・ガス導入管、２８・・・第２排気管、
３０・・・高周波電源。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦１４− 第１図 第３ａｇ 第３図 第４図
図、第２図は第１図の要部拡大断面図、第３図（ａ）〜
（ｅ）は本発明の実施例１における光電１３− 変換部材の製造工程を示す断面図、第４図は本発明の実
施例１で用いた（至）装置の概略間である。 １１・・・ガラス基板、１２・・・Ｃｒ電極、１３・・
・ａ−８ｉＣ：Ｈ膜、１４ ＝ ａ−８ｔ：Ｈ膜、１５
・ｐ型結晶Ｓ１膜、１６・・・ＩＴＯ透明電極、２ノ
・・・反応容器、２２・・・支持台、２３．２７ ｅ２
９・・・パルプ、２４・・・第１排気管、２５・・・ヒ
ータ、２６・・・ガス導入管、２８・・・第２排気管、
３０・・・高周波電源。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦１４− 第１図 第３ａｇ 第３図 第４図
Claims (3)
- （１）第１電極及び透光性を有する第２電極を備え、こ
れら第１．第２電極間に該第１電極側から順にＣがＳｔ
に対して部分的にネットワークを組んだ組織のアモルフ
ァス炭化膜、ＳＩを母材として水素又はノヘロゲンの少
なくとも一方を含むアモルファ光導電体膜、及びＳｔを
母材とした一導電型の半導体結晶膜を設けたことを特徴
とする光電変換部材。 - （２） アモルファス炭化膜は赤外吸収（ＩＲ）の測定
でＳｉＣの吸収が支配的であり、８ｌ−ＣＨｓ−８ｉ−
ＣＨｓの吸収が存在しないものであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の光電変換部材。 - （３）Ｓｉを母材とした一導電型の半導体結晶膜が、少
なくともＳｌを含むガスと周期律表■Ａ族の元素又はＶ
Ａ族の元素を含むガスの混合ガスの低温プラズマによっ
て成膜した後、レーザ光線によってアニールして形成さ
れたものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光電変換部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58182629A JPS6074672A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 光電変換部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58182629A JPS6074672A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 光電変換部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074672A true JPS6074672A (ja) | 1985-04-26 |
Family
ID=16121627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58182629A Pending JPS6074672A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 光電変換部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074672A (ja) |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58182629A patent/JPS6074672A/ja active Pending
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