JPH0596861A - Ｃｄまたはｃｄ−ｒｏｍ対応の追記型光デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は、従来の追記機能、編集機能を有する
ＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭの持つ欠点を解決し、７７０
〜８１０ｎｍの波長範囲で安定した光学特性を実現し、
この波長範囲で完全に記録再生が可能なオレンジブック
に準拠した光ディスクを提供するものである。 【構成】透明基板／記録膜／反射膜からなり、コンパク
トディスクフォーマットあるいはコンパクトディスク−
ＲＯＭフォーマット信号の記録を行なう追記型光ディス
クにおいて、記録膜が下記一般式［Ｉ］で示されるフタ
ロシアニン系色素を含有することを特徴とするコンパク
トディスク対応またはコンパクトディスク−ＲＯＭ対応
の追記型光ディスク。 一般式［Ｉ］ 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光による情報
の記録、再生を行う光ディスクに関する。さらに詳しく
はＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスクに関
する。

【０００２】

【従来の技術】集光レーザー光による情報記録媒体の中
で、オーディオ等の音楽再生用としてＣＤ、コンピュー
タのＲＯＭとしてＣＤ−ＲＯＭが広く普及している。こ
のようなＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭは、通常ポリカーボネ
ート等の透明基板表面にＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭフォー
マット信号を有するピット列を射出成形時に形成し、そ
の上からアルミニウムまたは金等を蒸着あるいはスパッ
タリングにより反射膜として設け、さらに保護層をコー
トして作成する。このようにして作成した光ディスクの
基板の裏面から再生レーザー光（７８０ｎｍ半導体レー
ザー光）を照射して、ピットの凹凸による反射率の変化
から各信号を読取り、情報を再生するものである。しか
し、このようなＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭは再生専用であ
り記録ができないため、追記型光ディスクあるいは書換
え可能な光磁気ディスク等のような編集機能がないとい
う不都合さがあった。一方、編集機能を有する追記型光
ディスクあるいは光磁気ディスクとしては、Ｔｅ等カル
コゲナイト系化合物、希土類金属化合物もしくはシアニ
ン等の有機色素等を記録膜としたものが実用化されてい
る。しかしながら、これらの光ディスクは、基板面から
の反射率が３０〜４０％であり、現在のＣＤの国際規格
であるレッドブックに記載されている基板面からの反射
率７０％以上には到達しておらず、現状のままＣＤある
いはＣＤ−ＲＯＭの再生装置により信号の再生を行うこ
とはできないという問題点がある。このような問題点を
解決するために、シアニン等の記録膜の上に金等の反射
膜を設けて、基板面反射率で７０％以上を確保して７８
０ｎｍでＣＤフォーマットあるいはＣＤ−ＲＯＭフォー
マット信号を記録し、ＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭの再生装
置で情報を読み出す光ディスクおよび方法が提案されて
いる。

【０００３】しかしながら、一般にシアニン色素は光安
定性が悪いため、ＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭのような単板
構成で直接太陽光にさらされるような使用条件下では、
記録の信頼性に問題が生ずる可能性がある。そのため、
シアニン色素に代えて、化学的、物理的安定性の優れた
フタロシアニン化合物を記録膜材料に使用する試みが検
討されている。

【０００４】このフタロシアニン化合物の場合には、熱
的にも安定なため記録感度が低い、さらに吸収バンドが
非常にシャープであるため、ＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭド
ライブのピックアップに搭載される半導体レーザーの発
振波長の許容範囲（７８０〜８００ｎｍ程度）で安定し
た光学特性（反射率および吸収）を得ることが困難であ
り、記録感度の波長依存性が大きく、汎用性のある追記
型光ディスクに成りにくいという問題点がある。従っ
て、現状では安定性に優れ、さらに記録特性も良好なＣ
ＤまたはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光ディスクは提供さ
れていない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の追記
機能、編集機能を有するＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭの持
つ欠点を解決し、安定性に優れ、さらに記録特性も良好
なＣＤ対応の追記型光ディスクは提供するために、化学
的、物理的安定性の優れたフタロシアニン化合物を記録
膜材料として用いる場合に生ずる低記録感度および記録
感度の波長依存性を防ぎ、良好な再生信号が得られる記
録材料について鋭意検討を行った結果、本発明を得るに
至った。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記のような安定性に優
れ、さらに記録特性も良好なＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭ対
応の追記型光ディスクは以下のようにして実現される。
透明基板／記録膜／反射膜／保護膜の４層構造からな
り、ＣＤフォーマット信号またはＣＤ−ＲＯＭフォーマ
ット信号の記録を行う追記型光ディスクにおいて、その
記録膜がフタロシアニン化合物である下記一般式［Ｉ］
から選ばれる１種、または、２種以上で構成されること
を特徴とするＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光デ
ィスク。 一般式［Ｉ］

