JPH0473878A - ガス入放電管 - Google Patents
ガス入放電管Info
- Publication number
- JPH0473878A JPH0473878A JP18389290A JP18389290A JPH0473878A JP H0473878 A JPH0473878 A JP H0473878A JP 18389290 A JP18389290 A JP 18389290A JP 18389290 A JP18389290 A JP 18389290A JP H0473878 A JPH0473878 A JP H0473878A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating substrate
- electrodes
- electrode
- discharge
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 abstract 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
- 230000003245 working effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052773 Promethium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N promethium atom Chemical compound [Pm] VQMWBBYLQSCNPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、異常サージから電子機器類を保護するため
のガス人放電管に関する。
のガス人放電管に関する。
第4図は、従来のガス人放電管の一例を示す断面図であ
る。
る。
ガス人放電管は、全体として相形で、セラミックスなど
の中空円筒からなる絶縁管101の管端接合面102.
103にそれぞれろう材104.105を介して電極1
06.107で封着し、内部にアルゴン(Ar)などの
不活性ガスを封止し、対向する放電面108.109間
の放電ギヤツブ110で放電を得る構造である。111
.112は電極106.107の鍔部、113.114
は電極106.107のテーパ一部、115.116は
絶縁管101の管端接合面102.103に設けられる
メタライズ層である。そして、絶縁管101の内壁11
7にトリガ手段として導電条片118が設けられている
。
の中空円筒からなる絶縁管101の管端接合面102.
103にそれぞれろう材104.105を介して電極1
06.107で封着し、内部にアルゴン(Ar)などの
不活性ガスを封止し、対向する放電面108.109間
の放電ギヤツブ110で放電を得る構造である。111
.112は電極106.107の鍔部、113.114
は電極106.107のテーパ一部、115.116は
絶縁管101の管端接合面102.103に設けられる
メタライズ層である。そして、絶縁管101の内壁11
7にトリガ手段として導電条片118が設けられている
。
導電条片118は、現在のところ炭素条片が実用化され
ている。炭素条片はいずれかの一方の電極、例えば電極
106が位置する管端接合面102を基端縁とするとと
もに、他方の電極107の放電面109に近接する壁面
を先端縁として軸線方向にわたって罫書されている。図
示しないが、先端縁を他方の電極107の鍔部112の
手前まで延設したものや、両管端接合面102.103
から両端縁を離間したものも実施されている。
ている。炭素条片はいずれかの一方の電極、例えば電極
106が位置する管端接合面102を基端縁とするとと
もに、他方の電極107の放電面109に近接する壁面
を先端縁として軸線方向にわたって罫書されている。図
示しないが、先端縁を他方の電極107の鍔部112の
手前まで延設したものや、両管端接合面102.103
から両端縁を離間したものも実施されている。
ところで、このような炭素条片は治具などを用いずに手
作業で正確に罫書することは非常に困難であった。正確
に形成するためには、絶縁管101の内部に一方の管端
接合面102又は103から弧面を有する治具(図示上
ず)を挿入し、治具の割溝に鉛筆などを差し込んで手作
業により罫書されていた。その際、鉛筆などは、管端接
合面102又は103から斜めに治具の割溝内に差し込
まなければならず、治具の挿入、位置決めと併せて非常
に面倒で手間のかかる作業となっていた。
