JPH0474443A - Die bonding apparatus and die bonding method using the same - Google Patents
Die bonding apparatus and die bonding method using the sameInfo
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- JPH0474443A JPH0474443A JP18991190A JP18991190A JPH0474443A JP H0474443 A JPH0474443 A JP H0474443A JP 18991190 A JP18991190 A JP 18991190A JP 18991190 A JP18991190 A JP 18991190A JP H0474443 A JPH0474443 A JP H0474443A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
乙の発明は、半導体チップを位置決めステージ上に載せ
た状態でアライメント爪にて位置決めの後、ボンディン
グするダイボンド装置およびこれを用いたダイボンド方
法に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The invention of B relates to a die bonding device that performs bonding after positioning a semiconductor chip on a positioning stage using alignment claws, and a die bonding method using the same. It is something.
第3図は従来のダイボンド装置を示す構成図であり、こ
の図イこおいて、1は半導体チップ、2aは乙の半導体
チップ1が載置される位置決めステじで、上面が平坦に
形成されている。3はこの位置決めステー92 a上に
配置された位置決め爪、4はボ、デ、ジグl\・ソド、
5はコレット、6はリドT7 L−−ム、7は前記ボン
ディングヘッド4の下方に配置されたXY子テーブル8
は前記リードフし・−ムロを送り出す送り爪、9は前記
リードフレーム6を案内するガイドレールである。FIG. 3 is a configuration diagram showing a conventional die bonding device. In this figure, 1 is a semiconductor chip, and 2a is a positioning step on which the semiconductor chip 1 is placed, and the top surface is formed flat. ing. 3 is the positioning claw arranged on this positioning stay 92a, 4 is Bo, De, Jig l\, Sodo,
5 is a collet, 6 is a lid T7 L--m, and 7 is an XY child table 8 disposed below the bonding head 4.
Reference numeral 9 indicates a feed claw for sending out the lead-off material, and 9 a guide rail for guiding the lead frame 6.
第2図(a)〜(C)は、第3図の従来のダイボンド装
置の位M決めステージ上の動作を示す図で、半導体チッ
プ1を位置決めステージ2a上に位置決めするために、
位置決め爪3を第2図(a)→第2図(b)のように動
作させ、この動作を数回繰り返すことにより、第2図(
C)の状態が発生することを示している。なお、10は
チップ片である。FIGS. 2(a) to 2(C) are diagrams showing operations on the positioning stage M of the conventional die bonding apparatus shown in FIG. 3. In order to position the semiconductor chip 1 on the positioning stage 2a,
By operating the positioning claw 3 as shown in Fig. 2(a) → Fig. 2(b) and repeating this action several times, the positioning claw 3 shown in Fig. 2(
This indicates that condition C) will occur. Note that 10 is a chip piece.
次に、動作について説明する。Next, the operation will be explained.
他ユニッj・(図示せず)より搬送された半導体チップ
1は、位置決めステージ2a上に置かれる。The semiconductor chip 1 transferred from another unit (not shown) is placed on the positioning stage 2a.
次に、位置決め爪3により半導体チ・ソゴ1はX。Next, the semiconductor chips 1 are set to X by the positioning claw 3.
Y方向ともに一定位置に位置決めされる。1次に、位置
決めされた半導体チップ1は、ボッディング・\ラド4
の先端に取り付けられたコし・ツト5によって8空吸着
され、リー1−フレーム6上にボンディングされる。ボ
ッディング・\ラド4は、コレラ1−5の上下動作を行
うもので、XYテーブル7上に配置され、X、Y、Z方
向に移動可能となっている。ボンディングが完了したリ
ードフし・−ムロは、送り爪8により、ガイドレール9
上を7し・ムピッチ分のみ搬送され、次のボンディング
作業を行う。It is positioned at a constant position in both the Y direction. 1st, the positioned semiconductor chip 1 is placed on the boding/rad 4
8 is adsorbed by the lever 5 attached to the tip of the holder 1 and bonded onto the frame 6. The bodding/rad 4 is used to move the cholera 1-5 up and down, and is placed on the XY table 7 and is movable in the X, Y, and Z directions. After bonding is completed, the lead flap is moved to the guide rail 9 by the feed pawl 8.
The upper part is conveyed by 7 m pitch, and the next bonding operation is performed.
ところで、リードフレーム6上にボンディングされる半
導体チップ1は、上述のように、位置決めステージ2a
上でX、Y方向に位置決めされるが、その位置決め動作
を第2図(a)〜(C)によって説明する。By the way, the semiconductor chip 1 bonded onto the lead frame 6 is placed on the positioning stage 2a as described above.
