JPH0474691A - コンパクトディスク対応またはコンパクトディスク−ｒｏｍ対応の追記型光ディスクおよびそれを使用するフタロシアニン系色素 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、レーザー光による情報の記録、再生を行う光
ディスクに関する。

さらに詳しくはコンパクトディスク（ＣＤ）あるいはコ
ンパクトディスク−ＲＯＭ　（ＣＤ−ＲＯＭ）対応の追
記型光ディスクに関する。

（従来の技術） 集光レーザー光による情報記録媒体の中で、オーディオ
等の音楽再生用としてＣＤ、コンピータ用ＲＯＭとして
ＣＤ−ＲＯＭが広く普及している。

このようなＣＤおよびＣＤ　−ＲＯＭは、通常ポリカー
ボネート等の透明基板表面にＣＤ７．ｉ−マント信号を
有するピット列を射出成形時に形成し、その上からアル
ミニウムまたは金等を基若あるいはスパッタリングによ
り反射膜として設け、さらに保護層をコートして作成す
る。

このようにして作成した光ディスクの基板の裏面から再
生レーザー光（７８０ｎｍ半導体レーザー光）を照射し
て、ピットの凹凸による反射率の変化から各信号を読取
り、情報を再生するものである。

しかし、このようなＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭは再生専用であ
り情報の記録ができないため、追記型光ディスクあるい
は書換え可能な光磁気ディスク等のような編集機能がな
いという不都合さがあった。

一方、編集機能を有する追記型光ディスクあるいは光磁
気ディスクとしては、Ｔｅ等カルコケナイト系化合物、
希土類金属化合物もしくはシアニン、ナフタロシアニン
等の有機色素等を記録膜としたものが実用化されている
。

しかしながら、これらの光ディスクは、基板面からの反
射率が３０〜４０％であり、現在のＣＤの国際規格であ
るレッドブックに記載されている基板面からの反射率が
７０％以上には到達しておらず、現状のままＣＤあるい
はＣＤ　−ＲＯＭの再生装置により信号の再生を行うこ
とはできないという問題点がある。

このような問題点を解決するために、シアニン等の記録
膜の上に金等の反射膜を設けて、基板面反射率で７０％
以上を確保して７８０ｎｒｎでＣＤフォーマットあるい
はＣＤ−ＲＯＭフォーマント信号を記録し、ＣＤまたは
ＣＤ−ＲＯ〜１の再生装置で情報を読み出す光ディスク
および方法が提案されている。

このようなＣＤおよびＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディ
スクの記録膜材料としては、ＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭド
ライブ装置のピックアップのレーザー波長に対して吸収
と反射が微妙な割合で必要になるが、レッドブックに規
定されたピンクアンプのレーザー波長の使用可能な範囲
が７７０〜８１０ｎｍと非常に広いため、この範囲で宥
定した光学特性（吸光度、反射率）を得ることは困難で
あり、現在実用化されているＣＤ対応の光ディスクにお
いても、７７０ｎｍでは反射率が７０％を下回っていた
り、また８１０ｎｍでは十分な記録感度がなかったりし
ており、正確にはレッドブックの規格を満足していない
のが現状である。

（発明が解決しようとする課題） 本発明は、従来の追記機能、編集機能を有するＣＤある
いはＣＤ−ＲＯＭの持つ欠点を解決し、７７０〜８１０
ｎｍの波長範囲で安定した光学特性を実現し、この波長
範囲で完全に記録再生が可能なレッドブックに準拠した
光ディスクを提供するものである。

〔発明の構成〕

（課題を解決する手段） 本発明は、従来の追記機能、編集機能を有するＣＤある
いはＣＤ−ＲＯＭの持つ欠点を解決すべく、鋭意検討し
た結果、基板上に特定のフタロシアニン系化合物からな
る記録膜を有するＣＤ対応の追記型光ディスクが優れた
種々の特性を有することを見出し、本発明に至った。

本発明は、透明基板／記録膜／反射膜からなり、コンパ
クトディスクフォーマットあるいはコンパクトディスク
ＲＯＭフォーマット信号の記録を行う追記型光ディスク
において、記録膜が下記一般式［１］で示されるフタロ
シアニン系色素から選ばれることを特徴とするコンパク
トディスク対応またはコンパクトディスク−ＲＯＭ対応
の追記型［式中、Ｘ１〜Ｘ４はそれぞれ独立に、を表す
。

Ｙ′〜Ｙ４は、それぞれ独立にハロゲン原子、置換基を
有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいシクロ
アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置
換基を有していてもよいアシル基、置換基を有してもよ
い複素環残基、ニトロ基、シアノ基、スルホン酸基、カ
ルボン酸基、−ＯＲ菖　　　　−ＳＲ２−ＣＯＯＲＩ−
Ｎ＝Ｎ−Ｒ１−Ｎ＝ＣＨＲ’を表す。

Ｍは置換基Ｚを有してもよい金属、またはＲ２を表し、
Ｚは、水素原子、酸素原子、ハロゲン原子、置換基を有
してもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリ
ール基、置換基を有していてもよいアシル基、水酸基、
置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有しても
よいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアルキル
チオ基、置換基を有してもよいアリールチオ基、または
、（以下余白） Ｏ−Ｇｅ−Ｒ”を表す。

ここでＲ’、Ｒ”、Ｒ’は、互に同一であっても異なっ
ていてもよく、水素原子１．Ｗ換基を有していてもよい
アルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置
換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有
していてもよいアシル基、またはポリエーテル基を表し
、またＲ１　、Ｒ２Ｒ３から選ばれる２つで４〜７員環
を形成していてもよく、そのさい、さらに窒素原子等の
へテロ原子を含む複素環であってもよい。

１’　−−１’　、、ｍ’　〜ｍ’　、ｎはそれぞれＸ
　’　〜Ｘ’　、Ｙｌ　−Ｙ’　、Ｚの置換基の数を表
す。

一般式［１コの置換基、および、Ｒ１、Ｒ２Ｒ３につい
てさらに詳しく説明すると、ハロゲン原子としては、塩
素、臭素、ヨウ素、フッ素等があり、置換基を有しても
よいアルキル基としては、メチル基、Ｎ−ブチル基、ｔ
ｅｒ　ｔ−ブチル基、ステアリル基、トリクロロメチル
基、２−メトキシエチル基、Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノプ
ロピル基、Ｎ、Ｎ−ジブチルアミノプロビル基、２　　
（Ｎ−ピペラジノ）エチル基、置換基を有してもよいア
リール基としてはフェニル基、クロロフェニル基、トル
イル基、ナフチル基、アントリル基、ジメチルアミノフ
ェニル基、ヒドロキシフェニル基、ジエチルアミノナフ
チル基、ヒドロキシナフチル基、置換基を有してもよい
シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基、シクロ
ブチル基、置換基を有してもよいアシル基としては、ア
セチル基、トリフルオロアセチル基、ポリエーテル基と
しては、ジエチレングリコールモノエチル基、トリエチ
レングリコールモノブチル基、置換基を有してもよい複
素環残基としては、ピリジル基、フリル基、チアゾリル
基、ピペラジニル基、モルフオリニル基、トリアジニル
基等をあられすが、これらに限定されるものではない。

本発明で使用される一般式［１］で示されるフタロシア
ニン系化合物の代表的な例として、下記に示すフタロシ
アニン系化合物（ａ）〜（ｋ）等が揚げられるが、これ
らに限定される物ではない。

（ｃ） （ｅ） （ｆ） （ｓｔ＋た−−０２５ （ｇ） このような記録膜の成膜方法としては、ドライプロセス
例えば、真空蒸着法、スパッタリング法によっても可能
である。

また、ウェットプロセス、例えば、スピンコード法、デ
イツプ法、ロールコート法あるいはＬＢ（ラングミュア
−プロジェット）法によっても可能である。

記録膜材料が汎用の有機溶剤例えば、アルコール系、ケ
トン系、セロソルブ系、ハロゲン化炭化水素系、フロン
系、等の溶剤に可溶な場合は、生産性等からスピンコー
ド法によって成膜する方法（ｊ） が望ましい。

このように、いわゆる塗布法で成膜する場合には、必要
に応じて高分子バインダーを加えてもよい。高分子バイ
ンダーとしては、−塩化ビニル系樹脂、アクリル系樹脂
、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、エポキシ樹脂、メタクリル樹脂、酢酸ビニル系
樹脂、ニトロセルロース、フヱノール樹脂などが挙げら
れる。

高分子バインダーを用いる場合、色素に対する高分子バ
インダーの比率は１０重量％以下が好ましい。

また、本発明の記録膜の厚さには特に制限はなく、最適
な膜厚も化合物系によって異なるが５００〜３０００人
が好ましく、１０００〜２５００人が最適膜厚範囲であ
る。

反射膜素材としては、金、銀、銅、白金、アルミニウム
、コバルト、スズ、等の金属、ＭｇＯ。

ＺｎＯ１ＳｎＯ１等の金属酸化物、ＳｉＮ４、ＡＩＮ、
ＴｉＮ、等の窒化物等が挙げられるが、絶対反射率が高
く安定性に優れている点から金が最適である。

また、場合によっては、有機系の高反射膜を使用するこ
ともできる。

このような反射膜の成膜方法としては、ドライプロセス
、例えば真空蒸着法、スパッタリング法が最も好ましい
が、これに限られるものではない。

さらに、反射膜の上に化学的劣化（例えば、酸化、吸水
等）および物理的劣化（例えば傷、けずれ等）を防ぐ目
的で膜を保護するためのオーバーコート層を設けてもよ
い。

オーバーコート層としては、紫外線硬化型樹脂による方
法が一般的であるが、これに限られるものではない。

ディスク形態は、情報の記録後ＣＤあるいはＣＤ−ＲＯ
Ｍとして機能する必要があるため、ＣＤあるいはＣＤ−
ＲＯＭの規格（レッドブック）およびＲ−ＣＤの規格（
オレンジブック）に準拠していることが好ましい。

また、本発明に用いられるディスク基板としては、信号
の書込や読み出しを行うための光の透過率が、好ましく
は８５％以上であり、かつ光学異方性の小さいものが望
ましい。

例えば、ガラス、またはアクリル樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニ
ル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポ
リオレフィン系樹脂（ポリ４−メチルペンテン等）、ポ
リエーテルスルホン樹脂などの熱可塑性樹脂やエポキシ
樹脂、アリル樹脂等の熱硬化性樹脂からなる基板が挙げ
られる。これらの中で、成形のしやすさ、案内溝等の信
号の付与のしやすさなどから熱可塑性樹脂からなるもの
が好ましく、さらに光学特性や機械特性およびコストか
らみてアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂からなるも
のが特に好ましい。

また、案内溝などの付与は熱可塑性樹脂を成形（射出成
形、圧縮成形）する際にスタンパ−などを用いて付与す
るか、またはフォトポリマー樹脂を用いるいわゆる２Ｐ
法による方法が好ましい。

（実施例） 以下に、実施例により本発明を具体的に説明するが、本
発明は以下の実施例に限られるものではない。

（合成例１） （ヴアナジルフタロシアニンテトラクロロスルフォン酸
） クロロスルフォン酸３６ｇにヴアナジルフタロシアニン
４ｇを徐々に添加し、完全な溶液とした後、昇温し、１
００〜１０５℃で４時間加熱攪拌した。

９０°Ｃまで冷却した後、塩化チオニルＬｏｇを９０〜
９５°Ｃに保ちながら滴下し、さらに９０〜９５°Ｃで
２時間加熱攪拌した。反応液を冷却後、ドライアイスで
冷やし、適当に粉砕した氷５００ｇに注入し、析出した
沈殿をすばやくろ過し、氷水で良（洗浄した後、減圧乾
燥機で乾燥し、暗成色のヴアナジルフタロシアニンテト
ラクロロスルフォン酸クロライドの粉末４．５ｇを得た
。

（フタロシアニン化合物（ｂ）の合成）メタノール２０
０ａ＋１にジ−Ｎ−オクチルアミン１４゜５ｇを加え、
水浴で０℃まで冷却した後、先に合成したヴアナジルフ
タロシアニンテトラクロロスルフォン酸クロライド４．
５ｇを徐々に添加した。室温で１時間攪拌後、昇温し、
２時間環流した。反応液を冷却後、１０重量％炭酸ソー
ダ水溶液２１に激しく攪拌しながら注入し、得られたハ
ルツ状の沈殿をろ取し、ベンゼン５００ｍ１に溶かした
後、分液ロートで中性になるまで水洗した。硫酸マグネ
シウムで乾燥後、ベンゼン溶液にＮ−ヘキサンを滴下、
再沈殿により、析出した沈殿をろ取し、ヘキサンで洗浄
、乾燥して、フタロシアニン化合物（ｂ）の粗製品２．
０ｇを得た。精製はシリカゲルカラムを用いてクロロホ
ルム／メタノール２０：１の混合溶媒により行なった。

（合成例２） （フタロシアニン化合物（Ｃ）の合成）（合成例１）の
ヴアナジルフクロシアニンをヒドロキシアルミニウムフ
タロシアンに変えて、（合成例１）と同様に操作し、ア
ルミニウムフタロシアニンテトラスルフオン酸クロライ
ドの粉末４．０ｇを得た。

メタノール２００ｍ１にＮ、Ｎ−ジエチルアミノプロピ
ルアミン２０ｇを加えた溶液を水浴で冷却し、アルミニ
ウムフタロシアニンテトラスルフオン酸クロライド４．
０ｇを徐々に添加した。室温で１時間攪拌した後、昇温
し、２時間環流した。反応液を冷却後、１０重量２炭酸
ソーダ水溶液２．Ｏｌに注入し、析出した沈殿をろ取、
十分に洗浄した後、乾燥してフタロシアニン化合物（Ｃ
）の粗製物２．５ｇを得た。

精製は（合成例１）と同様な方法で行なった。

（合成例３） （フタロシアニン化合物（ｅ）の合成）（合成例２）の
Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノプロピルアミンをＮ、Ｎ−ジ−
Ｎ−ブチルアミノプロピルアミンに変えて、（合成例２
）と同様に操作して、ヒドロキシアルミニウムフタロシ
アニンテトラスルフォン酸（Ｎ、Ｎ−ジ−Ｎ−ブチルア
ミノプロピル）アミドの粗製物３．５ｇを得た。粗製物
３．０ｇを十分に脱水したピリジン１００ｍ１に溶解し
、３０℃以下で、クロロジフェニルフォスフイン２．０
ｇを滴下した。室温で１時間攪拌した後、昇温、２時間
環流した。

反応液を冷却後、氷水２．０１に激しく攪拌しながら注
入し、析出した沈殿をろ取、十分に水洗した後、乾燥し
てフタロシアニン化合物（ｅ）の粗製物３゜３ｇを得た
。精製はシリカゲルカラムを用いて、クロロホルム／メ
タノール５：２の混合溶媒により行なった。

（合成例４） （フタロシアニン化合物（ｆ）の合成）クロロガリウム
フタロシアニン２ｇを１００重量％に調整した硫酸１０
０ｇに溶解した後、２−クロロアセトアミド６．５ｇ、
パラホルムアルデヒド２．０ｇを添加し、昇温、９０〜
１００℃で４時間加熱攪拌した。反応液を冷却後、氷水
２．Ｏｌに注入し、析出した沈殿をろ取し、十分に洗浄
した後、減圧乾燥機で乾燥して、テトラ（２−クロロア
セトアミド）メチル・クロロガリウムフタロシアニンの
組成物。２．２ｇヲ得た。

メタノール１００ｍ１にＮ、Ｎ−ジエチルアミノプロピ
ルアミンＬｏｇを加えた溶液を水浴で冷却し、テトラ（
２−クロロアセトアミド）メチル・クロロガリウムフタ
ロシアニンの組成物２．０ｇを徐々に添加した。室温で
１時間撹拌した後、昇温、２時間環流した。反応液を冷
却後、ろ過して不溶物を除去し、ろ液を１０重量％炭酸
ソーダ水溶液２．Ｏｌに注入して、析出した沈殿をろ取
し、メタノール／水（１：　１）溶液４．Ｏｌで洗浄し
た。乾燥後、ソックスレーによりメタノール可溶分を抽
出し、溶媒を除去して、フタロシアニン化合物（ｆ　）
　１．０ｇを得た。

（合成例５） （フタロシアニン化合物（ｋ）の合成）（合成例４）に
おいてクロロガリウムフタロシアニンをテトラフェニル
チオフタロシアニンに変えて（合成例４）と同様に操作
して、フタロシアニン化合物（ｋ）の組成物０．８ｇを
得た。シリカゲルカラムを用いてクロロホルムでさらに
精製した。

実施例１ 深さ８００人、ピッチ１．６μｍのらせん状案内溝を有
する厚さ１．２ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍの
ポリカーボネート樹脂基板上に、化合物（ｂ）で示され
るフタロシアニン化合物のエトキシエタノールの２．０
重量％溶液を作成し、スピンコーターを用いて膜厚１２
００人に成膜した。

次に、このようにして得た塗布膜の上に金を膜厚８００
人で真空蒸着により成膜した。さらに、この上に紫外線
硬化型樹脂により保護層を設けて光ディスクを作成した
。

このようにして作成した光ディスクの反射スペクトルは
７７０〜８１０ｎｍの波長範囲で、対ＡＩの反射率で８
０％以上ありＣＤの規格を十分満足している。

また、この光ディスクを用い、波長７８０ｎｍの半導体
レーザーを使用して、線速１．３ｍ／ｓｅｃで９ｍＷの
′記録パワーでＥＭＦ−ＣＤフ−オーマット信号を記録
したところ記録が可能であった。

記録されたピット列は、長さ０．９〜３．３μｍ、間隔
０．９〜３．３μｍであった。

次に、この信号を市販のＣＤプレーヤーにより、線速１
．３　ｍ　／ｓｅｃ　、再生出力０．５ｍＷで再生を行
ったところ得られた信号は良好であり、ＣＤプレーヤー
に十分かかるレベルであった。

実施例２ 深さ８００人、ピッチ１．６μｍのらせん状案内溝を有
する厚さ１．２ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍの
ポリカーボネート樹脂基板上に、化合物（Ｃ）で示され
るフタロシアニン化合物のエトキシエタノールの２．０
重量％溶液を作成、スピンコーターを用いて膜厚１１０
０人に成膜した。

次に、このようにして得た塗布膜の上に金を膜厚８００
人で真空蒸着により成膜した。さらに、この上に紫外線
硬化型樹脂により保護層を設けて光ディスクを作成した
。

このようにして作成した光ディスクの反射スペクトルは
７７０〜８１０ｎｍの波長範囲で対ＡＩの反射率で８５
％以上ありＣＤの規格を十分満足している。

また、この光ディスクを用い、波長’７８０ｎｍの半導
体レーザーを使用して、線速１．３ｍ／ｓｅｃで９ｍＷ
の記録パワーでＥＭＦ−ＣＤフォーマット信号を記録し
たところ記録が可能であった。

記録されたピット列は、長さ０．９〜３．３μｍ、間隔
０．９〜３．３μｍであった。

次に、この信号を市販のＣＤプレーヤーにより、線速１
．３ｍ／ｓｅｃ、再生出力０．５ｍＷで再生を行ったと
ころ得られた信号は良好であり、ＣＤプレーヤーに十分
かかるレベルであった。

実施例３ 深さ８００人、ピッチ１．６μｍのらせん状案内溝を有
する厚さ１．２ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍの
ポリカーボネート樹脂基板上に化合物（ｅ）で示される
フタロシアニン化合物のエトキシエタノールの２．０重
量％溶液を作成し、スピンコーターを用いて膜厚１３０
０人に成膜した。

次に、このようにして得た塗布膜の上に金を膜厚８００
人で真空蒸着により成膜した。さらに、この上に紫外線
硬化型樹脂により保護層を設けて光ディスクを作成した
。

このようにして作成した光ディスクの反射スペクトルは
７７０〜８１０ｎｍの波長範囲で対ＡＩの反射率で８２
％以上ありＣＤの規格を十分満足している。

また、この光ディスクを用い、波長７８０　ｎｍの半導
体レーザーを使用して、線速１．３ｍ／ｓｅｃで９ｍＷ
の記録パワーでＥＭＦ−ＣＤフォーマット信号を記録し
たところ記録が可能であった。

記録されたピット列は、長さ０．９〜３．３μｍ、間隔
０．９〜３．３μｍであった。

次に、この信号を市販ＣＤプレーヤーにより、線速１．
３ｍ／ｓｅｃ、再生出力０．５ｍＷで再生を行ったとこ
ろ、得られた信号は良好であり、ＣＤプレーヤーに十分
かかるレベルであった。

実施例４ 深さ８００人、ピッチ１．６μｍのらせん状案内溝を有
する厚さ１．２ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍの
ポリカーボネート樹脂基板上に化合物（ｆ）で示される
フタロシアニン化合物のエトキシエタノールの２．０重
量％溶液を作成し、スピンコーターを用いて膜厚１２０
０人に成膜した。

次に、このようにして得た塗布膜の上に金を膜厚８００
人で真空蒸着により成膜した。さらに、この上に紫外線
硬化型樹脂により保護層を設けて光ディスクを作成した
。

このようにして作成した光ディスクの反射スペクトルは
７７０〜８１０ｎｍの波長範囲で対ＡＩの反射率で７８
％以上ありＣＤの規格を十分満足している。

また、この光ディスクを用い、波長７８０　ｎｍの半導
体レーザーを使用して、線速１．３ｍ／ｓｅｃで９ｍＷ
の記録パワーでＥＭＦ−ＣＤフォーマット信号を記録し
たところ記録が可能であった。

記録されたピット列は、長さ０．９〜３．３μｍ、間隔
０．９〜３．３μｍであった。

次に、この信号を市販ＣＤプレーヤーにより、線速１．
３ｍ／ｓｅｃ、再生出力０．５ｍＷで再生を行ったとこ
ろ得られた信号は良好であり、市販のＣＤプレーヤーに
十分かかるレベルであった。

実施例５ 深さ８００人、ピッチ１．６μｍのらせん状案内溝を有
する厚さ１．２ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍの
ポリカーボネート樹脂基板上に化合物（ｋ）に示される
ナフタロシアニン化合物をシクロヘキセン１．０重量％
溶液によりスピンコータ−を用いて１５０人に成膜した
。

次に、このようにして得た積層膜の上に金を膜厚８００
人で真空蒸着により成膜した。さらに、この上に紫外線
硬化型樹脂により保護層を設けて光ディスクを作成した
。

このようにして作成した光ディスクの反射スペクトルは
７７０〜８１０ｎｍの波長範囲で対ＡＩの反射率で８５
％以上ありＣＤの規格を十分満足している。

また、この光ディスクを用い、波長７８０　ｎｍの半導
体レーザーを使用して、線速１．３ｍ／ｓｅｃで９ｍＷ
の記録パワーでＥＭＦ−ＣＤフォーマレト信号を記録し
たところ記録が可能であった。

記録されたピット列は、長さ０．９〜３．３μｍ、間隔
０．９〜３６３μｍであった。

次に、この信号を市販ＣＤプレーヤーにより、線速１．
３　ｍ／ｓｅｃ　、再生出力０．５ｍＷで再生を行った
ところ得られた信号は良好であり、ＣＤプレーヤーに十
分かかるレベルであった。

（発明の効果） 本発明の構成により光ディスクを作成することにより、
追記機能編集機能を有するＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭ対
応の追記型光ディスクを提供することができる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、透明基板／記録膜／反射膜からなり、コンパクトデ
   ィスクフォーマットあるいはコンパクトディスク−ＲＯ
   Ｍフォーマット信号の記録を行う追記型光ディスクにお
   いて、記録膜が下記一般式［１］で示されるフタロシア
   ニン系色素から選ばれることを特徴とするコンパクトデ
   ィスク対応またはコンパクトディスク−ＲＯＭ対応の追
   記型光ディスク。 一般式［１］ ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中、Ｘ＾１〜Ｘ＾４はそれぞれ独立に、▲数式、化
   学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼ を表す。 Ｙ＾１〜Ｙ＾４は、それぞれ独立にハロゲン原子、置換
   基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいシ
   クロアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基
   、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有して
   もよい複素環残基、ニトロ基、シアノ基、スルホン酸基
   、カルボン酸基、−ＯＲ＾１、−ＳＲ＾２、−ＣＯＯＲ
   ＾１、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
   学式、表等があります▼、−ＮＨＣＯＲ＾１、 −Ｎ＝Ｎ−Ｒ＾１、−Ｎ＝ＣＨＲ＾１を表す。Ｍは置換
   基Ｚを有してもよい金属、またはＨ＿２を表し、Ｚは、
   水素原子、酸素原子、ハロゲン原子、置換基を有しても
   よいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基
   、置換基を有していてもよいアシル基、水酸基、置換基
   を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいア
   リールオキシ基、置換基を有してもよいアルキルチオ基
   、置換基を有してもよいアリールチオ基、または、▲数
   式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等
   があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼を表す。 ここでＲ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３は、互に同一であっても
   異なっていてもよく、水素原子、置換基を有していても
   よいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基
   、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基
   を有していてもよいアシル基、またはポリエーテル基を
   表し、またＲ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３から選ばれる２つで
   ４〜７員環を形成していてもよく、そのさい、さらに窒
   素原子等のヘテロ原子を含む複素環であってもよい。 ｌ＾１〜ｌ＾４、ｍ＾１〜ｍ＾４、ｎはそれぞれＸ＾１
   〜Ｘ＾４、Ｙ＾１〜Ｙ＾４、Ｚの置換基の数を表す。ｌ
   ＾１〜ｌ＾４はそれぞれ独立に０〜４の整数を表すが、
   すべて同時に０となることはない。ｍ＾１〜ｍ＾４はそ
   れぞれ独立に０〜４の整数を表す。ｎは０〜２の整数を
   表す。］