【０００７】

【化２】

【０００８】［式中、置換基Ｘ¹ 〜Ｘ⁴ は、それぞれ独
立にフッ素置換アルコキシ基を表し、Ｙ¹ 〜Ｙ⁴ はそれ
ぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換基を有しても
良いアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置
換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよ
いアリールオキシ基、置換基を有してもよいアルキルチ
オ基、置換基を有してもよいアリールチオ基、ニトロ
基、シアノ基、スルホン酸基、スルホン酸アミド基、ス
ルホン酸エステル基を表す。ｎ¹ 〜ｎ⁴ は置換基Ｘ¹ 〜
Ｘ⁴ の置換数で０〜４の整数を表す。中心金属Ｍは、Ａ
ｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅを表す。置換基Ｚは、−ＯＣ（＝
Ｏ）Ｒ、−ＯＣ（＝Ｏ）Ａｒを表す。ここで、Ｒは置換
基を有してもよい直鎖、分岐または環状のアルキル基を
表し、Ａｒは置換基を有してもよいアリール基を表す。
ｍは、１または２の整数であり置換基Ｚの個数を表
す。］

【０００９】本発明の記録膜が、一般式［Ｉ］で示され
る特殊な構造を有するフタロシアニン化合物により構成
することにより前述した課題を解決するに至った。つま
り、一般式［Ｉ］で示されるフタロシアニン化合物の特
徴は、中心金属からフタロシアニン環の分子平面に垂直
な方向に導入されたアシル基（一般式［Ｉ］中の置換基
Ｚ）の効果によりフタロシアニン化合物の分解温度が低
温側に大きくシフトするため、これらのフタロシアニン
化合物を記録膜に用いた場合、記録感度が大幅に向上す
ること。また、置換基Ｚの効果により媒体の反射レベル
が高くなること、加えて、良好な記録ピットを形成する
ため、再生信号のコントラストが良く、きれいな再生波
形が得られることである。

【００１０】中心金属からフタロシアニン環の分子平面
に垂直な方向に導入された置換基についてはこれまでア
ルコキシ基、シロキシ基等が知られているが、これらの
置換基が導入されたフタロシアニン化合物の大きな重量
減少を伴う分解温度は４００℃以上であるため、記録感
度が低いことが問題であった。これらの置換基で分解点
を下げるにはアルコキシ基や、シロキシ基等をかなりか
さ高いものにする必要があったが、そのために、分解点
（もしくは融点）は下がるが、記録ピットの縁が盛り上
がる等、記録ピットの形状が悪くなり、きれいな再生信
号が得られないことが難点であった。

【００１１】本発明におけるフタロシアニン化合物は、
一般式［Ｉ］中の置換基Ｚがかさ高いものでない場合で
も、大きな重量減少を伴う分解点が４００℃以下とな
り、また、置換基Ｚの効果によって、記録膜上でフタロ
シアニン分子同士の会合を抑制するため、高い分子吸光
係数を示すとともに、最大反射率を示す点が半導体レー
ザーの発信波長領域に近付くため、追記型光ディスクと
してオレンジブックの規格である６５％以上の反射率を
確保することができる特徴を有する。

【００１２】また、フタロシアニン環に導入されたフッ
素置換アルコキシ基（一般式［Ｉ］中の置換基Ｘ¹ 〜Ｘ
⁴ ）により溶解性が飛躍的に上がり、汎用の有機溶媒
（例えばメタノールやエタノール）に高い溶解性を持つ
ようになり、スピンコート法による記録膜の作成が容易
となる。また、置換基Ｘ¹ 〜Ｘ⁴ に導入されたフッ素原
子の効果（記録膜と基板との界面エネルギーの関係によ
るものと考えられる）により、記録ピットの状態が良好
となり、再生信号のコントラストが良く、きれいな再生
波形が得られる。

【００１３】さらに、置換基Ｘ¹ 〜Ｘ⁴ は導入位置によ
り最大吸収極大のシフトに影響するため、適切な記録感
度を与える位置に記録媒体の吸収を調整し、記録レーザ
ーの熱エネルギーを有効に活用することができるととも
に、記録感度の波長依存性をも調整することができる。
本発明の一般式［Ｉ］で示されるフタロシアニン化合物
に導入される置換基Ｚにおける置換基を有してもよい直
鎖、分岐または環状のアルキル基Ｒの代表例としては、
メチル基、エチル基、ヘキシル基、ドデシル基、イソプ
ロピル基、２−エチルヘキシル基、T-ブチル基、ネオペ
ンチル基、トリクロロメチル基、１，２−ジクロロエチ
ル基、トリフルオロメチル基、ヘプタフルオロプロピル
基、２，２，３，３−テトラフルオロプロピル基、２−
メトキシエチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基
等がある。置換基Ｚにおける置換基を有してもよいアリ
ール基Ａｒの代表例としてはフェニル基、ナフチル基、
３−メチルフェニル基、３−メトキシフェニル基、３−
フルオロフェニル基、３−トリクロロメチルフェニル
基、３−トリフルオロメチルフェニル基、ペンタフルオ
ロフェニル基、３−ニトロフェニル基等がある。

