JPH0474434B2 - - Google Patents
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- JPH0474434B2 JPH0474434B2 JP58221984A JP22198483A JPH0474434B2 JP H0474434 B2 JPH0474434 B2 JP H0474434B2 JP 58221984 A JP58221984 A JP 58221984A JP 22198483 A JP22198483 A JP 22198483A JP H0474434 B2 JPH0474434 B2 JP H0474434B2
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- resist
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/36—Imagewise removal not covered by groups G03F7/30 - G03F7/34, e.g. using gas streams, using plasma
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/167—X-ray
- Y10S430/168—X-ray exposure process
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレジストパターン形成方法に関し、さ
らに詳しくはレジストに活性線を選択的に照射し
た後加熱処理を行い、その後プラズマガスで乾式
現像する乾式パターン形成方法に関する。
らに詳しくはレジストに活性線を選択的に照射し
た後加熱処理を行い、その後プラズマガスで乾式
現像する乾式パターン形成方法に関する。
半導体工業における半導体デバイスの製造には
数多くの加工工程があり、ホトリソグラフイーも
その１つである。通常行われているホトリソグラ
フイー工程は感光材料であるホトレジストが使用
される。すなわちシリコンウエハ上に数100nｍ
の膜厚をもつAl、SiO2、Si3N4あるいはポリシリ
コン等の下地薄膜を形成した後、その上にホトレ
ジストを被着し、所要のパターニング用マスクを
介して紫外線を照射し、その後所定の現像液で現
像を行うことによりホトレジスト膜のパターンを
得る。次にホトレジスト膜のパターンを保護マス
クとして下地薄膜の非保護部を選択的にエツチン
グ除去した後ホトレジスト膜を剥離することによ
り下地薄膜にパターンを形成するものである。
数多くの加工工程があり、ホトリソグラフイーも
その１つである。通常行われているホトリソグラ
フイー工程は感光材料であるホトレジストが使用
される。すなわちシリコンウエハ上に数100nｍ
の膜厚をもつAl、SiO2、Si3N4あるいはポリシリ
コン等の下地薄膜を形成した後、その上にホトレ
ジストを被着し、所要のパターニング用マスクを
介して紫外線を照射し、その後所定の現像液で現
像を行うことによりホトレジスト膜のパターンを
得る。次にホトレジスト膜のパターンを保護マス
クとして下地薄膜の非保護部を選択的にエツチン
グ除去した後ホトレジスト膜を剥離することによ
り下地薄膜にパターンを形成するものである。
しかしながら上記したホトリソグラフイー工程
においては現像液による現像処理、いわゆる湿式
現像法は必須要件である。したがつてその過程で
ホトレジスト膜に現像液が滲み込み、パターンが
膨潤してしまい微細なパターンを形成するには実
用的でない。また現像液として多量の溶剤を用い
るため作業環境の悪化、公害発生などの問題が生
じる。
においては現像液による現像処理、いわゆる湿式
現像法は必須要件である。したがつてその過程で
ホトレジスト膜に現像液が滲み込み、パターンが
膨潤してしまい微細なパターンを形成するには実
用的でない。また現像液として多量の溶剤を用い
るため作業環境の悪化、公害発生などの問題が生
じる。
近年この湿式現像法による問題点を改善した乾
式現像法が提案されている。この方法はレジスト
膜に活性線を選択的に照射した後、何らかの処理
を施してレジスト膜の照射部と非照射部との間に
耐プラズマ性に差を生ぜしめ、しかる後にプラズ
マガス雰囲気中に曝して耐プラズマ性の弱い部分
の灰化除去することによりパターンを形成するも
のである。この乾式現像法は溶剤を全く使用しな
いためレジスト膜の微細パターンの形成に非常に
有利であると共に公害発生の心配がないため半導
体工業においては最近頓に評価の高い方法であ
る。
式現像法が提案されている。この方法はレジスト
膜に活性線を選択的に照射した後、何らかの処理