The positioning is performed in the X and Y directions above, and the positioning operation will be explained with reference to FIGS. 2(a) to 2(C).
第2図(a’lに示すように、半導体チップ1が位置決
めステージ2a上に置かれた後、第2図(b>に示すよ
うに、位置決め爪3がX、Y方向に移動し、半導体チッ
プ]を位置決めする。この時、半導体チップ1は、位置
決めステージ2a上に置かれた時の衝撃等によってウェ
ハダインノブ時のチップ切り残し部分がチ・シブ片10
として、位置決めステージ2a上に残されてしまう。以
上の動作を数チップについて繰り返し行うと、第2図(
c)に示すように、チップ片10が発生し、これが半導
体チップ1と位置決め爪3の間に入り込んだ状態で位置
決めを行うことになり、正確な位置決めができなくなる
。After the semiconductor chip 1 is placed on the positioning stage 2a as shown in FIG. 2 (a'l), the positioning claw 3 moves in the X and Y directions as shown in FIG. At this time, the semiconductor chip 1 is placed on the positioning stage 2a, and the uncut portion of the chip at the wafer dyne knob is damaged by the impact etc.
As a result, it is left on the positioning stage 2a. When the above operation is repeated for several chips, the result is shown in Figure 2 (
As shown in c), a chip piece 10 is generated, and positioning is performed with this piece getting stuck between the semiconductor chip 1 and the positioning claw 3, making it impossible to perform accurate positioning.
なお、−静的にウェハを切断する際、ウェハの厚みを最
小にして切断した場合、チップ形状は図に示すような底
面部形状になり、ウェハ素材の組成の方向性があるので
、チップ片10が発生する。In addition, - When statically cutting a wafer, if the wafer is cut with the minimum thickness, the chip shape will be the bottom shape as shown in the figure, and since the composition of the wafer material is directional, the chip pieces will be 10 occurs.
従来のダイボンド装置は以上のように構成されているの
で、位置決め後の半導体チップ1と位置決め爪3との間
にチップ片10が入り込み、そのために位置ずれが生し
く第2図(cl中のA寸法)、正確な位置決めができな
くなり、これはボンディング時のリードフレーム6と半
導体チッ71との位置ずれとなり、安定した精度が得ら
れないという問題点があった。Since the conventional die bonding device is configured as described above, the chip piece 10 gets stuck between the semiconductor chip 1 after positioning and the positioning claw 3, which causes positional deviation, as shown in Fig. 2 (A in cl). (dimensions), accurate positioning becomes impossible, and this results in positional deviation between the lead frame 6 and the semiconductor chip 71 during bonding, resulting in a problem that stable precision cannot be obtained.
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、チップ片の影響により半導体チップの位置
決め精度が低下することがなく、高精度の接合ができる
ダイボンド装置およびこれを用いたダイボンド方法を得
ることを目的とする。This invention was made in order to solve the above-mentioned problems, and provides a die bonding device that can perform high-precision bonding without reducing the positioning accuracy of semiconductor chips due to the influence of chip fragments, and a die bonding device using the same. The purpose is to obtain a die bonding method.
この発明に係る請求項(1)のダイボンド装置は、位置
決めステージの中央部に半導体チップのチップサイズに
応じた凸部を形成したものである。In the die bonding apparatus according to claim (1) of the present invention, a convex portion corresponding to the chip size of the semiconductor chip is formed in the center of the positioning stage.
また、この発明に係る請求項(2)のグイボッド方法は
、請求項(1)に記載のダイボンド装置を用い、その凸
部を備えた位置決めステージ上に、半導体チップを位置
決めし、この位置決めされた半導体チップをボッディン
グ・\ラドにより被ボノデイノグ体のボッディング位置
に移動し、半導体チップをグイボッドするものである。Further, the Guibod method of claim (2) of the present invention uses the die bonding device of claim (1) to position a semiconductor chip on a positioning stage provided with a convex portion, and The semiconductor chip is moved to the bodding position of the body to be bonded by bodding/rading, and the semiconductor chip is bonded.
この発明の請求項(1)に記載の発明においては、位置
決めステージの中央部に半導体チップのチップサイズに
応した凸部を形成したことから、位置決めの際、半導体
チップから発生するチップ片が半導体チ・ツブの位置決
めを行うステージ面に残ることがなくなり、位置決め爪
は確実に毎回半導体チ・ツブと接触し、所定の位置に位
置決めされる。In the invention described in claim (1) of the present invention, since a convex portion corresponding to the chip size of the semiconductor chip is formed in the central part of the positioning stage, chip pieces generated from the semiconductor chip during positioning are removed from the semiconductor chip. The chip does not remain on the stage surface where the chip is positioned, and the positioning claw reliably contacts the semiconductor chip every time to ensure that it is positioned at a predetermined position.