【００１４】本発明の一般式［Ｉ］で示されるフタロシ
アニン化合物に導入される置換基Ｘ¹ 〜Ｘ⁴ の代表例と
しては、２，２，２−トリフルオロエトキシ基、２，
２，３，３−テトラフルオロプロポキシ基、２，２，
３，３，３−ペンタフルオロプロポキシ基、１，１，
１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロポキシ基、
２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブトキシ基、
１Ｈ，１Ｈ，５Ｈ−オクタフルオロペントキシ基、１
Ｈ，１Ｈ，７Ｈ−ドデカフルオロヘプトキシ基、１Ｈ、
１Ｈ、９Ｈ−ヘキサデカフルオロノニルオキシ基、２−
（パーフルオロヘキシル）エトキシ基、２−（パーフル
オロオクチル）エトキシ基、２−（パーフルオロデシ
ル）エトキシ基、２−（パーフルオロ−３−メチルブチ
ル）エトキシ基、６−（パーフルオロエチル）ヘキシル
オキシ基、６−（パーフルオロヘキシル）ヘキシルオキ
シ基等がある。

【００１５】本発明の一般式［Ｉ］で示されるフタロシ
アニン化合物に導入されるＹ¹ 〜Ｙ⁴ を構成する原子お
よび有機置換基の代表例としては、置換基を持たない場
合に相当する水素原子をはじめ、ハロゲン原子としては
塩素、臭素、ヨウ素、フッ素があり、置換基を有しても
良いアルキル基としては、メチル基、ｎ−ブチル基、ｔ
ｅｒｔ−ブチル基、ステアリル基、トリクロロメチル
基、トリフルオロメチル基、２−メトキシエチル基、フ
タルイミドメチル基等を、置換基を有しても良いアリー
ル基としては、フェニル基、ナフチル基、ｐ−ニトロフ
ェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基等があり、
置換基を有してもよいアルコキシ基としては、メトキシ
基、エトキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ
基、２−エチルヘキシルオキシ基、２，２，２−トリク
ロロエトキシ基等があり、置換基を有してもよいアリー
ルオキシ基としてはフェノキシ基、ｐ−ニトロフェノキ
シ基ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、３−フルオロ
フェノキシ基、ペンタフルオロフェニル基、３−トリフ
ルオロメチルフェノキシ基等があり、置換基を有しても
良いアルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチ
オ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オク
チルチオ基等があり、置換基を有してもよいアリールチ
オ基としてはフェニルチオ基、ｐ−ニトロフェニルチオ
基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルチオ基、３−フルオ
ロフェニルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、３
−トリフルオロフェニルチオ基等がそれぞれ挙げられる
が、これらに限定されるものではない。

【００１６】本発明において、一般式［Ｉ］で示される
化合物は、例えば、以下の方法により製造することがで
きる。

【００１７】すなわち、下記一般式［ＩＩ］で示される
無置換のフタロニトリル、３位置換フタロニトリル類、
あるいは４位置換フタロニトリル類、または、下記一般
式［ＩＩＩ］で示される無置換の１，３−ジイミノイソ
インドリン、４位置換１，３−ジイミノイソインドリン
化合物、あるいは、５位置換１，３−ジイミノイソイン
ドリン化合物、または、相当するフタル酸無水物類、フ
タルイミド類と一般式［Ｉ］中のＭで示される金属の各
種金属塩を出発原料として常法により、一般式［ＩＶ］
で示されるフタロシアニン化合物を製造できる。

【００１８】一般式［ＩＩ］

【化３】

【００１９】［式中、Ｘ、Ｙ、ｎはそれぞれ一般式
［Ｉ］におけるＸ¹ 〜Ｘ⁴ 、Ｙ¹ 〜Ｙ⁴ 、ｎ¹ 〜ｎ⁴ と
同じ意味を表す。］

【００２０】一般式［ＩＩＩ］

【化４】

【００２１】［式中、Ｘ、Ｙ、ｎはそれぞれ一般式
［Ｉ］におけるＸ¹ 〜Ｘ⁴ 、Ｙ¹ 〜Ｙ⁴ 、ｎ¹ 〜ｎ⁴ と
同じ意味を表す。］

【００２２】一般式［ＩＶ］

【化５】

【００２３】［式中、Ｘ¹ 〜Ｘ⁴ 、Ｙ¹ 〜Ｙ⁴ 、ｎ¹ 〜
ｎ⁴ 、Ｍ、ｍはそれぞれ一般式［Ｉ］におけるＸ¹ 〜Ｘ
⁴ 、Ｙ¹ 〜Ｙ⁴ 、ｎ¹ 〜ｎ⁴ 、Ｍ、ｍと同じ意味を表
す。

【００２４】次に、得られた一般式［ＩＶ］で示される
フタロシアニン化合物に、種々のアシル化剤を反応させ
ることにより、一般式［Ｉ］で示されるフタロシアニン
化合物を製造することができる。

【００２５】本発明で使用される一般式［Ｉ］で示され
るフタロシアニン化合物の代表的な例として下記に示す
フタロシアニン化合物（ａ）〜（ｊ）等が挙げられる
が、これらに限定される物ではない。

【００２６】（ａ）

【化６】

【００２７】（ｂ）

【化７】

【００２７】（ｃ）

【化８】

【００２８】（ｄ）

【化９】

【００２９】（ｅ）

【化１０】

【００３０】（ｆ）

【化１１】

【００３１】（ｇ）

【化１２】

【００３２】（ｈ）

【化１３】

【００３３】（ｉ）

【化１４】

【００３４】（ｊ）

【化１５】

【００３５】本発明における一般式［Ｉ］で示されるフ
タロシアニン化合物を用いた記録膜には、記録膜の耐光
性、耐環境性等の安定性、繰り返し再生の安定性をさら
に向上させる目的で、酸素クエンチャー、紫外線吸収剤
等の添加剤を加えてもよい。

【００３６】記録膜の成膜方法としては、ドライプロセ
ス、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法によっても
可能であるが、ウェットプロセス、例えば、スピンコー
ト法、ディップ法、スプレー法、ロールコート法あるい
はＬＢ（ラングミュア−ブロジェット）法によっても可
能である。本発明の記録膜素材は、汎用の有機溶媒、例
えば、アルコール系、ケトン系、セロソルブ系、ハロゲ
ン化炭化水素系、フロン系等に溶解するため、生産性お
よび記録膜の均一性からスピンコート法により成膜する
方法が好ましい。

【００３７】このように、いわゆる塗布法で成膜する場
合には、必要に応じて高分子バインダーを加えても良
い。高分子バインダーとしてはアクリル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩
化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ニトロセルロー
ス、フェノール樹脂等が挙げられるがこれに限られるも
のではない。高分子バインダーの混合比としては特に制
限はないが、フタロシアニン化合物に対して３０重量％
以下が好ましい。

【００３８】本発明の記録膜の最適膜厚は、記録膜材料
の種類および組合せにより異なるため特に制限はなく、
５００〜３０００オングストロームが好ましく、さらに
１０００〜２５００オングストロームが最適膜厚範囲で
ある。

【００３９】本発明の反射膜素材としては、金、銀、
銅、白金、アルミニウム、コバルト、スズ等の金属およ
びこれらを主成分とした合金、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ
等の金属酸化物、ＳｉＮ₄ 、ＡｌＮ、ＴｉＮ等の窒化物
等が挙げられるが、絶対反射率が高く安定性に優れてい
る点から金が最適である。このように、反射膜素材とし
ては金が最適であるが、金は高価であるため、安価な追
記型光ディスクを得ることが困難となる問題点がある。
この問題点を解決する目的で、金の膜厚を最小限に小さ
くし、膜厚不足分を他の金属、金属酸化物（例えば、ア
ルミニウム、銀、ＺｎＯ等）で補うような積層膜を反射
膜に用いることも可能である。なお、この場合、絶対反
射率を金単独膜とほぼ同等にするためには、積層する下
層（記録膜に接する層）の金膜厚は最低２００オングス
トローム以上必要であり、反射膜の厚みは８００〜２５
００オングストロームが最適である。また、場合によっ
ては有機系の高反射膜を使用することもできる。

【００４０】このような反射膜の成膜方法としては、ド
ライプロセス例えば真空蒸着法、スパッタリング法が最
も好ましいがこれに限られるものではない。本発明の反
射膜の最適膜厚については、特に制限はないが４００〜
１３００オングストロームの範囲が好ましい。

【００４１】さらに、反射膜の上より、ディスク特に記
録膜および反射膜の化学的劣化（例えば酸化、吸水等）
および物理的劣化（例えば傷、けずれ等）を防ぐ目的で
ディスクを保護するための保護膜を設ける。保護膜用の
材料としては、紫外線硬化型樹脂を用いて、スピンコー
トにより塗布し、紫外線照射により硬化させる方法が好
ましいがこれに限られるものではない。

【００４２】保護膜の最適膜厚については、薄い場合に
は、保護の効果が低下し、厚い場合には樹脂の硬化時の
収縮によりディスクのそり等の機械特性の悪化の原因に
なるため、２〜２０ミクロンの範囲で成膜することが好
ましい。

【００４３】また、本発明に用いられるディスク基板と
しては信号の書込や読み出しを行うための光の透過率が
好ましくは８５％以上であり、かつ光学異方性の小さい
ものが望ましい。例えば、ガラス、またはアクリル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリア
ミド樹脂、塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリ
スチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂（ポリ−４−メ
チルペンテン等）、ポリエーテルスルホン樹脂などの熱
可塑性樹脂やエポキシ樹脂、アリル樹脂等の熱硬化性樹
脂からなる基板が挙げられる。これらの中で、成形のし
やすさ、ＡＴＩＰ用のウォブル信号および案内溝等の付
与のしやすさなどから熱可塑性樹脂からなるものが好ま
しく、さらに光学特性や機械特性およびコストからみて
アクリル樹脂やポリカーボネート樹脂からなるものが特
に好ましい。また、ＡＴＩＰ用ウォブル信号および案内
溝などの付与は熱可塑性樹脂を成形（射出成形、圧縮成
形）する際にスタンパーなどを用いて付与する方法が好
ましいが、フォトポリマー樹脂を用いるいわゆる２Ｐ法
による方法によっても行うことができる。

【００４４】本発明の案内溝の形状については、特に制
限はなく矩形、台形あるいはＵ字形であってもよい。ま
た、案内溝の寸法については、記録膜材料の種類および
組合せ等により最適値はそれぞれ異なるが、平均溝幅
（溝深さの１／２の位置の幅）が０．３〜０．６ミクロ
ン、また、溝深さが８００〜２０００オングストローム
の範囲が好ましい。

【００４５】本発明のディスク形態は、記録後ＣＤある
いはＣＤ−ＲＯＭとして機能する必要があるため、ＣＤ
あるいはＣＤ−ＲＯＭの規格（レッドブック）およびＲ
−ＣＤの規格（オレンジブック）に準拠していることが
好ましい。

【００４６】

【実施例】以下の実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明は以下の実施例に限られるものではない。
はじめに、本発明で使用されるフタロシアニン化合物の
代表例の製造法について説明する。

【００４７】製造例１：フタロシアニン化合物（ｂ）の
製造 キノリン１００部に４−ブトキシフタロニトリル１０．
０部、無水塩化アルミニウム３．４部を加え、１６０〜
１７０℃で３時間加熱攪拌後、冷却し、メタノール１０
００部で希釈、析出した沈殿をろ過、メタノールで洗
浄、乾燥して緑色の粉末７．８部を得た。この粉末を濃
硫酸４００部に溶解した後、氷水８０００部に注入、析
出した沈殿をろ過、水洗、乾燥して緑青色の粉末５．０
部を得た。この粉末はＦＤ−ＭＳ分析の結果、一般式
［ＩＶ］に相当するヒドロキシアルミニウムフタロシア
ニンであることが確認された。上記で得られたヒドロキ
シアルミニウムフタロシアニン５．０部をピコリン３０
０部、トリ−ｎ−ブチルアミン５０部に攪拌溶解した
後、冷却しながら２−エチルヘプタノイルクロライド
５．０部を滴下し、室温で１時間攪拌後、３時間加熱環
流した。冷却後、反応液を５％塩酸水２０００部に注入
し、クロロホルム５００部で抽出し、硫酸マグネシウム
で乾燥後、溶媒を留去して暗緑色のハルツ状の物質を得
た。次いで、アルミナカラムクロマトグラフにより精製
単離し、緑色の粉末２．２部を得た。ＦＤ−ＭＳ分析の
結果、この粉末はフタロシアニン化合物（ｂ）であるこ
とが確認された。

【００４８】製造例２：フタロシアニン化合物（ｃ）の
製造 製造例１の４−ブトキシフタロニトリル１０．０部の代
りに４−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）−１，
３−ジイミノイソインドリン９．８部とし、製造例１と
同様に処理して、一般式［ＩＶ］に相当するヒドロキシ
アルミニウムフタロシアニンの緑色粉末４．６部を得
た。上記で得られたヒドロキシアルミニウムフタロシア
ニン４．０部をピリジン１００部に攪拌溶解した後、ト
リフルオロ無水酢酸３．０部を冷却しながら滴下し、室
温で１時間攪拌後、３時間加熱環流した。冷却後、反応
液を５％塩酸水２０００部に注入、析出した沈殿をろ
過、水洗した後、メタノール／水（３／１）混合溶液で
洗浄、乾燥して緑色の粉末４．２部を得た。ＦＤ−ＭＳ
分析の結果、この粉末はフタロシアニン化合物（ｃ）で
あることが確認された。

【００４９】製造例３：フタロシアニン化合物（ｄ）の
製造 製造例１の４−ブトキシフタロニトリル１０．０部の代
りに４−（２，２，３，３−テトラフルオロプロポキ
シ）フタロニトリル１２．０部とし、製造例１と同様に
処理して、一般式［ＩＶ］に相当するヒドロキシアルミ
ニウムフタロシアニンの緑色の粉末５．７部を得た。上
記で得られたヒドロキシアルミニウムフタロシアニン
５．０部をピリジン１００部、トリ−ｎ−ブチルアミン
１０部に攪拌溶解した後、冷却しながらヘプタフルオロ
プロピノイルクロリド５．０部を滴下し、室温で１時間
攪拌後、６０℃で４時間加熱攪拌した。冷却後、反応液
を５％塩酸水３００部に注入し、析出した暗緑色の粘調
な個体をクロロホルムに溶解、無水硫酸ナトリウムで乾
燥し、溶媒を留去した後、カラム精製（アルミナ／クロ
ロホルム）によって緑色の粉末３．０部を得た。ＦＤ−
ＭＳ分析の結果、この粉末はフタロシアニン化合物
（ｄ）であることが確認された。

【００５０】製造例４：フタロシアニン化合物（ｅ）の
製造 製造例１の４−ブトキシフタロニトリル１０．０部の代
りに４−ｔｅｒｔブチルフタロニトリル９．２部とし、
製造例１の無水塩化アルミニウム３．４部の代りに三塩
化ガリウム２．０部とし、製造例１と同様に処理して、
一般式［ＩＶ］に相当するヒドロキシガリウムフタロシ
アニンの暗緑色粉末２．４部を得た。上記で得られたヒ
ドロキシガリウムフタロシアニン２．０部をピコリン１
００部、トリ−ｎ−ブチルアミン１０．０部に攪拌溶解
した後、冷却しながらｐ−ニトロ安息香酸クロリド５．
０部を滴下し、室温で１時間攪拌後、６時間加熱環流し
た。冷却後、反応液を５％塩酸水２０００部に注入、析
出した沈殿をろ過、水洗した後、メタノールで洗浄、乾
燥して緑色の粉末１．３部を得た。ＦＤ−ＭＳ分析の結
果、この粉末はフタロシアニン化合物（ｅ）であること
が確認された。

【００５１】製造例５：フタロシアニン化合物（ｆ）の
製造 製造例１の４−ブトキシフタロニトリル１０．０部の代
りに４−（２，２，３，３−テトラフルオロプロポキ
シ）−１，３−ジイミノイソインドリン１３．０部と
し、製造例１と同様に処理して、一般式［ＩＶ］に相当
するヒドロキシアルミニウムフタロシアニンの暗緑色粉
末２．４部を得た。上記で得られたヒドロキシアルミニ
ウムフタロシアニン２．０部をピリジン１００部に溶解
した後、冷却しながら無水トリフルオロ酢酸３．０部を
滴下して室温で１時間攪拌した後、５０℃で３時間加熱
攪拌した。反応液を５％塩酸水２０００部に注入、析出
した沈殿をろ過、水洗した後、メタノール／水（２／
１）混合溶液で洗浄、乾燥して、暗緑色の粉末１．２部
を得た。ＦＤ−ＭＳ分析の結果、この粉末はフタロシア
ニン化合物（ｆ）であることが確認された。

【００５２】製造例６：フタロシアニン化合物（ｈ）の
製造 製造例１の４−ブトキシフタロニトリル１０．０部の代
りに４−（２，２，３，３−テトラフルオロプロポキ
シ）−１，３−ジイミノイソインドリン１３．０部と
し、製造例１と同様に処理して、一般式［ＩＶ］に相当
するヒドロキシアルミニウムフタロシアニンの暗緑色粉
末２．４部を得た。上記で得られたヒドロキシアルミニ
ウムフタロシアニン２．０部をピリジン１００部に溶解
した後、冷却しながら２−エチルヘプタノイルクロリド
３．０部を滴下して室温で１時間攪拌した後、３時間加
熱環流した。反応液を５％塩酸水２０００部に注入し、
クロロホルム５００部で抽出、無水硫酸ナトリウムで乾
燥し、溶媒を留去した後、カラム精製（アルミナ／クロ
ロホルム）によって緑色の粉末０．７部を得た。ＦＤ−
ＭＳ分析の結果、この粉末はフタロシアニン化合物
（ｈ）であることが確認された。

【００５３】実施例１ 深さ１２００オングストローム、幅０．５０ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物［ｃ］をジアセトンア
ルコールに６０ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミク
ロンのフィルタリングを行い塗液を調製し、この塗液を
用いて、スピンコーターにより記録膜厚１３００オング
ストロームに成膜した。次に、このようにして得た記録
膜の上に真空蒸着により金を膜厚８００オングストロー
ムに成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂によ
り保護膜を５ミクロンの膜厚で設けて光ディスクを作成
した。このようにして作成した光ディスクの反射率は７
４％であった。このようにして作成した光ディスクを用
い、波長７８５ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度
１．４ｍ／ｓｅｃで、ＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を
記録したところ、最適記録レーザーパワーが５．８ｍＷ
で記録が可能であった。次に、この信号をＣＤプレーヤ
ーによりレーザーパワー０．５ｍＷで再生を行ったとこ
ろ、得られた信号は良好であり、市販のＣＤプレーヤー
に十分かかるレベルであった。

【００５４】実施例２ 深さ１５００オングストローム、幅０．５２ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物［ｄ］をエチルセロソ
ルブに５０ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロン
のフィルタリングを行い塗液を調製し、この塗液を用い
て、スピンコーターにより記録膜１４５０オングストロ
ームに成膜した。次に、このようにして得た記録膜の上
に真空蒸着により金を膜厚５００オングストロームに成
膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂により保護
膜を５ミクロンの膜厚で設けて光ディスクを作成した。
このようにして作成した光ディスクの反射率は７２％で
あった。このようにして作成した光ディスクを用い、波
長７８５ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度１．４
ｍ／ｓｅｃで、ＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を記録し
たところ、最適記録レーザーパワーが６．６ｍＷで記録
が可能であった。次に、この信号をＣＤプレーヤーによ
りレーザーパワー０．５ｍＷで再生を行ったところ、得
られた信号は良好であり、市販のＣＤプレーヤーに十分
かかるレベルであった。

【００５５】実施例３ 深さ１２５０オングストローム、幅０．４８ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物［ｅ］を２，２，３，
３−テロラフルオロプロパノールに４５ｍｇ／ｍｌの濃
度で溶解し、０．２ミクロンのフィルタリングを行い塗
液を調製し、この塗液を用いて、スピンコーターにより
記録膜厚１６００オングストロームに成膜した。次に、
このようにして得た記録膜の上に真空蒸着により金を膜
厚５００オングストロームに成膜した。さらに、この上
に紫外線硬化型樹脂により保護膜を５ミクロンの膜厚で
設けて光ディスクを作成した。このようにして作成した
光ディスクの反射率は７１％であった。このようにして
作成した光ディスクを用い、波長７８５ｎｍの半導体レ
ーザーを使用して線速度１．４ｍ／ｓｅｃで、ＥＦＭ−
ＣＤフォーマット信号を記録したところ、最適記録レー
ザーパワーが７．０ｍＷで記録が可能であった。次に、
この信号をＣＤプレーヤーによりレーザーパワー０．５
ｍＷで再生を行ったところ、得られた信号は良好であ
り、市販のＣＤプレーヤーに十分かかるレベルであっ
た。

【００５６】実施例４ 深さ１３００オングストローム、幅０．５ミクロン、ピ
ッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物［ｆ］をエチルセロソ
ルブに６５ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロン
のフィルタリングを行い塗液を調製し、この塗液を用い
て、スピンコーターにより記録膜厚１７００オングスト
ロームに成膜した。次に、このようにして得た記録膜の
上に真空蒸着により金を膜厚５００オングストロームに
成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂により保
護膜を５ミクロンの膜厚で設けて光ディスクを作成し
た。このようにして作成した光ディスクの反射率は７１
％であった。このようにして作成した光ディスクを用
い、波長７８５ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度
１．４ｍ／ｓｅｃで、ＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を
記録したところ、最適記録レーザーパワーが５．９ｍＷ
で記録が可能であった。次に、この信号をＣＤプレーヤ
ーによりレーザーパワー０．５ｍＷで再生を行ったとこ
ろ、得られた信号は良好であり、市販のＣＤプレーヤー
に十分かかるレベルであった。

【００５７】実施例５ 深さ１３００オングストローム、幅０．６ミクロン、ピ
ッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、フタロシアニン化合物［ｈ］をエチルセロソ
ルブに６０ｍｇ／ｍｌの濃度で溶解し、０．２ミクロン
のフィルタリングを行い塗液を調製し、この塗液を用い
て、スピンコーターにより記録膜厚１４５０オングスト
ロームに成膜した。次に、このようにして得た記録膜の
上に真空蒸着により金を膜厚５００オングストロームに
成膜した。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂により保
護膜を５ミクロンの膜厚で設けて光ディスクを作成し
た。このようにして作成した光ディスクの反射率は７１
％であった。このようにして作成した光ディスクを用
い、波長７８５ｎｍの半導体レーザーを使用して線速度
１．４ｍ／ｓｅｃで、ＥＦＭ−ＣＤフォーマット信号を
記録したところ、最適記録レーザーパワーが５．９ｍＷ
で記録が可能であった。次に、この信号をＣＤプレーヤ
ーによりレーザーパワー０．５ｍＷで再生を行ったとこ
ろ、得られた信号は良好であり、市販のＣＤプレーヤー
に十分かかるレベルであった。

【００５８】実施例６〜１０ 深さ１２５０オングストローム、幅０．４８ミクロン、
ピッチ１．６ミクロンの案内溝を有する厚さ１．２０ｍ
ｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのポリカーボネート
基板上に、表１に示すフタロシアニン化合物を２，２，
３，３−テトラフルオロプロパノールに５０ｍｇ／ｍｌ
の濃度で溶解し、０．２ミクロンのフィルタリングを行
い塗液を調製し、この塗液を用いて、スピンコーターに
より記録膜厚１３００オングストロームとして記録膜を
成膜した。次に、このようにして得た記録膜の上に真空
蒸着により金を膜厚５００オングストロームに成膜し
た。さらに、この上に紫外線硬化型樹脂により保護膜を
５ミクロンの膜厚で設けて光ディスクを作成した。この
ようにして作成した光ディスクの反射率および実施例１
と同様の方法で記録、再生を行った場合の最適記録レー
ザーパワーを表１に示す。

【００５９】

【表１】

【００６０】

【発明の効果】本発明の構成により光ディスクを作成す
ることにより、７７０ｎｍから８００ｎｍの半導体レー
ザーに対して安定した記録再生特性を示す追記機能編集
機能を有するＣＤあるいはＣＤ−ＲＯＭ対応の追記型光
ディスクを提供することができる。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明基板／記録膜／反射膜／保護膜の４
   層構造からなり、ＣＤフォーマット信号またはＣＤ−Ｒ
   ＯＭフォーマット信号の記録を行う追記型光ディスクに
   おいて、その記録膜がフタロシアニン化合物である下記
   一般式［Ｉ］から選ばれる１種、または、２種以上で構
   成されることを特徴とするＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭ対応
   の追記型光ディスク。 一般式［Ｉ］ 【化１】 ［式中、置換基Ｘ¹ 〜Ｘ⁴ は、それぞれ独立にフッ素置
   換アルコキシ基を表し、Ｙ¹ 〜Ｙ⁴ はそれぞれ独立に水
   素原子、ハロゲン原子、置換基を有しても良いアルキル
   基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有して
   もよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオ
   キシ基、置換基を有してもよいアルキルチオ基、置換基
   を有してもよいアリールチオ基、ニトロ基、シアノ基、
   スルホン酸基、スルホン酸アミド基、スルホン酸エステ
   ル基を表す。ｎ¹ 〜ｎ⁴ は置換基Ｘ¹ 〜Ｘ⁴ の置換数で
   ０〜４の整数を表す。中心金属Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉ
   ｎ、Ｇｅを表す。置換基Ｚは、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ、−Ｏ
   Ｃ（＝Ｏ）Ａｒを表す。ここで、Ｒは置換基を有しても
   よい直鎖、分岐または環状のアルキル基を表し、Ａｒは
   置換基を有してもよいアリール基を表す。ｍは、１また
   は２の整数であり置換基Ｚの個数を表す。］
2. 【請求項２】一般式［Ｉ］のｎ¹ 〜ｎ⁴ のすべてが０
   で、かつ、Ｙ¹ 〜Ｙ⁴ のすべてが水素原子であることを
   特徴とする請求項１記載のＣＤまたはＣＤ−ＲＯＭ対応
   の追記型光ディスク。
3. 【請求項３】一般式［Ｉ］のＸ¹ 〜Ｘ⁴ の置換位置が、
   それぞれＸ¹ が式中の２位または３位のいずれか、また
   は両方に、Ｘ² が式中の６位または７位のいずれか、ま
   たは両方に、Ｘ³ が式中の１０位または１１位のいずれ
   か、または両方に、Ｘ⁴が式中の１４位または１５位の
   いずれか、または両方に必ず置換している、ことを特徴
   とする請求項１ないし２いずれか記載のＣＤまたはＣＤ
   −ＲＯＭ対応の追記型光ディスク。
4. 【請求項４】一般式［Ｉ］のＸ¹ 〜Ｘ⁴ の置換位置が、
   それぞれＸ¹ が式中の１位または４位のいずれか、また
   は両方に、Ｘ² が式中の５位または８位のいずれか、ま
   たは両方に、Ｘ³ が式中の９位または１２位のいずれ
   か、または両方に、Ｘ⁴ が式中の１３位または１６位の
   いずれか、または両方に必ず置換している、ことを特徴
   とする請求項１ないし２いずれか記載のＣＤまたはＣＤ
   −ＲＯＭ対応の追記型光ディスク。