JPH0473611B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0473611B2 JPH0473611B2 JP20800885A JP20800885A JPH0473611B2 JP H0473611 B2 JPH0473611 B2 JP H0473611B2 JP 20800885 A JP20800885 A JP 20800885A JP 20800885 A JP20800885 A JP 20800885A JP H0473611 B2 JPH0473611 B2 JP H0473611B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- pattern
- photoresist film
- forming
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は微細パターン形成方法に関し、特
に、プラズマエツチングマスクとして、従来のフ
オトレジスト膜よりもさらに耐プラズマ性に優れ
たスチレン重合膜のエツチングマスクへの適用に
関するものである。
に、プラズマエツチングマスクとして、従来のフ
オトレジスト膜よりもさらに耐プラズマ性に優れ
たスチレン重合膜のエツチングマスクへの適用に
関するものである。
［従来の技術］
第２図ａ，ｂ，ｃは、従来用いられている耐プ
ラズマエツチングマスクの例である。第２図ａ
は、一層のフオトレジスト膜パターン２０をエツ
チングマスクとして用いるものである。このマス
クの形成方法について説明すると、まず、被エツ
チング膜１上にフオトレジスト膜（図示せず）を
形成し、このフオトレジスト膜を写真製版技術を
用いてフオトレジスト膜パターン２０を形成す
る。第２図ｂは、上層硅素系フオトレジスト膜パ
ターン２２と下層フオトレジスト膜パターン２１
との二層膜パターンをエツチングマスクとして用
いるものである。このマスクの形成方法について
説明すると、まず、被エツチング膜１上に下層フ
オトレジスト膜（図示せず）を形成し、この下層
フオトレジスト膜上に上層硅素系フオトレジスト
膜（図示せず）を形成する。この後、この上層硅
素系フオトレジスト膜を写真製版技術を用いて上
層硅素系フオトレジスト膜パターン２２を形成
し、この上層硅素系フオトレジスト膜パターン２
２をマスクとして下層フオトレジスト膜をプラズ
マエツチングし下層フオトレジスト膜パターン２
１を形成する。第２図ｃは、無機膜パターン２３
と下層フオトレジスト膜パターン２１との二層膜
パターンをエツチングマスクとして用いるもので
ある。このマスクの形成方法について説明する
と、まず、被エツチング膜１上に下層フオトレジ
スト膜（図示せず）を形成し、このフオトレジス
ト膜上に無機膜（図示せず）を形成し、この無機
膜上に上層フオトレジスト膜（図示せず）を形成
する。この後、上層フオトレジスト膜をエツチン
グして上層フオトレジスト膜パターン（図示せ
ず）を形成し、この上層膜フオトレジスト膜パタ
ーンをマスクとして無機膜をエツチングし無機膜
パターン２３を形成し、この無機膜パターン２３
をマスクとして下層フオトレジスト膜をプラズマ
エツチングし下層フオトレジスト膜パターン２１
を形成する。
ラズマエツチングマスクの例である。第２図ａ
は、一層のフオトレジスト膜パターン２０をエツ
チングマスクとして用いるものである。このマス
クの形成方法について説明すると、まず、被エツ
チング膜１上にフオトレジスト膜（図示せず）を
形成し、このフオトレジスト膜を写真製版技術を
用いてフオトレジスト膜パターン２０を形成す
る。第２図ｂは、上層硅素系フオトレジスト膜パ
ターン２２と下層フオトレジスト膜パターン２１
との二層膜パターンをエツチングマスクとして用
いるものである。このマスクの形成方法について
説明すると、まず、被エツチング膜１上に下層フ
オトレジスト膜（図示せず）を形成し、この下層
フオトレジスト膜上に上層硅素系フオトレジスト
膜（図示せず）を形成する。この後、この上層硅
素系フオトレジスト膜を写真製版技術を用いて上
層硅素系フオトレジスト膜パターン２２を形成
し、この上層硅素系フオトレジスト膜パターン２
２をマスクとして下層フオトレジスト膜をプラズ
マエツチングし下層フオトレジスト膜パターン２
１を形成する。第２図ｃは、無機膜パターン２３
と下層フオトレジスト膜パターン２１との二層膜
パターンをエツチングマスクとして用いるもので
ある。このマスクの形成方法について説明する
と、まず、被エツチング膜１上に下層フオトレジ
スト膜（図示せず）を形成し、このフオトレジス
ト膜上に無機膜（図示せず）を形成し、この無機
膜上に上層フオトレジスト膜（図示せず）を形成
する。この後、上層フオトレジスト膜をエツチン
グして上層フオトレジスト膜パターン（図示せ
ず）を形成し、この上層膜フオトレジスト膜パタ
ーンをマスクとして無機膜をエツチングし無機膜
パターン２３を形成し、この無機膜パターン２３
をマスクとして下層フオトレジスト膜をプラズマ
エツチングし下層フオトレジスト膜パターン２１
を形成する。
［発明が解決しようとする問題点］
従来の耐プラズマエツチングマスクは以上のよ
うに形成されているため、第２図ａの一層膜パタ
ーンのマスクの場合には、下地の被エツチング膜
１のエツチング時にマスク材であるフオトレジス
トが膜減りを生じやすく微細パターン形成時に多
くの問題点があつた。また、第２図ｂ，ｃの二層
膜パターンのマスクの場合には、上層硅素系フオ
トレジスト膜パターン２２、無機膜パターン２３
が下層フオトレジスト膜パターン２１との密着性
が悪く、微細パターン形成時にパターン欠陥を生
じさせるなどの問題点があつた。
うに形成されているため、第２図ａの一層膜パタ
ーンのマスクの場合には、下地の被エツチング膜
１のエツチング時にマスク材であるフオトレジス
トが膜減りを生じやすく微細パターン形成時に多
くの問題点があつた。また、第２図ｂ，ｃの二層
膜パターンのマスクの場合には、上層硅素系フオ
トレジスト膜パターン２２、無機膜パターン２３
が下層フオトレジスト膜パターン２１との密着性
が悪く、微細パターン形成時にパターン欠陥を生
じさせるなどの問題点があつた。
この発明は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、従来の下層フオトレジスト膜
上に無機膜パターンまたは上層硅素系フオトレジ
スト膜パターンを形成する方法から、下層フオト
レジスト膜表面を活性化した後、この下層フオト
レジスト膜上に耐プラズマ性を有する重合膜パタ
ーンを形成する方法へ変えることにより、パター
ン欠陥を生じさせることなくかつ容易に微細パタ
ーンを形成することができる方法を得ることを目
的とする。
になされたもので、従来の下層フオトレジスト膜
上に無機膜パターンまたは上層硅素系フオトレジ
スト膜パターンを形成する方法から、下層フオト
レジスト膜表面を活性化した後、この下層フオト
レジスト膜上に耐プラズマ性を有する重合膜パタ
ーンを形成する方法へ変えることにより、パター
ン欠陥を生じさせることなくかつ容易に微細パタ
ーンを形成することができる方法を得ることを目
的とする。
［問題点を解決するための手段］
この発明における微細パターン形成方法は、レ
ジスト膜を含む２層膜をエツチングマスクとして
用いる微細パターン形成方法であつて、被エツチ
ング膜上に第１のレジスト膜を形成する工程と、
第１のレジスト膜上にスチレンを主成分とし耐プ
ラズマ性を有する重合膜を形成する工程と、重合
膜上の所定領域に第２のレジスト膜を形成する工
程と、第２のレジスト膜をマスクとして重合膜を
エツチングすることにより重合膜をパターニング
する工程と、パターニングされた重合膜および第
２のレジスト膜をマスクとして第１のレジスト膜
をエツチングすることにより第１のレジスト膜を
パターニングするとともに第２のレジスト膜を除
去する工程とを備えている。
ジスト膜を含む２層膜をエツチングマスクとして
用いる微細パターン形成方法であつて、被エツチ
ング膜上に第１のレジスト膜を形成する工程と、
第１のレジスト膜上にスチレンを主成分とし耐プ
ラズマ性を有する重合膜を形成する工程と、重合
膜上の所定領域に第２のレジスト膜を形成する工
程と、第２のレジスト膜をマスクとして重合膜を
エツチングすることにより重合膜をパターニング
する工程と、パターニングされた重合膜および第
２のレジスト膜をマスクとして第１のレジスト膜
をエツチングすることにより第１のレジスト膜を
パターニングするとともに第２のレジスト膜を除
去する工程とを備えている。
［作用］
この発明に係る微細パターン形成方法では、第
２層目のスチレンを主成分とし耐プラズマ性を有
する重合膜によつて、第１層目の第１のレジスト
膜と第２層目の重合膜との密着性が良好でかつ耐
プラズマエツチング特性に優れた２層膜からなる
エツチングマスクが形成される。
２層目のスチレンを主成分とし耐プラズマ性を有
する重合膜によつて、第１層目の第１のレジスト
膜と第２層目の重合膜との密着性が良好でかつ耐
プラズマエツチング特性に優れた２層膜からなる
エツチングマスクが形成される。
［実施例］
以下、この発明の実施例を図について説明す
る。第１図Ａ，Ｂ，Ｃは、この発明の実施例であ
る微細パターン形成方法の主要工程段階における
状態を示す断面図である。この方法について説明
すると、被エツチング膜１上に下層フオトレジス
ト膜２を形成する。この後、これを真空チヤンバ
中に設置し、下層フオトレジスト膜２表面に不活
性ガスプラズマなどを照射してこの表面を活性化
する。この後、下層フオトレジスト膜２上に、下
地の被エツチング膜１をプラズマエツチングする
際に耐プラズマ性を有する、たとえばポリスチレ
ンなどからなる重合膜３を重合形成する。この
後、再度重合膜３上に上層フオトレジスト膜（図
示せず）を形成し、この上層フオトレジスト膜に
フオトリソグラフ技術を用いて、所望の上層フオ
トレジスト膜パターン４０を形成する［第１図
Ａ］。この後、上層フオトレジスト膜パターン４
０をエツチングマスクとして、その下層の重合膜
３を湿式または乾式エツチングし重合膜パターン
３０を形成する［第１図Ｂ」。この後、上層フオ
トレジスト膜パターン４０、重合膜パターン３０
をエツチングマスクとして、その下層の下層フオ
トレジスト膜２を乾式エツチング技術を用いてエ
ツチングし下層フオトレジスト膜パターン２１を
形成する。このとき、上層フオトレジスト膜パタ
ーン４０は、下層フオトレジスト膜２をエツチン
グする際に同時に除去する［第１図Ｃ］。このよ
うにして形成された二層膜パターンからなるエツ
チングマスクは、耐プラズマエツチング性に富
み、かつ重合膜パターン３０と下層フオトレジス
ト膜パターン２１との密着性が良好なことから、
微細パターン形成に優れている。
る。第１図Ａ，Ｂ，Ｃは、この発明の実施例であ
る微細パターン形成方法の主要工程段階における
状態を示す断面図である。この方法について説明
すると、被エツチング膜１上に下層フオトレジス
ト膜２を形成する。この後、これを真空チヤンバ
中に設置し、下層フオトレジスト膜２表面に不活
性ガスプラズマなどを照射してこの表面を活性化
する。この後、下層フオトレジスト膜２上に、下
地の被エツチング膜１をプラズマエツチングする
際に耐プラズマ性を有する、たとえばポリスチレ
ンなどからなる重合膜３を重合形成する。この
後、再度重合膜３上に上層フオトレジスト膜（図
示せず）を形成し、この上層フオトレジスト膜に
フオトリソグラフ技術を用いて、所望の上層フオ
トレジスト膜パターン４０を形成する［第１図
Ａ］。この後、上層フオトレジスト膜パターン４
０をエツチングマスクとして、その下層の重合膜
３を湿式または乾式エツチングし重合膜パターン
３０を形成する［第１図Ｂ」。この後、上層フオ
トレジスト膜パターン４０、重合膜パターン３０
をエツチングマスクとして、その下層の下層フオ
トレジスト膜２を乾式エツチング技術を用いてエ
ツチングし下層フオトレジスト膜パターン２１を
形成する。このとき、上層フオトレジスト膜パタ
ーン４０は、下層フオトレジスト膜２をエツチン
グする際に同時に除去する［第１図Ｃ］。このよ
うにして形成された二層膜パターンからなるエツ
チングマスクは、耐プラズマエツチング性に富
み、かつ重合膜パターン３０と下層フオトレジス
ト膜パターン２１との密着性が良好なことから、
微細パターン形成に優れている。
なお、上記実施例では、重合膜がポリスチレン
などからなる場合について示したが、このポリス
チレンなどからなる重合膜に、耐プラズマ性を向
上させるために硅素またはアルミニウムなどの不
純物を数ないし数10％含有してもよく、この場合
にも上記実施例と同様の効果を奏する。
などからなる場合について示したが、このポリス
チレンなどからなる重合膜に、耐プラズマ性を向
上させるために硅素またはアルミニウムなどの不
純物を数ないし数10％含有してもよく、この場合
にも上記実施例と同様の効果を奏する。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、レジスト膜
を含む２層膜をエツチングマスクとして用いる微
細パターン形成方法において、第２層目にスチレ
ンを主成分とし耐プラズマ性を有する重合膜を形
成することによつて、第１層目の第１のレジスト
膜と第２層目の重合膜との密着性が良好でかつ耐
プラズマエツチング特性に優れた２層膜からなる
エツチングマスクを形成でき、これにより、その
エツチングマスクを用いて被エツチング膜をプラ
ズマエツチングする際にエツチングマスクのパタ
ーン欠陥が生じるのを有効に防止でき、かつ、容
易に微細パターンを形成することができる。
を含む２層膜をエツチングマスクとして用いる微
細パターン形成方法において、第２層目にスチレ
ンを主成分とし耐プラズマ性を有する重合膜を形
成することによつて、第１層目の第１のレジスト
膜と第２層目の重合膜との密着性が良好でかつ耐
プラズマエツチング特性に優れた２層膜からなる
エツチングマスクを形成でき、これにより、その
エツチングマスクを用いて被エツチング膜をプラ
ズマエツチングする際にエツチングマスクのパタ
ーン欠陥が生じるのを有効に防止でき、かつ、容
易に微細パターンを形成することができる。
第１図Ａ，Ｂ，Ｃは、この発明の実施例である
微細パターン形成方法の主要工程段階における状
態を示す断面図である。第２図ａ，ｂ，ｃは、従
来用いられている耐プラズマエツチングマスクの
例であり、第２図ａは、一層の膜パターンからな
るエツチングマスクを、第２図ｂ，ｃは、二層膜
パターンからなるエツチングマスクを示す図であ
る。 図において、１は被エツチング膜、２は下層フ
オトレジスト膜、２１はフオトレジスト膜パター
ン、３は重合膜、３０は重合膜パターン、４０は
上層フオトレジスト膜パターンである。なお、各
図中同一符号は同一または相当部分を示す。
微細パターン形成方法の主要工程段階における状
態を示す断面図である。第２図ａ，ｂ，ｃは、従
来用いられている耐プラズマエツチングマスクの
例であり、第２図ａは、一層の膜パターンからな
るエツチングマスクを、第２図ｂ，ｃは、二層膜
パターンからなるエツチングマスクを示す図であ
る。 図において、１は被エツチング膜、２は下層フ
オトレジスト膜、２１はフオトレジスト膜パター
ン、３は重合膜、３０は重合膜パターン、４０は
上層フオトレジスト膜パターンである。なお、各
図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ レジスト膜を含む２層膜をエツチングマスク
として用いる微細パターン形成方法であつて、 被エツチング膜上に第１のレジスト膜を形成す
る工程と、 前記第１のレジスト膜上にスチレンを主成分と
し耐プラズマ性を有する重合膜を形成する工程
と、 前記重合膜上の所定領域に第２のレジスト膜を
形成する工程と、 前記第２のレジスト膜をマスクとして前記重合
膜をエツチングすることにより前記重合膜をパタ
ーニングする工程と、 前記パターニングされた重合膜および前記第２
のレジスト膜をマスクとして前記第１のレジスト
膜をエツチングすることにより、前記第１のレジ
スト膜をパターニングするとともに前記第２のレ
ジスト膜を除去する工程とを備えた、微細パター
ン形成方法。 ２ 前記重合膜は、耐プラズマ性を向上させるた
めの不純物を含有する特許請求の範囲第１項記載
の微細パターン形成方法。 ３ 前記不純物は硅素またはアルミニウムである
特許請求の範囲第２項記載の微細パターン形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20800885A JPS6266634A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | 微細パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20800885A JPS6266634A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | 微細パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6266634A JPS6266634A (ja) | 1987-03-26 |
| JPH0473611B2 true JPH0473611B2 (ja) | 1992-11-24 |
Family
ID=16549140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20800885A Granted JPS6266634A (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | 微細パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6266634A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006101458A1 (en) * | 2005-03-22 | 2006-09-28 | National University Of Singapore | Method for patterning ferrelectric/piezoelectric films |
-
1985
- 1985-09-18 JP JP20800885A patent/JPS6266634A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6266634A (ja) | 1987-03-26 |
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