JPH0473936B2 - - Google Patents
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- JPH0473936B2 JPH0473936B2 JP60051140A JP5114085A JPH0473936B2 JP H0473936 B2 JPH0473936 B2 JP H0473936B2 JP 60051140 A JP60051140 A JP 60051140A JP 5114085 A JP5114085 A JP 5114085A JP H0473936 B2 JPH0473936 B2 JP H0473936B2
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- JP
- Japan
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- reading
- radiation
- image
- light
- attenuation
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- Expired - Lifetime
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- Measurement Of Radiation (AREA)
- Radiography Using Non-Light Waves (AREA)
- Image Input (AREA)
- Facsimiles In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、輝尽性螢光体層を有する放射線画像
変換パネル（以下単に画像変換パネルと云う）に
放射線によつて画像露光を与えた後に輝尽励起光
によつて変換パネル面を走査して輝尽性螢光体揮
尽発光せしめて記録されている画像情報を読み取
る放射線画像読み取り方法に関する。
変換パネル（以下単に画像変換パネルと云う）に
放射線によつて画像露光を与えた後に輝尽励起光
によつて変換パネル面を走査して輝尽性螢光体揮
尽発光せしめて記録されている画像情報を読み取
る放射線画像読み取り方法に関する。
輝尽性螢光体にＸ線、紫外線等の放射線を照射
するとそのエネルギーの一部が照射量に応じて輝
尽性螢光体内に蓄積され、これに輝尽励起光を当
てると蓄積したエネルギーは先に照射された放射
線の照射量に応じた輝尽発光として放出される。
この現象は各種放射線によつて形成される画像の
記録に利用することができ、例えば特開昭５−
12144号公報には、光輝尽性螢光体層を有する変
換パネルにＸ線等の放射線による画像露光を与え
て放射線エネルギーを吸収させて一種の潜像を形
成させ、しかる後輝尽励起光のビームによつて変
換パネル面を走査し、螢光体の発する輝尽発光強
度を読み取り放射線画像を得る方法が開示されて
いる。こうした方法では通常輝尽励起光としては
レーザビーム等が使用されまた輝尽発光の読取り
には光電子倍増管等の光検出器が使用され輝尽発
光強度は電気信号として取り出され最終的には画
像としてハードコピー化したり、或いはCRT上
に再生したりして活用される。
するとそのエネルギーの一部が照射量に応じて輝
尽性螢光体内に蓄積され、これに輝尽励起光を当
てると蓄積したエネルギーは先に照射された放射
線の照射量に応じた輝尽発光として放出される。
この現象は各種放射線によつて形成される画像の
記録に利用することができ、例えば特開昭５−
12144号公報には、光輝尽性螢光体層を有する変
換パネルにＸ線等の放射線による画像露光を与え
て放射線エネルギーを吸収させて一種の潜像を形
成させ、しかる後輝尽励起光のビームによつて変
換パネル面を走査し、螢光体の発する輝尽発光強
度を読み取り放射線画像を得る方法が開示されて
いる。こうした方法では通常輝尽励起光としては
レーザビーム等が使用されまた輝尽発光の読取り
には光電子倍増管等の光検出器が使用され輝尽発
光強度は電気信号として取り出され最終的には画
像としてハードコピー化したり、或いはCRT上
に再生したりして活用される。
こうした画像記録方式は記録し得る放射線露光
域が極めて広い、電気信号として得られる画像情
報を自由に信号処理することができ、目的に最も
適合した画像を得ることができる、等の利点を有
するが、放射線照射によつて光輝尽性螢光体に蓄
えられたエネルギーが時間の経過と共に著るしく
低下すると云う問題がある。
域が極めて広い、電気信号として得られる画像情
報を自由に信号処理することができ、目的に最も
適合した画像を得ることができる、等の利点を有
するが、放射線照射によつて光輝尽性螢光体に蓄
えられたエネルギーが時間の経過と共に著るしく
低下すると云う問題がある。
このため第２図のように放射線による画像露光
（t0）後、輝尽励起光による走査t1までの時間の
延長に伴つて読取られる輝尽発光の強度が低下し
一定の画調のものが得られなくなる。
（t0）後、輝尽励起光による走査t1までの時間の
延長に伴つて読取られる輝尽発光の強度が低下し
一定の画調のものが得られなくなる。
前記の問題に対処するものとして、例えば特開
昭58−67242号公報には画像情報の読取りに先立
つて弱い輝尽励起光を用いた先読みを行ない、そ
の出力にもとづいて本読取りの読取り条件、画像