を施してレジスト膜の照射部と非照射部との間に
耐プラズマ性に差を生ぜしめ、しかる後にプラズ
マガス雰囲気中に曝して耐プラズマ性の弱い部分
の灰化除去することによりパターンを形成するも
のである。この乾式現像法は溶剤を全く使用しな
いためレジスト膜の微細パターンの形成に非常に
有利であると共に公害発生の心配がないため半導
体工業においては最近頓に評価の高い方法であ
る。
これまでに明らかにされているこの種の方法と
しては、例えば活性線を選択的にレジスト膜に照
射した後、80〜180℃で少なくとも５分間熱処理
を行い、その後プラズマガスで現像する方法があ
る（特開昭58−60537号）。しかしながらこの方法
では活性線の照射部と非照射部との間の耐プラズ
マ性の差が小さいため得られるレジスト膜は非常
に残存膜厚（残膜率）が低く、またパターンの断
面形状が裾広がりの台形状となり、寸法精度が悪
く、パターニング用マスクに忠実な微細パターン
の形成ができない等の欠点を有している。
しては、例えば活性線を選択的にレジスト膜に照
射した後、80〜180℃で少なくとも５分間熱処理
を行い、その後プラズマガスで現像する方法があ
る（特開昭58−60537号）。しかしながらこの方法
では活性線の照射部と非照射部との間の耐プラズ
マ性の差が小さいため得られるレジスト膜は非常
に残存膜厚（残膜率）が低く、またパターンの断
面形状が裾広がりの台形状となり、寸法精度が悪
く、パターニング用マスクに忠実な微細パターン
の形成ができない等の欠点を有している。
本発明者らはこれらの欠点のない、特に微細パ
ターンを形成し得る、より実用性の高い乾式パタ
ーン形成方法について鋭意研究を重ねた結果、レ
ジストのパターンを形成するにあたり、レジスト
膜に対し活性線を選択的に照射した後、基板側か
ら200〜500℃の範囲の温度でレジスト膜を加熱処
理し、後プラズマガスにより活性線が選択的に照
射されなかつた部分を除去することにより実用性
の高い乾式パターンの形成が可能であることを見
出し本発明を到達した。
ターンを形成し得る、より実用性の高い乾式パタ
ーン形成方法について鋭意研究を重ねた結果、レ
ジストのパターンを形成するにあたり、レジスト
膜に対し活性線を選択的に照射した後、基板側か
ら200〜500℃の範囲の温度でレジスト膜を加熱処
理し、後プラズマガスにより活性線が選択的に照
射されなかつた部分を除去することにより実用性
の高い乾式パターンの形成が可能であることを見
出し本発明を到達した。
以下に本発明を詳細に説明する。
本発明において用いることのできるレジストは
従来使用されているネガ型のレジストが使用可能
であるが、特にポリマーとアジド化合物とからな
るレジストが好ましい。ポリマーとしてはプラズ
マガス中で容易に灰化除去され得るものであるこ
とが必要である。具体的にはポリメチルメタクリ
レート、ポリメチルイソプロペニルケトン、ポリ
グリシジルアクリレート、ポリグリシジルメタク
リレート、グリシジルメタアクリレートとメチル
メタクリレートとの共重合体、ポリ塩化ビニル、
ポリ酢酸ビニル、塩化ビニルと酢酸ビニルとの共
重合体、塩化ビニルとアクリル酸との共重合体、
ポリイソプロピルビニルケトン、ポリブチルメタ
クリレート、ポリ（２，３−ジクロロ−１−プロ
ピルアクリレート）、ポリ（１，３−ジクロロ−
１−プロピルアクリレート）、ポリ（２−クロロ
エチルアクリレート）などを挙げることができ
る。
従来使用されているネガ型のレジストが使用可能
であるが、特にポリマーとアジド化合物とからな
るレジストが好ましい。ポリマーとしてはプラズ
マガス中で容易に灰化除去され得るものであるこ
とが必要である。具体的にはポリメチルメタクリ
レート、ポリメチルイソプロペニルケトン、ポリ
グリシジルアクリレート、ポリグリシジルメタク
リレート、グリシジルメタアクリレートとメチル
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重合体、塩化ビニルとアクリル酸との共重合体、
ポリイソプロピルビニルケトン、ポリブチルメタ
クリレート、ポリ（２，３−ジクロロ−１−プロ
ピルアクリレート）、ポリ（１，３−ジクロロ−
１−プロピルアクリレート）、ポリ（２−クロロ
エチルアクリレート）などを挙げることができ
る。
またアジド化合物としては、１−アジドピレ
ン、１，８−ジアジドナフタレン、４，4′−ジア
ジドスチルベン。４，4′−ジアジドカルコン、
４，4′−ジアジドジベンザルアセトン、２，６−
ジ（4′−アジドベンザル）シクロヘキサノン、
２，６−ジ（4′−アジドベンザル）−４−メチル
シクロヘキサノン、４，4′−ジアジドジフエニル
エーテル、４，4′−ジアドジフエニルメタン、
