JPH0473468B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野及び発明の背景 本発明は、流れの中に所定のレベルを超過する
粒子が存在しているときにエキスパンダーをバイ
パスするための方法及び装置に係る。追加的に、
本発明はこれらの粒子を回収し且既存の容器内に
貯蔵することに係る。

従来技術の説明 重油精留用の流動触媒クラツキング（FCC）
プロセスでは、予熱された高分子量の炭化水素液
体及び蒸気が高温の固形触媒粒子と接触させら
れ、また低分子量の炭化水素への所望の度合のク
ラツキングを行うのに十分な時間に亙り流動化又
は分散された状態で高められた温度に維持され
る。FCCプロセスでは、幾つかの不揮発性炭素
質材料又は“コークス”が触媒粒子上に析出さ
れ、それが触媒の有効性を減ずる。触媒の再生は
再生器と呼ばれる容器内で触媒からのコークス析
出物を燃焼することにより達成される。コークス
の燃焼により生ずる高温ガスは、飛末同伴されて
いる再生された触媒を除去するため、少なくとも
一つのサイクロン分離手段を通される。再生され
た触媒はプロセスに戻され、他方浄化された高温
ガスは典型的に動力回収システムに通される。

動力回収装置のユーザにより経験される主要な
問題はプロセスアプセツトである。これらのプロ
セスアプセツトは、一般に新たなFCCプラント
始動中に生ずるが他の時点でも生じ得る供給原料
−触媒間圧力差、燃焼後の急冷時の圧力上昇、再
生器の圧力低下及び他の故障の結果として生じ得
る。

動力回収エキスパンダーに対して有害と思われ
る唯一のプロセスアプセツトは、再生器の下流の
急速な圧力低下に起因する触媒ロードダンプであ
る。その原因となるメカニズムの幾つかは、(1)エ
キスパンダーバイパス弁の急速な開路、(2)バイパ
ス弁制御信号の故障、(3)バイパス又は絞り弁に至
る信号線の故障、(4)エキスパンダー絞り弁の急速
な開路、(5)絞り弁とバイパス弁との間のシーケン
ス動作のための通信の欠落及び(6)再生器内の急速
な燃焼及びそれに続く水急冷及び圧力上昇を惹起
する再生器内への供給燃料の逆流である。

ダンプが生ずるときには、全流動化床が一般に
失われる。何故ならば、一旦サイクロン・デイツ
プ・チユーブが露出されると、再生器を去る煙道
ガス中にすべての触媒が飛末同伴されるようにな
るからである。ダンプされる触媒の量は再生器の
大きさに関係し、10〜30分の間に10tから100t以
上まで変化し得る。触媒のすべてがエキスパンダ
ーを通過するのではなく、その一部分がバイパス
導管を通つて廃熱ボイラ内へ流れる。それによつ
て、触媒は廃熱ボイラのスタツクから排出され
て、大きなダスト雲を生じ、それが火山灰のよう
に降下する。この降下は気象条件によつては数日
間に亙つて生じ得る。触媒はシリカ−アルミナの
ようなシリカ物質であるから、エキスパンダーを
通過する触媒は単一段エキスパンダーの甚だしい
腐蝕及び二段エキスパンダーの第二段の閉塞の原
因となり、それに伴い第一段ロータブレードの摩
耗を生ずる。FCCプロセスは計算機により制御
されているけれども、触媒ロードダンプは、それ
らが発生してエキスパンダーが損傷するまで認識
されない。

米国特許第4392345号明細書には、エキスパン
ダーを損傷から保護するため、流れの中の超過触
媒又は粒子が検出され、また流れがエキスパンダ
ーを迂回してバイパスされるバイパス制御システ
ムが開示されている。この特許明細書には、触媒
の付随的な喪失によりボイラの外へ粒子をダンプ
すること、若しくは、それに代わる方法として、
触媒を防護するために別のホツパー機構が設けら
れるようにロツクホツパーシステムをFCCプラ
ント内へ組込むことが開示されている。