処理条件を設定する読取り装置が開示されてい
る。
昭58−67242号公報には画像情報の読取りに先立
つて弱い輝尽励起光を用いた先読みを行ない、そ
の出力にもとづいて本読取りの読取り条件、画像
処理条件を設定する読取り装置が開示されてい
る。
しかしながら経時に伴なう輝尽発光強度の低下
は読取りが開始（t1）から終了（t2）までの間に
おいても継続して進行しているため、前記t0から
t1の間の減衰を補正しても画像の読取り画面の先
頭部と末尾部との間に濃度差が生じ大きな濃度ム
ラ（シエーデイング）が発生することは防止し得
なかつた。
は読取りが開始（t1）から終了（t2）までの間に
おいても継続して進行しているため、前記t0から
t1の間の減衰を補正しても画像の読取り画面の先
頭部と末尾部との間に濃度差が生じ大きな濃度ム
ラ（シエーデイング）が発生することは防止し得
なかつた。
本発明は前記t1とt2の間における輝尽発光強度
の低下にもとづくシエーデイングのない画像記録
の得られる放射線画像記録装置を提供しようとす
るものである。
の低下にもとづくシエーデイングのない画像記録
の得られる放射線画像記録装置を提供しようとす
るものである。
前記の課題は輝尽性螢光体層を有する放射線画
像変換パネルに、放射線により画像露光を与え、
続いて該放射線画像変換パネルを輝尽励光で走査
し、発生する輝尽光を検出することによつて放射
線画像情報を読取るようにした放射線画像読取り
方法において、 前記放射線画像変換パネルの放射線露光後の経
過時間に応じた輝尽光強度の減衰曲線を予め求め
ておき、 該減衰曲線に基づいて、前記放射線画像情報の
読取りを開始してから読取りを終了するに至る間
の輝尽光強度の減衰を、前記放射線による画像露
光からの時間によつて補正するようにしたことを
特徴とする放射線画像読取り方法によつて達成す
ることができた。読取り開始と終了の間の輝尽光
強度の減衰を補正する手段としては種々の方法を
とることができるが、好ましいものとしては放射
線照射（t0）後の輝尽光強度の減衰曲線（第２
図）が一定の輝尽性螢光体層を有する画像変換パ
ネルについては一定であることを利用し、放射線
による画像露光から読取り開始までの時間、すな
わち第２図横軸上のt1の位置を検知し、読取り開
始時t1以後の輝尽発光量の減衰を推定し、これに
対応して読取り結果の補正を行うもの、画像変換
パネルの一部に一定量の放射線を照射した部分を
設け、該部分を含めて輝尽光量の読取りを行な
い、その部分の輝尽光量からその減衰を検出し画
像部分の読取り結果の補正を行うもの等が挙げら
れる。読取り結果の補正は読取り系の増幅利得を
制御して行うことができ、或いは読取り値を一旦
メモリー回路に記憶せしめた後補正係数を掛け合
す等の後処理によつて行なうこともできる。
像変換パネルに、放射線により画像露光を与え、
続いて該放射線画像変換パネルを輝尽励光で走査
し、発生する輝尽光を検出することによつて放射
線画像情報を読取るようにした放射線画像読取り
方法において、 前記放射線画像変換パネルの放射線露光後の経
過時間に応じた輝尽光強度の減衰曲線を予め求め
ておき、 該減衰曲線に基づいて、前記放射線画像情報の
読取りを開始してから読取りを終了するに至る間
の輝尽光強度の減衰を、前記放射線による画像露
光からの時間によつて補正するようにしたことを
特徴とする放射線画像読取り方法によつて達成す
ることができた。読取り開始と終了の間の輝尽光
強度の減衰を補正する手段としては種々の方法を
とることができるが、好ましいものとしては放射
線照射（t0）後の輝尽光強度の減衰曲線（第２
図）が一定の輝尽性螢光体層を有する画像変換パ
ネルについては一定であることを利用し、放射線
による画像露光から読取り開始までの時間、すな
わち第２図横軸上のt1の位置を検知し、読取り開
始時t1以後の輝尽発光量の減衰を推定し、これに
対応して読取り結果の補正を行うもの、画像変換
パネルの一部に一定量の放射線を照射した部分を
設け、該部分を含めて輝尽光量の読取りを行な
い、その部分の輝尽光量からその減衰を検出し画
像部分の読取り結果の補正を行うもの等が挙げら
れる。読取り結果の補正は読取り系の増幅利得を
制御して行うことができ、或いは読取り値を一旦
メモリー回路に記憶せしめた後補正係数を掛け合
す等の後処理によつて行なうこともできる。
本発明に用いられる記録板の輝尽性螢光体は、
最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射され
た後に、光的、熱的、機械的、化学的または電気
的等の刺激により、最初の光もしくは高エネルギ
ー放射線の照射量に対応した光を再発光せしめ
る、いわゆる輝尽性を示す螢光体をいう。ここで
光とは電磁放射線のうち可視光、紫外光、赤外光
を含み、高エネルギー放射線とはＸ線、ガンマ
線、ベータ線、アルフア線、中性子線等を含む。
この螢光体は、励起光によつて300〜500nmの波
長の光を発光するものが用いることができる。例
えば特開昭48−80487号に記載されている
BaSO4：Ax（但しＡはDy，Tb及びTmのうち少
なくとも種であり、ｘは0.001≦ｘ＜１モル％で
ある。）で表わされる螢光体、特開昭48−80488号
記載のMgSO4：Ax（但しＡはHo或はDyのうち
のいずれかであり、0.001≦ｘ＜１モル％であ
る。）で表わされる螢光体、特開昭48−80489号に
記載されているSrSO4：Ax（但しＡはDy，Tb及