４，4′−ジアジドジフエニルスルフイド、３，
3′−ジアジドジフエニルスルホン、４，4′−ジア
ジドジフエニルスルホン、２，2′−ジアジドスチ
ルベン、4′4′−ジアジドビフエニル、３，3′−ジ
メチル−４，4′−ジアジドビフエニル、１−アジ
ドフエナントレンなどがある。
ン、１，８−ジアジドナフタレン、４，4′−ジア
ジドスチルベン。４，4′−ジアジドカルコン、
４，4′−ジアジドジベンザルアセトン、２，６−
ジ（4′−アジドベンザル）シクロヘキサノン、
２，６−ジ（4′−アジドベンザル）−４−メチル
シクロヘキサノン、４，4′−ジアジドジフエニル
エーテル、４，4′−ジアドジフエニルメタン、
４，4′−ジアジドジフエニルスルフイド、３，
3′−ジアジドジフエニルスルホン、４，4′−ジア
ジドジフエニルスルホン、２，2′−ジアジドスチ
ルベン、4′4′−ジアジドビフエニル、３，3′−ジ
メチル−４，4′−ジアジドビフエニル、１−アジ
ドフエナントレンなどがある。
ポリマーとアジド化合物は下記の適当な溶剤の
単独または混合溶剤に溶解することでレジスト塗
布液を調製する。溶剤としてはシクロヘキサノ
ン、メチルｎ−ブチルケトン、メチルｎ−プロピ
ルケトン、エチルｎ−ブチルケトン、エチレング
リコールモノメチルエーテルアセテート、エチレ
ングリコールモノエーテルアセテート、トルエ
ン、キシレン、１−ニトロプロパン、２−ニトロ
プロパン、１，１，２，２−テトラクロロエタ
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、クロロベン
ゼン、テトラヒドロフランなどがある。
単独または混合溶剤に溶解することでレジスト塗
布液を調製する。溶剤としてはシクロヘキサノ
ン、メチルｎ−ブチルケトン、メチルｎ−プロピ
ルケトン、エチルｎ−ブチルケトン、エチレング
リコールモノメチルエーテルアセテート、エチレ
ングリコールモノエーテルアセテート、トルエ
ン、キシレン、１−ニトロプロパン、２−ニトロ
プロパン、１，１，２，２−テトラクロロエタ
ン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、クロロベン
ゼン、テトラヒドロフランなどがある。
かくして得られた塗布液をシリコンウエハ等の
基板上に所望の厚さを形成するに適当な回転数に
設定したスピンナーにより回転塗布する。さらに
温風乾燥器などに入れて使用した溶剤を蒸発除去
し基板上にレジスト膜を形成する。その後レジス
ト膜に対し活性線を選択的に照射する。活性線と
しては粒子線または電磁波であり、粒子線は電子
線、イオンビームが、電磁波は紫外線、遠紫外
線、Ｘ線がそれぞれ有効である。
基板上に所望の厚さを形成するに適当な回転数に
設定したスピンナーにより回転塗布する。さらに
温風乾燥器などに入れて使用した溶剤を蒸発除去
し基板上にレジスト膜を形成する。その後レジス
ト膜に対し活性線を選択的に照射する。活性線と
しては粒子線または電磁波であり、粒子線は電子
線、イオンビームが、電磁波は紫外線、遠紫外
線、Ｘ線がそれぞれ有効である。
次にレジスト膜をその基板側から200〜500℃の
範囲の温度で加熱処理を行う。この加熱処理は基
板側からのみ加熱されることが必要であり、基板
側とその反対側とに温度勾配がなくてはならな
い。その好ましい方法としては、あらかじめ200
〜500℃の範囲の所望の温度に設定した加熱平板
上にレジスト層を有する基板を載置することで、
加熱板から基板を介してレジスト膜の下方からの
み加熱処理することができる。また加熱処理の時
間としては長い方が好ましいが特に限定はない。
一般に200℃以上の温度で長時間レジスト膜を加
熱するとレジスト膜は軟化してフローを生じるの
で、このようなことが起こらない程度に、しかも
できるだけ長く加熱処理時間を設定する必要があ
る。具体的には加熱処理温度が200℃の場合には
約４分間、500℃では約１秒間である。加熱処理
温度が200℃より低いとレジスト膜の活性線照射
部は耐プラズマ性が乏しく、残膜率が低くなるた
め好ましくなく、また500℃を超えると現像適性
を損い、パターン忠実性も劣るため好ましくな
い。
範囲の温度で加熱処理を行う。この加熱処理は基
板側からのみ加熱されることが必要であり、基板
側とその反対側とに温度勾配がなくてはならな
い。その好ましい方法としては、あらかじめ200
〜500℃の範囲の所望の温度に設定した加熱平板
上にレジスト層を有する基板を載置することで、
加熱板から基板を介してレジスト膜の下方からの
み加熱処理することができる。また加熱処理の時
間としては長い方が好ましいが特に限定はない。
一般に200℃以上の温度で長時間レジスト膜を加
