JPH07117687B2 - 放射線画像読取方法 - Google Patents
放射線画像読取方法Info
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- JPH07117687B2 JPH07117687B2 JP62013009A JP1300987A JPH07117687B2 JP H07117687 B2 JPH07117687 B2 JP H07117687B2 JP 62013009 A JP62013009 A JP 62013009A JP 1300987 A JP1300987 A JP 1300987A JP H07117687 B2 JPH07117687 B2 JP H07117687B2
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 24
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 15
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 claims 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 33
- 230000006870 function Effects 0.000 description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 5
- 238000005562 fading Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 3
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052789 astatine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013068 control sample Substances 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000004936 stimulating effect Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000012800 visualization Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- Radiography Using Non-Light Waves (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
Description
本発明は放射線画像変換パネルに蓄積記録された情報の
読取方法に関するものであり、さらに詳しくは該放射線
画像を正確に再現する読取方法に関するものである。
読取方法に関するものであり、さらに詳しくは該放射線
画像を正確に再現する読取方法に関するものである。
Ｘ線画像のような放射線画像は医療用として多く用いら
れている。この放射線画像を得る一方法として、被写体
を透過した放射線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射
し、これにより可視光を生じさせて、この可視光を通常
の写真を撮るときと同じように銀塩感光材料を塗布した
フィルムに照射して現像するいわゆる放射線写真が利用
されている。しかし、近年、銀塩感光材料からなる放射
線写真フィルムを使用しないで放射線画像情報を得る方
法が工夫されるようになった。このような方法として
は、被写体を透過した放射線をある種の蛍光体に吸収せ
しめ、しかる後、この蛍光体を例えば光又は熱エネルギ
ーで励起することにより、この蛍光体が前記吸収により
蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せし
め、この蛍光を検出して画像化するものがある。具体的
には例えば米国特許3,859,527号又は特開昭55-12144号
に開示されている。これらは輝尽性蛍光体を用い、可視
光又は赤外光を励起光とした放射線画像変換方法を示し
たもので、支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線
画像変換パネルを使用し、この放射線画像変換パネルの
輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当てて被写
体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄
積させて潜像を形成し、しかる後、この輝尽性蛍光体層
を前記励起光で走査することによって、該パネル各部に
蓄積された放射線エネルギーを放射させてこれを光に変
換し、この光の強弱による光信号を光電子増倍管、フォ
トダイオード等の光電変換素子で検出して放射線画像を
得るものである。また、他の方法としては被写体を透過
した放射線を、一様に帯電させたセレン、シリコン等の
光導電体層を有する半導体パネルに吸収せしめて静電潜
像を形成した後、この半導体パネルを励起光で走査する
ことにより、該パネル上の静電潜像を電気的に検出して
画像化するものがある（例えば特開昭54-31219号）。 斯くして得た放射線画像は、そのままの状態で、或いは
リアルタイムで空間周波数処理や階調処理等の画像処理
を施されて銀塩フィルム、CRT等に出力されて可視化さ
れるか、又は半導体記憶装置、磁気記憶装置、光ディス
ク記憶装置等の画像記憶装置に格納され、その後必要に
応じてこれら画像記憶装置から取り出されて銀塩フィル
ム、CRT等に出力されて可視化されている。 前記放射線画像変換方法によれば、従来の放射線写真法
に比較して少ない被曝量で情報量の豊富な放射線画像を
得ることができるという利点を有する。従って、該放射
線画像変換方法は特に医療診断を目的とするＸ線撮影等
の直線放射線撮影において利用価値の高いものである。 しかし、前記の方法は放射線照射によって放射線画像情
報記憶媒体に蓄えられた放射線エネルギーが時間の経過
と共に著しく低下するという問題を有する（この現象を
フェーディングという）。このため、第２図示の如く放
射線による画像曝射（t0）後、輝尽励起光による放射線
画像読取開始（t1）及び読取終了（t2）までの時間推移
によって読取られる画像信号としての発生輝尽光の強度
が低下し、曝射直後の画像のもつ階調が再現されなくな
る。 前記問題に対処し、例えば特開昭61-209430号には前記
（t1）から（t2）までの画像信号（輝尽光強度）の減衰
を、輝尽性蛍光体に固有の蓄積放射線エネルギー量の減
衰挙動として捉え、それに基いて補正する過程を含む放
射線画像読取方法が提案されており、補正の実を挙げて
いる。 しかしながら輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パ
ネルは作成後、放射線曝射を与える時点（t0）までの保
存履歴によって感度が変動（一般に減感）し、その傾向
は放射線曝射中にも継続しており一般に感度曲線の非比
例的変動を伴う。 また（t0）後、読取開始時点（t1）に到る間には第２図
に示されるような蓄積エネルギー量の減衰（フェーディ
ング）がある。 更に（t1）と読取終了時点（t2）の間には前記減衰は依
然として続行しており、のみならず蓄積エネルギーの輝
尽光への変換効率の減衰があり、（t1）〜（t2）間では
２つの減衰による複合減衰がある。 前記した感度変動、蓄積エネルギー量の減衰及び変換効
率の減衰は温度、湿度によって大きく異っている。 従って蓄積エネルギー量の減衰のみについて、またその
減衰を輝尽性蛍光体の固有挙動だけで捉えた補正では完
全な補正までには到らない。 更にこの技術分野に於て好しい発光波長或は発光強度を
与える輝尽性蛍光体は一般に温度、湿度に対して鋭敏で
あって使用上注意を要する。
れている。この放射線画像を得る一方法として、被写体
を透過した放射線を蛍光体層（蛍光スクリーン）に照射
し、これにより可視光を生じさせて、この可視光を通常
の写真を撮るときと同じように銀塩感光材料を塗布した
フィルムに照射して現像するいわゆる放射線写真が利用
されている。しかし、近年、銀塩感光材料からなる放射
線写真フィルムを使用しないで放射線画像情報を得る方
法が工夫されるようになった。このような方法として
は、被写体を透過した放射線をある種の蛍光体に吸収せ
しめ、しかる後、この蛍光体を例えば光又は熱エネルギ
ーで励起することにより、この蛍光体が前記吸収により
蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射せし
め、この蛍光を検出して画像化するものがある。具体的
には例えば米国特許3,859,527号又は特開昭55-12144号
に開示されている。これらは輝尽性蛍光体を用い、可視
光又は赤外光を励起光とした放射線画像変換方法を示し
たもので、支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線
画像変換パネルを使用し、この放射線画像変換パネルの
輝尽性蛍光体層に被写体を透過した放射線を当てて被写
体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄
積させて潜像を形成し、しかる後、この輝尽性蛍光体層
を前記励起光で走査することによって、該パネル各部に
蓄積された放射線エネルギーを放射させてこれを光に変
換し、この光の強弱による光信号を光電子増倍管、フォ
トダイオード等の光電変換素子で検出して放射線画像を
得るものである。また、他の方法としては被写体を透過
した放射線を、一様に帯電させたセレン、シリコン等の
光導電体層を有する半導体パネルに吸収せしめて静電潜
像を形成した後、この半導体パネルを励起光で走査する
ことにより、該パネル上の静電潜像を電気的に検出して
画像化するものがある（例えば特開昭54-31219号）。 斯くして得た放射線画像は、そのままの状態で、或いは
リアルタイムで空間周波数処理や階調処理等の画像処理
を施されて銀塩フィルム、CRT等に出力されて可視化さ
れるか、又は半導体記憶装置、磁気記憶装置、光ディス
ク記憶装置等の画像記憶装置に格納され、その後必要に
応じてこれら画像記憶装置から取り出されて銀塩フィル
ム、CRT等に出力されて可視化されている。 前記放射線画像変換方法によれば、従来の放射線写真法
に比較して少ない被曝量で情報量の豊富な放射線画像を
得ることができるという利点を有する。従って、該放射
線画像変換方法は特に医療診断を目的とするＸ線撮影等
の直線放射線撮影において利用価値の高いものである。 しかし、前記の方法は放射線照射によって放射線画像情
報記憶媒体に蓄えられた放射線エネルギーが時間の経過
と共に著しく低下するという問題を有する（この現象を
フェーディングという）。このため、第２図示の如く放
射線による画像曝射（t0）後、輝尽励起光による放射線
画像読取開始（t1）及び読取終了（t2）までの時間推移
によって読取られる画像信号としての発生輝尽光の強度
が低下し、曝射直後の画像のもつ階調が再現されなくな
る。 前記問題に対処し、例えば特開昭61-209430号には前記
（t1）から（t2）までの画像信号（輝尽光強度）の減衰
を、輝尽性蛍光体に固有の蓄積放射線エネルギー量の減
衰挙動として捉え、それに基いて補正する過程を含む放
射線画像読取方法が提案されており、補正の実を挙げて
いる。 しかしながら輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パ
ネルは作成後、放射線曝射を与える時点（t0）までの保
存履歴によって感度が変動（一般に減感）し、その傾向
は放射線曝射中にも継続しており一般に感度曲線の非比
例的変動を伴う。 また（t0）後、読取開始時点（t1）に到る間には第２図
に示されるような蓄積エネルギー量の減衰（フェーディ
ング）がある。 更に（t1）と読取終了時点（t2）の間には前記減衰は依
然として続行しており、のみならず蓄積エネルギーの輝
尽光への変換効率の減衰があり、（t1）〜（t2）間では