びTmのうち少なくとも１種であり、ｘは0.001≦
ｘ＜１モル％である。）で表わされる螢光体、特
開昭52−30487号に記載されているBeO，LiF，
MgSO4及びCaF2等の螢光体、米国特許3859527
号に記載されているSrS：Ce，Sm，SrS：Eu，
Sm、La2O2S：Eu，Sm及び（Zn，Cd）Ｓ：
Mn，Ｘ（但しＸはハロゲン）で表わされる螢光
体が挙げられる。また、一般式がM〓Ｏ・
xSiO2：Ａ（但しM〓はMg，Ca，Sr，Zn，Cd又は
BaでありＡはCe，Tb，Eu，Tm，Pb，Tl，Bi
及びMnのうち少なくとも１種であり、ｘは0.5≦
ｘ≦2.5である。）で表わされるアルカリ土類金属
珪酸塩系螢光体が挙げられる。また、一般式が （Ba1−ｘ−yMgxCay）FX：eEu2+ （但しＸはBr及びClの中の少なくとも１つであ
り、ｘ，ｙ及びｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦0.6、
xy≠０及び10-5≦ｅ≦５×10-2なる条件を満たす
数である。）で表わされるアルカリ土類弗化ハロ
ゲン化物螢光体、特開昭55−12144号に記載され
ている一般式が LnOX：xA （但しLnはLa，Ｙ，Gd及びLuの少なくとも
１つを、ＸはCl及び／又はBrを、ＡはCe及び／
又はTbを、ｘは０＜ｘ＜0.1を満足する数を表わ
す。）で表わされる螢光体、特開昭55−12145号に
記載されている一般式が （Ba1−xM〓x）FX：yA （但しM〓はMg，Ca，Sr，Zn及びCdのうちの
少なくとも１つを、ＸはCl，Br及びＩのうちの
少なくとも１つを、ＡはEu，Tb，Ce，Tm，
Dy，Pr，He，Nd，Yb及びErのうちの少なくと
も１つを、ｘ及びｙは０≦ｘ≦0.6及び０≦ｙ≦
0.2なる条件を満たす数を表わす。）で表わされる
螢光体、特開昭55−84389号に記載されている一
般式がBaFX：xCe，yA（但し、ＸはCl，Br及び
Ｉのうちの少なくとも１つ、ＡはIn，Tl，Gd，
Sm及びZrのうちの少なくとも１つであり、ｘ及
びｙはそれぞれ０＜ｘ≦２×10-1及び０＜ｙ≦５
×10-2である。）で表わされる螢光体、特開昭55
−160078号に記載されている一般式が M〓FX・xA：yLn （但しM〓はMg，Ca，Ba，Zn及びCdのうち
の少なくとも１種、ＡはBeO，MgO，CaO，
SrO，BaO，ZnO，Al2O3，Y2O3，La2O3，
In2O3，SiO2，TiO2，ZrO2，GeO2，SnO2，
Nb2O5，Ta2O5及びThO2のうちの少なくとも１
種、LnはEu，Tb，Ce，Tm，Dy，Pr，Ho，
Nd，Yb，Er，Sm及びGdのうちの少なくとも１
種であり、ｘ及びｙはそれぞれ５×10-5≦ｘ≦
0.5及び０＜ｙ≦0.2なる条件を満たす数である。）
で表わされる希士類元素付活２価金属フルオロハ
ライド螢光体、特開昭57−148285号に記載されて
いる一般式〔〕又は〔〕、 一般式〔〕 xM3（PO4）2・NX：yA 一般式〔〕 M3（PO4）2：yA （式中、Ｍ及びＮはそれぞれMg，Ca，Sr，
Ba，Zn及びCdのうち少なくとも１種、ＸはＦ，
Cl，Br及びＩのうち少なくとも１種、ＡはEu，
Tb，Ca，Tm，Dy，Pr，Ho，Nd，Yb，Er，
Sb，Tl，Mn及びSnのうち少なくとも１種を表
わす。また、ｘ及びｙは０＜ｘ≦６、０≦ｙ≦１
なる条件を満たす数である。） で表わされる螢光体、及び一般式〔〕又は
〔〕、 一般式〔〕 nReX3・mAX′2：xEu 一般式〔〕 nReX3・mAX′2：xEu・ySm （式中、ReはLa，Gd，Ｙ，Luのうち少なく
とも１種、Ａはアルカリ土類金属、Ba，Sr，Ca
のうちの少なくとも１種、Ｘ及びX′はＦ，Cl，
Brのうち少なくとも１種を表わす。また、ｘ及
びｙは、１×10-4＜ｘ＜３×10-1、１×10-4＜ｙ
＜１×-1なる条件を満たす数であり、ｎ／ｍは１
×10-3＜ｎ／ｍ＜７×10-1なる条件を満たす。）
で表わされる螢光体及び 一般式 M〓Ｘ・aM〓X′2・bM〓X″3：cA ……(1) （但し、M〓はLi，Na，Ｋ，Rb，及びCsから
選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、
M〓はBe，Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，Cd，Cu及び
Niから選ばれる少なくとも一種の二価金属であ
る。M〓はSc，Ｙ，La，Ce，Pr，Nd，Pm，
Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Mb，
Lu，Al，Ga，及びInから選ばれる少なくとも一
種の三価金属である。Ｘ，X′及びX″はＦ，Cl，
Br及びＩから選ばれる少なくとも一種のハロゲ
ンである。ＡはEu，Tb，Ce，Tm，Dy，Pr，
Ho，Nd，Yb，Er，Gd，Lu，Sm，Ｙ，Tl，
Na，Ag，Cu及びMgから選ばれる少なくとも一
種の金属である。
最初の光もしくは高エネルギー放射線が照射され
た後に、光的、熱的、機械的、化学的または電気
的等の刺激により、最初の光もしくは高エネルギ
ー放射線の照射量に対応した光を再発光せしめ
る、いわゆる輝尽性を示す螢光体をいう。ここで
光とは電磁放射線のうち可視光、紫外光、赤外光
を含み、高エネルギー放射線とはＸ線、ガンマ
線、ベータ線、アルフア線、中性子線等を含む。
この螢光体は、励起光によつて300〜500nmの波
長の光を発光するものが用いることができる。例
えば特開昭48−80487号に記載されている
BaSO4：Ax（但しＡはDy，Tb及びTmのうち少
なくとも種であり、ｘは0.001≦ｘ＜１モル％で
ある。）で表わされる螢光体、特開昭48−80488号
記載のMgSO4：Ax（但しＡはHo或はDyのうち
のいずれかであり、0.001≦ｘ＜１モル％であ
る。）で表わされる螢光体、特開昭48−80489号に
記載されているSrSO4：Ax（但しＡはDy，Tb及
びTmのうち少なくとも１種であり、ｘは0.001≦
ｘ＜１モル％である。）で表わされる螢光体、特
開昭52−30487号に記載されているBeO，LiF，
MgSO4及びCaF2等の螢光体、米国特許3859527
号に記載されているSrS：Ce，Sm，SrS：Eu，
Sm、La2O2S：Eu，Sm及び（Zn，Cd）Ｓ：
Mn，Ｘ（但しＸはハロゲン）で表わされる螢光
体が挙げられる。また、一般式がM〓Ｏ・
xSiO2：Ａ（但しM〓はMg，Ca，Sr，Zn，Cd又は
BaでありＡはCe，Tb，Eu，Tm，Pb，Tl，Bi
及びMnのうち少なくとも１種であり、ｘは0.5≦
ｘ≦2.5である。）で表わされるアルカリ土類金属
珪酸塩系螢光体が挙げられる。また、一般式が （Ba1−ｘ−yMgxCay）FX：eEu2+ （但しＸはBr及びClの中の少なくとも１つであ
り、ｘ，ｙ及びｅはそれぞれ０＜ｘ＋ｙ≦0.6、
xy≠０及び10-5≦ｅ≦５×10-2なる条件を満たす
数である。）で表わされるアルカリ土類弗化ハロ
ゲン化物螢光体、特開昭55−12144号に記載され
ている一般式が LnOX：xA （但しLnはLa，Ｙ，Gd及びLuの少なくとも
１つを、ＸはCl及び／又はBrを、ＡはCe及び／
又はTbを、ｘは０＜ｘ＜0.1を満足する数を表わ
す。）で表わされる螢光体、特開昭55−12145号に
記載されている一般式が （Ba1−xM〓x）FX：yA （但しM〓はMg，Ca，Sr，Zn及びCdのうちの
少なくとも１つを、ＸはCl，Br及びＩのうちの
少なくとも１つを、ＡはEu，Tb，Ce，Tm，
Dy，Pr，He，Nd，Yb及びErのうちの少なくと
も１つを、ｘ及びｙは０≦ｘ≦0.6及び０≦ｙ≦
0.2なる条件を満たす数を表わす。）で表わされる
螢光体、特開昭55−84389号に記載されている一
般式がBaFX：xCe，yA（但し、ＸはCl，Br及び
Ｉのうちの少なくとも１つ、ＡはIn，Tl，Gd，
Sm及びZrのうちの少なくとも１つであり、ｘ及
びｙはそれぞれ０＜ｘ≦２×10-1及び０＜ｙ≦５
×10-2である。）で表わされる螢光体、特開昭55
−160078号に記載されている一般式が M〓FX・xA：yLn （但しM〓はMg，Ca，Ba，Zn及びCdのうち
の少なくとも１種、ＡはBeO，MgO，CaO，
SrO，BaO，ZnO，Al2O3，Y2O3，La2O3，
In2O3，SiO2，TiO2，ZrO2，GeO2，SnO2，
Nb2O5，Ta2O5及びThO2のうちの少なくとも１
種、LnはEu，Tb，Ce，Tm，Dy，Pr，Ho，
Nd，Yb，Er，Sm及びGdのうちの少なくとも１
種であり、ｘ及びｙはそれぞれ５×10-5≦ｘ≦
0.5及び０＜ｙ≦0.2なる条件を満たす数である。）
で表わされる希士類元素付活２価金属フルオロハ
ライド螢光体、特開昭57−148285号に記載されて
いる一般式〔〕又は〔〕、 一般式〔〕 xM3（PO4）2・NX：yA 一般式〔〕 M3（PO4）2：yA （式中、Ｍ及びＮはそれぞれMg，Ca，Sr，
Ba，Zn及びCdのうち少なくとも１種、ＸはＦ，
Cl，Br及びＩのうち少なくとも１種、ＡはEu，
Tb，Ca，Tm，Dy，Pr，Ho，Nd，Yb，Er，
Sb，Tl，Mn及びSnのうち少なくとも１種を表
わす。また、ｘ及びｙは０＜ｘ≦６、０≦ｙ≦１
なる条件を満たす数である。） で表わされる螢光体、及び一般式〔〕又は
〔〕、 一般式〔〕 nReX3・mAX′2：xEu 一般式〔〕 nReX3・mAX′2：xEu・ySm （式中、ReはLa，Gd，Ｙ，Luのうち少なく
とも１種、Ａはアルカリ土類金属、Ba，Sr，Ca
のうちの少なくとも１種、Ｘ及びX′はＦ，Cl，
Brのうち少なくとも１種を表わす。また、ｘ及
びｙは、１×10-4＜ｘ＜３×10-1、１×10-4＜ｙ
＜１×-1なる条件を満たす数であり、ｎ／ｍは１
×10-3＜ｎ／ｍ＜７×10-1なる条件を満たす。）
で表わされる螢光体及び 一般式 M〓Ｘ・aM〓X′2・bM〓X″3：cA ……(1) （但し、M〓はLi，Na，Ｋ，Rb，及びCsから
選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、
M〓はBe，Mg，Ca，Sr，Ba，Zn，Cd，Cu及び
Niから選ばれる少なくとも一種の二価金属であ
る。M〓はSc，Ｙ，La，Ce，Pr，Nd，Pm，
Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Mb，
Lu，Al，Ga，及びInから選ばれる少なくとも一
種の三価金属である。Ｘ，X′及びX″はＦ，Cl，
Br及びＩから選ばれる少なくとも一種のハロゲ
ンである。ＡはEu，Tb，Ce，Tm，Dy，Pr，
Ho，Nd，Yb，Er，Gd，Lu，Sm，Ｙ，Tl，
Na，Ag，Cu及びMgから選ばれる少なくとも一
種の金属である。
またａは０≦ａ＜0.5の範囲の数値であり、ｂ
は０≦ｂ＜0.5の範囲の数値であり、ｃは０＜ｃ
≦0.2の範囲の数値である。）で表わされる螢光体
等が挙げられるが、本発明に用いる螢光体は、こ
れに限定されるものではない。上記の螢光体に一
定量の放射線照射を行ない、輝尽励起光による走
査を行なうと読取られる輝尽発光の強度は第９図
のごとく放射線照射以後の時間経過と共に低下し
てゆく。第９図において螢光体と螢光体は前
記一般式(1)で表わされる螢光体の成分を異にした
ものである。これらの螢光体を用い、本発明の補
正なしに放射線画像の読取を行うと、読取開始と
終了の間の輝尽発光量の低下によつて一定の画質
のものが得られない。
は０≦ｂ＜0.5の範囲の数値であり、ｃは０＜ｃ
≦0.2の範囲の数値である。）で表わされる螢光体
等が挙げられるが、本発明に用いる螢光体は、こ
れに限定されるものではない。上記の螢光体に一
定量の放射線照射を行ない、輝尽励起光による走
査を行なうと読取られる輝尽発光の強度は第９図
のごとく放射線照射以後の時間経過と共に低下し
てゆく。第９図において螢光体と螢光体は前
記一般式(1)で表わされる螢光体の成分を異にした
ものである。これらの螢光体を用い、本発明の補
正なしに放射線画像の読取を行うと、読取開始と
終了の間の輝尽発光量の低下によつて一定の画質
のものが得られない。
読取時間内における発光量変動の許容範囲は実
用上±３％程度であつて変動がこれ以上となると
画面にシエーデイングを発生し問題となる。第９
図の螢光体を用いた場合、放射線照射１分後に
読取りを間始し１分間かかつて読取を行つたとす
れば、その間の減衰は約10％に達し前記の限界を
蓄るしく越えることになる。本発明はこうした性
質の螢光体の問題の解決に特に有効であつて本発
明の方法を用いることにより良質な放射線画像を
得ることができる。
用上±３％程度であつて変動がこれ以上となると
画面にシエーデイングを発生し問題となる。第９
図の螢光体を用いた場合、放射線照射１分後に
読取りを間始し１分間かかつて読取を行つたとす
れば、その間の減衰は約10％に達し前記の限界を
蓄るしく越えることになる。本発明はこうした性
質の螢光体の問題の解決に特に有効であつて本発
明の方法を用いることにより良質な放射線画像を
得ることができる。
またこれら輝尽性螢光体を再発光させるために
用いられる励起光としては、輝尽性螢光体に蓄積
された放射線エネルギーを放射させて光に変換す
るもので、可視光線又は赤外線等が使用できる
が、特に500nｍ以上の波長域の光を用いるのが
効果的で、He−Neレーザ、Arレーザ、YAGレ
ーザHe−Cdレーザ、Krレーザ、ダイレーザ、半
導体レーザ等が好ましい。またより広帯域に発光
する発光体にフイルターを用いて500nｍ以上の
波長域の光に変換して用いることができる。
用いられる励起光としては、輝尽性螢光体に蓄積
された放射線エネルギーを放射させて光に変換す
るもので、可視光線又は赤外線等が使用できる
が、特に500nｍ以上の波長域の光を用いるのが
効果的で、He−Neレーザ、Arレーザ、YAGレ
ーザHe−Cdレーザ、Krレーザ、ダイレーザ、半
導体レーザ等が好ましい。またより広帯域に発光
する発光体にフイルターを用いて500nｍ以上の
波長域の光に変換して用いることができる。
本発明に用いられる記録体の支持体としては、
一般に知られる記録層の支持性能を有するもので
あればなんでもよく、例えば紙、金属板、合成樹
脂板等で、厚さ50〜300μmのポリエチレンシー
ト、プラスチツクフイルム、アルミニウム板、厚
さ１〜３mmのガラス板等通常用いられる。以下本
発明を実施例によつて具体的に説明する。
一般に知られる記録層の支持性能を有するもので
あればなんでもよく、例えば紙、金属板、合成樹
脂板等で、厚さ50〜300μmのポリエチレンシー
ト、プラスチツクフイルム、アルミニウム板、厚
さ１〜３mmのガラス板等通常用いられる。以下本
発明を実施例によつて具体的に説明する。
実施例
第１図は本発明の方法を実施するに適した放射
線画像読取り装置の一例も示すブロツク図であ
る。１は輝尽励起光発生用のレーザであつてレー
ザドライバ回路２によつてドライブされる。レー
ザ１より発生したレーザ光束LBは単色光フイル
タ３、ミラー４、ビーム整形光学系５、ミラー６
を経て偏向器７に達する。偏向器７は偏向器ドラ
イバによつてドライブされるカルバノミラーを備
えレーザビームLBを走査領内に一定角速度で偏
向する。偏向されたレーザビームLBはfΘレンズ
９によつて走査線上で一定速度となるように調整
されたミラー１０を経て画像変換パネル１１上を
矢印ａ方向に走査する。画像変換パネル１１は同
時に副走査方向（矢印ｂ）に移動し全面が走査さ
れる。レーザ光束LBによつて走査されて画像変
換パネル１１から発生する輝尽光は光フアイバ集
光器１２で集光され輝尽光の波長領域のみを通す
フイルタ１３を通つて光電子倍増管等の光／電変
換器を備えて受光部１４に至りアナログ電気信号
に変換される。１５は光電子倍増管に高圧を供給
する光／電変換電源である。光電子倍増管から電
流として出力された画像信号は電流−電圧変換増
幅器１６を通つて電圧増幅され、さらに発光強度
信号を画像濃度信号に変換するLog変換器１７、
画像クロツク信号に同期して信号を一定期間維持
するサンプルホールド回路１８を通つた後Ａ／Ｄ
変換器１９によつてデジタル信号に変換された後
メモリに貯えられる。メモリはデイジタル演算等
を行なうCPU２０に接続されている。CPU２０
はインターフエース２１を介して外部の機器例え
ばデータを保存、加工するための大型コンピユー
タ、ミニコンピユータ、画像を出力するCRT表
示装置、各種ハードコピー作成装置等に連結する
ことが出来、メモリに貯えられたデータの演算、
転送を行なう。
線画像読取り装置の一例も示すブロツク図であ
る。１は輝尽励起光発生用のレーザであつてレー
ザドライバ回路２によつてドライブされる。レー
ザ１より発生したレーザ光束LBは単色光フイル
タ３、ミラー４、ビーム整形光学系５、ミラー６
を経て偏向器７に達する。偏向器７は偏向器ドラ
イバによつてドライブされるカルバノミラーを備
えレーザビームLBを走査領内に一定角速度で偏
向する。偏向されたレーザビームLBはfΘレンズ
９によつて走査線上で一定速度となるように調整
されたミラー１０を経て画像変換パネル１１上を
矢印ａ方向に走査する。画像変換パネル１１は同
時に副走査方向（矢印ｂ）に移動し全面が走査さ
れる。レーザ光束LBによつて走査されて画像変
換パネル１１から発生する輝尽光は光フアイバ集
光器１２で集光され輝尽光の波長領域のみを通す
フイルタ１３を通つて光電子倍増管等の光／電変
換器を備えて受光部１４に至りアナログ電気信号
に変換される。１５は光電子倍増管に高圧を供給
する光／電変換電源である。光電子倍増管から電
流として出力された画像信号は電流−電圧変換増
幅器１６を通つて電圧増幅され、さらに発光強度
信号を画像濃度信号に変換するLog変換器１７、
画像クロツク信号に同期して信号を一定期間維持
するサンプルホールド回路１８を通つた後Ａ／Ｄ
変換器１９によつてデジタル信号に変換された後
メモリに貯えられる。メモリはデイジタル演算等
を行なうCPU２０に接続されている。CPU２０
はインターフエース２１を介して外部の機器例え
ばデータを保存、加工するための大型コンピユー
タ、ミニコンピユータ、画像を出力するCRT表
示装置、各種ハードコピー作成装置等に連結する
ことが出来、メモリに貯えられたデータの演算、
転送を行なう。
２２は輝尽発光の読取開始より終了までの期間
における輝尽発光強度の減衰を補正する為の減衰
補正制御回路であつて、後述の補正量検知手段か
らの信号に対応した制御信号を前記読取り系の所
要ブロツクに送り読取られた信号の補正を行な
う。読取られた信号の補正は前記読取り系の種々
のブロツクで行なうことができる。
における輝尽発光強度の減衰を補正する為の減衰
補正制御回路であつて、後述の補正量検知手段か
らの信号に対応した制御信号を前記読取り系の所
要ブロツクに送り読取られた信号の補正を行な
う。読取られた信号の補正は前記読取り系の種々
のブロツクで行なうことができる。
例えば、
レーザ：レーザドライバ２の制御による出力の調
整 走査部：偏向ドライバ８を制御による光束の走査
速度の調整 受光部：光電子倍増管の電源１５の制御による
光／電変換利得の調整 電流−電圧変換増幅器：増幅利得の制御 Log変換器：変換利得の制御 サンプルホールド：内部利得の制御 Ａ／Ｄ変換器：Ａ／Ｄ変換ダイナミツクレジンの
制御 またCPU２０に補正信号を入力し一旦メモリ
に貯えたデータの補正演算を行ない再びメモリ入
れインタフエースに出力するようにすることもで
きる。補正のための制御は前記のような処理段階
のいずれか一個所において行つてもよく、多数個
所を併行的に用いて行つてもよい。減衰補正制御
回路の出力態様は制御を行なう段階に対応したも
のとすればよい。
整 走査部：偏向ドライバ８を制御による光束の走査
速度の調整 受光部：光電子倍増管の電源１５の制御による
光／電変換利得の調整 電流−電圧変換増幅器：増幅利得の制御 Log変換器：変換利得の制御 サンプルホールド：内部利得の制御 Ａ／Ｄ変換器：Ａ／Ｄ変換ダイナミツクレジンの
制御 またCPU２０に補正信号を入力し一旦メモリ
に貯えたデータの補正演算を行ない再びメモリ入
れインタフエースに出力するようにすることもで
きる。補正のための制御は前記のような処理段階
のいずれか一個所において行つてもよく、多数個
所を併行的に用いて行つてもよい。減衰補正制御
回路の出力態様は制御を行なう段階に対応したも
のとすればよい。
読取り値の補正を画像変換パネルに対する放射
線露光時から読取り開始までの時間に基いて行な
う場合、減衰補正制御回路には記憶部を設け、予
め測定した使用する画像変換パネルの輝尽発光強
度と時間の関係（第２図）を予め入力しておき、
演算部において時間検知手段からの読取開始まで
の経過時間入力に応じて走査開始時t1における輝
尽発光強度Ｉ（t1）及び補正すべき走査ラインの
走査時刻tnに対応する輝尽光発光強度Ｉ（tn）か
らＩ（t1）／Ｉ（tn）を算出して、読取り系に出力
しその読取利得を制御し、或いは一旦読取りメモ
リに貯えたデータに補正を加えればよい。
線露光時から読取り開始までの時間に基いて行な
う場合、減衰補正制御回路には記憶部を設け、予
め測定した使用する画像変換パネルの輝尽発光強
度と時間の関係（第２図）を予め入力しておき、
演算部において時間検知手段からの読取開始まで
の経過時間入力に応じて走査開始時t1における輝
尽発光強度Ｉ（t1）及び補正すべき走査ラインの
走査時刻tnに対応する輝尽光発光強度Ｉ（tn）か
らＩ（t1）／Ｉ（tn）を算出して、読取り系に出力
しその読取利得を制御し、或いは一旦読取りメモ
リに貯えたデータに補正を加えればよい。
時間検知手段としては各種公知の電子式或いは
機械式のタイマユニツトを用いることができる。
これらの時間検知手段は、例えば (1) 放射線露光装置側に設け、放射線露光スイツ
チと連動して起動して経過時間を表示するよう
にし、読取りに際し人が表示値を見て読取り装
置の減衰補正制御回路に手動入力する。
機械式のタイマユニツトを用いることができる。
これらの時間検知手段は、例えば (1) 放射線露光装置側に設け、放射線露光スイツ
チと連動して起動して経過時間を表示するよう
にし、読取りに際し人が表示値を見て読取り装
置の減衰補正制御回路に手動入力する。
(2) 放射線露光装置或いは読取り装置のいづれか
に設け両装置に電気的に接続して、放射線露光
スイツチと連動して起動して時間経過を測りt1
を読取り、開始時に減衰補正制御回路に自動入
力する。
に設け両装置に電気的に接続して、放射線露光
スイツチと連動して起動して時間経過を測りt1
を読取り、開始時に減衰補正制御回路に自動入
力する。
(3) 画像変換パネルに付属し、放射線露光装置に
装着したとき該装置と接続し、その露光スイツ
チと連動して起動し、読取のため読取装置に装
着することにより該装置と接続し読取り開始と
共に経過時間を減衰補正制御回路に入力するよ
うにする。等種々の方式によつて使用すること
ができる。
装着したとき該装置と接続し、その露光スイツ
チと連動して起動し、読取のため読取装置に装
着することにより該装置と接続し読取り開始と
共に経過時間を減衰補正制御回路に入力するよ
うにする。等種々の方式によつて使用すること
ができる。
第１図に示した実施例は前記(3)の方式を用い、
受光部の光電子倍増管電源１５の利得制御を行つ
て画像変換パネルの輝尽光減衰補正を行つたもの
である。図中２３は画像変換パネル１１に設けら
れたタイマユニツトである。
受光部の光電子倍増管電源１５の利得制御を行つ
て画像変換パネルの輝尽光減衰補正を行つたもの
である。図中２３は画像変換パネル１１に設けら
れたタイマユニツトである。
第３図は、前記装置における輝尽光域衰補正動
作を示すフローチヤートである。
作を示すフローチヤートである。
また第４図は、読取つたデータをそのまま一旦
メモリに貯えた後、減衰補正回路から各ライン
毎のｔに対応する補正係数を発生し、CPUにメ
モリよりデータを呼び出し両者を掛け合せて補
正を行なう場合の手順である。
メモリに貯えた後、減衰補正回路から各ライン
毎のｔに対応する補正係数を発生し、CPUにメ
モリよりデータを呼び出し両者を掛け合せて補
正を行なう場合の手順である。
また画像変換パネルの輝尽発光を実測して補正
を行なう場合には、例えば第５図のように画像変
換パネルの画像領域５２に隣接して放射線露光の
際均一、一定量の放射線を照射する輝尽光強度測
定領域５１を設け、読取りの際この部分をも走査
する。同領域の輝尽発光強度は読取操作中にも低
下してゆくが、その読取り値が常に読取り開始時
と同一になるよう読取り系の利得を制御し、或い
は読み取り値に補正係数を掛ければ、読取り開始
時と終了時の間の輝尽発光強度の減衰が補正され
る。
を行なう場合には、例えば第５図のように画像変
換パネルの画像領域５２に隣接して放射線露光の
際均一、一定量の放射線を照射する輝尽光強度測
定領域５１を設け、読取りの際この部分をも走査
する。同領域の輝尽発光強度は読取操作中にも低
下してゆくが、その読取り値が常に読取り開始時
と同一になるよう読取り系の利得を制御し、或い
は読み取り値に補正係数を掛ければ、読取り開始
時と終了時の間の輝尽発光強度の減衰が補正され
る。
第５図，の曲線は読取り開始時の輝尽発光
強度Io及び読取ｎ回目の走査によつて得られた輝
尽発光強度Inを模式的に画いたもので、ｎ回目の
画像域の読取りに当つてはIo／Inの読取り利得補
正を行うか、読取後のデータにこの補正係数を掛
ければよい。
強度Io及び読取ｎ回目の走査によつて得られた輝
尽発光強度Inを模式的に画いたもので、ｎ回目の
画像域の読取りに当つてはIo／Inの読取り利得補
正を行うか、読取後のデータにこの補正係数を掛
ければよい。
第６図は、この方式を実施するに適した読取り
装置の一例でここでは受光器１３によつて読取ら
れた信号から輝尽発光強度測定領域の信号を測定
領域信号分離回路によつて分離し減衰補正制御回
路６１に入力しIo／Inを計算して読取り系の制御
を行つている。
装置の一例でここでは受光器１３によつて読取ら
れた信号から輝尽発光強度測定領域の信号を測定
領域信号分離回路によつて分離し減衰補正制御回
路６１に入力しIo／Inを計算して読取り系の制御
を行つている。
この場合においても読取り値の補正制御は前述
のように読取り装置の各段階で行ない得ることは
同じである。
のように読取り装置の各段階で行ない得ることは
同じである。
第７図は、この方式によつて読取りを行うとき
の手順を示すフローチヤート、第８図は無補正で
読取り一旦メモリーに貯えた後補正計算を施す場
合のフローチヤートである。
の手順を示すフローチヤート、第８図は無補正で
読取り一旦メモリーに貯えた後補正計算を施す場
合のフローチヤートである。
以上の如く本発明の方法により画像読取り開始
より終了に至る間の輝尽性螢光体の発光強度の経
