JPH047337U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH047337U JPH047337U JP4788190U JP4788190U JPH047337U JP H047337 U JPH047337 U JP H047337U JP 4788190 U JP4788190 U JP 4788190U JP 4788190 U JP4788190 U JP 4788190U JP H047337 U JPH047337 U JP H047337U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fet
- source
- switch
- drain
- parasitic diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Description
第１図は本考案の温度測定装置の一実施例の構
成を示す回路図、第２図は、温度測定の手順を示
すフローチヤート、第３図は第１図における寄生
ダイオードの特性図である。 １……ＦＥＴ、５……寄生ダイオード、６……
定電圧源、７……スイツチ。
成を示す回路図、第２図は、温度測定の手順を示
すフローチヤート、第３図は第１図における寄生
ダイオードの特性図である。 １……ＦＥＴ、５……寄生ダイオード、６……
定電圧源、７……スイツチ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 電界効果トランジスタＦＥＴを用いた増幅回路
であつて、 前記ＦＥＴのソース・ドレーン間に接続された
寄生ダイオードと、 前記ＦＥＴのソース・ドレーン間に逆バイアス
電圧を供給する定電圧源と、 前記逆バイアス電圧をオン・オフするスイツチ
とを備え、 前記ゲート入力が断の期間中において、所定期
間前記スイツチをオンとして前記寄生ダイオード
の順方向電圧降下を測定することを特徴とする温
度測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4788190U JPH047337U (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4788190U JPH047337U (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH047337U true JPH047337U (ja) | 1992-01-23 |
Family
ID=31564203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4788190U Pending JPH047337U (ja) | 1990-05-07 | 1990-05-07 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH047337U (ja) |
-
1990
- 1990-05-07 JP JP4788190U patent/JPH047337U/ja active Pending