また、この発明の請求項(2)に記載の発明においては
、半導体チップのチップサイズより小さい凸部を形成し
た位置決めステージを用いることから、半導体チ・ツブ
は高精度に位置決めされ、したがって、ダイボンドも高
精度に行われる。Furthermore, in the invention described in claim (2) of the present invention, since a positioning stage is used in which a convex portion smaller than the chip size of the semiconductor chip is formed, the semiconductor chip can be positioned with high precision, and therefore the die bond is also performed with high precision.
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第1図(a)〜(e)は乙の発明のグイボッド装置の位
置決めステージ上の動作を示す図である。FIGS. 1(a) to 1(e) are diagrams showing the operation of the Guibod device of the invention on the positioning stage.
この図で、2は前記半導体チップ1のチップサイズより
小さい凸部を形成した位置決めステージであり、その他
の構成については従来のものと同一である。In this figure, reference numeral 2 denotes a positioning stage having a convex portion smaller than the chip size of the semiconductor chip 1, and other configurations are the same as the conventional one.
次に、この発明のダイボンド装置の動作について、第1
図を用いて説明する。Next, we will discuss the operation of the die bonding device of the present invention in the first section.
This will be explained using figures.
第1図(a)に示すように、半導体チップ1を凸部をも
つ位置決めステージ2上に載置した後、位置決め爪3を
移動し、第1図(b)に示すように、半導体チップ1を
位置決めする。この時、従来装置と同様に半導体チップ
1のウェハダイシング時の切り残し部分がチップ片10
となって欠落するが、位置決めステージ2は半導体チッ
プ1のサイズに対応した凸部を有しているため、チ・ツ
ブ片10は図に示すように半導体チップ1の乗るステー
ジ面より下方の面に確実に落下する。As shown in FIG. 1(a), after placing the semiconductor chip 1 on the positioning stage 2 having a convex portion, the positioning claw 3 is moved, and as shown in FIG. 1(b), the semiconductor chip 1 position. At this time, as in the conventional device, the uncut portion of the semiconductor chip 1 from wafer dicing becomes the chip piece 10.
However, since the positioning stage 2 has a convex portion corresponding to the size of the semiconductor chip 1, the chip piece 10 is placed on the surface below the stage surface on which the semiconductor chip 1 is placed, as shown in the figure. will definitely fall.
以上の動作を数回繰り返した後の半導体チップ1の位置
決め状態を示すのが第1図(C,)である。FIG. 1(C) shows the positioning state of the semiconductor chip 1 after the above operation is repeated several times.
半導体チップ1から欠落したチップ片1oが数個発生す
るが、位置決めステージ2の半導体チップ1が乗る面に
チップ片10が残ることなく、半導体チップ1と位置決
め爪3が確実に接触し、所定の位置決め作業が行われる
。Although several chip pieces 1o are missing from the semiconductor chip 1, no chip pieces 10 remain on the surface of the positioning stage 2 on which the semiconductor chip 1 is placed, and the semiconductor chip 1 and the positioning claws 3 are securely in contact with each other, and the positioning claws 3 are securely in contact with each other. Positioning work is performed.
乙の位置決めステージ2を用いて第3図に示すダイボン
ド装置により半導体チップ1のリードフし・−ムロへの
ダイボンドが行オ〕れる。Using the positioning stage 2 shown in FIG. 3, the semiconductor chip 1 is die-bonded to the lead-off surface by the die-bonding apparatus shown in FIG.
なお、上記実施例ではリードフレーム6にボンデイング
する場合について説明したが、これがセラミック基板な
どの場合でも良く、上記実施例と同様の効果を奏する。In addition, although the case where bonding is carried out to the lead frame 6 has been described in the above embodiment, this may be a ceramic substrate or the like, and the same effects as in the above embodiment can be obtained.
。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明の請求項(1)に記載の
発明は、位置決めステージの中央部に半導体チ・ツブの
チ・ツブサイズより小さい凸部を形成したので、チップ
片が原因となる位置決めに対する悪影響を防止すること
ができ、位置決めステージ上に高精度に半導体チップの
位置決めができる。. [Effects of the Invention] As explained above, in the invention described in claim (1) of the present invention, since a convex portion smaller than the chip size of the semiconductor chip is formed in the central part of the positioning stage, the chip piece This makes it possible to prevent adverse effects on positioning caused by this, and it is possible to position the semiconductor chip on the positioning stage with high precision.
また、この発明の請求項(2)に記載の発明は、請求項
(1)に記載のダイボンド装置を用い、その凸部を備え
た位置決めステージ上に、半導体チップを位置決めし、
この位置決めされた半導体チ・ツブをボンデイング・\
・ラドにより被ボンデイング体のポンデイ、グ位置に移
動し、半導体チップをグイホントするので、常に半導体
チップが高精度に位置決めステージ上に位置決めされる
。したがって、この半導体チップをダイボンドした場合
にも、極めて精度のよいダイボンドが実現でき、高品質
な半導体装置が得られる。Further, the invention described in claim (2) of the present invention uses the die bonding device according to claim (1) to position a semiconductor chip on a positioning stage provided with a convex portion thereof,
Bonding this positioned semiconductor chip
・Since the semiconductor chip is moved to the position of the bonding object by the radar and held firmly, the semiconductor chip is always positioned on the positioning stage with high precision. Therefore, even when this semiconductor chip is die-bonded, extremely accurate die-bonding can be achieved and a high-quality semiconductor device can be obtained.
第1図(a)〜(c)はこの発明の一実施例によるダイ
ボンド装置の位置決めステージの動作説明図、第2図は
従来のダイボンド装置の位置決めステージの動作説明図
、第3図はダイボッド装置を示す全体の構成斜視図であ
る。
図において、1は半導体チップ、2は位置決めステーじ
、3は位置決め爪、4はボンデイング・\ラド、5はコ
レット、6はリードフレーム、7はXY子テーブル8は
送り爪、9はガイドレールである。
なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
代理人 大 岩 増 雄 (外2名)第
図
第
図FIGS. 1(a) to (c) are explanatory diagrams of the operation of the positioning stage of a die bonding apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is an explanatory diagram of the operation of the positioning stage of a conventional die bonding apparatus, and FIG. FIG. 2 is a perspective view of the entire configuration. In the figure, 1 is a semiconductor chip, 2 is a positioning stage, 3 is a positioning claw, 4 is a bonding/rad, 5 is a collet, 6 is a lead frame, 7 is an XY child table 8 is a feed claw, and 9 is a guide rail. be. Note that the same reference numerals in each figure indicate the same or corresponding parts. Agent Masuo Oiwa (2 others) Fig.
Claims (2)
により位置決めし、前記位置決めされた半導体チップを
ボンディングヘッドにより被ボンディング体のボンディ
ング位置に移動せしめてダイボンドするダイボンド装置
において、前記位置決めステージの中央部に前記半導体
チップのチップサイズより小さい凸部を形成したことを
特徴とするダイボンド装置。(1) In a die bonding apparatus that positions a semiconductor chip on a positioning stage using a positioning claw, and moves the positioned semiconductor chip to a bonding position of a bonding object using a bonding head to perform die bonding, the semiconductor chip is placed on a central part of the positioning stage. A die bonding device characterized by forming a convex portion smaller than the chip size of a semiconductor chip.
の凸部上に、前記半導体チップを位置決めし、この位置
決めされた半導体チップをボンディングヘッドにより被
ボンディング体のボンディング位置に移動し、前記半導
体チップをダイボンドすることを特徴とするダイボンド
方法。(2) Using the die bonding apparatus according to claim (1), positioning the semiconductor chip on the convex portion thereof, moving the positioned semiconductor chip to the bonding position of the object to be bonded by a bonding head, and A die-bonding method characterized by die-bonding semiconductor chips.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18991190A JPH0474443A (en) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | Die bonding apparatus and die bonding method using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18991190A JPH0474443A (en) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | Die bonding apparatus and die bonding method using the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0474443A true JPH0474443A (en) | 1992-03-09 |
Family
ID=16249274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18991190A Pending JPH0474443A (en) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | Die bonding apparatus and die bonding method using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0474443A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6354480B2 (en) | 2000-02-14 | 2002-03-12 | Shinko Electric Industries, Co., Ltd | Apparatus for positioning a thin plate |
| JP2008218667A (en) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Shinkawa Ltd | Bump bonding equipment |
-
1990
- 1990-07-16 JP JP18991190A patent/JPH0474443A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6354480B2 (en) | 2000-02-14 | 2002-03-12 | Shinko Electric Industries, Co., Ltd | Apparatus for positioning a thin plate |
| JP2008218667A (en) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Shinkawa Ltd | Bump bonding equipment |
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