発明の概要 プロセスアプセツト触媒ロードダンプの間、大
きな濃度のダンプされた触媒は、エキスパンダー
を通つて流れないようにバイパスされる。本発明
では、触媒は別のサイクロン分離器へバイパスさ
れ、そこで触媒はガスの流れから回収される。こ
のサイクロン分離器から、ガスは廃熱ボイラへ戻
され、また粒子は触媒ホツパーへ伝達される。大
抵のFCCプラントは少なくとも二つの触媒ホツ
パー、一つは新触媒用、もう一つは廃触媒用、を
有する。分離器を設け、またアプセツトロードダ
ンプの間に集められた触媒を直接に廃触媒ホツパ
ーへ向かわせることにより、以前から知られてい
るロツクホツパーのような別の触媒収集システム
を設けるための費用は避けられている。追加的
に、追加的なサイクロン分離器を設けることによ
り、エキスパンダーのバイパスを許し、また高温
ガスを廃熱ボイラへダンプし続けながら粒子を最
低のコストで回収することが可能である。

本発明の一つの目的は、ダンプされた触媒が動
力回収システムのエキスパンダーを通過するのを
阻止するための方法及び装置を提供することであ
る。

本発明の他の目的は、プロセスアプセツト触媒
ダンプの間にダンプされた触媒を、触媒をサイク
ロン内で分離し、また触媒をシステムの触媒ホツ
パーの一つへ向かわせることにより回収するため
の方法及び装置を提供することである。

本発明の別の目的は、エキスパンダー若しくは
バイパスシステムへの高温ガスの流れを調節する
ための制御手段を提供することである。

本発明の他の目的は、廃触媒ホツパーとサイク
ロン分離器との間の触媒の制御された流れを許す
ように、それらの間の制御された相互作用を可能
にすることである。

本発明の別の目的は、触媒アプセツトロードダ
ンプ中にエキスパンダーをバイパスするため、ま
たこの触媒を経済的な仕方で回収するための安全
で、経済的で、信頼性に富む方法及び装置を提供
することである。

本発明の他の目的は、触媒ロードダンプの間に
エキスパンダーを保護するだけでなく、既存の廃
触媒ホツパーを使用して経済的且効率的に前記触
媒を追加的に回収し得るようにFCCプラント内
へ組込むための改装パツケージを提供することで
ある。

他の目的は特許請求範囲及び以下の説明から明
らかであろう。

これらの目的は、本発明の好ましい実施態様に
よれば、反応器と、供給原料を反応器へ供給する
ための手段と、再生器と、廃熱ボイラと、粒子貯
蔵容器と、動力回収エキスパンダーとを含んでい
る流動触媒クラツキングプロセスに於て、大量の
粒子を含み易い燃焼ガスをエキスパンダーへ供給
する供給過程と、燃焼ガスをエキスパンダーから
廃熱ボイラへ導く過程と、前記供給過程に於て粒
子の量が所定のレベルを超過したことを検出する
検出過程と、粒子の量が所定のレベルを超過した
ことが前記検出過程により検出されたときには燃
焼ガスをエキスパンダーから逸らす過程と、逸ら
された燃焼ガスから燃焼ガス中に飛末同伴されて
いる粒子を分離する過程と、燃焼ガスから分離さ
れた粒子を粒子貯蔵容器へ向かわせる過程と、粒
子を分離された燃焼ガスを廃熱ボイラへ導く過程
とを含んでいることを特徴とする流動触媒クラツ
キングプロセスにより達成される。