熱するとレジスト膜は軟化してフローを生じるの
で、このようなことが起こらない程度に、しかも
できるだけ長く加熱処理時間を設定する必要があ
る。具体的には加熱処理温度が200℃の場合には
約４分間、500℃では約１秒間である。加熱処理
温度が200℃より低いとレジスト膜の活性線照射
部は耐プラズマ性が乏しく、残膜率が低くなるた
め好ましくなく、また500℃を超えると現像適性
を損い、パターン忠実性も劣るため好ましくな
い。
この加熱処理を行つた後、ガスプラズマ装置を
用いプラズマガスにより活性線が選択的に照射さ
れなかつた部分のみを除去することにより乾式現
像方法によるレジスト膜のパターンが得られる。
プラズマガスによる現像処理のために好適な導入
ガスの例としては、O2、フロン、フロン−O2系、
O2−Ar系などが用いられる。
用いプラズマガスにより活性線が選択的に照射さ
れなかつた部分のみを除去することにより乾式現
像方法によるレジスト膜のパターンが得られる。
プラズマガスによる現像処理のために好適な導入
ガスの例としては、O2、フロン、フロン−O2系、
O2−Ar系などが用いられる。
本発明の方法においては活性線照射後に加熱処
理することによりレジスト膜に活性線が選択的に
照射されて架橋反応したポリマーとアジド化合物
とが再配列され、プラズマガスによる励起エネル
ギーを失活させる構造となり耐プラズマ性が著し
く向上する。一方この加熱処理により、活性線が
選択的に照射されなかつた部分の未変化のアジド
化合物はレジスト膜中より除去または失活化、す
なわち不活性化されている。かくして活性線の照
射部分と非照射部分との間に耐プラズマ性に差が
生じることとなる。しかる後プラズマガス雰囲気
中に曝されると非照射部分は容易に灰化し、選択
的に除去され、また照射部分は膜ベリが少ないパ
ターンが基板上に形成される。
理することによりレジスト膜に活性線が選択的に
照射されて架橋反応したポリマーとアジド化合物
とが再配列され、プラズマガスによる励起エネル
ギーを失活させる構造となり耐プラズマ性が著し
く向上する。一方この加熱処理により、活性線が
選択的に照射されなかつた部分の未変化のアジド
化合物はレジスト膜中より除去または失活化、す
なわち不活性化されている。かくして活性線の照
射部分と非照射部分との間に耐プラズマ性に差が
生じることとなる。しかる後プラズマガス雰囲気
中に曝されると非照射部分は容易に灰化し、選択
的に除去され、また照射部分は膜ベリが少ないパ
ターンが基板上に形成される。
本発明方法ではレジスト膜に活性線を選択的に
照射した後、200〜500℃という従来の乾式パター
ン形成方法で用いられた以上の高い温度で処理を
行うことにより活性線の照射部と非照射部との間
の耐プラズマ性に大きな差を生じさせることがで
きるため、プラズマガスによる現像後、残膜率の
高いパターンの形成ができる。またレジスト膜に
対する加熱処理が、基板側から行われることによ
り、レジスト膜はその底部より加熱されるため、
従来の乾燥器による加熱処理では十分に処理がで
きなかつたレジスト膜と基板との接触部分にも十
分に加熱処理が施され、プラズマガス現像後のパ
ターンの断面形状は裾広がりのない良好なものが
できる。また本発明の乾式パターン形成方法は従
来の乾燥器を用いた加熱処理がレジスト膜のフロ
ーを防止するため200℃以上では行えず、残膜率
の低いレジスト膜パターンしか得られなかつたも
のを、加熱板等により、基板側からレジスト膜を
加熱することにより、比較的高い温度で処理して
もレジスト膜は安定で、このことが残膜率の非常
に高いパターンを形成する上で大いに役立つてい
る。
照射した後、200〜500℃という従来の乾式パター
ン形成方法で用いられた以上の高い温度で処理を
行うことにより活性線の照射部と非照射部との間
の耐プラズマ性に大きな差を生じさせることがで
きるため、プラズマガスによる現像後、残膜率の
高いパターンの形成ができる。またレジスト膜に
対する加熱処理が、基板側から行われることによ
り、レジスト膜はその底部より加熱されるため、
従来の乾燥器による加熱処理では十分に処理がで
きなかつたレジスト膜と基板との接触部分にも十
分に加熱処理が施され、プラズマガス現像後のパ
ターンの断面形状は裾広がりのない良好なものが
できる。また本発明の乾式パターン形成方法は従
来の乾燥器を用いた加熱処理がレジスト膜のフロ
ーを防止するため200℃以上では行えず、残膜率
の低いレジスト膜パターンしか得られなかつたも
のを、加熱板等により、基板側からレジスト膜を
加熱することにより、比較的高い温度で処理して
もレジスト膜は安定で、このことが残膜率の非常
に高いパターンを形成する上で大いに役立つてい
る。
次に本発明を実施例によつてさらに具体的に説
明する。
明する。
実施例 １
分子量20万のポリメチルイソプロペニルケトン
10ｇと２，６−ジ（４−アジドベンザル）メチル
シクロヘクキサノン３ｇをシクロヘキサノン約90
ｇに溶解した感光液をシリコンウエハ上に
3000rpmで30秒間回転塗布した後、85℃に保たれ
た温風乾燥器中で20分間乾燥し、塗布膜中の残存
溶剤を蒸発させた。次いでCM−290コールドミ
ラーを取付けた紫外線露光装置PLA−520F（キヤ
ノン社製）を用いて最小0.5μｍのパターンをもつ
解像テストマスクを介して遠紫外線を４カウント
ハードコンタクト露光したシリコンウエハ２枚を
用意し、200℃の加熱板上に載置し、４分間加
熱処理したもの、500℃の加熱板上に載置し、
１秒間加熱処理したものに分けた。
10ｇと２，６−ジ（４−アジドベンザル）メチル
シクロヘクキサノン３ｇをシクロヘキサノン約90
ｇに溶解した感光液をシリコンウエハ上に
3000rpmで30秒間回転塗布した後、85℃に保たれ
た温風乾燥器中で20分間乾燥し、塗布膜中の残存
溶剤を蒸発させた。次いでCM−290コールドミ
ラーを取付けた紫外線露光装置PLA−520F（キヤ
ノン社製）を用いて最小0.5μｍのパターンをもつ
解像テストマスクを介して遠紫外線を４カウント
ハードコンタクト露光したシリコンウエハ２枚を
用意し、200℃の加熱板上に載置し、４分間加
熱処理したもの、500℃の加熱板上に載置し、
１秒間加熱処理したものに分けた。
その後プラズマ処理装置OAPM−300（東京応
化工業社製）を使用し、周波数13.56MHz、RF出
力25W、圧力1.0Torr、O2ガス流量200c.c.／min、
テーブル温度105℃の条件下で、をO2プラズ
マガスにより60秒間処理した。その結果、、
の両方とも残膜率が90％であり、裾広がりのない
垂直で良好な断面形状をもつたテストマスクに忠
実な最小0.5μｍの微細パターンが得られた。
化工業社製）を使用し、周波数13.56MHz、RF出
力25W、圧力1.0Torr、O2ガス流量200c.c.／min、
テーブル温度105℃の条件下で、をO2プラズ
マガスにより60秒間処理した。その結果、、
の両方とも残膜率が90％であり、裾広がりのない
垂直で良好な断面形状をもつたテストマスクに忠
実な最小0.5μｍの微細パターンが得られた。
比較例 １
実施例１の操作の中、露光後の加熱処理を140
℃に保持された乾燥器中で５分間行つた以外は実
施例１と同様の操作を行つたところ残膜率は80％
で、しかもパターンの断面形状は裾広がりのもの
となつていた。
℃に保持された乾燥器中で５分間行つた以外は実
施例１と同様の操作を行つたところ残膜率は80％
で、しかもパターンの断面形状は裾広がりのもの
となつていた。
実施例 ２
分子量60万のポリメチルメタクリレート10ｇと
４，4′−ジアジドカルコン３ｇをエチレングリコ
ールモノエチルエーテルアセテート約90ｇに溶解
して感光液を作り、実施例１と同様にして２種の
加熱処理をしたところ、いずれも残膜率が90％の
パターン形状の良好な0.5μｍに至るレジストパタ
ーンが得られた。
４，4′−ジアジドカルコン３ｇをエチレングリコ
ールモノエチルエーテルアセテート約90ｇに溶解
して感光液を作り、実施例１と同様にして２種の
加熱処理をしたところ、いずれも残膜率が90％の
パターン形状の良好な0.5μｍに至るレジストパタ
ーンが得られた。
実施例 ３
分子量18万のポリメチルイソプロペニルケトン
５ｇと３，3′−ジメチル−４，4′−ジアジドビフ
エニル１ｇをシクロヘキサノン約50ｇに溶解した
感光液をシリコンウエハ上に3000rpmで30秒間回
転塗布した後、85℃に保たれた温風乾燥器中で20
分間乾燥し、塗布膜中の残存溶剤を蒸発させた。
次いで走査型電子顕微鏡HHS−2R（日立製作所
社製）を用いて照射電流５×10-10A、照射強度
9.62×10-6c／cm2、照射時間30秒間の条件下で電
子線をスポツト照射したシリコンウエハ２枚を、
200℃の加熱板上に載置し、４分間加熱処理し
たもの、500℃の加熱板上に載置し、１秒間加
熱処理したものについて実施例１と同様にしてプ
ラズマ現像した。その結果いずれも実施例１と同
様の良好な微細パターンが得られた。
５ｇと３，3′−ジメチル−４，4′−ジアジドビフ
エニル１ｇをシクロヘキサノン約50ｇに溶解した
感光液をシリコンウエハ上に3000rpmで30秒間回
転塗布した後、85℃に保たれた温風乾燥器中で20
分間乾燥し、塗布膜中の残存溶剤を蒸発させた。
次いで走査型電子顕微鏡HHS−2R（日立製作所
社製）を用いて照射電流５×10-10A、照射強度
9.62×10-6c／cm2、照射時間30秒間の条件下で電
子線をスポツト照射したシリコンウエハ２枚を、
200℃の加熱板上に載置し、４分間加熱処理し
たもの、500℃の加熱板上に載置し、１秒間加
熱処理したものについて実施例１と同様にしてプ
ラズマ現像した。その結果いずれも実施例１と同
様の良好な微細パターンが得られた。
実施例 ４
加熱処理を300℃の加熱板上に載置して10秒
間、400℃の加熱板上に載置して５秒間に変え、
他は実施例１と同様の操作を行つたところ、
の両方とも残膜率が90％であり、裾広がりのない
垂直で良好な断面形状をもつたテストマスクに忠
実な最小0.5μｍの微細パターンが得られた。
間、400℃の加熱板上に載置して５秒間に変え、
他は実施例１と同様の操作を行つたところ、
の両方とも残膜率が90％であり、裾広がりのない
垂直で良好な断面形状をもつたテストマスクに忠
実な最小0.5μｍの微細パターンが得られた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上にレジストパターンを形成する方法に
おいて、基板上にレジスト膜を形成させ、該レジ
スト膜に活性線を選択的に照射した後、基板側か
ら200〜500℃の範囲の温度で加熱処理を行い、し
かる後プラズマガスにより活性線が選択的に照射
されなかつた部分を除去することを特徴とする乾
式パターン形成方法。 ２ 加熱処理が200〜500℃の範囲の温度に保持さ
れた加熱平板上で行うものである特許請求の範囲
第１項記載の乾式パターン形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58221984A JPS60114575A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 乾式パタ−ン形成方法 |
| US06/672,764 US4588675A (en) | 1983-11-28 | 1984-11-19 | Method for fine pattern formation on a photoresist |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58221984A JPS60114575A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 乾式パタ−ン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60114575A JPS60114575A (ja) | 1985-06-21 |
| JPH0474434B2 true JPH0474434B2 (ja) | 1992-11-26 |
Family
ID=16775248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58221984A Granted JPS60114575A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 乾式パタ−ン形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4588675A (ja) |
| JP (1) | JPS60114575A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4665541A (en) * | 1983-06-06 | 1987-05-12 | The University Of Rochester | X-ray lithography |
| JPS62127735A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-10 | Toshiba Corp | 感光性樹脂組成物及びこれを用いたカラ−フイルタ−の製造方法 |
| US5439780A (en) * | 1992-04-29 | 1995-08-08 | At&T Corp. | Energy sensitive materials and methods for their use |
| KR100317583B1 (ko) * | 1998-12-28 | 2002-05-13 | 박종섭 | 반도체소자의제조방법 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2447225C2 (de) * | 1974-10-03 | 1983-12-22 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren zum Ablösen von positiven Photolack |
| US4292384A (en) * | 1977-09-30 | 1981-09-29 | Horizons Research Incorporated | Gaseous plasma developing and etching process employing low voltage DC generation |
| US4241165A (en) * | 1978-09-05 | 1980-12-23 | Motorola, Inc. | Plasma development process for photoresist |
| JPS5569265A (en) * | 1978-11-15 | 1980-05-24 | Hitachi Ltd | Pattern-forming method |
| JPS56137347A (en) * | 1980-03-29 | 1981-10-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Photosensitive composition for dry development |
| JPS5744143A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Composition and method for forming micropattern |
| US4409319A (en) * | 1981-07-15 | 1983-10-11 | International Business Machines Corporation | Electron beam exposed positive resist mask process |
| KR880002518B1 (ko) * | 1981-07-15 | 1988-11-26 | 미다가쓰시께 | 방사선 감응성 조성물 |
| US4439516A (en) * | 1982-03-15 | 1984-03-27 | Shipley Company Inc. | High temperature positive diazo photoresist processing using polyvinyl phenol |
| JPS58223149A (ja) * | 1982-06-22 | 1983-12-24 | Toray Ind Inc | 感光性ポリイミド用現像液 |
| DE3233912A1 (de) * | 1982-09-13 | 1984-03-15 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Fotolacke zur ausbildung von reliefstrukturen aus hochwaermebestaendigen polymeren |
| US4433044A (en) * | 1982-11-15 | 1984-02-21 | Rca Corporation | Dry developable positive photoresists |
| US4497891A (en) * | 1983-10-25 | 1985-02-05 | International Business Machines Corporation | Dry-developed, negative working electron resist system |
| US4551409A (en) * | 1983-11-07 | 1985-11-05 | Shipley Company Inc. | Photoresist composition of cocondensed naphthol and phenol with formaldehyde in admixture with positive o-quinone diazide or negative azide |
-
1983
- 1983-11-28 JP JP58221984A patent/JPS60114575A/ja active Granted
-
1984
- 1984-11-19 US US06/672,764 patent/US4588675A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60114575A (ja) | 1985-06-21 |
| US4588675A (en) | 1986-05-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |