JPH0474443A - ダイボンド装置およびこれを用いたダイボンド方法 - Google Patents

ダイボンド装置およびこれを用いたダイボンド方法

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JPH0474443A
JPH0474443A JP18991190A JP18991190A JPH0474443A JP H0474443 A JPH0474443 A JP H0474443A JP 18991190 A JP18991190 A JP 18991190A JP 18991190 A JP18991190 A JP 18991190A JP H0474443 A JPH0474443 A JP H0474443A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor chip
positioning
chip
bonding
stage
Prior art date
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Pending
Application number
JP18991190A
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English (en)
Inventor
Makoto Kanda
誠 神田
Keimei Tagami
啓明 田上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH0474443A publication Critical patent/JPH0474443A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 乙の発明は、半導体チップを位置決めステージ上に載せ
た状態でアライメント爪にて位置決めの後、ボンディン
グするダイボンド装置およびこれを用いたダイボンド方
法に関するものである。
〔従来の技術〕
第3図は従来のダイボンド装置を示す構成図であり、こ
の図イこおいて、1は半導体チップ、2aは乙の半導体
チップ1が載置される位置決めステじで、上面が平坦に
形成されている。3はこの位置決めステー92 a上に
配置された位置決め爪、4はボ、デ、ジグl\・ソド、
5はコレット、6はリドT7 L−−ム、7は前記ボン
ディングヘッド4の下方に配置されたXY子テーブル8
は前記リードフし・−ムロを送り出す送り爪、9は前記
リードフレーム6を案内するガイドレールである。
第2図(a)〜(C)は、第3図の従来のダイボンド装
置の位M決めステージ上の動作を示す図で、半導体チッ
プ1を位置決めステージ2a上に位置決めするために、
位置決め爪3を第2図(a)→第2図(b)のように動
作させ、この動作を数回繰り返すことにより、第2図(
C)の状態が発生することを示している。なお、10は
チップ片である。
次に、動作について説明する。
他ユニッj・(図示せず)より搬送された半導体チップ
1は、位置決めステージ2a上に置かれる。
次に、位置決め爪3により半導体チ・ソゴ1はX。
Y方向ともに一定位置に位置決めされる。1次に、位置
決めされた半導体チップ1は、ボッディング・\ラド4
の先端に取り付けられたコし・ツト5によって8空吸着
され、リー1−フレーム6上にボンディングされる。ボ
ッディング・\ラド4は、コレラ1−5の上下動作を行
うもので、XYテーブル7上に配置され、X、Y、Z方
向に移動可能となっている。ボンディングが完了したリ
ードフし・−ムロは、送り爪8により、ガイドレール9
上を7し・ムピッチ分のみ搬送され、次のボンディング
作業を行う。
ところで、リードフレーム6上にボンディングされる半
導体チップ1は、上述のように、位置決めステージ2a
上でX、Y方向に位置決めされるが、その位置決め動作
を第2図(a)〜(C)によって説明する。
第2図(a’lに示すように、半導体チップ1が位置決
めステージ2a上に置かれた後、第2図(b>に示すよ
うに、位置決め爪3がX、Y方向に移動し、半導体チッ
プ]を位置決めする。この時、半導体チップ1は、位置
決めステージ2a上に置かれた時の衝撃等によってウェ
ハダインノブ時のチップ切り残し部分がチ・シブ片10
として、位置決めステージ2a上に残されてしまう。以
上の動作を数チップについて繰り返し行うと、第2図(
c)に示すように、チップ片10が発生し、これが半導
体チップ1と位置決め爪3の間に入り込んだ状態で位置
決めを行うことになり、正確な位置決めができなくなる
。
なお、−静的にウェハを切断する際、ウェハの厚みを最
小にして切断した場合、チップ形状は図に示すような底
面部形状になり、ウェハ素材の組成の方向性があるので
、チップ片10が発生する。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のダイボンド装置は以上のように構成されているの
で、位置決め後の半導体チップ1と位置決め爪3との間
にチップ片10が入り込み、そのために位置ずれが生し
く第2図(cl中のA寸法)、正確な位置決めができな
くなり、これはボンディング時のリードフレーム6と半
導体チッ71との位置ずれとなり、安定した精度が得ら
れないという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、チップ片の影響により半導体チップの位置
決め精度が低下することがなく、高精度の接合ができる
ダイボンド装置およびこれを用いたダイボンド方法を得
ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る請求項(1)のダイボンド装置は、位置
決めステージの中央部に半導体チップのチップサイズに
応じた凸部を形成したものである。
また、この発明に係る請求項(2)のグイボッド方法は
、請求項(1)に記載のダイボンド装置を用い、その凸
部を備えた位置決めステージ上に、半導体チップを位置
決めし、この位置決めされた半導体チップをボッディン
グ・\ラドにより被ボノデイノグ体のボッディング位置
に移動し、半導体チップをグイボッドするものである。
〔作用〕
この発明の請求項(1)に記載の発明においては、位置
決めステージの中央部に半導体チップのチップサイズに
応した凸部を形成したことから、位置決めの際、半導体
チップから発生するチップ片が半導体チ・ツブの位置決
めを行うステージ面に残ることがなくなり、位置決め爪
は確実に毎回半導体チ・ツブと接触し、所定の位置に位
置決めされる。
また、この発明の請求項(2)に記載の発明においては
、半導体チップのチップサイズより小さい凸部を形成し
た位置決めステージを用いることから、半導体チ・ツブ
は高精度に位置決めされ、したがって、ダイボンドも高
精度に行われる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図面について説明する。
第1図(a)〜(e)は乙の発明のグイボッド装置の位
置決めステージ上の動作を示す図である。
この図で、2は前記半導体チップ1のチップサイズより
小さい凸部を形成した位置決めステージであり、その他
の構成については従来のものと同一である。
次に、この発明のダイボンド装置の動作について、第1
図を用いて説明する。
第1図(a)に示すように、半導体チップ1を凸部をも
つ位置決めステージ2上に載置した後、位置決め爪3を
移動し、第1図(b)に示すように、半導体チップ1を
位置決めする。この時、従来装置と同様に半導体チップ
1のウェハダイシング時の切り残し部分がチップ片10
となって欠落するが、位置決めステージ2は半導体チッ
プ1のサイズに対応した凸部を有しているため、チ・ツ
ブ片10は図に示すように半導体チップ1の乗るステー
ジ面より下方の面に確実に落下する。
以上の動作を数回繰り返した後の半導体チップ1の位置
決め状態を示すのが第1図(C,)である。
半導体チップ1から欠落したチップ片1oが数個発生す
るが、位置決めステージ2の半導体チップ1が乗る面に
チップ片10が残ることなく、半導体チップ1と位置決
め爪3が確実に接触し、所定の位置決め作業が行われる
。
乙の位置決めステージ2を用いて第3図に示すダイボン
ド装置により半導体チップ1のリードフし・−ムロへの
ダイボンドが行オ〕れる。
なお、上記実施例ではリードフレーム6にボンデイング
する場合について説明したが、これがセラミック基板な
どの場合でも良く、上記実施例と同様の効果を奏する。
。 〔発明の効果〕 以上説明したように、この発明の請求項(1)に記載の
発明は、位置決めステージの中央部に半導体チ・ツブの
チ・ツブサイズより小さい凸部を形成したので、チップ
片が原因となる位置決めに対する悪影響を防止すること
ができ、位置決めステージ上に高精度に半導体チップの
位置決めができる。
また、この発明の請求項(2)に記載の発明は、請求項
(1)に記載のダイボンド装置を用い、その凸部を備え
た位置決めステージ上に、半導体チップを位置決めし、
この位置決めされた半導体チ・ツブをボンデイング・\
・ラドにより被ボンデイング体のポンデイ、グ位置に移
動し、半導体チップをグイホントするので、常に半導体
チップが高精度に位置決めステージ上に位置決めされる
。したがって、この半導体チップをダイボンドした場合
にも、極めて精度のよいダイボンドが実現でき、高品質
な半導体装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)〜(c)はこの発明の一実施例によるダイ
ボンド装置の位置決めステージの動作説明図、第2図は
従来のダイボンド装置の位置決めステージの動作説明図
、第3図はダイボッド装置を示す全体の構成斜視図であ
る。 図において、1は半導体チップ、2は位置決めステーじ
、3は位置決め爪、4はボンデイング・\ラド、5はコ
レット、6はリードフレーム、7はXY子テーブル8は
送り爪、9はガイドレールである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄   (外2名)第 図 第 図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体チップを位置決めステージ上に位置決め爪
    により位置決めし、前記位置決めされた半導体チップを
    ボンディングヘッドにより被ボンディング体のボンディ
    ング位置に移動せしめてダイボンドするダイボンド装置
    において、前記位置決めステージの中央部に前記半導体
    チップのチップサイズより小さい凸部を形成したことを
    特徴とするダイボンド装置。
  2. (2)請求項(1)に記載のダイボンド装置を用い、そ
    の凸部上に、前記半導体チップを位置決めし、この位置
    決めされた半導体チップをボンディングヘッドにより被
    ボンディング体のボンディング位置に移動し、前記半導
    体チップをダイボンドすることを特徴とするダイボンド
    方法。
JP18991190A 1990-07-16 1990-07-16 ダイボンド装置およびこれを用いたダイボンド方法 Pending JPH0474443A (ja)

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JP18991190A JPH0474443A (ja) 1990-07-16 1990-07-16 ダイボンド装置およびこれを用いたダイボンド方法

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ID=16249274

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JP18991190A Pending JPH0474443A (ja) 1990-07-16 1990-07-16 ダイボンド装置およびこれを用いたダイボンド方法

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JP (1) JPH0474443A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6354480B2 (en) 2000-02-14 2002-03-12 Shinko Electric Industries, Co., Ltd Apparatus for positioning a thin plate
JP2008218667A (ja) * 2007-03-02 2008-09-18 Shinkawa Ltd バンプボンディング装置

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US6354480B2 (en) 2000-02-14 2002-03-12 Shinko Electric Industries, Co., Ltd Apparatus for positioning a thin plate
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