追加的に、本発明によれば、動力回収エキスパ
ンダーを保護し且粒子を回収するためのバイパス
システムに於て、動力回収エキスパンダーと、大
量の粒子を含み易い燃焼ガスを原動力流体として
前記エキスパンダーへ供給するための第一の流路
と、廃熱ボイラと、燃焼ガスをエキスパンダーか
ら廃熱ボイラへ供給するための第二の流路と、前
記第一の流路内のガスの流れを制御するための第
一の弁手段と、ガスから粒子を分離するためのサ
イクロン分離器と、前記第一の流路とエキスパン
ダーをバイパスするサイクロン分離器とに接続さ
れている第三の流路と、前記第三の流路を通るガ
スの流れを制御するための第三の弁手段と、前記
第一の流路内の前記燃焼ガス中の粒子濃度を測定
し且それを示す信号を発生するための手段と、粒
子貯蔵容器と、サイクロン分離器及び粒子貯蔵容
器に接続されており、それらの間で粒子を伝達す
るための粒子伝達手段と、ガスをサイクロン分離
器から廃熱ボイラへ導くためサイクロン分離器と
廃熱ボイラとの間に接続されている第四の流路
と、前記信号が所定の粒子レベルを示すときに、
粒子がエキスパンダーをバイパスして、サイクロ
ン分離器内に集められ、また粒子貯蔵容器へ伝達
されるように、前記信号に応答して前記第三の弁
手段を開き且前記第一の弁手段を閉じるための手
段とを含んでいることを特徴とするバイパスシス
テムが開示されている。

更に追加的に、本発明によれば、流路を通つて
動力回収エキスパンダーへ流れるガス内に飛末同
伴されている粒子によりエキスパンダーの損傷の
虞れがあるプロセスに追加して用いられ、前記損
傷の虞れを無くし且前記粒子が既存の貯蔵容器内
に貯蔵されるようにし得る改装パツケージに於
て、エキスパンダーへのガスの流れを阻止するべ
く配置されている第一の弁と、エキスパンダーに
至る流路から分離器へ延びているバイパス流路
と、バイパス流路を通る流れを制御するべく配置
されている第二の弁手段と、ガスの流れから分離
された粒子を貯蔵容器へ伝達するべく分離器とガ
スの流れから分離された粒子を貯蔵容器へ伝達す
るべく分離器と前記流路を通つてエキスパンダー
へ流れるガス中の粒子濃度を測定し且そのレベル
を示す信号を発生するための手段と、ガスの流れ
がエキスパンダーをバイパスし、また粒子が分離
器内で除去されるように、前記信号に応答して前
記第一の弁を閉じ且前記第二の弁を開くための手
段とを含んでいることを特徴とする改装パツケー
ジが開示されている。

好ましい実施例の説明 第１図には流動触媒クラツキング及び重油精留
の動力回収システム内の触媒再生の概要が示され
ている。第２図及び第３図は第１図の一部分を示
す図であり、同一の部分には同一の参照符号が用
いられている。

まず第１図を参照すると、マイクロプロセツサ
又は計算機１１０により制御される動力回収が行
われる流動触媒クラツキングユニツトの概要が示
されている。コークス化又は廃触媒は、弁１２ｂ
を有する導管１２ａを経て反応器１２により再生
器１４へ連続的に供給される。再生器１４内で、
コークスが燃焼により触媒から除去され、またそ
の結果得られた燃焼生成物は飛末同伴されている
触媒と一緒にそれぞれ第一及び第二段再生器サイ
クロン１５及び１６へ向かわせられる。これらの
サイクロンは一般にガスの流れから触媒の大きな
粒子を除去する。再生された触媒は、弁１４ｂを
含む導管１４ａを経て再生器から反応器１２へ戻
される。この再生された触媒は供給導管１１から
の供給原料と混合されて反応器１２へ供給され
る。この供給導管１１は、マイクロプロセツサ１
１０から油圧弁アクチユエータ１１１ｂを介して
制御される弁１１１ａを含んでいる。弁１１１ａ
は導管１４ａ及び１１の圧力を平衡させるように
弁１４ｂと関係付けて制御されるので、再生され
た触媒及び供給原料は適当に混合されて反応器１
２内へ供給される。

煙道ガスは再生器１４から導管１７を経て第三
段分離器１８へ入り、そこで最も小さい触媒粒子
が除去され、またブローダウンとして導管１８ａ
及び２４ａを経て廃熱ボイラへ送られる。代替的
に、ブローダウンは廃触媒ホツパーへ流れてもよ
い。残りの飛末同伴されている触媒粒子はガスの
流れと共に導管１９を通つて動力回収エキスパン
ダー２４へ入り、又はバイパス導管２０を経てバ
イパスされる。

動力回収エキスパンダー２４は電動発電機２
５、空気圧縮機２６及び蒸気タービン２７を直列
に含んでいる縦続段である。典型的に、エキスパ
ンダー２４は導管２８を経て再生器１４用の燃焼
空気を供給するべく圧縮機２６を駆動するのに使
用される。エキスパンダー２４を通過後に、ガス
は導管２４ａを通過して、導管２０からのバイパ
スガス及び導管１８ａからのバイパスガスと再結
合し、また熱回収ボイラ、典型的には一酸化炭素
又は廃熱ボイラ２１、へ向かわせられる。バイパ
ス導管２０は、導管１９及び２０内にそれぞれ配
置されておりまたマイクロプロセツサ１１０の制
御のもとに再生器圧力に応答する弁２２及び２３
と共に、動力回収縦続段を始動するため、再生器
圧力を維持するため、また動力回収縦続段を停止
させるために必要な制御を行う。正常な作動中、
絞り弁２２は全開であり、第三段分離器１８から
のすべての流れの約90％をエキスパンダー２４を
通して流す。残りの10％は線形制御の目的で例え
ば15°開いているバイパス弁２３により廃熱ボイ
ラ２１を通される。弁２２及び２３は何れもバタ
フライ弁である。弁２２及び２３はそれぞれ油圧
弁アクチユエータ２２ｂ及び２３ｂを介してマイ
クロプロセツサ１１０により、弁２２が閉じ始め
るにつれて弁２３が開き始めるように制御され、
それにより再生器に於ける圧力を±0.138bar内に
維持する。マイクロプロセツサ１１０は、再生器
１４の圧力に応答して、又は導管６１を経て供給
される第三段分離器１８の上流側の煙道ガスの圧
力に応答して、弁２２及び２３を制御する。電動
発電機２５の速度が電気的負荷ダンプにより過大
になると、過大な速度を示す速度信号がマイクロ
プロセツサ１１０に供給される。マイクロプロセ
ツサ１１０は過大速度信号に応答して弁２２を閉
じ、また弁２３を開くように制御する。

サイクロン１５，１６及び第三段分離器１８
は、特定の量の触媒同伴ガスを処理するように設
計されているので、主要なプロセスアプセツトの
間は完全に無効になる。その結果、閉塞が生じ、
大きな濃度の粒子が第三段分離器１８を通つてバ
イパス導管２０に入る。触媒同伴ガスの一部分は
バイパス導管２０を通過して廃熱ボイラに入る
が、触媒の大部分はエキスパンダーに到達して、
エキスパンダーを詰まらせ、またブレードを腐蝕
する。触媒ダンプの生起は検出されないので、幾
つかの公知のシステムでは、他のプロセスアプセ
ツトと見做されて圧力及び温度の制御により対処
され、典型的にエキスパンダーが損傷する事態に
至るまで触媒ダンプとして認識されない。

参照符号１３０を付されている光学式センサ
が、第三段分離器１８からエキスパンダー２４へ
通ずる導管１９内に配置されている。もし可能で
あれば、導管１９及び２０は、後記の理由で導管
１９が水平に入り且垂直に下方に出て、バイパス
流路が直線流路となるように、Ｔ形結合部を介し
て連結されるべきである。センサ１３０は、ユニ
ツトが触媒ダンプの作動モードにあるか否かをコ
ヒーレント光束の透過性により検出するレーザ光
源を含んでいてよい。

バイパス導管２０はサイクロン５０に接続され
ている。サイクロン５０は廃熱ボイラ２１へガス
を吐出するべく導管５１及び２４ａを経て接続さ
れている。サイクロン５０は廃触媒ホツパー６０
へ粒子を伝達するべく導管５４を経て接続されて
いる。

もしもユニツトが触媒ダンプの作動モードにあ
れば、マイクロプロセツサによる制御が、バイパ
ス弁２３をその全開位置へ開き、またアクチユエ
ータ２２ｂを介して絞り弁２２を閉止位置に閉じ
るように作用し、それにより追加的な触媒同伴ガ
スがエキスパンダーに入るのを阻止する。更にマ
イクロプロセツサはアクチユエータ５３ｂを介し
て弁５３を開くように作用する。飛末同伴されて
いる粒子を含んでいるバイパスされたガスは導管
２０からサイクロン５０内へ送られる。サイクロ
ン５０は、その底部で粒子を集め、またその頂部
でガスを吐出するように構成された遠心分離器で
ある。弁５３はサイクロンから廃熱ボイラ２１に
通ずる導管２４ａへ突出されるガスの流れを制御
する。弁５２はサイクロン５０の底部に、それか
ら吐出される粒子を制御するべく配置されてい
る。導管５４は弁５２を廃触媒ホツパー６０に接
続している。廃触媒ホツパー６０は典型的にシス
テム内に設けられている二つの触媒ホツパーの一
つである。FCCプロセス内での利用のため触媒
の一定の供給が行われるように廃触媒又は新触媒
を貯蔵する貯蔵容器が用いられている。廃触媒は
追加的に他の任意の分離器から集められてよく、
又はシステム・ダウンの場合にはクリーニング又
はサービスのために集められてよい。廃触媒ホツ
パーはシステム内に既設の装置である。圧縮器６
４は、触媒を廃触媒ホツパー内へ吸込み得るよう
に、廃触媒ホツパー内を真空に保つべく作用す
る。弁５６は廃触媒ホツパーからの吐出を制御す
る。更に、廃触媒ホツパー６０内の圧力を検出し
て弁５２の位置を制御するべく、センサ６２が設
けられている。適当な条件のもとに、廃触媒ホツ
パー内の圧力が十分に低い圧力、例えば真空、で
あれば、弁５２は開かれ、また触媒はサイクロン
５０から導管５４を通つて廃触媒ホツパー内へ吸
込まれ得る。触媒が吸込まれるにつれて、廃触媒
ホツパー６０内の圧力は、センサ６２が弁５２を
閉じるまで上昇する。弁５２が閉じられた時点で
圧縮機は触媒ホツパー内の圧力を低下させるよう
に作用し、このサイクルが、すべての粒子が伝達
されるまで繰り返される。

圧力センサ６２の代わりに、サイクロン５０内
の粒子レベルを測定するレベルセンサ５９を使用
し、それに応答して弁５２が制御されるように構
成することもできる。

上記のエキスパンダー・バイパス及び粒子回収
のための方法及び装置は既存のFCCシステムに
改装ユニツトとして設けられ得る。既存のシステ
ムは、廃熱ボイラに通ずるバイパス導管とエキス
パンダー２４に供給する導管１９とを有してい
る。上記の制御を実現するために改装ユニツトに
設ける必要のある追加装置は、触媒ロードダンプ
の状況を検出するセンサ１３０と、前記信号を処
理するためのマイクロプロセツサ１１０と、マイ
クロプロセツサに接続されている弁アクチユエー
タと、エキスパンダーへの流れを阻止するための
絞り弁２２として示されている弁と、マイクロプ
ロセツサにより制御されるバイパス弁２３とであ
る。追加的に、サイクロン５０が、直接にバイパ
ス導管２０から飛末同伴されている粒子を有する
流れを受入れるためシステムに追加される。追加
構造は弁５２及びセンサ６２又は５９と共にサイ
クロンを廃触媒ホツパーに接続する導管５４を含
んでいる。追加的に、ガスをサイクロン５２から
廃熱ボイラへ導く導管５１と、それを通る流れを
調節するための弁とが追加される。上記の追加装
置により、改装パツケージは、触媒ダンプの間に
エキスパンダーをバイパスし、また触媒ダンプか
ら粒子を回収し、それらを既存の廃触媒ホツパー
に向かわせる役割をし得る。弁２３及び５３の何
れか一方は省略され得る。何故ならばそれらのう
ち一方のみでエキスパンダーのバイパスを制御す
るのに十分だからである。

第２図はFCCシステムの一部分の概要図であ
る。この図に示されているサイクロン１５０は、
直接に第三段分離器１８から飛末同伴されている
粒子を有するガスを受入れ、また浄化されたガス
を導管１５１を通じて吐出するように配置されて
いるものとして示されている。レーザ検出器１３
０は僅かに異なる位置で導管１９内に示されてい
る。残りの構成要素は第１図と同一である。

次に第３図を参照すると、サイクロン２５０は
直接に再生器１４からの導管１７に導管２５５に
より接続されるように配置されているものとして
示されている。サイクロンから吐出されたガスは
導管２５１を経て導管２４ａに向かわせられ、ま
た弁５３により制御される。第３図のシステムと
第２図システムとの間の差は、第三段分離器が光
学式センサ１３０により検出されるバイパス作動
モードでバイパスされることである。残りの作動
方法は同一である。代替的に、第三段分離器１８
内へ吐出するべく導管２５１が導管１７に接続さ
れていてよい。

第４図には本発明の他の実施例が示されてい
る。第４図では、サイクロン５０はエキスパンダ
ーに通ずる曲りの下で導管１９に接続されてい
る。この配置では配管が重い粒子を下方にサイク
ロン５０に向かわせる役割をする。弁３５がサイ
クロン５０内への流れを制御するために設けられ
ている。プロセスアプセツトの間、弁３５はマイ
クロプロセツサの制御のもとに開かれて、高温ガ
ス及び飛末同伴されている粒子がエキスパンダー
をバイパスしてサイクロンに入るようにする。レ
ーザ・センサ１３０は導管１９を通る粒子の流れ
を検出するように配置されているものとして図示
されている。第４図中の残りの構成要素は第１図
中の構成要素と同一の作用をする。

図示されているサイクロン５０は分離装置の一
つの型式である。粒状床フイルタのような他の分
離装置も利用され得る。また、廃熱ボイラは一酸
化炭素ボイラであつてもよい。