時減衰を完全に補正し、シエーデングの無い正確
な画像情報の読取りを行なうことが可能となつ
た。本発明の方法は他の補正、例えば放射線露光
時（第２図t0）より読取り開始（t1）までの輝尽
発光強度の補正処理等と併行して実施することも
可能である。
より終了に至る間の輝尽性螢光体の発光強度の経
時減衰を完全に補正し、シエーデングの無い正確
な画像情報の読取りを行なうことが可能となつ
た。本発明の方法は他の補正、例えば放射線露光
時（第２図t0）より読取り開始（t1）までの輝尽
発光強度の補正処理等と併行して実施することも
可能である。
第１図及び第６図は本発明の方法を実施するに
適した放射線画像読取装置のブロツク図、第２図
及び第９図は輝尽発光強度の減衰を示すグラフ、
第３図、第４図、第７図及び第８図は本発明の方
法による画像の読取り、補正の手順を示すフロー
チヤート、第５図は輝尽発光強度測定領域を設け
た画像変換パネル及びその走査結果を示す概要図
である。 １……レーザ、１１……画像変換パネル、１４
……受光部、５１……輝尽発光強度測定領域、５
２……画像領域。
適した放射線画像読取装置のブロツク図、第２図
及び第９図は輝尽発光強度の減衰を示すグラフ、
第３図、第４図、第７図及び第８図は本発明の方
法による画像の読取り、補正の手順を示すフロー
チヤート、第５図は輝尽発光強度測定領域を設け
た画像変換パネル及びその走査結果を示す概要図
である。 １……レーザ、１１……画像変換パネル、１４
……受光部、５１……輝尽発光強度測定領域、５
２……画像領域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネ
ルに、放射線により画像露光を与え、続いて該放
射線画像変換パネルを輝尽励起光で走査し、発生
する輝尽光を検出することによつて放射線画像情
報を読取るようにした放射線画像読取り方法にお
いて、 前記放射線画像変換パネルの放射線露光後の経
過時間に応じた輝尽光強度の減衰曲線を予め求め
ておき、 該減衰曲線に基づいて、前記放射線画像情報の
読取りを開始してから読取りを終了するに至る間
の輝尽光強度の減衰を、前記放射線による画像露
光からの時間によつて補正するようにしたことを
特徴とする放射線画像読取り方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5114085A JPS61209430A (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 放射線画像読取り方法 |
| US07/371,682 US4922100A (en) | 1985-03-13 | 1989-06-19 | Method for reading a radiographic image |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5114085A JPS61209430A (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 放射線画像読取り方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61209430A JPS61209430A (ja) | 1986-09-17 |
| JPH0473936B2 true JPH0473936B2 (ja) | 1992-11-25 |
Family
ID=12878512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5114085A Granted JPS61209430A (ja) | 1985-03-13 | 1985-03-13 | 放射線画像読取り方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61209430A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2805303B2 (ja) * | 1987-06-10 | 1998-09-30 | 富士写真フイルム株式会社 | 画像情報読取装置におけるシェーディング補正方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57151957A (en) * | 1981-03-16 | 1982-09-20 | Canon Inc | Exposure controller of electrostatic recorder |
| JPS5883937A (ja) * | 1981-11-13 | 1983-05-19 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線画像情報読取方法 |
| JPH063526B2 (ja) * | 1982-10-22 | 1994-01-12 | コニカ株式会社 | 放射線画像読取装置 |
-
1985
- 1985-03-13 JP JP5114085A patent/JPS61209430A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61209430A (ja) | 1986-09-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |