JPH0473903A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0473903A JPH0473903A JP18530490A JP18530490A JPH0473903A JP H0473903 A JPH0473903 A JP H0473903A JP 18530490 A JP18530490 A JP 18530490A JP 18530490 A JP18530490 A JP 18530490A JP H0473903 A JPH0473903 A JP H0473903A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrolytic
- ohmic contact
- electrode
- plating layer
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、例えばＰＴＣサーミスタ等の半導体装置及び
その製造方法に関するものである。
その製造方法に関するものである。
従来のＰＴＣサーミスタ素子にあっては、例えば特開昭
６３−２１３３１３号公報に示される如く、無電解ニッ
ケルメッキした上に銀ペーストを塗布若しくは銀ペース
ト中に浸漬して電極端子を構成したものとか、特開平１
−１２８５０１号公報に示される如く、無電解ニッケル
メッキしたものを溶融ハンダ中に浸漬して電極端子を構
成したものが提案されている。
６３−２１３３１３号公報に示される如く、無電解ニッ
ケルメッキした上に銀ペーストを塗布若しくは銀ペース
ト中に浸漬して電極端子を構成したものとか、特開平１
−１２８５０１号公報に示される如く、無電解ニッケル
メッキしたものを溶融ハンダ中に浸漬して電極端子を構
成したものが提案されている。
【発明が解決しようとする課１！１１
ところで、溶融ハンダを付着構成させた技術のものは、
銀ペーストを塗布又は浸漬して構成したものに較べ、面
実装時のハンダ付けの信頼性に優れている特長がある。 しかしながら、無電解ニッケルメッキと溶融ハンダとに
よって構成する電極端子は、無電解ニッケルメッキ工程
や熱処理工程における操作に厳密な注意を払わなければ
、ＰＴＣサーミスタ素子と金属電極との間でオーム性接
触が得られず、又、メッキが付着してはいけない部分に
はメッキレジストを塗布し、それを剥離するか、全面に
メッキしサンドブラスト等により削り落とす必要がある
。 さらには、無電解ニッケルメッキ膜は、−船釣に、リン
を含んでおり、この為無電解ニッケルメッキ膜上に溶融
ハンダが付着しにくく、又、付着してもその強度に問題
が残されている。 陶、無電解ニッケルメッキ膜が、比較的ハンダと相性の
良いと言われているボロンを含むものであっても、高価
な割りにはハンダとの付着強度があまり改善されてない
。 そこで、本発明の第１の目的は、電極の接続強度に優れ
た半導体装置及びその製造方法を提供することである。 本発明の第２の目的は、簡単に製造でき、低コストで製
造できる半導体装置及びその製造方法を提供することで
ある。 【課題を解決する為の手段】 上記本発明の目的は、半導体素子と、この半導体素子に
設けられたオーム性接触電極と、このオーム性接触電極
上に設けられた電解ニッケルメッキ層と、この電解ニッ
ケルメッキ層上に設けられた電解ハンダメッキ層とを備
えたことを特徴とする半導体装置によって達成される。 又、半導体素子にオーム性接触電極を構成する工程と、
半導体素子に絶縁膜を構成する工程と、前記オーム性接
触電極が構成され、かつ、絶縁膜が構成された半導体素
子に対して電解メッキを施してオーム性接触電極上に電
解ニッケルメッキ層を構成する工程と、電解ニッケルメ
ッキ層上に電解ハンダメッキ層を構成する工程とを備え
たことを特徴とする半導体装置の製造方法によって達成
される。 又、半導体素子ブロックにオーム性接触電極を構成する
工程と、半導体素子ブロックに絶縁膜を構成する工程と
、前記オーム性接触電極が構成され、かつ、絶縁膜が構
成された半導体素子ブロックに対して電解メッキを施し
てオーム性接触電極上に電解ニッケルメッキ層を構成す
る工程と、電解ニッケルメッキ層上に電解ハンダメッキ
層を構成する工程と、電解ハンダメッキ層が構成された
後に半導体素子ブロックを切断する工程とを備えたこと
を特徴とする半導体装置の製造方法によって達成される
。
銀ペーストを塗布又は浸漬して構成したものに較べ、面
実装時のハンダ付けの信頼性に優れている特長がある。 しかしながら、無電解ニッケルメッキと溶融ハンダとに
よって構成する電極端子は、無電解ニッケルメッキ工程
や熱処理工程における操作に厳密な注意を払わなければ
、ＰＴＣサーミスタ素子と金属電極との間でオーム性接
触が得られず、又、メッキが付着してはいけない部分に
はメッキレジストを塗布し、それを剥離するか、全面に
メッキしサンドブラスト等により削り落とす必要がある
。 さらには、無電解ニッケルメッキ膜は、−船釣に、リン
を含んでおり、この為無電解ニッケルメッキ膜上に溶融
ハンダが付着しにくく、又、付着してもその強度に問題
が残されている。 陶、無電解ニッケルメッキ膜が、比較的ハンダと相性の
良いと言われているボロンを含むものであっても、高価
な割りにはハンダとの付着強度があまり改善されてない
。 そこで、本発明の第１の目的は、電極の接続強度に優れ
た半導体装置及びその製造方法を提供することである。 本発明の第２の目的は、簡単に製造でき、低コストで製
造できる半導体装置及びその製造方法を提供することで
ある。 【課題を解決する為の手段】 上記本発明の目的は、半導体素子と、この半導体素子に
設けられたオーム性接触電極と、このオーム性接触電極
上に設けられた電解ニッケルメッキ層と、この電解ニッ
ケルメッキ層上に設けられた電解ハンダメッキ層とを備
えたことを特徴とする半導体装置によって達成される。 又、半導体素子にオーム性接触電極を構成する工程と、
半導体素子に絶縁膜を構成する工程と、前記オーム性接
触電極が構成され、かつ、絶縁膜が構成された半導体素
子に対して電解メッキを施してオーム性接触電極上に電
解ニッケルメッキ層を構成する工程と、電解ニッケルメ
ッキ層上に電解ハンダメッキ層を構成する工程とを備え
たことを特徴とする半導体装置の製造方法によって達成
される。 又、半導体素子ブロックにオーム性接触電極を構成する
工程と、半導体素子ブロックに絶縁膜を構成する工程と
、前記オーム性接触電極が構成され、かつ、絶縁膜が構
成された半導体素子ブロックに対して電解メッキを施し
てオーム性接触電極上に電解ニッケルメッキ層を構成す
る工程と、電解ニッケルメッキ層上に電解ハンダメッキ
層を構成する工程と、電解ハンダメッキ層が構成された
後に半導体素子ブロックを切断する工程とを備えたこと
を特徴とする半導体装置の製造方法によって達成される
。
第１図及び第２図は本発明に係る半導体装置の製造方法
の１実施例を示すもので、第１図は半導体素子ブロック
を切断する前段階での斜視図、第２図は切断後の半導体
装置の斜視図である。 先ず、第１図に示す如く、直方体形状のＰＴＣサーミス
タ素子のブロック１を用意する。 そして、このＰＴＣサーミスタ素子ブロック１にオーム
性接触銀電掻２を形成する。 この後、ＰＴＣサーミスタ素子ブロック１は導電性であ
るから、オーム性接触銀電極２以外の部分に絶縁膜３を
コーティングして形成する。 この後、電解メッキ手段により、オーム性接触銀電極２
上に銀とハンダとの反応を抑制する為の電解ニッケルメ
ッキ層４を形成する。 又、電解メッキ手段により、電解ニッケルメッキ層４上
に面実装時のハンダ付けの信頼性を高める為のハンダ層
５を形成する。 上記の作業が終了した後、第１図中で示す仮想線に沿っ
てＰＴＣサーミスタ素子ブロック１をスライスすると、
第２図に示す如くのＰＴＣサーミスタ装置６が得られる
。 上記のようにして構成された本発明になる半導体（ＰＴ
Ｃサーミスタ）装置と、特開昭６３−２１３３１３号公
報に示される如く、無電解ニッケルメッキしたものを銀
ペースト中に浸漬して電極端子を構成したもの（比較例
１）、及び特開平１−１２８５０１号公報に示される如
く、無電解ニッケルメッキしたものを溶融ハンダ中に浸
漬して電極端子を構成したもの（比較例２）について、
実装時の不良個数及び端子電極固着力（ＥＩＡＪ ＲＣ
３４０２Ｂに準拠）を測定したので、その結果を表１に
示す。 表−１ 尚、上記実施例では、直方体形状のＰＴＣサーミスタ素
子のブロック１にオーム性接触銀電極２、電解ニッケル
メッキ層４及びハンダ層５を形成した後、ＰＴＣサーミ
スタ素子ブロック１をスライスすることにより得る場合
であったっが、予め直方体形状のＰＴＣサーミスタ素子
を所定のチップにスライスした後、オーム性接触銀電極
、電解ニッケルメッキ層及びハンダ層を形成することに
より得るようにしても良い。
の１実施例を示すもので、第１図は半導体素子ブロック
を切断する前段階での斜視図、第２図は切断後の半導体
装置の斜視図である。 先ず、第１図に示す如く、直方体形状のＰＴＣサーミス
タ素子のブロック１を用意する。 そして、このＰＴＣサーミスタ素子ブロック１にオーム
性接触銀電掻２を形成する。 この後、ＰＴＣサーミスタ素子ブロック１は導電性であ
るから、オーム性接触銀電極２以外の部分に絶縁膜３を
コーティングして形成する。 この後、電解メッキ手段により、オーム性接触銀電極２
上に銀とハンダとの反応を抑制する為の電解ニッケルメ
ッキ層４を形成する。 又、電解メッキ手段により、電解ニッケルメッキ層４上
に面実装時のハンダ付けの信頼性を高める為のハンダ層
５を形成する。 上記の作業が終了した後、第１図中で示す仮想線に沿っ
てＰＴＣサーミスタ素子ブロック１をスライスすると、
第２図に示す如くのＰＴＣサーミスタ装置６が得られる
。 上記のようにして構成された本発明になる半導体（ＰＴ
Ｃサーミスタ）装置と、特開昭６３−２１３３１３号公
報に示される如く、無電解ニッケルメッキしたものを銀
ペースト中に浸漬して電極端子を構成したもの（比較例
１）、及び特開平１−１２８５０１号公報に示される如
く、無電解ニッケルメッキしたものを溶融ハンダ中に浸
漬して電極端子を構成したもの（比較例２）について、
実装時の不良個数及び端子電極固着力（ＥＩＡＪ ＲＣ
３４０２Ｂに準拠）を測定したので、その結果を表１に
示す。 表−１ 尚、上記実施例では、直方体形状のＰＴＣサーミスタ素
子のブロック１にオーム性接触銀電極２、電解ニッケル
メッキ層４及びハンダ層５を形成した後、ＰＴＣサーミ
スタ素子ブロック１をスライスすることにより得る場合
であったっが、予め直方体形状のＰＴＣサーミスタ素子
を所定のチップにスライスした後、オーム性接触銀電極
、電解ニッケルメッキ層及びハンダ層を形成することに
より得るようにしても良い。
本発明に係る半導体装置は、半導体素子と、この半導体
素子に設けられたオーム性接触電極と、このオーム性接
触電極上に設けられた電解ニッケルメッキ層と、この電
解ニッケルメッキ層上に設けられた電解ハンダメッキ層
とを備えてなるので、ハンダ付は性に優れ、電極付着強
度が大きい等の特長を有する。 又、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子
にオーム性接触電極を構成する工程と、半導体素子に絶
縁膜を構成する工程と、前記オーム性接触電極が構成さ
れ、かつ、絶縁膜が構成された半導体素子に対して電解
メッキを施してオーム性接触電極上に電解ニッケルメッ
キ層を構成する工程と、電解ニッケルメッキ層上に電解
ハンダメッキ層を構成する工程とを備えてなるので、ハ
ンダ付は性に優れ、電極付着強度が大きな半導体装置を
簡単、かつ、低コストで提供できる等の特長を有する。
素子に設けられたオーム性接触電極と、このオーム性接
触電極上に設けられた電解ニッケルメッキ層と、この電
解ニッケルメッキ層上に設けられた電解ハンダメッキ層
とを備えてなるので、ハンダ付は性に優れ、電極付着強
度が大きい等の特長を有する。 又、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子
にオーム性接触電極を構成する工程と、半導体素子に絶
縁膜を構成する工程と、前記オーム性接触電極が構成さ
れ、かつ、絶縁膜が構成された半導体素子に対して電解
メッキを施してオーム性接触電極上に電解ニッケルメッ
キ層を構成する工程と、電解ニッケルメッキ層上に電解
ハンダメッキ層を構成する工程とを備えてなるので、ハ
ンダ付は性に優れ、電極付着強度が大きな半導体装置を
簡単、かつ、低コストで提供できる等の特長を有する。
第１ＦｐＪ及び第２図は本発明に係る半導体装置の製造
方法の１実施例を示すもので、第１図は半導体素子ブロ
ックを切断する前段階での斜視図、第２図は切断後の半
導体装置の斜視図である。 １・・・ＰＴＣサーミスタ素子ブロック、２・・・オー
ム性接触銀電極、３・・・絶縁膜、４・・・電解ニッケ
ルメッキ層、５・・・ハンダ層、６・・・ＰＴＣサーミ
スタ装置。 特許出願人 秩父セメント株式会社
方法の１実施例を示すもので、第１図は半導体素子ブロ
ックを切断する前段階での斜視図、第２図は切断後の半
導体装置の斜視図である。 １・・・ＰＴＣサーミスタ素子ブロック、２・・・オー
ム性接触銀電極、３・・・絶縁膜、４・・・電解ニッケ
ルメッキ層、５・・・ハンダ層、６・・・ＰＴＣサーミ
スタ装置。 特許出願人 秩父セメント株式会社
Claims (3)
- （１）半導体素子と、この半導体素子に設けられたオー
ム性接触電極と、このオーム性接触電極上に設けられた
電解ニッケルメッキ層と、この電解ニッケルメッキ層上
に設けられた電解ハンダメッキ層とを備えたことを特徴
とする半導体装置。 - （２）半導体素子にオーム性接触電極を構成する工程と
、半導体素子に絶縁膜を構成する工程と、前記オーム性
接触電極が構成され、かつ、絶縁膜が構成された半導体
素子に対して電解メッキを施してオーム性接触電極上に
電解ニッケルメッキ層を構成する工程と、電解ニッケル
メッキ層上に電解ハンダメッキ層を構成する工程とを備
えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - （３）半導体素子ブロックにオーム性接触電極を構成す
る工程と、半導体素子ブロックに絶縁膜を構成する工程
と、前記オーム性接触電極が構成され、かつ、絶縁膜が
構成された半導体素子ブロックに対して電解メッキを施
してオーム性接触電極上に電解ニッケルメッキ層を構成
する工程と、電解ニッケルメッキ層上に電解ハンダメッ
キ層を構成する工程と、電解ハンダメッキ層が構成され
た後に半導体素子ブロックを切断する工程とを備えたこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18530490A JPH0473903A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18530490A JPH0473903A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0473903A true JPH0473903A (ja) | 1992-03-09 |
Family
ID=16168518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18530490A Pending JPH0473903A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0473903A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10500255A (ja) * | 1994-05-16 | 1998-01-06 | レイケム・コーポレイション | Ｐｔｃ抵抗素子を含む電気デバイス |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57180112A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-06 | Taiyo Yuden Kk | Method of forming electrode for porcelain electronic part |
| JPS63265403A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜サ−ミスタ |
| JPH01289220A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電圧依存性非直線抵抗体素子の製造法 |
-
1990
- 1990-07-16 JP JP18530490A patent/JPH0473903A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57180112A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-06 | Taiyo Yuden Kk | Method of forming electrode for porcelain electronic part |
| JPS63265403A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜サ−ミスタ |
| JPH01289220A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電圧依存性非直線抵抗体素子の製造法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10500255A (ja) * | 1994-05-16 | 1998-01-06 | レイケム・コーポレイション | Ｐｔｃ抵抗素子を含む電気デバイス |
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