作業で正確に罫書することは非常に困難であった。正確
に形成するためには、絶縁管101の内部に一方の管端
接合面102又は103から弧面を有する治具(図示上
ず)を挿入し、治具の割溝に鉛筆などを差し込んで手作
業により罫書されていた。その際、鉛筆などは、管端接
合面102又は103から斜めに治具の割溝内に差し込
まなければならず、治具の挿入、位置決めと併せて非常
に面倒で手間のかかる作業となっていた。
しかも、斜めから差し込んで罫書するために、治具を用
いても付着斑が生じ易く、それぞれを均一に罫書するこ
とが困難であって、トリガ特性に微妙な影響が生じてい
た。
いても付着斑が生じ易く、それぞれを均一に罫書するこ
とが困難であって、トリガ特性に微妙な影響が生じてい
た。
そこで、この発明の目的は、導電条片が容易に形成でき
るとともに、導電条片が正確に形成されることによりト
リガ特性のバラツキを抑えたガス人放電管を提供するこ
とにある。
るとともに、導電条片が正確に形成されることによりト
リガ特性のバラツキを抑えたガス人放電管を提供するこ
とにある。
この発明に係るガス人放電管は、絶縁基板と、この絶縁
基板の端部にそれぞれ離間して設けられた電極と、これ
らの電極間の上記絶縁基板上にギヤノブを介して設けら
れた導電条片と、この導電条片と上記電極とを放電用の
ガスを封入して気密封止する絶縁ケースとを備えたもの
である。
基板の端部にそれぞれ離間して設けられた電極と、これ
らの電極間の上記絶縁基板上にギヤノブを介して設けら
れた導電条片と、この導電条片と上記電極とを放電用の
ガスを封入して気密封止する絶縁ケースとを備えたもの
である。
(作用〕
この発明に係るガス人放電管では、絶縁基板の端部にそ
れぞれ電極を設け、これらの電極間の上記絶縁基板上に
導電条片を設ける。この導電条片は、形成時に妨げにな
る部分がないので、容易にに設けられる。そして、この
導電条片と上記電極とを放電用のガスを封入して絶縁ケ
ースで気密封止する。
れぞれ電極を設け、これらの電極間の上記絶縁基板上に
導電条片を設ける。この導電条片は、形成時に妨げにな
る部分がないので、容易にに設けられる。そして、この
導電条片と上記電極とを放電用のガスを封入して絶縁ケ
ースで気密封止する。
第り図及び第2図はこの発明に係るガス人放電管の一実
施例を示し、第1図は第2図におけるIIvA縦断面図
、第2図は平面図である。
施例を示し、第1図は第2図におけるIIvA縦断面図
、第2図は平面図である。
以下、これらの図面に基づき詳細に説明する。
ガス人放電管は、絶縁基板10と、絶縁基板の端部I2
.14にそれぞれ離間して設けられたトリガ放電用の電
極16.18及び主放電用の電極30.32と、電極1
6.18間の絶縁基板10上に設けられた導電条片22
.24と、導電条片22.24と電極16.18とを放
電用のガスを封入して気密封止する絶縁ケース26とを
備え、トリガ放電用の電極I6.1B及び導電条片22
.24が絶縁基板10の一面48に、玉数を石の電極3
0.32が絶縁基板10の他面5oに配設されている。
.14にそれぞれ離間して設けられたトリガ放電用の電
極16.18及び主放電用の電極30.32と、電極1
6.18間の絶縁基板10上に設けられた導電条片22
.24と、導電条片22.24と電極16.18とを放
電用のガスを封入して気密封止する絶縁ケース26とを
備え、トリガ放電用の電極I6.1B及び導電条片22
.24が絶縁基板10の一面48に、玉数を石の電極3
0.32が絶縁基板10の他面5oに配設されている。
そして、導電条片22.24間にはギヤノブ20が形成
されている。
されている。
また、絶縁基板lO上にガラスコーティング層28を形
成することができる。
成することができる。
絶縁基板10は、電気的絶縁性を存するセラミックス、
合成樹脂等で形成される。この実施例では、絶縁基板1
0として酸化アルミニウムを主成分とするセラミックス
を用いている。このセラミックスの一面にガラスの微粉
末を含むペーストを塗布し焼成してガラスコーティング
層28を形成する。そして、絶縁基板10の端部12.
14のガラスコーティング層28上にCuを含むベース
トを塗布し焼成して、トリガ放電用の電極16.18を
形成する。次いで、レーザCVD (Chemical
Vapor Depositi。
合成樹脂等で形成される。この実施例では、絶縁基板1
0として酸化アルミニウムを主成分とするセラミックス
を用いている。このセラミックスの一面にガラスの微粉
末を含むペーストを塗布し焼成してガラスコーティング
層28を形成する。そして、絶縁基板10の端部12.
14のガラスコーティング層28上にCuを含むベース
トを塗布し焼成して、トリガ放電用の電極16.18を
形成する。次いで、レーザCVD (Chemical
Vapor Depositi。
−n)によって、電極16.18の一部を種として、ガ
ラスコーティング層28上に幅、厚みともに約3μmの
導電条片22.24を形成する。
ラスコーティング層28上に幅、厚みともに約3μmの
導電条片22.24を形成する。
電極16.18にはそれぞればんだ34.36によって
端子38.40が接続される。また、電極16と電極3
0とは接触片54a、54bを介して、電極18と電極
32とは接触片56a、56bを介してそれぞれ導通さ
れている。さらに、電極30.32は、特性の不安定な
沿面放電を避けて気中放電とするために、この実施例の
ように絶縁基板10及び絶縁ケース26から離間して設
けてもよい。
端子38.40が接続される。また、電極16と電極3
0とは接触片54a、54bを介して、電極18と電極
32とは接触片56a、56bを介してそれぞれ導通さ
れている。さらに、電極30.32は、特性の不安定な
沿面放電を避けて気中放電とするために、この実施例の
ように絶縁基板10及び絶縁ケース26から離間して設
けてもよい。
絶縁ケース26は、セラミックスなどの上部材4ンと下
部材44と低融点ガラスなどの封着層46とからなる。
部材44と低融点ガラスなどの封着層46とからなる。
上部材42と下部材44との間に、端子38.40を外
部へ出した状態で絶縁基板10全体を入れるとともにA
r等の放電用ガスを封入する。そして、封着層46を溶
融して絶縁基板10全体を絶縁ケース26で気密封止す
る。なお、絶縁ケース26の内壁58には、プロメチウ
ム(Pm)やニッケル(Ni)などの放射性同位体を付
着させてもよい。
部へ出した状態で絶縁基板10全体を入れるとともにA
r等の放電用ガスを封入する。そして、封着層46を溶
融して絶縁基板10全体を絶縁ケース26で気密封止す
る。なお、絶縁ケース26の内壁58には、プロメチウ
ム(Pm)やニッケル(Ni)などの放射性同位体を付
着させてもよい。
また、導電条片22.24間のギャップ20の長さAと
主放電用の電極30.32間の距離Bとは、A<Bとな
るように設定されている。そして、トリガ放電によって
イオン化したガスが主放電用の電極30.32側へ拡散
しやすいように、絶縁基板10と絶縁ケース26とに間
隙52が設けられている。
主放電用の電極30.32間の距離Bとは、A<Bとな
るように設定されている。そして、トリガ放電によって
イオン化したガスが主放電用の電極30.32側へ拡散
しやすいように、絶縁基板10と絶縁ケース26とに間
隙52が設けられている。
このように、この実施例ではトリガ放電用の電極16.
18と主放電用の電極30.32とを絶縁基板10の一
面48と他面50とに配設することにより、主放電のス
パンタリング現象によって電極30.32を構成する金
属が飛散しても、その金属は主に電極30.32に対向
する絶縁ケース26の内壁に付着し一面48側へはほと
んど回り込まない、したがって、主放電によるスパンタ
リング現象によって導電条片22.24近辺が汚染され
、トリガ特性が劣化することを防げる。
18と主放電用の電極30.32とを絶縁基板10の一
面48と他面50とに配設することにより、主放電のス
パンタリング現象によって電極30.32を構成する金
属が飛散しても、その金属は主に電極30.32に対向
する絶縁ケース26の内壁に付着し一面48側へはほと
んど回り込まない、したがって、主放電によるスパンタ
リング現象によって導電条片22.24近辺が汚染され
、トリガ特性が劣化することを防げる。
なお、この実施例では、トリガ放電用の電極16.18
と主放電用の電極30.32とを区別しているが、主放
電用の電極30.32を省いて、トリガ放電用の電極1
6.18に主放電も兼ねさせてもよい。
と主放電用の電極30.32とを区別しているが、主放
電用の電極30.32を省いて、トリガ放電用の電極1
6.18に主放電も兼ねさせてもよい。
また、ギャップ20は、導電条片22.24をどちらか
一方のみにして、導電条片22と電極18との間又は導
電条片24と電極16との間に形成してもよい。また、
導電条片22.24のそれらの長さの和が、電極16.
18間の距離よりも長くなるようにして、導電条片22
.24が互いに接触しないように対向させてもよい。さ
らに、導電条片22.24を長さ方向に分割して多数の
ギャップを設けてもよい。さらにまた、導電条片22.
24は複数本以上設けてもよい。
一方のみにして、導電条片22と電極18との間又は導
電条片24と電極16との間に形成してもよい。また、
導電条片22.24のそれらの長さの和が、電極16.
18間の距離よりも長くなるようにして、導電条片22
.24が互いに接触しないように対向させてもよい。さ
らに、導電条片22.24を長さ方向に分割して多数の
ギャップを設けてもよい。さらにまた、導電条片22.
24は複数本以上設けてもよい。
次に、導電条片22.24をレーザCVDで形成する方
法について第3図に基づき説明する。第3閲は導電条片
22.24をレーザCVDで形成する方法を示す概略図
である。
法について第3図に基づき説明する。第3閲は導電条片
22.24をレーザCVDで形成する方法を示す概略図
である。
チャンバ60内には、絶縁基板10が載置されるととも
にArとW (CO)、との混合ガス62が流れる。光
源64にはYAGレーザの第2高調波の波長532nm
を用いる。このレーザー光56を光学系68で収束して
、チャンバ60のガラス窓70を通して絶縁基板10に
垂直に照射する。
にArとW (CO)、との混合ガス62が流れる。光
源64にはYAGレーザの第2高調波の波長532nm
を用いる。このレーザー光56を光学系68で収束して
、チャンバ60のガラス窓70を通して絶縁基板10に
垂直に照射する。
すると、絶縁基板10では、レーザー光66が照射され
た部分の温度が上昇してその周囲のW(CO)6が熱分
解されてタングステンが堆積する。
た部分の温度が上昇してその周囲のW(CO)6が熱分
解されてタングステンが堆積する。
そして、絶縁基板lOを移動させれば、レーザー光66
が照射された部分にタングステンからなる導電条片22
.24が形成される。この方法によれば、極めて精度よ
く導電条片22.24を形成テキる。特に、絶縁基板1
0上にガラスコーティング層28を形成して絶縁基板1
0上を平坦化すれば、幅は1ミクロン単位、厚みは0.
1ミクロン単位で導電条片22.24を描くことができ
る。
が照射された部分にタングステンからなる導電条片22
.24が形成される。この方法によれば、極めて精度よ
く導電条片22.24を形成テキる。特に、絶縁基板1
0上にガラスコーティング層28を形成して絶縁基板1
0上を平坦化すれば、幅は1ミクロン単位、厚みは0.
1ミクロン単位で導電条片22.24を描くことができ
る。
また、導電条片22.24は鉛筆等による罫書によって
形成してもよい。どのような方法にょっても、導電条片
22.24は、形成の妨げとなる物がないので、容易に
形成できる。つまり、従来の中空円筒絶縁管の内壁に導
電条片を形成する場合には、この導電条片に対向する内
壁面が導電条片の形成の妨げになって、導電条片を形成
する治具、装置等の動きを制限していた。ところが、こ
の発明に係るガス人放電管では、絶縁基板10上に導電
条片22.24を形成するので、導電条片22.24を
形成する治具、装置等を自由に使える空間が絶縁基板1
0上に十分に確保されている。
形成してもよい。どのような方法にょっても、導電条片
22.24は、形成の妨げとなる物がないので、容易に
形成できる。つまり、従来の中空円筒絶縁管の内壁に導
電条片を形成する場合には、この導電条片に対向する内
壁面が導電条片の形成の妨げになって、導電条片を形成
する治具、装置等の動きを制限していた。ところが、こ
の発明に係るガス人放電管では、絶縁基板10上に導電
条片22.24を形成するので、導電条片22.24を
形成する治具、装置等を自由に使える空間が絶縁基板1
0上に十分に確保されている。
なお、上記実施例では二極のガス人放電管を示したが、
三極以上のガス人放電管に対しても同様に実施できる。
三極以上のガス人放電管に対しても同様に実施できる。
この発明に係るガス人放電管によれば、絶縁基板上に導
電条片を形成するので、導電条片が容易にしかも精度よ
く形成でき、作業性を向上できるとともにトリガ特性の
バラツキを抑えることができる。
電条片を形成するので、導電条片が容易にしかも精度よ
く形成でき、作業性を向上できるとともにトリガ特性の
バラツキを抑えることができる。
第1図乃至第3図はこの発明に係るガス人放電管の一実
施例を示し、第1図は第2図における11線縦断面図、
第2図は平面図、第3図は導電条片をレーザCVDで形
成する方法を示す概略図、第4図は従来のガス人放電管
の一例を示す断面図である。 10・・・絶縁基板 12.14・・・絶縁基板の端
部16.18・・・トリガ放電用の電極 20・・・ギャンブ 22.24・・・導電条片26
・・・絶縁ケース 30.32・・・主放電用の電極4
8・・・絶縁基板の一面 50・・・絶縁基板の他面
特許出願人・・・株式会社 白山製作所代 理 人・・
・弁理士 吉1)万券 22.24
施例を示し、第1図は第2図における11線縦断面図、
第2図は平面図、第3図は導電条片をレーザCVDで形
成する方法を示す概略図、第4図は従来のガス人放電管
の一例を示す断面図である。 10・・・絶縁基板 12.14・・・絶縁基板の端
部16.18・・・トリガ放電用の電極 20・・・ギャンブ 22.24・・・導電条片26
・・・絶縁ケース 30.32・・・主放電用の電極4
8・・・絶縁基板の一面 50・・・絶縁基板の他面
特許出願人・・・株式会社 白山製作所代 理 人・・
・弁理士 吉1)万券 22.24
Claims (1)
- 絶縁基板と、この絶縁基板の端部にそれぞれ離間して設
けられた電極と、これらの電極間の上記絶縁基板上にギ
ャップを介して設けられた導電条片と、この導電条片と
上記電極とを放電用のガスを封入して気密封止する絶縁
ケースとを備えたガス入放電管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18389290A JPH0473878A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | ガス入放電管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18389290A JPH0473878A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | ガス入放電管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0473878A true JPH0473878A (ja) | 1992-03-09 |
Family
ID=16143642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18389290A Pending JPH0473878A (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | ガス入放電管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0473878A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010092779A (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Mitsubishi Materials Corp | サージアブソーバ及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-07-13 JP JP18389290A patent/JPH0473878A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010092779A (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Mitsubishi Materials Corp | サージアブソーバ及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3879517T2 (de) | Mikrosicherung. | |
| US7932673B2 (en) | Gas discharge tube | |
| KR20090023065A (ko) | 엑시머 램프 | |
| CA1056902A (en) | Surge arrester | |
| US7053536B1 (en) | Gas discharge tube having electrodes with chemically inert surface | |
| WO1991001429A1 (de) | Verfahren zur beschichtung einer fläche aus glas | |
| DE69805801T2 (de) | Ringlaserkreisel mit ionenfallenelektrode | |
| JPH0473878A (ja) | ガス入放電管 | |
| JP3016826B2 (ja) | ガス入放電管 | |
| GB1591150A (en) | Gas discharge surge arresters | |
| US4628399A (en) | Anti-overvoltage protector | |
| US8212480B2 (en) | Ceramic discharge lamp including first and second layer of brazing material and method of manufacturing ceramic discharge lamp | |
| JPH0473879A (ja) | ガス入放電管の製造方法 | |
| EP0121199A2 (de) | Gaslaserröhre | |
| US5319664A (en) | Ion laser tubes | |
| KR20010070253A (ko) | 칩형 서지 흡수재 및 그 제조 방법 | |
| Mattox | Metallizing ceramics using a gas discharge | |
| JPS6341749Y2 (ja) | ||
| JPS6097531A (ja) | 表示装置 | |
| JPH0536460A (ja) | 放電型サージ吸収素子 | |
| JP3428610B2 (ja) | マイクロギャップ式サージアブソーバ | |
| JPH11224761A (ja) | 高電圧サージアブソーバ | |
| JPH0443584A (ja) | サージ吸収素子の気密構造 | |
| JPH0722152A (ja) | サージアブソーバ及びその製造方法 | |
| JPS5855657Y2 (ja) | ガスレ−ザ管 |