以上に於ては、本考案を特定の実施例について
詳細に説明したが、本考案は、これに限定される
ものではなく、本考案の範囲内にて種々の実施例
が可能であることは当業者にとつて明らかであろ
う。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を取入れた流動触媒クラツキン
グプロセスの概要図である。第２図は第１図のシ
ステムの一部分の概要図であり、分離位置でサイ
クロン分離器を示している。第３図は第１図のシ
ステムの一部分の概要図であり、第三の位置でサ
イクロン分離器を示している。第４図は本発明を
取入れた流動触媒クラツキングプロセスの他の実
施例の概要図である。 １２……反応器、１４……再生器、１５，１６
……第一及び第二段再生器サイクロン、１８……
第三段分離器、２１……廃熱ボイラ、２４……動
力回収エキスパンダー、２５……電動発電機、２
６……空気圧縮機、２７……蒸気タービン、５０
……サイクロン、５９……レベル検出器、６０…
…廃触媒ホツパー、６２……圧力センサ、１１０
……マイクロプロセツサ、１３０……光学式検出
器、１５０，２５０……サイクロン。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 反応器と、供給原料を反応器へ供給するため
   の手段と、再生器と、廃熱ボイラと、粒子貯蔵容
   器と、動力回収エキスパンダーとを含んでいる流
   動触媒クラツキングプロセスに於て、 大量の粒子を含み易い燃焼ガスをエキスパンダ
   ーへ供給する供給過程と、 燃焼ガスをエキスパンダーから廃熱ボイラへ導
   く過程と、 前記供給過程に於て粒子の量が所定のレベルを
   超過したことを検出する検出過程と、 粒子の量が所定のレベルを超過したことが前記
   検出過程により検出されたときには燃焼ガスをエ
   キスパンダーから逸らす過程と、逸らされた燃焼
   ガスから燃焼ガス中に飛末同伴されている粒子を
   分離する過程と、 燃焼ガスから分離された粒子を粒子貯蔵容器へ
   向かわせる過程と、 粒子を分離された燃焼ガスを廃熱ボイラへ導く
   過程と を含んでいることを特徴とする流動触媒クラツキ
   ングプロセス。 ２ 動力回収エキスパンダーを保護し且粒子を回
   収するためのバイパスシステムに於て、 動力回収エキスパンダーと、 大量の粒子を含み易い燃焼ガスを原動力流体と
   して前記エキスパンダーへ供給するための第一の
   流路と、 廃熱ボイラと、 燃焼ガスをエキスパンダーから廃熱ボイラへ供
   給するための第二の流路と、 前記第一の流路内のガスの流れを制御するため
   の第一の弁手段と、 ガスから粒子を分離するためのサイクロン分離
   器と、 前記第一の流路とエキスパンダーをバイパスす
   るサイクロン分離器とに接続されている第三の流
   路と、 前記第三の流路を通るガスの流れを制御するた
   めの第三の弁手段と、 前記第一の流路内の前記燃焼ガス中の粒子濃度
   を測定し且それを示す信号を発生するための手段
   と、 粒子貯蔵容器と、 サイクロン分離器及び粒子貯蔵容器に接続され
   ており、それらの間で粒子を伝達するための粒子
   伝達手段と、 ガスをサイクロン分離器から廃熱ボイラへ導く
   ためサイクロン分離器と廃熱ボイラとの間に接続
   されている第四の流路と、 前記信号が所定の粒子レベルを示すときに、粒
   子がエキスパンダーをバイパスして、サイクロン
   分離器内に集められ、また粒子貯蔵容器へ伝達さ
   れるように、前記信号に応答して前記第三の弁手
   段を開き且前記第一の弁手段を閉じるための手段
   と を含んでいることを特徴とするバイパスシステ
   ム。 ３ 流路を通つて動力回収エキスパンダーへ流れ
   るガス中に飛末同伴されている粒子によりエキス
   パンダーの損傷の虞れがあるプロセスに追加して
   用いられ、前記損傷の虞れを無くし且前記粒子が
   既存の貯蔵容器内に貯蔵されるようにし得る改装
   パツケージに於て、 エキスパンダーへのガスの流れを阻止するべく
   配置されている第一の弁と、 エキスパンダーに至る流路から分離器へ延びて
   いるバイパス流路と、 バイパス流路を通る流れを制御するべく配置さ
   れている第二の弁手段と、 ガスの流れから分離された粒子を貯蔵容器へ伝
   達するべく分離器と貯蔵容器との間に接続されて
   いる粒子伝達手段と、 前記流路を通つてエキスパンダーへ流れるガス
   中の粒子濃度を測定し且そのレベルを示す信号を
   発生するための手段と、 ガスの流れがエキスパンダーをバイパスし、ま
   た粒子が分離器内で除去されるように、前記信号
   に応答して前記第一の弁を閉じ且前記第二の弁を
   開くための手段と を含んでいることを特徴とする改装パツケージ。