２つの減衰による複合減衰がある。 前記した感度変動、蓄積エネルギー量の減衰及び変換効
率の減衰は温度、湿度によって大きく異っている。 従って蓄積エネルギー量の減衰のみについて、またその
減衰を輝尽性蛍光体の固有挙動だけで捉えた補正では完
全な補正までには到らない。 更にこの技術分野に於て好しい発光波長或は発光強度を
与える輝尽性蛍光体は一般に温度、湿度に対して鋭敏で
あって使用上注意を要する。
本発明の目的は前記した問題点に鑑み、放射線画像の蓄
積エネルギーに関る減衰現象が補正された良質な放射線
画像を与える放射線画像読取方法を提供することにあ
る。
積エネルギーに関る減衰現象が補正された良質な放射線
画像を与える放射線画像読取方法を提供することにあ
る。
前記本発明の目的は、輝尽性蛍光体層を有する放射線画
像変換パネルに曝射された放射線をエネルギーとして蓄
積させ、該蓄積されている放射線のエネルギーを輝尽励
起光で励起して画像データとして読み撮る放射線画像読
取方法に於いて、前記放射線の曝射以降の曝射放射線エ
ネルギーに対する発生輝尽光の発光効率の減衰データを
湿度に基づいて求め、前記読み取った画像データを前記
減衰データにより補正することを特徴とする放射線画像
読取方法および輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換
パネルに曝射された放射線をエネルギーとして蓄積さ
せ、該蓄積されている放射線のエネルギーを輝尽励起光
で励起して画像データとして読み取る放射線画像読取方
法に於いて、前記放射線の曝射以降の曝射放射線エネル
ギーに対する発生輝尽光の発光効率の減衰データを温度
に基づいて求め、前記読み取った画像データを前記減衰
データにより補正することを特徴とする放射線画像読取
方法により達成される。 本発明に於て問題とする曝射時点（t0）以降の前記減衰
挙動は、前記放射線画像変換パネル（以後単にパネルと
略称する）の保存履歴に関る感度変動関数Ｓ（t,T,H）
の任意の時点の感度Ｓを起点として予め求めてもよい
し、また温度、湿度を調えて平衡に到らしめればほぼパ
ネル作成時の仕上がり感度Soに復活できるし或はほぼ一
定の温、湿度平衡感度Seにもたらすことができるから、
So或はSeを減衰起点として減衰挙動を予め求めていても
よい。 また前記時点（t0）から励起読取り開始時点（t1）まで
の時間ｔ、温度Ｔ、湿度Ｈに関する蓄積エネルギーの減
衰関数Io（t,T,H）は厳密にはt,T及びＨの３変数の作る
関数であるが、（t0）〜（t1）間の時間はＴ及びＨが変
動するほどの時間でないので、Ｔ及びＨはパラメータと
して取扱うことができる。また前記したように関数Ioの
初期値に係る感度Ｓは常数として取扱われる。 同様に前記時点（t1）から読取終了時点（t2）までの時
間ｔ、温度Ｔ、湿度Ｈを変数とする複合減衰関数Ｉ（t,
T,H）に於てもT,Hはパラメータとして取扱うことが実用
上許容される。 前記したように本発明に於る補正は、関数Ｓに関数I0が
時点（t0）で接合し、更に関数I0に関数Ｉが時点（t1）
で接合する３つの区画関数から成る曲線を基にして行わ
れる。 第３図に区間（t0）〜（t2）に於る接合関数（I0＋Ｉ）
の測定例を示した。曲線及びは曲線よりも温、湿
度の高い場合である。 図にみられるような接合関数が少くとも実用上不連続点
を生ずることなく滑かな曲線を与える場合には関数Ｉ
（t,T,H）で統一的に取扱うことができる。 本発明に於てパネル温度は、パネルが平衡にある外囲温
度で代用できる。更に厳密にはパネルの輝尽性蛍光体層
（以後輝尽層と略称する）上の数点で測定しその平均値
をとって信憑性を上げてもよい。 また本発明の補正に用いる湿度はパネルの含水率が平衡
にある外囲湿度であり、更に厳密にはパネルが装填され
ているハウジング内の湿度である。尚湿度は相対湿度が
用いられる。 更に本発明の態様としては、温度または湿度を補正パラ
メータとして推移時間に加えることにより、従来より優
れた補正効果がえられるが、温度及び湿度とを共に補正
パラメータとして用いることが最も好しい。 本発明の読取方法に於ては温度及び／または湿度を補正
パラメータとして減衰曲線を予め求め該データを読取装
置の制御装置記憶部に自動的または手動で入力してお
き、これに基き減衰補正制御回路を作動させる。 前記操作例を補正フローチャートとして第４図及び第５
図に示した。 尚、時間、温度及び湿度の検知手段には公知の検知手段
が用いられる。 本発明に係わる放射線画像変換パネルに用いられる輝尽
性蛍光体は、光若しくは高エネルギー放射線が照射され
た後に光的、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺
激により、最小の光若しくは高エネルギー放射線の照射
量に対応した光を再発光せしめる、いわゆる輝尽性を示
す蛍光体である。ここに光とは電磁放射線のうち可視
光、紫外光、赤外光を含み、高エネルギー放射線とはＸ
線、γ線、β線、α線、中性子線等を含むものである。 前記輝尽性蛍光体は実用的な面から好ましくは500nm以
上の励起光によって輝尽発光を示す蛍光体であり、特に
励起光に対する輝尽発光の対応速度の大きい蛍光体であ
る。半導体レーザの発振波長領域の光に対して効率良く
輝尽発光を示す蛍光体であればさらに好ましい。このよ
うな蛍光体としては、例えば、特開昭55-84389号に記載
されている一般式が BaFX:xCe,yA （但し、ＸはCl,Br及びＩのうち少なくとも一つ、ＡはI
n,Tl,Gd,Sm及びZrのうちのすくなくとも一つであり、ｘ
及びｙはそれぞれ０＜ｘ≦２×10-1及び０＜ｙ≦５×10
-2である。）で表される蛍光体、特開昭55-160078号に
記載されている一般式が MIIFX・xA:yLn （但し、MIIはMg,Ca,Ba,Sr,Zn及びCdのうちの少なくと
も一種、ＡはBeO,MgO,CaO,SrO,BaO,ZnO,Al2O3，Y2O3，L
a2O3，In2O3，SiO2，TiO2，ZrO2，GeO2，SnO2，Nd2O5，
Ta2O5及びThO2のうちの少なくとも一種、LnはEu,Tb,Ce,
Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Sm及びGdのうちの少なくとも一
種であり、ＸはCl,Br及びＩのうちの少なくとも一種で
あり、ｘ及びｙはそれぞれ５×10-5≦ｘ≦0.5及び０＜
ｙ≦0.2なる条件を満たす数である。）で表わさえる希
土類元素付活２価金属フルオロハライド蛍光体及び下記
一般式 MIＸ・aMIIＸ′2・bMIIIＸ″3:cA （但し、MIはLi,Na,K,Rb及びCsから選ばれる少なくとも
一種のアルカリ金属でありMIIはBe,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,
Cu及びNiから選ばれる少なくとも一種の二価金属であ
る。MIIIはSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gb,Tb,Dy,Ho,E
r,Tm,Yd,Lu,Al,Ga及びInから選ばれる少なくとも一種の
三価金属である。X,X′及びＸ″はF,Cl,Br及びＩから選
ばれる少なくとも一種のハロゲンである。ＡはEu,Tb,C
e,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,Cu及びM
gから選ばれる少なくとも一種の金属である。 また、ａは０≦ａ＜0.5の範囲の数値であり、ｂは０≦
ｂ＜0.5の範囲の数値であり、ｃは０＜ｃ＜0.2の範囲の
数値である。）で表わされるアルカリハライド蛍光体等
が挙げられるが、特に前記輝尽性蛍光体のうち、アルカ
リ土類弗化ハロゲン化物系の蛍光体、及びアルカリハラ
イド系の蛍光体が好ましい。 しかし、本発明に用いられる輝尽性蛍光体は前述の蛍光
体に限られるものではなく、放射線を照射した後、輝尽
励起光を照射した場合に輝尽発光を示す蛍光体であれば
いかなる蛍光体であってもよい。 また、これら輝尽性蛍光体を再発光させるために用いら
れる励起光としては、輝尽性蛍光体に蓄積された放射線
エネルギーを照射させて光に変換するもので、可視光線
又は赤外線等が使用できるが、特に500nm以上の波長域
の光をもちいるのが効果的にHe−Neレーザ、Arレーザ、
YAGレーザ、He−Cdレーザ、ダイレーザ、半導体レーザ
等が好ましい。また、より広帯域に発光する発光体にフ
ィルターを用いて500nm以上の波長域の光に変換して用
いることができる。 本発明に用いられるパネルの支持体としては、一般に知
られる輝尽層の支持性能を有するものであれば、例え
ば、紙、金属板、合成樹脂板等の材質は問わないが、厚
さ50〜500μｍのポリエチレンシート、プラスチックフ
ィルム、アルミニウム板、厚さ１〜3mmのガラス板等が
通常用いられる。 以上輝尽性蛍光体を用いたパネルについて述べたが、こ
れ以外にも温、湿度によるフェーディング現象を起す放
射線画像情報記録媒体にも応用できることは勿論であ
る。
像変換パネルに曝射された放射線をエネルギーとして蓄
積させ、該蓄積されている放射線のエネルギーを輝尽励
起光で励起して画像データとして読み撮る放射線画像読
取方法に於いて、前記放射線の曝射以降の曝射放射線エ
ネルギーに対する発生輝尽光の発光効率の減衰データを
湿度に基づいて求め、前記読み取った画像データを前記
減衰データにより補正することを特徴とする放射線画像
読取方法および輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換
パネルに曝射された放射線をエネルギーとして蓄積さ
せ、該蓄積されている放射線のエネルギーを輝尽励起光
で励起して画像データとして読み取る放射線画像読取方
法に於いて、前記放射線の曝射以降の曝射放射線エネル
ギーに対する発生輝尽光の発光効率の減衰データを温度
に基づいて求め、前記読み取った画像データを前記減衰
データにより補正することを特徴とする放射線画像読取
方法により達成される。 本発明に於て問題とする曝射時点（t0）以降の前記減衰
挙動は、前記放射線画像変換パネル（以後単にパネルと
略称する）の保存履歴に関る感度変動関数Ｓ（t,T,H）
の任意の時点の感度Ｓを起点として予め求めてもよい
し、また温度、湿度を調えて平衡に到らしめればほぼパ
ネル作成時の仕上がり感度Soに復活できるし或はほぼ一
定の温、湿度平衡感度Seにもたらすことができるから、
So或はSeを減衰起点として減衰挙動を予め求めていても
よい。 また前記時点（t0）から励起読取り開始時点（t1）まで
の時間ｔ、温度Ｔ、湿度Ｈに関する蓄積エネルギーの減
衰関数Io（t,T,H）は厳密にはt,T及びＨの３変数の作る
関数であるが、（t0）〜（t1）間の時間はＴ及びＨが変
動するほどの時間でないので、Ｔ及びＨはパラメータと
して取扱うことができる。また前記したように関数Ioの
初期値に係る感度Ｓは常数として取扱われる。 同様に前記時点（t1）から読取終了時点（t2）までの時
間ｔ、温度Ｔ、湿度Ｈを変数とする複合減衰関数Ｉ（t,
T,H）に於てもT,Hはパラメータとして取扱うことが実用
上許容される。 前記したように本発明に於る補正は、関数Ｓに関数I0が
時点（t0）で接合し、更に関数I0に関数Ｉが時点（t1）
で接合する３つの区画関数から成る曲線を基にして行わ
れる。 第３図に区間（t0）〜（t2）に於る接合関数（I0＋Ｉ）
の測定例を示した。曲線及びは曲線よりも温、湿
度の高い場合である。 図にみられるような接合関数が少くとも実用上不連続点
を生ずることなく滑かな曲線を与える場合には関数Ｉ
（t,T,H）で統一的に取扱うことができる。 本発明に於てパネル温度は、パネルが平衡にある外囲温
度で代用できる。更に厳密にはパネルの輝尽性蛍光体層
（以後輝尽層と略称する）上の数点で測定しその平均値
をとって信憑性を上げてもよい。 また本発明の補正に用いる湿度はパネルの含水率が平衡
にある外囲湿度であり、更に厳密にはパネルが装填され
ているハウジング内の湿度である。尚湿度は相対湿度が
用いられる。 更に本発明の態様としては、温度または湿度を補正パラ
メータとして推移時間に加えることにより、従来より優
れた補正効果がえられるが、温度及び湿度とを共に補正
パラメータとして用いることが最も好しい。 本発明の読取方法に於ては温度及び／または湿度を補正
パラメータとして減衰曲線を予め求め該データを読取装
置の制御装置記憶部に自動的または手動で入力してお
き、これに基き減衰補正制御回路を作動させる。 前記操作例を補正フローチャートとして第４図及び第５
図に示した。 尚、時間、温度及び湿度の検知手段には公知の検知手段
が用いられる。 本発明に係わる放射線画像変換パネルに用いられる輝尽
性蛍光体は、光若しくは高エネルギー放射線が照射され
た後に光的、熱的、機械的、化学的または電気的等の刺
激により、最小の光若しくは高エネルギー放射線の照射
量に対応した光を再発光せしめる、いわゆる輝尽性を示
す蛍光体である。ここに光とは電磁放射線のうち可視
光、紫外光、赤外光を含み、高エネルギー放射線とはＸ
線、γ線、β線、α線、中性子線等を含むものである。 前記輝尽性蛍光体は実用的な面から好ましくは500nm以
上の励起光によって輝尽発光を示す蛍光体であり、特に
励起光に対する輝尽発光の対応速度の大きい蛍光体であ
る。半導体レーザの発振波長領域の光に対して効率良く
輝尽発光を示す蛍光体であればさらに好ましい。このよ
うな蛍光体としては、例えば、特開昭55-84389号に記載
されている一般式が BaFX:xCe,yA （但し、ＸはCl,Br及びＩのうち少なくとも一つ、ＡはI
n,Tl,Gd,Sm及びZrのうちのすくなくとも一つであり、ｘ
及びｙはそれぞれ０＜ｘ≦２×10-1及び０＜ｙ≦５×10
-2である。）で表される蛍光体、特開昭55-160078号に
記載されている一般式が MIIFX・xA:yLn （但し、MIIはMg,Ca,Ba,Sr,Zn及びCdのうちの少なくと
も一種、ＡはBeO,MgO,CaO,SrO,BaO,ZnO,Al2O3，Y2O3，L
a2O3，In2O3，SiO2，TiO2，ZrO2，GeO2，SnO2，Nd2O5，
Ta2O5及びThO2のうちの少なくとも一種、LnはEu,Tb,Ce,
Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Sm及びGdのうちの少なくとも一
種であり、ＸはCl,Br及びＩのうちの少なくとも一種で
あり、ｘ及びｙはそれぞれ５×10-5≦ｘ≦0.5及び０＜
ｙ≦0.2なる条件を満たす数である。）で表わさえる希
土類元素付活２価金属フルオロハライド蛍光体及び下記
一般式 MIＸ・aMIIＸ′2・bMIIIＸ″3:cA （但し、MIはLi,Na,K,Rb及びCsから選ばれる少なくとも
一種のアルカリ金属でありMIIはBe,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,
Cu及びNiから選ばれる少なくとも一種の二価金属であ
る。MIIIはSc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gb,Tb,Dy,Ho,E
r,Tm,Yd,Lu,Al,Ga及びInから選ばれる少なくとも一種の
三価金属である。X,X′及びＸ″はF,Cl,Br及びＩから選
ばれる少なくとも一種のハロゲンである。ＡはEu,Tb,C
e,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,Cu及びM
gから選ばれる少なくとも一種の金属である。 また、ａは０≦ａ＜0.5の範囲の数値であり、ｂは０≦
ｂ＜0.5の範囲の数値であり、ｃは０＜ｃ＜0.2の範囲の
数値である。）で表わされるアルカリハライド蛍光体等
が挙げられるが、特に前記輝尽性蛍光体のうち、アルカ
リ土類弗化ハロゲン化物系の蛍光体、及びアルカリハラ
イド系の蛍光体が好ましい。 しかし、本発明に用いられる輝尽性蛍光体は前述の蛍光
体に限られるものではなく、放射線を照射した後、輝尽
励起光を照射した場合に輝尽発光を示す蛍光体であれば
いかなる蛍光体であってもよい。 また、これら輝尽性蛍光体を再発光させるために用いら
れる励起光としては、輝尽性蛍光体に蓄積された放射線
エネルギーを照射させて光に変換するもので、可視光線
又は赤外線等が使用できるが、特に500nm以上の波長域
の光をもちいるのが効果的にHe−Neレーザ、Arレーザ、
YAGレーザ、He−Cdレーザ、ダイレーザ、半導体レーザ
等が好ましい。また、より広帯域に発光する発光体にフ
ィルターを用いて500nm以上の波長域の光に変換して用
いることができる。 本発明に用いられるパネルの支持体としては、一般に知
られる輝尽層の支持性能を有するものであれば、例え
ば、紙、金属板、合成樹脂板等の材質は問わないが、厚
さ50〜500μｍのポリエチレンシート、プラスチックフ
ィルム、アルミニウム板、厚さ１〜3mmのガラス板等が
通常用いられる。 以上輝尽性蛍光体を用いたパネルについて述べたが、こ
れ以外にも温、湿度によるフェーディング現象を起す放
射線画像情報記録媒体にも応用できることは勿論であ
る。
次に、本発明を実施例によって具体的に説明する。 第１図は本発明の方法を実施するに適した放射線画像読
取装置の一例を示すブロック図である。本図において、
１は励起光発生用のレーザ光源で、該レーザ光源１はレ
ーザドライバ回路２によってドライブされる。このレー
ザ光源１より発生したレーザビームLBは単色光フィルタ
3,ミラー4,ビーム整形光学系5,ミラー６を経て偏向器７
に達する。偏向器７は偏向器ドライバ８によってドライ
ブされるガルバノミラーを備え、レーザビームLBを走査
領域内に一定角度で偏向する。偏向されたレーザビーム
LBはｆθレンズ９によって走査線上において一定速度と
なるよう調整され、ミラー10を経て輝尽層を有するパネ
ル11上を矢印ａの方向に走査する。パネル11は同時に副
走査方向（矢印ｂ方向）に移動し、全面が走査される。
前記レーザビームLBによって走査されてパネル11から発
生する輝尽発光は集光器12で集光され、輝尽発光の波長
領域のみを通すフィルタ13を通って光電子増倍管等の光
電変換器を備えた受光部14に至り、アナログ電気信号
（画像信号）に変換される。15は光電子増倍管に高電圧
を供給する高電気変換電源である。光電子増倍管から電
流として出力された画像信号は電流−電圧変換増幅器16
を通って電圧増幅され、さらに発光強度信号を画像濃度
信号に変換するLog変換器17、画像クロック信号に同期
して信号を一定期間維持するサンプルホールド回路18を
通ってA/D変換器19に入り、該A/D変換器19によってデジ
タル信号に変換された後、メモリ20に蓄えられる。該メ
モリ20はデジタル演算等を行うCPU21に接続されてい
る。このCPU21はインターフェース22を介して外部の機
器、例えば、データを保存、加工するための大型コンピ
ュータ、ミニコンピュータ、画像を出力するCRT表示装
置、各種ハードコピー作成装置等に連結することがで
き、前記メモリ20に蓄えられたデータの演算・転送を行
う。 23は輝尽発光の読取開始から読取終了までの期間におけ
る輝尽発光強度の減衰を補正するための補正制御回路で
ある。 この23に、予め求めた輝尽発光の関数:I（t,T,H）を記
憶させておき、演算部において時間検知手段、温度検知
手段、湿度検知手段（いずれも図示せず）からの読取開
始までの経過時間、温度、湿度のそれぞれの入力に応じ
て曲線を決定し、放射線による画像曝射から読取開始ま
での時間、即ち第２図の横軸上のt1の位置を検知すれ
ば、その開始点t1における輝尽発光強度Ｉ（t,T,H）及
び補正すべき走査ラインの走査時刻tnに対応する輝尽発
光強度Ｉ（tn,T,H）からＩ（t1,T,H）/I（tn,T,H）が算
出できるから、読取開始時t1以後の輝尽発光量の減衰が
推定でき、その減衰補正信号を前記減衰補正制御回路23
から前記読取系の所要ブロックに出力すればその読取利
得を制御するか、或いは一旦読取りメモリに蓄えたデー
タに補正を加える等により、読取結果の補正ができるよ
うになる。 なお、放射線曝射後から画像情報読取開始までの時間が
常に一定であるような場合には読取開始から終了点まで
の間の減衰曲線を求めるだけで足りる。 前記した如く減衰補正制御回路23から出力される補正信
号による読取られた信号の補正は前記読取系の種々のブ
ロックで行うことができる。例えば、 レーザ：レーザドライバ２の制御による出力の調整 走査部：偏向ドライバ８を制御による光束の走査速度の
調整 受光部：光電子増倍管の電源15の制御による光電変換利
得の調整 電流−電圧変換増幅器：増幅利得の制御 log変換器：変換利得の制御 サンプルホールド回路：内部利得の制御 A/D変換器:A/D変換ダイナミックレンジの制御 また、CPU21に補正信号を入力し、一旦メモリ20に蓄え
たデータの補正演算を行い、再びメモリ20に入れ、イン
ターフェイスに出力するようにすることもできる。この
補正のための制御は前記のような処理段階のいずれか一
個所において行ってもよく、多数個所を併行的に用いて
行ってもよい。補正制御回路23の出力態様は制御を行う
段階に対応したものとすればよい。 前記読取値の補正を放射線曝射時から読取り開始までの
時間、温度及び湿度に基づいて行う場合の時間、温度、
湿度の検知手段としては各種公知の電子式或いは機械式
のタイマユニット、温度計及び湿度計をそれぞれ用いる
ことができる。例えば、 （１）放射線曝射装置側に設け、放射線曝射スイッチと
して連動して起動して経過時間、パネル温度及び湿度を
表示するようにし、読取りに際して人が表示値を見て読
取装置の補正制御回路に手動入力する。 （２）放射線曝射装置或いは読取装置のいずれかに設
け、両装置に電気的に接して放射線曝射スイッチと連動
して時間経過、パネル温度及び湿度を測り、それぞれ
t1,T,Hを読取開始時に補正制御回路に自動入力する。 （３）パネルに付属し、放射線曝射装置に装着したと
き、該装置と接続し、その曝射スイッチと連動した起動
し、読取りのための読取装置に装着することにより、該
装置と接続し読取り開始とともに経過時間、パネル温度
及び湿度補正制御回路に入力するようにする。 等の種々の方式が適用できる。第１図に示した実施例は
前記（３）の方式の時間検知手段を用いて受光部の光電
子増倍管電源15の利得制御を行ってパネルの輝尽発光の
補正を行うようにしたものである。図中、25はタイマユ
ニットを示している。 第４図は前記装置における輝尽発光減衰補正動作を示す
フローチャートである。本図の場合にはパネルに対する
放射線曝射時から読取り開始までの時間を前記時間、温
度、湿度、検知手段によって時間（t1），温度（Ｔ），
湿度（Ｈ）を測定（ステップ301）し、補正制御回路23
に備えた記憶部より走査開始点t1における輝尽発光強度
Ｉ（t1,T,H）を呼出し（ステップ302），読取操作を開
始（ステップ303）する。次いで前記記憶部より読取時
点tnに対応する輝尽発光強度Ｉ（tn,T,H）を呼出し（ス
テップ304）、読取系利得の補正係数をＩ（t1,T,H）/T
（tn,T,H）に設定（ステップ305）し、これを読取系に
出力し、画像変換パネル上の一走査ラインを励起し読取
り（ステップ306）、しかる後、画像変換パネルを所定
のように移動させて次のラインに進む（ステップ30
7）、画像変換パネルが次のラインに進んだ時点で全面
走査終了か否かが判断（ステップ308）され、NOであれ
ば前記ステップ304に戻り、前記操作が繰り返され、YES
であれば読取り終了する。 また、第５図は読取ったデータをそのまま一旦メモリ
に蓄えた後、補正回路から各ライン毎のｔに対応する補
正係数を発生し、CPUにメモリよりデータを呼出し、
両者を掛け合わせて補正を行う場合のフローチャート
で、読取値を一旦メモリ回路に記憶せしめた後、補正係
数を掛け合わす等の処理によって行うことができる場合
の手順を示している。
取装置の一例を示すブロック図である。本図において、
１は励起光発生用のレーザ光源で、該レーザ光源１はレ
ーザドライバ回路２によってドライブされる。このレー
ザ光源１より発生したレーザビームLBは単色光フィルタ
3,ミラー4,ビーム整形光学系5,ミラー６を経て偏向器７
に達する。偏向器７は偏向器ドライバ８によってドライ
ブされるガルバノミラーを備え、レーザビームLBを走査
領域内に一定角度で偏向する。偏向されたレーザビーム
LBはｆθレンズ９によって走査線上において一定速度と
なるよう調整され、ミラー10を経て輝尽層を有するパネ
ル11上を矢印ａの方向に走査する。パネル11は同時に副
走査方向（矢印ｂ方向）に移動し、全面が走査される。
前記レーザビームLBによって走査されてパネル11から発
生する輝尽発光は集光器12で集光され、輝尽発光の波長
領域のみを通すフィルタ13を通って光電子増倍管等の光
電変換器を備えた受光部14に至り、アナログ電気信号
（画像信号）に変換される。15は光電子増倍管に高電圧
を供給する高電気変換電源である。光電子増倍管から電
流として出力された画像信号は電流−電圧変換増幅器16
を通って電圧増幅され、さらに発光強度信号を画像濃度
信号に変換するLog変換器17、画像クロック信号に同期
して信号を一定期間維持するサンプルホールド回路18を
通ってA/D変換器19に入り、該A/D変換器19によってデジ
タル信号に変換された後、メモリ20に蓄えられる。該メ
モリ20はデジタル演算等を行うCPU21に接続されてい
る。このCPU21はインターフェース22を介して外部の機
器、例えば、データを保存、加工するための大型コンピ
ュータ、ミニコンピュータ、画像を出力するCRT表示装
置、各種ハードコピー作成装置等に連結することがで
き、前記メモリ20に蓄えられたデータの演算・転送を行
う。 23は輝尽発光の読取開始から読取終了までの期間におけ
る輝尽発光強度の減衰を補正するための補正制御回路で
ある。 この23に、予め求めた輝尽発光の関数:I（t,T,H）を記
憶させておき、演算部において時間検知手段、温度検知
手段、湿度検知手段（いずれも図示せず）からの読取開
始までの経過時間、温度、湿度のそれぞれの入力に応じ
て曲線を決定し、放射線による画像曝射から読取開始ま
での時間、即ち第２図の横軸上のt1の位置を検知すれ
ば、その開始点t1における輝尽発光強度Ｉ（t,T,H）及
び補正すべき走査ラインの走査時刻tnに対応する輝尽発
光強度Ｉ（tn,T,H）からＩ（t1,T,H）/I（tn,T,H）が算
出できるから、読取開始時t1以後の輝尽発光量の減衰が
推定でき、その減衰補正信号を前記減衰補正制御回路23
から前記読取系の所要ブロックに出力すればその読取利
得を制御するか、或いは一旦読取りメモリに蓄えたデー
タに補正を加える等により、読取結果の補正ができるよ
うになる。 なお、放射線曝射後から画像情報読取開始までの時間が
常に一定であるような場合には読取開始から終了点まで
の間の減衰曲線を求めるだけで足りる。 前記した如く減衰補正制御回路23から出力される補正信
号による読取られた信号の補正は前記読取系の種々のブ
ロックで行うことができる。例えば、 レーザ：レーザドライバ２の制御による出力の調整 走査部：偏向ドライバ８を制御による光束の走査速度の
調整 受光部：光電子増倍管の電源15の制御による光電変換利
得の調整 電流−電圧変換増幅器：増幅利得の制御 log変換器：変換利得の制御 サンプルホールド回路：内部利得の制御 A/D変換器:A/D変換ダイナミックレンジの制御 また、CPU21に補正信号を入力し、一旦メモリ20に蓄え
たデータの補正演算を行い、再びメモリ20に入れ、イン
ターフェイスに出力するようにすることもできる。この
補正のための制御は前記のような処理段階のいずれか一
個所において行ってもよく、多数個所を併行的に用いて
行ってもよい。補正制御回路23の出力態様は制御を行う
段階に対応したものとすればよい。 前記読取値の補正を放射線曝射時から読取り開始までの
時間、温度及び湿度に基づいて行う場合の時間、温度、
湿度の検知手段としては各種公知の電子式或いは機械式
のタイマユニット、温度計及び湿度計をそれぞれ用いる
ことができる。例えば、 （１）放射線曝射装置側に設け、放射線曝射スイッチと
して連動して起動して経過時間、パネル温度及び湿度を
表示するようにし、読取りに際して人が表示値を見て読
取装置の補正制御回路に手動入力する。 （２）放射線曝射装置或いは読取装置のいずれかに設
け、両装置に電気的に接して放射線曝射スイッチと連動
して時間経過、パネル温度及び湿度を測り、それぞれ
t1,T,Hを読取開始時に補正制御回路に自動入力する。 （３）パネルに付属し、放射線曝射装置に装着したと
き、該装置と接続し、その曝射スイッチと連動した起動
し、読取りのための読取装置に装着することにより、該
装置と接続し読取り開始とともに経過時間、パネル温度
及び湿度補正制御回路に入力するようにする。 等の種々の方式が適用できる。第１図に示した実施例は
前記（３）の方式の時間検知手段を用いて受光部の光電
子増倍管電源15の利得制御を行ってパネルの輝尽発光の
補正を行うようにしたものである。図中、25はタイマユ
ニットを示している。 第４図は前記装置における輝尽発光減衰補正動作を示す
フローチャートである。本図の場合にはパネルに対する
放射線曝射時から読取り開始までの時間を前記時間、温
度、湿度、検知手段によって時間（t1），温度（Ｔ），
湿度（Ｈ）を測定（ステップ301）し、補正制御回路23
に備えた記憶部より走査開始点t1における輝尽発光強度
Ｉ（t1,T,H）を呼出し（ステップ302），読取操作を開
始（ステップ303）する。次いで前記記憶部より読取時
点tnに対応する輝尽発光強度Ｉ（tn,T,H）を呼出し（ス
テップ304）、読取系利得の補正係数をＩ（t1,T,H）/T
（tn,T,H）に設定（ステップ305）し、これを読取系に
出力し、画像変換パネル上の一走査ラインを励起し読取
り（ステップ306）、しかる後、画像変換パネルを所定
のように移動させて次のラインに進む（ステップ30
7）、画像変換パネルが次のラインに進んだ時点で全面
走査終了か否かが判断（ステップ308）され、NOであれ
ば前記ステップ304に戻り、前記操作が繰り返され、YES
であれば読取り終了する。 また、第５図は読取ったデータをそのまま一旦メモリ
に蓄えた後、補正回路から各ライン毎のｔに対応する補
正係数を発生し、CPUにメモリよりデータを呼出し、
両者を掛け合わせて補正を行う場合のフローチャート
で、読取値を一旦メモリ回路に記憶せしめた後、補正係
数を掛け合わす等の処理によって行うことができる場合
の手順を示している。
以上説明したように、この発明は放射線画像情報の蓄積
記憶されているパネルを励起光で走査して、前記放射線
画像情報を得る放射線画像読取りに際し、放射線画像情
報の蓄積読取り開始以後読取り終了に至る間の画像信号
強度の経時的減衰をパネルの温度またはパネル周囲の湿
度に基づいて補正することを特徴としているから、パネ
ルごとに定まる輝尽発光強度の減衰曲線にて補正でき
る。従って、パネルのフェーディング特性が気温や湿度
等の雰囲気によって徐々に変化したとしても画像信号強
度の低下に基づくフェーディングを完全に補正でき、良
質な放射線画像が得られるという優れた効果を奏するも
のである。
記憶されているパネルを励起光で走査して、前記放射線
画像情報を得る放射線画像読取りに際し、放射線画像情
報の蓄積読取り開始以後読取り終了に至る間の画像信号
強度の経時的減衰をパネルの温度またはパネル周囲の湿
度に基づいて補正することを特徴としているから、パネ
ルごとに定まる輝尽発光強度の減衰曲線にて補正でき
る。従って、パネルのフェーディング特性が気温や湿度
等の雰囲気によって徐々に変化したとしても画像信号強
度の低下に基づくフェーディングを完全に補正でき、良
質な放射線画像が得られるという優れた効果を奏するも
のである。
第１図は本発明の方法を実施する装置の略示的斜視図、
第２図，第３図は輝尽性蛍光体の画像信号（例えば輝尽
発光強度）の減衰を示す図、第４図及び第５図は本発明
の方法による画像の読取り、補正手段の一例を示すフロ
ーチャートである。 １……レーザ光源 11……画像変換パネル 12……集光器 23……減衰補正制御回路
第２図，第３図は輝尽性蛍光体の画像信号（例えば輝尽
発光強度）の減衰を示す図、第４図及び第５図は本発明
の方法による画像の読取り、補正手段の一例を示すフロ
ーチャートである。 １……レーザ光源 11……画像変換パネル 12……集光器 23……減衰補正制御回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 島田 文生 東京都日野市さくら町１番地 小西六写真 工業株式会社内 審査官 津田 俊明 (56)参考文献 特開 昭61−238046（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パ
ネルに曝射された放射線をエネルギーとして蓄積させ、
該蓄積されている放射線のエネルギーを輝尽励起光で励
起して画像データとして読み取る放射線画像読取方法に
於て、前記放射線の曝射以降の曝射放射線エネルギーに
対する発生輝尽光の発光効率の減衰データを湿度に基い
て求め、前記読み取った画像データを前記減衰データに
より補正することを特徴とする放射線画像読取方法。 - 【請求項２】輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パ
ネルに曝射された放射線をエネルギーとして蓄積させ、
該蓄積されている放射線のエネルギーを輝尽励起光で励
起して画像データとして読み取る放射線画像読取方法に
於て、前記放射線の曝射以降の曝射放射線エネルギーに
対する発生輝尽光の発光効率の減衰データを温度に基い
て求め、前記読み取った画像データを前記減衰データに
より補正することを特徴とする放射線画像読取方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62013009A JPH07117687B2 (ja) | 1987-01-21 | 1987-01-21 | 放射線画像読取方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62013009A JPH07117687B2 (ja) | 1987-01-21 | 1987-01-21 | 放射線画像読取方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63180940A JPS63180940A (ja) | 1988-07-26 |
| JPH07117687B2 true JPH07117687B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=11821170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62013009A Expired - Fee Related JPH07117687B2 (ja) | 1987-01-21 | 1987-01-21 | 放射線画像読取方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07117687B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007170949A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Ricoh Co Ltd | 表面電位分布測定方法、表面電位分布測定装置、潜像担持体及び画像形成装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5889245A (ja) * | 1981-11-25 | 1983-05-27 | 富士写真フイルム株式会社 | 放射線画像情報読取方法 |
| JPS61238046A (ja) * | 1985-04-15 | 1986-10-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 放射線画像情報読取方法 |
-
1987
- 1987-01-21 JP JP62013009A patent/JPH07117687B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63180940A (ja) | 1988-07-26 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |